JPH03228410A - 高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路 - Google Patents

高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路

Info

Publication number
JPH03228410A
JPH03228410A JP1337414A JP33741489A JPH03228410A JP H03228410 A JPH03228410 A JP H03228410A JP 1337414 A JP1337414 A JP 1337414A JP 33741489 A JP33741489 A JP 33741489A JP H03228410 A JPH03228410 A JP H03228410A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
millimeter
wave transistor
microwave
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1337414A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0785528B2 (ja
Inventor
Kazuhiko Honjo
和彦 本城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1337414A priority Critical patent/JPH0785528B2/ja
Priority to US07/628,474 priority patent/US5177452A/en
Publication of JPH03228410A publication Critical patent/JPH03228410A/ja
Publication of JPH0785528B2 publication Critical patent/JPH0785528B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
    • H03F1/086—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers with FET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/1935—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
    • H10W44/203—Electrical connections
    • H10W44/206—Wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
    • H10W44/203—Electrical connections
    • H10W44/216—Waveguides, e.g. strip lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/20—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF]
    • H10W44/226—Electrical arrangements for controlling or matching impedance at high-frequency [HF] or radio frequency [RF] for HF amplifiers
    • H10W44/234—Arrangements for impedance matching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5475—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to common bond pads at both ends of the wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/759—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a laterally-adjacent discrete passive device

