JPH03229609A - 乾式ｃｖｄ廃ガス処理装置 - Google Patents
乾式ｃｖｄ廃ガス処理装置Info
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- JPH03229609A JPH03229609A JP2020432A JP2043290A JPH03229609A JP H03229609 A JPH03229609 A JP H03229609A JP 2020432 A JP2020432 A JP 2020432A JP 2043290 A JP2043290 A JP 2043290A JP H03229609 A JPH03229609 A JP H03229609A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/25—Process efficiency
Landscapes
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、気相成長（以下、ＣＶＤという）法によって
８１基板などの上にＳ ｉ Ｏ，膜などを形成する際に
生ずる廃ガスの無害化処理を行うＣＶＤ廃ガス処理装置
に関する。
８１基板などの上にＳ ｉ Ｏ，膜などを形成する際に
生ずる廃ガスの無害化処理を行うＣＶＤ廃ガス処理装置
に関する。
（従来の技術）
ＣＶＤ法によって、８１基板上にＳｉｎ、膜を形成する
ことは半導体製造工程における重要な工程の一つであり
、上記工程で生じた廃ガスの総量（反応で消費した以外
の成分ガスやキャリアガス等）は馬鹿にならない。廃ガ
スの一例をあげると、台のＣＶＤ装置について約４〜５
ｒｄ ／ ｎ＋ｉｎ程度である。また、これらの廃ガ
スは一般的に有毒なものが多いので、そのまま外気に放
出することは公害の原因になるとして禁じられている。
ことは半導体製造工程における重要な工程の一つであり
、上記工程で生じた廃ガスの総量（反応で消費した以外
の成分ガスやキャリアガス等）は馬鹿にならない。廃ガ
スの一例をあげると、台のＣＶＤ装置について約４〜５
ｒｄ ／ ｎ＋ｉｎ程度である。また、これらの廃ガ
スは一般的に有毒なものが多いので、そのまま外気に放
出することは公害の原因になるとして禁じられている。
従来、廃ガスの無害化処理法としては、水のシャワーを
通過させるいわゆるスクラバー法が用いられている。第
２図は従来のスクラバー法の概略的構成を示したもので
ある。第２図（ａ）において、２１はＣＶＤ装置であっ
て、複数のＣＶＤ装置が１つの水シャワースクラバーと
接続される（第２図（ａ）では複数のＣＶＤ装置は図示
してない）。２２は水シャワースクラバー、２３はガス
洗浄装置（スクラバー）である。また、第２図（ｂ）は
水シャワースクラバーの概絡構成を示したものである。
通過させるいわゆるスクラバー法が用いられている。第
２図は従来のスクラバー法の概略的構成を示したもので
ある。第２図（ａ）において、２１はＣＶＤ装置であっ
て、複数のＣＶＤ装置が１つの水シャワースクラバーと
接続される（第２図（ａ）では複数のＣＶＤ装置は図示
してない）。２２は水シャワースクラバー、２３はガス
洗浄装置（スクラバー）である。また、第２図（ｂ）は
水シャワースクラバーの概絡構成を示したものである。
第２図（ｂ） ニ＃ イテ、 ２１はＣＶＤ装置、２２
は水シャワースクラバー、３０はＣＶ Ｄ Ｍ Ｖｔか
らの廃ガス、３１は給水路、３２はポンプ、３３は水シ
ャワー、３４はビニロックフィルタ、３５はミストセパ
レータ、３６は粉体のまざった＃ｉ回収涜である。
は水シャワースクラバー、３０はＣＶ Ｄ Ｍ Ｖｔか
らの廃ガス、３１は給水路、３２はポンプ、３３は水シ
ャワー、３４はビニロックフィルタ、３５はミストセパ
レータ、３６は粉体のまざった＃ｉ回収涜である。
次に上記従来の水シャワースクラバー法の動作について
説明する。第２図（ａ）において、複数のＣＶＤ装置２
１からの廃ガスは、水シャワースクラバー２２において
直接水シャワーで洗い、廃カス中の固体成分（一般に微
