JPH0322912Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は半導体製造装置であつて、ウエハに絶
縁膜を形成するための絶縁膜成長装置に関する。

従来の技術 一般に、ウエハは、その耐湿性を向上するため
に、あるいは多層配線時における層間シヨートを
防止するために、ウエハ表面にSi₃N₄，SiO₂等の
絶縁膜を形成する必要がある。そして、従来は、
第６図に示す如く、ウエハａが、中心孔ｂを有す
るウエハホルダｃと、蓋体ｄとで挟着され、矢印
ｘ方向からのプラズマ化されたガスにより、ウエ
ハａ下面に絶縁膜ｅが形成されていた。

考案が解決しようとする問題点 従つて、従来においては、蓋体ｄの表面積が大
きいため、すなわち熱容量が大きいため、温度上
昇が遅く、また温度分布が不均一となつて絶縁膜
ｅの膜質を均一に保つことが困難であるという問
題点があつた。

本考案は従来のこのような問題点を解決して、
絶縁膜の膜質を劣化させることなく良好な絶縁膜
をウエハ上に製造することのできる半導体製造装
置を提供することを目的とする。

問題点を解決するための手段 上記目的を達成するために本考案に係る半導体
製造装置は、ウエハホルダに支持された上記ウエ
ハ上に載置する蓋体に中心孔が設けられている。

作 用 上記構成によれば、ウエハ上に載置される蓋体
に中心孔が設けられたので、蓋体の熱容量が低減
され、温度上昇も迅速であり、かつ均一となり、
絶縁膜の膜質も劣化させることなく、所望のウエ
ハを製造することができる。

実施例 以下、図示の実施例に基づき本考案を詳説す
る。

第２図において、１は絶縁膜を形成するための
半導体製造装置であつて、ウエハ２が内有された
サセプタ３と、高周波電極４と、ヒータ５と、均
一板６等とから構成される。そして、上記サセプ
タ３は均一板６を介してヒータ５によつて加熱さ
れると共に、矢印Ａ方向に送入されたガスが、通
電状態の高周波電極４を通過し、さらに矢印Ｂに
示す如く、ウエハ２の下面に衝突し、化学反応を
起こして所定の絶縁膜７を形成し、しかる後残ガ
スが矢印Ｃ方向へと排出される。

具体的には、上記サセプタ３は、第３図に示す
如く、適数個の孔１１…が貫設されたサセプタ本
体８と、該サセプタ本体８に着脱自在に係止され
てウエハ２を支持する平面視略円形状のウエハホ
ルダ９と、ウエハ２に載置されガスがウエハ２上
面へ流出するのを防ぐ蓋体１０とからなる。

しかして、該蓋体１０は、第１図に示す如く、
ウエハ２に載置した状態において、該ウエハ２と
空隙を形成しないような径を有する中心孔１２を
有すると共に、ウエハホルダ９に係止可能となる
ような外鍔１３が形成されてなる。また、該外鍔
１３には、外周上の適所に突起部１７が突設さ
れ、吸着ペン等により該蓋体１０の着脱が容易と
なるように便宜を図つている。

さらに、ウエハホルダ９は第４図に示す如く、
平面視略円形状に形成されかつ、ウエハ２の支持
が可能となるように、内周面に略等間隔でもつて
複数個の略矩形状爪部１４…が内設されると共
に、サセプタ本体８に係止可能となるように外鍔
１５が形成されてなる。

上記の如き半導体製造装置においては、ウエハ
２は、第５図に示す如く、ウエハホルダ９の爪部
１４…に対応する部分以外の全域に亙つて、絶縁
膜７が形成され、従来よりも歩留りを向上させる
ことができる。尚、１６はOF（オリエンテーシヨ
ン・フラツト）面を示す。さらに、蓋体１０に中
心孔１２を設けたので熱容量も低減され、温度上
昇も速くかつ該蓋体１０の温度分布が均一となつ
て、絶縁膜７の膜質も不均一となることがない。
すなわち、従来の第６図に示すような中心孔１２
のない蓋体ｄを用いて形成した窒化膜のバツフア
ードフツ酸によるエツチンググレートは225Å／
分であつたが、上記の中心孔１２を有する蓋体１
０を用いて形成した窒化膜のバツフアードフツ酸
のエツチングレートは137Å／分で、、この考案に
よる蓋体１０を用いた方が緻密な絶縁膜が形成さ
れることが確認された。なお、中心孔１２の有無
によりウエハ２の裏面に差は生じなかつた。ま
た、突起部１７を設けたので、容易に着脱可能で
あると共に、プレス加工にて一体成形されるの
で、コストアツプすることなく、該蓋体１０を製
造することができるという実施例上の効果があ
る。

尚、本考案は上記実施例に限定さるものでな
く、要旨を逸脱しない範囲において設計変更可能
なことは勿論であつて、図示は省略するが、ウエ
ハホルダ９の内面を爪部１４…の代わりにリング
状に形成するも自由である。

考案の効果 上記構成によれば、本考案に係る半導体製造装
置は、ウエハ２に載置される蓋体１０に中心孔１
２を設けたので、蓋体１０の温度上昇が速くかつ
温度分布が均一となり、ウエハ２には膜質の変化
することのない絶縁膜を形成することができ、よ
り電気的に安定したウエハ２を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す要部平面図、
第２図は同全体装置図、第３図は第２図の要部拡
大断面図、第４図はウエハホルダの平面図、第５
図は本考案により製造されたウエハの平面図、第
６図は従来例を示す要部拡大断面図である。 ２……ウエハ、７……絶縁膜、９……ウエハホ
ルダ、１０……蓋体、１２……中心孔。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 下方に電極を有し、その上方に配置されたサ
   セプタに装着されたウエハホルダに下向きにウ
   エハを支持し、ウエハの上方にヒータを配置し
   て、ウエハの下面に絶縁膜を形成するための半
   導体製造装置であつて、 前記ウエハホルダに支持されたウエハ上に載
   置される蓋体に、ウエハの周囲に空隙を形成し
   ないような径を有する中心孔を設けたことを特
   徴とする半導体製造装置。 (2) 前記蓋体は、ウエハホルダに係止可能な外鍔
   を有する、実用新案登録請求の範囲第(1)項記載
   の半導体製造装置。 (3) 前記蓋体は、外鍔の外方に突起部を有する、
   実用新案登録請求の範囲第(2)項記載の半導体製
   造装置。