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、マイクロ波ミリ波トランジスタ回路に関して
おり、特に高出力安定動作が可能となる高出力マイクロ
波ミリ波トランジスタ安定化回路に関する。
（従来の技術） ＧａＡｓＦＥＴなどの能動素子を用いたマイクロ波ミリ
波高出力増幅器の進展は著しく、マイクロ波地上回線、
衛星通信、レーダ等各方面で固体増幅器が使われている
。
第３図（ａ）は従来のＧａＡｓＦＥＴ高出力増幅回路の
例である。同図においてチップキャリア上にろう付けさ
れたＧａＡｓＦＥＴ１のゲート電極と同じくろう付けさ
れたチタン酸バリウム基板２上に構成された第１の平行
平板キャパシタの上部電極３とがボンディング線１５で
結ばれ、前記チタン酸バリウム基板２上に構成された第
２の平行平板キャパシタの上部電極４と前記上部電極３
とはボンディング線１１で結ばれている。入力端子は該
チップキャリア上にろう付けされたアルミナセラミック
基板１７に構成された５０Ωマイクロストリツプコンダ
クタ９より成り、ストリップコンダクタ９と上部電極４
はボンディング線１０により結ばれている。ＧａＡｓＦ
ＥＴ１のドレイン電極はボンディング線１３により、該
チップキャリア上にろう付けされたアルミナセラミック
基板１８上の電極パターン６と接続されている。７は並
列スタブで、８は出力端子を構成している。このような
回路の等価回路が同じく第３図（ｂ）に示されている。
参照番号は構造図と同じである。
（発明が解決しようとする課題） 第３図の従来例のＧａＡｓＦＥＴ高出力増幅回路では第
４図に示す異状増幅現象が生ずる場合がある。第４図は
増幅回路の入出力電力特性（ａ）と周波数出力電力特性
（ｂ）である。同図（ａ）に示されたように増幅帯域内
の特定の周波数（あるいは周波数範囲）においてヒステ
リシスを伴った入出力電力特性のジャンプが生ずる。こ
のようなジャンプが生じたときには動作周波数の１／２
の周波数で代表される分数調波が発生する。同図（ｂ）
に示されたようにこのようなジャンプ現象は入力電力レ
ベルをある程度以上大きくしたときに生じ、さらに入力
電力レベルを大きくして行くと周波数特性で見る限りジ
ャンプの量は減少する傾向にある。
このような異状現象の起きるメカニズムは次のように説
明できる。すなわちＧａＡｓＦＥＴの有する非線形性と
、ＧａＡｓＦＥＴ自身および周辺回路が有する帰還容量
との相互作用によって説明できる。まずＧａＡｓＦＥＴ
の非線形性から説明する。第５図に示したようにＧａＡ
ｓＦＥＴのドレイン電流ＩＤは、飽和速度（Ｖｓａｔ）
モデルを用いて、 ＩＤ＝ｑＶｓａｔｂ　（ａ　−ｗ）Ｎｏ　　　　　　　
　　　　（１）と表せる。ここでｑは電子の電荷、Ｗは
空乏層幅、αはチャンネル厚すはゲート幅、Ｎｏはドー
ピング濃度と表せる。■、はゲート電圧、Ｖｂｉはショ
ットキー接合内蔵電圧、εはＧａＡｓの誘電率である。
（１）、（２）式と表せる。なお、第５図は半絶縁性Ｑ
ａＡｓ基板２５上のｎ型ドーピング層２４にソセス状に
形成されたゲートウヨットキー金属２１を備えたＧａＡ
ｓＦＥＴの模式図である。２２．２３はオーミック金属
でそれぞれソース電極、ドレイン電極を構成している。
（３）式で表されたｇｍは第６図に示すようなりｇ依存
性を有し、小信号動作時には準線形であるとすることが
できるが大信号動作時には非線形として表さなければな
らない。第５図中には空乏層に起因するドレイン・ゲー
ト間容量Ｃｄｇ、２８および電極間カップリングによる
ドレイン・ゲート間容量Ｃｄｇ’、２７がある。これら
の容量は入出力間の帰還回路を構成するが、以上に示し
た非線形性と帰還回路を等測的に表現すると第７図（ａ
Ｘｂ）のようになる。第７図はＧａＡｓＦＥＴ３７と、
入力回路３８、出力回路３９とを含めた場合の非線形モ
デルで、ｇｍの非線形性によるミキシング機能３２、ト
ランジスタ本来の増幅機能３１、およびＣｄｇ　十Ｃｄ
ｇ’による帰還回路３３から表される。図において、３
４はＧａＡｓＦＥＴにとっても信号源インピーダンスを
示す。このような帰還回路を有する非線形回路の動作は
第８図に示すようになる。すなわち帰還ループ内に存在
する熱雑音の内ｆｏ／２の周波数成分は増幅器に入力さ
れるｆｏ酸成分混合されｆｏ／２の成分が生じる。この
新たに再生されたｆｏ／２の成分は増幅され、帰還ルー
プを通り再びｆｏの入力成分と混合される。このｆｏ／
２成分はこの系が許す飽和レベルまで振幅が成長する。
したがってこのときの出力はｆｏとｆｏ／２の両方の成
分を有する。このような再生分周現象の起こる条件は ＧＡ、ｆｏ１２　＋　ＧＦ、ｆｏ／２　＋　Ｇｃ（Ｐｉ
）＞　ＯｄＢ　　　　　　（４）である。（４）式にお
いてＧＡ、　ｆｏ／２は増幅部のｆｏ／２の成分に対す