粉体）が除去される。水シャワースクラバー２２で除去
できない有毒ガス排除のため、さらにガス洗浄装置２３
を通過させて有毒カスを排除するようにしている。
説明する。第２図（ａ）において、複数のＣＶＤ装置２
１からの廃ガスは、水シャワースクラバー２２において
直接水シャワーで洗い、廃カス中の固体成分（一般に微
粉体）が除去される。水シャワースクラバー２２で除去
できない有毒ガス排除のため、さらにガス洗浄装置２３
を通過させて有毒カスを排除するようにしている。
第２図（ｂ）の水シャワースクラバー２２内において、
ＣＶＤ装置２１からの廃ガス３０は、給水路３１から給
水された水をポンプ３２によって水シャワー３３として
直接廃ガス３０に注がれる。この結果、廃ガス３０中の
固体成分が水と一緒に回収され、微粉体や有毒ガスを大
量を含むスクラバーの廃液は、液回収嬌３６によって外
部に取り出す二とができる。
ＣＶＤ装置２１からの廃ガス３０は、給水路３１から給
水された水をポンプ３２によって水シャワー３３として
直接廃ガス３０に注がれる。この結果、廃ガス３０中の
固体成分が水と一緒に回収され、微粉体や有毒ガスを大
量を含むスクラバーの廃液は、液回収嬌３６によって外
部に取り出す二とができる。
一方、残ったガスはビニロックフィルタ３４．水シャワ
ー３３によって更に微粉体として回収されるが。
ー３３によって更に微粉体として回収されるが。
それでも除去できなかったものはミストセパレータ３５
を介してガス洗浄装置２３に送られさらに有毒ガスが［
１：除される。
を介してガス洗浄装置２３に送られさらに有毒ガスが［
１：除される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の廃ガスの無害化処理法は。
１）水シャワースクラバーの廃液には微粉体や有毒ガス
を大量に含むので廃液の無害化処理を必要とする。
を大量に含むので廃液の無害化処理を必要とする。
２）水シャワースクラバーで除去しきれない有毒ガス排
除のため第２次スクラバーの設置が必要であり、設備が
大がかりになる。
除のため第２次スクラバーの設置が必要であり、設備が
大がかりになる。
３）ＣＶＤ装置と水シャワースクラバー間が通常相当離
れて設置されるため、導管内での廃棄ガス自体の反応生
成物の発生対策の工夫も必要となる６ 上記の問題点があり、水シャワースクラバー法によるＣ
ＶＤ廃ガスの無公害化には複雑な処理を必要とし、効率
の低ドは避けられない。
れて設置されるため、導管内での廃棄ガス自体の反応生
成物の発生対策の工夫も必要となる６ 上記の問題点があり、水シャワースクラバー法によるＣ
ＶＤ廃ガスの無公害化には複雑な処理を必要とし、効率
の低ドは避けられない。
本発明はｈ記従又の間開を解決するものであり、設備が
小型でかつ曵惟な処理を要せず効率のよいＣｙ、−レ廃
カス処理％ｉｉｌを提供することを目的とするものであ
る。
小型でかつ曵惟な処理を要せず効率のよいＣｙ、−レ廃
カス処理％ｉｉｌを提供することを目的とするものであ
る。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために、水シャワーを用い
ずに、廃ガスの通路に檄数枚の金網を設けｊ＠ガスを冷
却するとともにＣＶＤ廃カス内の固体成分を金網表面に
堆積させるようにしたものである。また、上記堆積物を
廃棄するために、固体成分め堆積した複数枚の金網を回
転させながら、空気の吹出、吸引を行う吹出吸引機構を
金網に対応して設置し、上記吹出吸引ｆｌ＆構を空気の
吹畠口と吸引口の対向する真空掃除機に接続し、上記堆
Ｍ物を浮遊・吸引して廃棄するようにしたものである。
ずに、廃ガスの通路に檄数枚の金網を設けｊ＠ガスを冷
却するとともにＣＶＤ廃カス内の固体成分を金網表面に
堆積させるようにしたものである。また、上記堆積物を
廃棄するために、固体成分め堆積した複数枚の金網を回
転させながら、空気の吹出、吸引を行う吹出吸引機構を
金網に対応して設置し、上記吹出吸引ｆｌ＆構を空気の
吹畠口と吸引口の対向する真空掃除機に接続し、上記堆
