JPH0322950B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0322950B2 JPH0322950B2 JP58232052A JP23205283A JPH0322950B2 JP H0322950 B2 JPH0322950 B2 JP H0322950B2 JP 58232052 A JP58232052 A JP 58232052A JP 23205283 A JP23205283 A JP 23205283A JP H0322950 B2 JPH0322950 B2 JP H0322950B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soldered
- chip
- thin film
- glass substrate
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は強磁性体薄膜磁気抵抗センサ、特にそ
のチツプ組立て構造に係る。
のチツプ組立て構造に係る。
＜従来技術＞
従来、強磁性体薄膜磁気抵抗センサ（以下MR
センサと呼ぶ）のチツプ組立て法としては、公知
のトランスフアモールド技術による組立てや、
MRチツプにリード線を直接半田付けする組立て
方法が用いられる。しかしながら、これらの組立
て構造ではMR部からの飛び出し量が大きくなつ
ているので、該構造によるMRセンサは、MR部
を極力磁気媒体に近づける必要があるセンサ、例
えばVTRキヤプスタンモータのFG信号検出用、
磁気エンコーダ用として使用するには非常に不適
当なデバンス構造になつている。
センサと呼ぶ）のチツプ組立て法としては、公知
のトランスフアモールド技術による組立てや、
MRチツプにリード線を直接半田付けする組立て
方法が用いられる。しかしながら、これらの組立
て構造ではMR部からの飛び出し量が大きくなつ
ているので、該構造によるMRセンサは、MR部
を極力磁気媒体に近づける必要があるセンサ、例
えばVTRキヤプスタンモータのFG信号検出用、
磁気エンコーダ用として使用するには非常に不適
当なデバンス構造になつている。
第１図はMRチツプにリード線を直接半田付け
した場合のMRセンサ断面図である。
した場合のMRセンサ断面図である。
MRチツプはガラス基板１上に強磁性体磁気抵
抗薄膜２及びパシベーシヨン膜３を形成して構成
され、このMRチツプにリード線４が直接半田付
けされる。リード線４は例えば0.6mm径の導体か
らなるものであり、これを複数本並べてMRチツ
プに半田付けしている。図の斜線部５は半田付け
部を示し、エポキシ樹脂６はこの半田付け部５の
補強用にモールドされたものである。
抗薄膜２及びパシベーシヨン膜３を形成して構成
され、このMRチツプにリード線４が直接半田付
けされる。リード線４は例えば0.6mm径の導体か
らなるものであり、これを複数本並べてMRチツ
プに半田付けしている。図の斜線部５は半田付け
部を示し、エポキシ樹脂６はこの半田付け部５の
補強用にモールドされたものである。
このように径の太い各１本ずつのリード線４が
半田付けされるため、MR部からの飛び出し量
は、半田付け部５、リード線４、半田付け部補強
用のエポキシ樹脂６を合計した厚さとなる。また
ガラス基板１の下方にも、半田付け部補強用のエ
ポキシ樹脂６が大きく飛び出す。
半田付けされるため、MR部からの飛び出し量
は、半田付け部５、リード線４、半田付け部補強
用のエポキシ樹脂６を合計した厚さとなる。また
ガラス基板１の下方にも、半田付け部補強用のエ
ポキシ樹脂６が大きく飛び出す。
＜発明の目的＞
本発明は上記点に鑑み、MR部からの飛び出し
量を押えたMRセンサのチツプ組立て構造を提供
するものである。
量を押えたMRセンサのチツプ組立て構造を提供
するものである。
＜実施例＞
第２図、第３図に本発明の各実施例によるMR
センサの断面図を示す。
センサの断面図を示す。
MRチツプはガラス基板１１上に強磁性体磁気
抵抗薄膜１２及び第１、更にはここでは第２のパ
シベーシヨン膜１３，１４を形成して構成され
る。外部配線用基板としては、予じめ配線パター
ンを形成したフレキシブル基板１５（第２図）又
はリジツド基板１６（第３図）が用いられ、MR
チツプはこれらの配線パターンと直接半田付けさ
れる。
抵抗薄膜１２及び第１、更にはここでは第２のパ
シベーシヨン膜１３，１４を形成して構成され
る。外部配線用基板としては、予じめ配線パター
ンを形成したフレキシブル基板１５（第２図）又
はリジツド基板１６（第３図）が用いられ、MR
チツプはこれらの配線パターンと直接半田付けさ
れる。
MR部からの飛び出し量は、最大、半田付け部
１７の厚さと半田付けした基板基材（フレキシブ
ル基板１５、リジツド基板１６）の厚さの合計
で、非常に薄くなつている。
１７の厚さと半田付けした基板基材（フレキシブ
ル基板１５、リジツド基板１６）の厚さの合計
で、非常に薄くなつている。
また半田付けされた基板１５，１６の半田付け
部補強用として、ガラス基板１１の側面と基板１
５，１６の下面との間にだけ補強用エポキシ樹脂
１８を塗布している。樹脂１８の量は、従来のよ
うに各１本づつ半田付けされたリード線４の補強
用と違つて極く少量で済む。そして樹脂１８の厚
さは、MRチツプの厚さ以内に押えることが可能
であり、薄型構造を損わずにその補強の役目を果
たしている。
部補強用として、ガラス基板１１の側面と基板１
５，１６の下面との間にだけ補強用エポキシ樹脂
１８を塗布している。樹脂１８の量は、従来のよ
うに各１本づつ半田付けされたリード線４の補強
用と違つて極く少量で済む。そして樹脂１８の厚
さは、MRチツプの厚さ以内に押えることが可能
