JPH0322911Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、化学的気相成長法（以下、CVDと
いう。）によりウエーハ上に絶縁膜を成長させて
半導体を製造する装置に関する。

従来の技術 周知のように、CVDによる半導体の製造原理
は、ガス状物質を化学反応で固体物質にしてウエ
ーハ上に成長させるものである。ガス状物質とし
てSiH₄とO₂を使う場合は次の反応によつてウエ
ーハ上にSiO₂が膜状に成長し絶縁膜が形成され
る。

SiH₄＋2O₂→SiO₂＋2H₂O（300〜500℃） 第２図はCVDによる従来の半導体製造装置を
示している。

同図の装置は、多数のサセプタ１を所定間隔お
きに保持した無端回動体２の往路Ａ内で反応ガス
Ｇをノズル３より吹き付け、サセプタ１に載置し
たウエーハ上で絶縁膜を成長させるように構成し
たものである。この場合、サセプタ１及びウエー
ハはヒータ４によつて所定温度に加熱される。ま
た、ウエーハは往路Ａの始端部でサセプタ１に供
給され、往路Ａの終端部でサセプタ１から取り出
される。

考案が解決しようとする問題点 しかし、上記の装置によると、ノズル３から吹
き出された反応ガスがウエーハのみならずサセプ
タ１にも接触するので、ウエーハからはみ出した
サセプタ１の上でも絶縁膜が成長し、第３図のよ
うに、絶縁膜５がウエーハ６と該ウエーハ６から
はみ出したサセプタ１の上にも形成される。この
ため、往路Ａの終端部でサセプタ１からウエーハ
６を取り出しても、サセプタ１に絶縁膜５が残つ
たままになる。また、絶縁膜５を剥してウエーハ
６を取り出すときに発生するごみがサセプタ１に
付着することがある。そのため、従来は、一定時
間の運転の後その運転を休止し、サセプタ１を取
り外してエツチングと水洗によつて絶縁膜及びご
みを除去していた。

しかし、このような作業は面倒であるばかりで
なく、装置の稼動率の低下を招く。

他方、特開昭59−228932号公報には、サセプタ
に付着しているごみ等の異物をブラツシングによ
つて除去する技術が開示されている。しかし、こ
の技術では、サセプタに付着したごみを除去する
ことはできても、サセプタ上に成長した絶縁膜を
除去することはできない。

本考案は以上の問題点を解決するもので、装置
の運転を休止させてサセプタを無端回動体から取
り外す必要がなく、ウエツトエツチングによつて
サセプタ上に成長した絶縁膜を連続的に除去する
ことのできる半導体製造装置を提供することを目
的としている。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本考案は、多数の
サセプタを保持する無端回動体の往路Ａ内で反応
ガスを吹き付け、サセプタに載置したウエーハ上
に絶縁膜を成長させるように構成した半導体製造
装置において、無端回動体の復路内に、上記サセ
プタ上で成長した絶縁膜をウエツトエツチングす
るエツチング部７とサセプタ１に付着したエツチ
ング液を水洗する洗浄部８とを設けた点に要旨を
有する。

作 用 上記手段によると、サセプタは、ウエーハが取
り出された後、無端回動体の復路Ｂを通過する間
にエツチング部と洗浄部とをこの順に通過する。
エツチング部ではサセプタ上で成長した絶縁膜が
ウエツトエツチングされ、サセプタに付着したエ
ツチング液、ごみ等の異物は、サセプタがエツチ
ング部と洗浄部とを通過する間に除去される。こ
のため、サセプタは、上記復路において絶縁膜及
びごみ等の異物が除去された後、上記往路Ａに連
続的に導入される。従つて、従来のように装置の
運転を休止してサセプタを取り外す必要が無く、
サセプタからの絶縁膜の除去作業が不要になり、
装置の稼動率の低下が防止される。特に本考案に
あつてはウエツトエツチング方式を採用している
ので、真空雰囲気を必要とするドライエツチング
方式を採用した場合に比較して構成が極めて簡単
になるという利点がある。