Ｍ物を浮遊・吸引して廃棄するようにしたものである。
さらに、上記固体成分を堆積させる複数枚の金網は、廃
ガスの濃度の高い順（ＣＶＯ装置から−７）４人（−■
から本余１Ｊｌｌの廃カス洒理装置の排出口に到る）に
金銅のメツシュの大きさを大きなメツシュから小さなメ
ツシュに変化させることにより、合間の目詰まりを防止
するとともに堆積物の収集効率を向上ぎせるようにした
ものである。
ガスの濃度の高い順（ＣＶＯ装置から−７）４人（−■
から本余１Ｊｌｌの廃カス洒理装置の排出口に到る）に
金銅のメツシュの大きさを大きなメツシュから小さなメ
ツシュに変化させることにより、合間の目詰まりを防止
するとともに堆積物の収集効率を向上ぎせるようにした
ものである。
（作 用）
したがって、本発明によれば次の作用を有する。
Ｌ）’＊粉粒の４！Ｉ！部である金、清を小面積に多層
化しかつ小型化が回れるため、各個別ＣＶＤ装置に隣接
して設置した形で使用できる。
化しかつ小型化が回れるため、各個別ＣＶＤ装置に隣接
して設置した形で使用できる。
２）廃ガスは複数の金網を設けることにより堆積の機会
が増加し、微粉粒収集の効率化がはがれる。
が増加し、微粉粒収集の効率化がはがれる。
３）廃ガス通路の網の目を徐々に細かくすることによっ
て、＊ガス濃度に対応したメソシュを用いることになり
目詰まりを防ＩＥできる。
て、＊ガス濃度に対応したメソシュを用いることになり
目詰まりを防ＩＥできる。
・り堆積微粉粒を金網から除去廃棄する機構として、吹
出・吸引対向型真空掃除機を匣用することにより、暦ガ
スの導入されるドラム内の圧力変化、それによるＣＶＤ
装置内に圧力変化のインバクトを与えないのですむ。
出・吸引対向型真空掃除機を匣用することにより、暦ガ
スの導入されるドラム内の圧力変化、それによるＣＶＤ
装置内に圧力変化のインバクトを与えないのですむ。
５）廃棄微粉粒が乾燥しているので収集が容易で省エネ
ルギーが図れる。
ルギーが図れる。
（実施例）
ＣＶＤ廃ガスで最も間層になるのは、それに含まる固体
微粉粒（１００分の数ミクロン径ぐらいといわれる）の
始末である。この微粉粒は、Ｓｉｏ、の生成処理（高層
処理）を受けたＣＶＤ用原料ガス（ＳｉＨ４，ＳｉＣ＋
＋４等）の未反応部分や反応物のうち基板上に堆積しな
かった部分が混合されたもので一般には極めて有毒と考
えられている。
微粉粒（１００分の数ミクロン径ぐらいといわれる）の
始末である。この微粉粒は、Ｓｉｏ、の生成処理（高層
処理）を受けたＣＶＤ用原料ガス（ＳｉＨ４，ＳｉＣ＋
＋４等）の未反応部分や反応物のうち基板上に堆積しな
かった部分が混合されたもので一般には極めて有毒と考
えられている。
廃ガスは高温のＣＶＤ装置から排出される過程で、相互
に衝突したり、冷却されたりすることで一ガス状のもの
が次第に微粉体になるものと推定される。反応性ガス状
物質の粉体化が単なる冷却によっても促進されることは
、体積の収縮（密度の増大）、運動エネルギーの低下（
衝突の断面積の増大）などの現象が冷却に伴って起こる
ことから容易に推定される。したがって、ＣＶＤ装置か
ら内部条件（ガス流量、温度等）の変化なしに導出した
廃ガスを、適当の方法で冷却することができれば。
に衝突したり、冷却されたりすることで一ガス状のもの
が次第に微粉体になるものと推定される。反応性ガス状
物質の粉体化が単なる冷却によっても促進されることは
、体積の収縮（密度の増大）、運動エネルギーの低下（
衝突の断面積の増大）などの現象が冷却に伴って起こる
ことから容易に推定される。したがって、ＣＶＤ装置か
ら内部条件（ガス流量、温度等）の変化なしに導出した
廃ガスを、適当の方法で冷却することができれば。
廃液の処理を要する水シャワーを用いなくとも廃ガスの
固定成分を大粒径の粉体として効率良く除去することが
可能である。この際、廃ガス中の固体成分の収集法とし
て、固体成分の堆積を助ける手段を施せばさらに有効で
あることは当然のことである。また、堆積物を機械的な
手法で連続除去するようにすれば５常に一定に近い堆積
条件が維持できることになる。