であり、薄型構造を損わずにその補強の役目を果
たしている。
すなわち、従来のリード線接続においては、
MRチツプの外部接続部に、リード線４の下端部
が線接触状態で半田付けされるのに対し、本発明
においては、MRチツプと基板１４，１５とを直
接半田付けしているので、MRチツプの外部接続
部に、基板１５，１６の接続部が面接触状態で半
田付けされる。この為、半田付けされた基板１
５，１６の半田付け部の補強は、従来のリード線
４の接続のように、補強用エポキシ樹脂１８を半
田付け部全体に塗布する必要はなく、基板１５，
１６の片側だけで充分である。
MRチツプの外部接続部に、リード線４の下端部
が線接触状態で半田付けされるのに対し、本発明
においては、MRチツプと基板１４，１５とを直
接半田付けしているので、MRチツプの外部接続
部に、基板１５，１６の接続部が面接触状態で半
田付けされる。この為、半田付けされた基板１
５，１６の半田付け部の補強は、従来のリード線
４の接続のように、補強用エポキシ樹脂１８を半
田付け部全体に塗布する必要はなく、基板１５，
１６の片側だけで充分である。
しかも、本発明においては、ガラス基板１１の
側面と基板１５，１６の下面との間のみとしてお
り、MR部からの飛び出し量は、最大、半田付け
部１７の厚さと半田付けした基板１５，１６の厚
さの合計であり、さらに下面においてもガラス基
板１１の厚さ以内に押さえることが可能であり、
薄型構造を損わずにその補強の役目を果たすこと
ができる。
側面と基板１５，１６の下面との間のみとしてお
り、MR部からの飛び出し量は、最大、半田付け
部１７の厚さと半田付けした基板１５，１６の厚
さの合計であり、さらに下面においてもガラス基
板１１の厚さ以内に押さえることが可能であり、
薄型構造を損わずにその補強の役目を果たすこと
ができる。
なお、実施例ではMRチツプの保持基板として
ガラス基板１１を用いたが、シリコン、アルミ
ナ、フエライト等によつても同様の薄型構造が可
能である。
ガラス基板１１を用いたが、シリコン、アルミ
ナ、フエライト等によつても同様の薄型構造が可
能である。
＜発明の効果＞
以上のように本発明は簡単な構造で、MR部か
らの飛び出し量を押えた有用なMRセンサが提供
できる。
らの飛び出し量を押えた有用なMRセンサが提供
できる。
第１図は従来構造を示す断面図、第２図は本発
明の一実施例の構造例を示す断面図、第３図は本
発明の他の実施例の構造例を示す断面図である。 １１……ガラス基板、１２……強磁性体磁気抵
抗薄膜、１５……フレキシブル基板、１６……リ
ジツド基板、１７……半田付け部、１８……補強
用エポキシ樹脂。
明の一実施例の構造例を示す断面図、第３図は本
発明の他の実施例の構造例を示す断面図である。 １１……ガラス基板、１２……強磁性体磁気抵
抗薄膜、１５……フレキシブル基板、１６……リ
ジツド基板、１７……半田付け部、１８……補強
用エポキシ樹脂。
Claims (1)
- １ 保持基板に強磁性体磁気抵抗薄膜を形成した
MRチツプと、予じめ配線パターンを形成してい
る外部配線用基板とを直接半田付けし、前記保持
基板の側面と外部配線用基板下面の間にだけ半田
付け部補強用樹脂を塗布してなることを特徴とす
る強磁性体薄膜磁気抵抗センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232052A JPS60123782A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 強磁性体薄膜磁気抵抗センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232052A JPS60123782A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 強磁性体薄膜磁気抵抗センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123782A JPS60123782A (ja) | 1985-07-02 |
| JPH0322950B2 true JPH0322950B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16933211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232052A Granted JPS60123782A (ja) | 1983-12-07 | 1983-12-07 | 強磁性体薄膜磁気抵抗センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123782A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0119913Y1 (ko) * | 1994-08-11 | 1998-07-15 | 김광호 | 공기조화기의 풍향조절장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58154478U (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-15 | シャープ株式会社 | 磁気センサ− |
-
1983
- 1983-12-07 JP JP58232052A patent/JPS60123782A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60123782A (ja) | 1985-07-02 |
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