る利得でＧＦ、ｆｏ／２は帰還回路のｆｏ／２成分に対
する帰還量でＧｃ（Ｐｉ）はミキシング部の変換利得で
ある。第６図に示したように、小信号動作のときは準線
形として扱えるためＧｃ（Ｐｉ）は非常に小さい。この
ため小信号時には（４）式の条件を満たすことはなく異
状現象は起こらない。ところが大信号動作に入って来る
とＧｃ（Ｐｉ）は急激に増大し、ある入力レベルを越え
た瞬間に（４）式を満たすようになる。このときの出力
電力Ｐｏｕｔ＝Ｐｒｏ＋Ｐｒｏ／２となる。系の飽和出
力はｆｏ酸成分ｆｏ／２成分の和で規定されるので、ｆ
ｏ／２成分が現れた瞬間（すなわち（４）式が満たされ
た瞬間）にｆｏの成分が急減少する。これが入出力特性
のジャンプとなって現れる。
本発明の目的は高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ増
幅回路において前記異状現象を除去し、安定な動作が行
える高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路を
提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、本発明の高出力マイクロ波ミ
リ波トランジスタ安定化回路は、入力整合回路および出
力整合回路を備えた高出力マイクロ波ミリ波トランジス
タ回路において、マイクロ波ミリ波トランジスタの入力
端子と該入力整合回路との間に動作周波数の２分の１の
周波数に対するインピーダンスを選択的に低くするフィ
ルタ回路を設けたことを特徴としている。
さらに動作周波数に対して２分の１波長（すなわち動作
周波数の２分の１の周波数に対して４分の１波長）で先
端開放の並列伝送線路により前記フィルタ回路が構成さ
れていることを特徴としている。
（作用） 本発明においては第７図で示される回路のｆｏ／２成分
に対する帰還量ＧＦ、ｆ’ｏ／２、すなわちにおいてＺ
ｆｏ／２　＝　ＯとすることによりＧＦ、ｒｏ／２を−
■とし条件式（４）の成立を避ける作用がある。基本波
ｆｏに対して２分の１波長の先端開放の伝送線路を、も
う一端から見込んだインピーダンスは（１）となるが、
ｆｏ／２成分に対しては該線路は他端開放の４分の１波
長伝送線路となるためもう一端から見込んだインピーダ
ンスは零となる。このため基本波の整合回路には何ら影
響を与えることなく、ｆｏ／２成分に対してはインピー
ダンスを零とできるためＧＦ、ｆｏ／２を一ωとでき、
異状現象の発生を防止できる。
（実施例） 第１図は本発明の高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ
安定化回路を示す図で５０は基本波に対する入力整合回
路、５２は基本波に対する出力整合回路、５１は基本波
に対しては影響を与えずｆｏ／２成分に対して短絡とな
るフィルタ回路で、１はＧａＡｓＦＥＴである。
第２図は本発明の具体的実施例である。第２図と第３図
従来例の相違点は基本波に対して２分の１波長で先端開
放のマイクロストリップ線路５と、この線路とＧａＡｓ
ＦＥＴのゲート電極とを結ぶボンディング線１９が新た
に存在することである。他の参照番号は第３図と共通で
ある。
（発明の効果） 本発明の高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回
路においてはｆｏ／２成分の帰還を防止することができ
るため、入出力電力特性のジャンプ現象、周波数特性に
おけるバンド切れ現象を無くすることができる。このた
めマイクロ波ミリ波高出力増幅器の生産歩留りを大幅に
向上できるばかりでなく、帰還量が特に多くなるミリ波
帯において安定した増幅器を提供できるため工学上の意
義が大きい。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の回路を示す図であり、第２図はその具
体的実施例を示す図である。第３図は従来例の回路を示
す図、第４図は従来観測された異状現象を示す図、第５
図は高出力ＧａＡｓＦＥＴの構造図、第６図〜第８図は
異状現象の原因を説明する図である。 これらの図において １．３７・・・ＧａＡｓＦＥＴ、２・・・チタン酸バリ
ウム基板、３．４・・・キャパシタ、５．８．９・・・
マイクロストリップ線路、７・・・スタブ、１０．１１
．１５．１３．１９・・・ボンディング線、６・・・電
極パターン、２１・・・ゲート・ショットキー金属、２
２．２３・・・オーミック金属、２６・・・空乏層、２
５・・・半組性ＧａＡｓ、３８・・・入力整合回路、３
９−１．出力整合回路、３２・・・ミキシング機能、３
１・・・増幅機能、３３・・・帰還回路、３４・・・Ｇ
ａＡｓＦＥＴにとっての信号源インピーダンス