固定成分を大粒径の粉体として効率良く除去することが
可能である。この際、廃ガス中の固体成分の収集法とし
て、固体成分の堆積を助ける手段を施せばさらに有効で
あることは当然のことである。また、堆積物を機械的な
手法で連続除去するようにすれば５常に一定に近い堆積
条件が維持できることになる。
第１図は本発明の一実施例における乾式ＣＶＤ廃ガス処
理装置の概略的な構成を示したものであり、第１図（ａ
）は横見取図、第１図（ｂ）は縦見取図である。第１図
において、 １０は乾式ＣＶＤ廃ガス処理装置、１１は
廃ガス処理装置入口（ＣＶＤ装置からの排気口）、１２
は廃ガス処理装置出口、１３は堆積用の金網を回転させ
る回転軸、１４は吹出吸引機構であって１つの乾式ＣＶ
Ｄ廃ガス処理装置に複数設置される。１５は吹出吸引機
構１４と対応して設置される金網、２１はＣＶＤ装置で
ある。
理装置の概略的な構成を示したものであり、第１図（ａ
）は横見取図、第１図（ｂ）は縦見取図である。第１図
において、 １０は乾式ＣＶＤ廃ガス処理装置、１１は
廃ガス処理装置入口（ＣＶＤ装置からの排気口）、１２
は廃ガス処理装置出口、１３は堆積用の金網を回転させ
る回転軸、１４は吹出吸引機構であって１つの乾式ＣＶ
Ｄ廃ガス処理装置に複数設置される。１５は吹出吸引機
構１４と対応して設置される金網、２１はＣＶＤ装置で
ある。
次に上記実施例の動作について説明する。上記実施例に
おいて、乾式（：、 Ｖ ｖ廃カス処理表置１０を摘当
な方法で冷却しておき、その中にＣＶＤ装置Ｑｊから；
語カス処理Ｗｉ、’！ｉ：人口を通して廃ガスを導くと
、廃ガスは矢印のように廃ガス処理装置出口１２に向っ
て流れ、回転しているメツシュの金！１４１５のＬに微
粉粒として堆積する。金網１５の上に堆積した微′ＰＦ
１粒は、金網１５の両側に設けられた吹出吸引機構１４
を介して真空掃除機によって空気を吹出すことで浮上遊
ｊ＠シ、同時に吸引によって浮上遊離した微゛扮粒は吸
引口から吸引排除される。
おいて、乾式（：、 Ｖ ｖ廃カス処理表置１０を摘当
な方法で冷却しておき、その中にＣＶＤ装置Ｑｊから；
語カス処理Ｗｉ、’！ｉ：人口を通して廃ガスを導くと
、廃ガスは矢印のように廃ガス処理装置出口１２に向っ
て流れ、回転しているメツシュの金！１４１５のＬに微
粉粒として堆積する。金網１５の上に堆積した微′ＰＦ
１粒は、金網１５の両側に設けられた吹出吸引機構１４
を介して真空掃除機によって空気を吹出すことで浮上遊
ｊ＠シ、同時に吸引によって浮上遊離した微゛扮粒は吸
引口から吸引排除される。
なお、廃ガス通路内の堆積用金網のメツシュ（網目の大
きさ）は実験によると３０１／ｆｆ＋内外が最も良い結
果が得られる。
きさ）は実験によると３０１／ｆｆ＋内外が最も良い結
果が得られる。
廃カスの通路に直角に複数枚の回転可能な例えば円形の
金額を設置して、ｆＬ、１１と微粉粒との衝突回数を増
やすようにし、しかも、最初の金額のメツシュを太き目
にし、後のほう程金網メツシュを胴かくすることによっ
て、微粉粒の堆積効率を上げるとともに金網の堆積物に
よる目詰まりを防止することができる。例えば、最初の
金網のメツシュは１００．目位にし最後のものを３０／
７ＴＩ＋目位にする。
金額を設置して、ｆＬ、１１と微粉粒との衝突回数を増
やすようにし、しかも、最初の金額のメツシュを太き目
にし、後のほう程金網メツシュを胴かくすることによっ
て、微粉粒の堆積効率を上げるとともに金網の堆積物に
よる目詰まりを防止することができる。例えば、最初の
金網のメツシュは１００．目位にし最後のものを３０／
７ＴＩ＋目位にする。
なお、上記実施例では堆積用の金網を回転させる回転ｌ
Ｎ１ｒ１３は、丸棒に金網を固定するものについてのべ
たが、回転軸は丸棒にかぎらず空洞にして内部に冷却用
空気または水を通すものであってもよい。
Ｎ１ｒ１３は、丸棒に金網を固定するものについてのべ
たが、回転軸は丸棒にかぎらず空洞にして内部に冷却用
空気または水を通すものであってもよい。
（発明の効果）
本発明は上記実施例から明らかなように以下に示す効果
を有する。
を有する。