実施例 以下、本考案の実施例を図面に従つて説明す
る。

第１図に例示した半導体製造装置において、多
数のサセプタ１を一定間隔おきに保持している無
端回動体２は複数のプーリ９…に巻き掛けられて
一定方向に回転される構成になつている。無端回
動体１の往路Ａを挟む上下両側に反応ガスＧを噴
出するノズル３とヒータ４が対向して設けられる
一方、その復路Ｂにはエツチング部７と洗浄部８
とが設けられている。エツチング部７では、無端
回動体１が蛇行してエツチング槽７１に貯溜され
たエツチング液S₁が浸漬される。エツチング液S₁
は循環ポンプ７２を有する循環路７３内を流れる
間にフイルター７４によつて異物が除去されると
ともに、調温装置７５によつて所定温度に調温さ
れた後、エツチング槽７１に戻されて再利用され
る。洗浄部８では、無端回動体１が蛇行して洗浄
槽８１に貯溜された洗浄液（普通には純温水が使
用される。）S₂に浸漬される。また、洗浄槽８１
からオーバーフローした洗浄液S₂は外部槽８２に
よつて受けられ、図外の処理設備に送られる一
方、不足した洗浄液S₂が補充管８３より洗浄槽８
１に補充される構成になつている。F₁は冷却フ
アン、F₂は温風フアンを示し、これらはエツチ
ング部７の手前と洗浄部８の後方にそれぞれ設け
られる。なお、１０はケースを示す。

上記において、ウエーハは無端回動体２の往路
Ａの始端部でサセプタ２に供給され、その終端部
でサセプタ１から取り出される。ウエーハが取り
出されたサセプタ１は無端回動体２の復路Ｂに移
行され、冷却フアンF₁によつてエツチング液S₁
の温度に近似する温度まで冷却された後エツチン
グ部７に導入される。エツチング部７ではサセプ
タ１上に成長した絶縁膜がウエツトエツチングさ
れて除去される。そして、サセプタ１及び無端回
動体２に付着したエツチング液S₁は洗浄部８を通
過する間に水洗される。また、サセプタ１に付着
した異物はエツチング部７及び洗浄部８を通過す
る間に除去される。洗浄部８から出たサセプタ１
と無端回動体２は温風フアンF₂によつて乾燥さ
れ、予備加熱された後、往路Ａに移行される。

エツチング液S₁には10％以上の濃度のフツ酸を
好適に使用できる。また、サセプタ１の材質は耐
熱・耐薬品性に富むインコネルやSiCによること
が望まれ、エツチング液S₁に接触するエツチング
槽７１、各プーリ等はテフロン等の耐蝕性に富む
材質によつて製作しておくことが望まれる。

サセプタ１上で成長した絶縁膜のエツチングは
２分以上行えば十分である。従つて、エツチング
槽７１の大きさは、無端回動体２の回転速度とエ
ツチング時間を考慮して適宜選定すべきである。
無端回動体２の回転速度は例えば３〜12cm／min
に定められる。また、エツチング液温を25〜30℃
に設定しておけばエツチングレートが一定にな
る。

考案の効果 本考案によれば、無端回動体の往路内でウエー
ハ上に絶縁膜を形成できると同時に、往路内でサ
セプタ上に成長した絶縁膜をウエツトエツチング
及び洗浄することができるので、サセプタの清掃
のために定期的に装置の運転を止めて、サセプタ
を取り外して清掃後、再び組立てる手間が省ける
と共に、装置の稼働率が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の実施例の半導体製造装置を示
す概略側面図、第２図は半導体製造装置の従来例
を示す概略側面図、第３図はサセプタとウエーハ
とその両者の上で成長した絶縁膜を拡大して示す
概略側面図である。 １……サセプタ、２……無端回動体、３……ノ
ズル、５……絶縁膜、６……ウエーハ、７……エ
ツチング部、８……洗浄部、Ｇ……反応ガス、Ａ
……往路、Ｂ……復路。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 多数のサセプタを保持する無端回動体の往路内
   で反応ガスを吹き付け、サセプタに載置したウエ
   ハ上に絶縁膜を成長させるように構成した半導体
   製造装置において、 無端回動体の復路内に、上記サセプタ上に成長
   した絶縁膜をウエツトエツチングするエツチング
   部と、サセプタに付着したエツチング液を水洗す
   る洗浄部とを設けたことを特徴とする半導体製造
   装置。