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）入力整合回路および出力整合回路を備えた高出力
    マイクロ波ミリ波トランジスタ回路において、マイクロ
    波ミリ波トランジスタの入力端子と該入力整合回路との
    間に動作周波数の２分の１の周波数に対するインピーダ
    ンスを選択的に低くするフィルタ回路を設けたことを特
    徴とする高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回
    路。
  2. （２）動作周波数に対して２分の１波長で先端開放の並
    列伝送線路によりフィルタ回路が構成されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高出力マイクロ
    波ミリ波トランジスタ安定化回路。
JP1337414A 1989-12-25 1989-12-25 高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路 Expired - Lifetime JPH0785528B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1337414A JPH0785528B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路
US07/628,474 US5177452A (en) 1989-12-25 1990-12-14 Stabilized circuit of high output power transistor for microwave and milliwave

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1337414A JPH0785528B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03228410A true JPH03228410A (ja) 1991-10-09
JPH0785528B2 JPH0785528B2 (ja) 1995-09-13

Family

ID=18308411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1337414A Expired - Lifetime JPH0785528B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5177452A (ja)
JP (1) JPH0785528B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057535A (ja) * 2000-06-28 2002-02-22 Trw Inc 高ダイナミック・レンジ低雑音増幅器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2276288A (en) * 1993-03-16 1994-09-21 Esen Bayar Stabilisation circuit for microwave amplifiers and active networks using butterfly stub
US6128508A (en) * 1996-12-27 2000-10-03 Lucent Technologies Inc. Communications system using multi-band amplifiers
JP2001111364A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Nec Corp マイクロ波増幅器
US7034620B2 (en) 2002-04-24 2006-04-25 Powerwave Technologies, Inc. RF power amplifier employing bias circuit topologies for minimization of RF amplifier memory effects
GB2411062B (en) 2004-02-11 2007-11-28 Nujira Ltd Resonance suppression for power amplifier output network
JP2007150419A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器
JP5631607B2 (ja) * 2009-08-21 2014-11-26 株式会社東芝 マルチチップモジュール構造を有する高周波回路
US9035702B2 (en) * 2012-03-08 2015-05-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Microwave semiconductor amplifier

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3860881A (en) * 1973-09-12 1975-01-14 Gen Electric Radio frequency amplifier
JPS5386208A (en) * 1976-12-24 1978-07-29 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photograph aperture control method
JPS5890810A (ja) * 1981-11-26 1983-05-30 Alps Electric Co Ltd マイクロ波回路装置
JPS60174806A (ja) * 1984-02-17 1985-09-09 Ube Ind Ltd 磁性粉の製造法
US4590437A (en) * 1984-04-27 1986-05-20 Gte Laboratories Incorporated High frequency amplifier
US4638261A (en) * 1985-08-26 1987-01-20 Sperry Corporation Low noise amplifier with high intercept point
JPH0767057B2 (ja) * 1987-04-10 1995-07-19 三菱電機株式会社 マイクロ波電力合成ｆｅｔ増幅器
US4878033A (en) * 1988-08-16 1989-10-31 Hughes Aircraft Company Low noise microwave amplifier having optimal stability, gain, and noise control
JPH02101808A (ja) * 1988-10-07 1990-04-13 Mitsubishi Electric Corp 高周波増幅回路
JPH02130008A (ja) * 1988-11-09 1990-05-18 Toshiba Corp 高周波電力増幅回路
JPH06103810B2 (ja) * 1989-09-13 1994-12-14 三菱電機株式会社 電界効果トランジスタ増幅器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057535A (ja) * 2000-06-28 2002-02-22 Trw Inc 高ダイナミック・レンジ低雑音増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0785528B2 (ja) 1995-09-13
US5177452A (en) 1993-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5105167A (en) Harmonic injection amplifier
US7310019B2 (en) High frequency power amplifier
JPH03228410A (ja) 高出力マイクロ波ミリ波トランジスタ安定化回路
EP0829953A2 (en) Frequency multiplier and voltage controlled oscillator
US6946934B2 (en) Transmission line and semiconductor integrated circuit device
US3842360A (en) Parametric amplifier
EP0455409B1 (en) Solid state RF power amplifier having improved efficiency and reduced distortion
US4841169A (en) Dual-gate fet amplifier-mixer with intermediate ohmic island for rejecting a frequency band
US11855601B2 (en) High-frequency semiconductor device
JP3439344B2 (ja) 半導体増幅器
JPH11150431A (ja) マイクロ波増幅器用バイアス回路
Kallfass et al. Balanced active frequency multipliers for W-band signal sources
JP3371151B2 (ja) モノリシックマイクロウエーブ半導体集積回路
JP3610692B2 (ja) 電圧制御発振器
JP2654248B2 (ja) 共平面アンテナ
JP2000040922A (ja) マイクロ波増幅器
US20250330128A1 (en) Amplifier
KR100345456B1 (ko) 마이크로웨이브모노리식집적회로용주파수혼합기
JPH10335954A (ja) 広帯域フィードバック増幅器
JPH06318805A (ja) 高周波半導体装置
JPH03121606A (ja) マイクロ波ミリ波高出力トランジスタ
JPS62209909A (ja) 超高周波半導体回路
JPH0774557A (ja) マイクロ波半導体装置
KR0154772B1 (ko) 저출력 임피던스 및 고역차단 특성을 갖는 무선 주파수 출력단 회로
WO2025179811A1 (zh) 功率放大器、功率放大器链路、射频前端电路及电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913

Year of fee payment: 15