１）水シャワーを用いないので装置を小型にでき、各個
別ＣＶＤ装置に隣接して使用できるので制御が容易であ
り、がっ他のＣＶＤ装置に影響を与えることがない。
別ＣＶＤ装置に隣接して使用できるので制御が容易であ
り、がっ他のＣＶＤ装置に影響を与えることがない。
２）金網を多層にし、しがも堆積用の金網のメツシュを
徐々に小さくすることにより微粉粒の収集の高効率化が
図れる。
徐々に小さくすることにより微粉粒の収集の高効率化が
図れる。
３）堆積微粉粒を金網から除去するためにｃｖＤ装置内
の圧力変化を与えない。
の圧力変化を与えない。
４）廃棄微粉粒が乾燥しているので収集が容易で省エネ
ルギーが実現できる。
ルギーが実現できる。
第１図は本発明の一実施例における乾式ＣＶＤ廃ガス処
理装置の概略構成図、第２図は従来の水シャワースクラ
バーの概略構成図である。 １０・・・乾式ＣＶＤ廃ガス処理装置、１１廃ガス処理
装遍人口、１２・・・廃ガス処理装殖出口、１３ ・
・回転軸、１４吹出吸引機構、１５・・・金網、２１・
・・ＣＶＤ装置、２２・・水シャワースクラバー２３・
・・ガス洗浄装置、３０ ・・廃ガス、３１ ・給
水路、３２・・・ポンプ、３３水シャワー、３４ ・
ビニロンクフィルタ、３５ ・・ ミストセパレー
タ。 特許出菖人ダン産業株式会社
理装置の概略構成図、第２図は従来の水シャワースクラ
バーの概略構成図である。 １０・・・乾式ＣＶＤ廃ガス処理装置、１１廃ガス処理
装遍人口、１２・・・廃ガス処理装殖出口、１３ ・
・回転軸、１４吹出吸引機構、１５・・・金網、２１・
・・ＣＶＤ装置、２２・・水シャワースクラバー２３・
・・ガス洗浄装置、３０ ・・廃ガス、３１ ・給
水路、３２・・・ポンプ、３３水シャワー、３４ ・
ビニロンクフィルタ、３５ ・・ ミストセパレー
タ。 特許出菖人ダン産業株式会社
Claims (3)
- （１）ＣＶＤ廃ガスの固体成分を微粉体として収集・廃
棄する装置であって、水シャワーを用いず冷却と廃ガス
の廃棄通路に設けた複数枚の金網表面への堆積現象を利
用することを特徴とする乾式ＣＶＤ廃ガス処理装置。 - （２）金網表面への堆積物を、空気の吹出口と吸引口の
対向する真空掃除機で浮遊・吸引して廃棄することを特
徴とする請求項（１）記載の乾式ＣＶＤ廃ガス処理装置
。 - （３）堆積用金網を廃ガスの濃度の高い順にメッシュの
大きさを大から小に変化させ、金網の目詰まり防止と収
集効率の向上を図ったことを特徴とする請求項（１）記
載の乾式ＣＶＤ廃ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020432A JPH03229609A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 乾式ｃｖｄ廃ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020432A JPH03229609A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 乾式ｃｖｄ廃ガス処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03229609A true JPH03229609A (ja) | 1991-10-11 |
Family
ID=12026884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020432A Pending JPH03229609A (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 乾式ｃｖｄ廃ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03229609A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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