JPH03230340A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03230340A JPH03230340A JP2443490A JP2443490A JPH03230340A JP H03230340 A JPH03230340 A JP H03230340A JP 2443490 A JP2443490 A JP 2443490A JP 2443490 A JP2443490 A JP 2443490A JP H03230340 A JPH03230340 A JP H03230340A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- magneto
- recording medium
- layer
- magnetic layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、光磁気記録媒体に関し、特に、オーバーラ
イドを可能にした光磁気記録媒体に関するものである。
イドを可能にした光磁気記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
従来、光磁気記録媒体は、消去可能な光デイスクメモリ
として知られている。光磁気ディスクは従来の磁気ヘッ
ドを用いた磁気記録媒体に比べ、高記録密度で非接触記
録再生ができる特徴を有しているが、記録部分を事前に
一度消去する過程が必要である。
として知られている。光磁気ディスクは従来の磁気ヘッ
ドを用いた磁気記録媒体に比べ、高記録密度で非接触記
録再生ができる特徴を有しているが、記録部分を事前に
一度消去する過程が必要である。
上記の欠点を除去し、従来の光磁気記録再生装置に簡単
な磁界方向一定の磁界発生装置を設け、照射するレーザ
光の強度を変調することでオーバーライドを可能にする
方法が「光学メモリに関する国際シンポジウム報告（１
９８７） ：日本応用物理学会誌第２６巻（１９８７）
増刊２６−４Ｊ （Ｐｒｏｃ。
な磁界方向一定の磁界発生装置を設け、照射するレーザ
光の強度を変調することでオーバーライドを可能にする
方法が「光学メモリに関する国際シンポジウム報告（１
９８７） ：日本応用物理学会誌第２６巻（１９８７）
増刊２６−４Ｊ （Ｐｒｏｃ。
Ｉｎｔ、 Ｓｙｍｐ、 ｏｎ ０ｐｔｉｃａｌ ＭｅＩ
ｌｌｏｒｙ、 １９８７： Ｊｐｎ、 Ｊ。
ｌｌｏｒｙ、 １９８７： Ｊｐｎ、 Ｊ。
＾ｐｐ１． Ｐｈｙｓ、 Ｖｏｌ、２６ （１９
８７）Ｓｕｐｐｌｅｗ＋ｅｎｔ ２６−４）に報告さ
れている。この方式について第１図、第２図により以下
に説明する。
８７）Ｓｕｐｐｌｅｗ＋ｅｎｔ ２６−４）に報告さ
れている。この方式について第１図、第２図により以下
に説明する。
第１図において、記録媒体（１）−は透明基板（２）第
１磁性層（３）および第２磁性層（４）で構成され、磁
性層はそれぞれＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏなどのフェリ磁
性体が用いられる。第１磁性層（３）と第２磁性層（４
）とは交換結合しており、第１磁性層（３）に情報は記
録される。第２図において、（７）は第１磁界発生装置
、（８）は第２磁界発生装置（永久磁石）であり、レー
ザー光（９）はレンズ（５）により集光され磁性層に照
射される。第１磁界発生装置（７）は、読み出し時のレ
ーザー出力では記録媒体（１）の磁１ヒ状■に変化は与
えず、レーザー出力が記録・消去のときにのみ関与する
。第２磁界発生装で（８）は、第１磁性層（３）の磁化
状態に関係なく第２磁性層（４）の磁（上方面を一様に
揃える。このとき、第１磁性層（３）の磁１ヒ方向は第
２磁界発生装置（８）や第２磁性層（４）との交換結合
力の影響ては磁化状態は保持されるように、記録媒体（
１）は構成されている。次にオーバーライドについて説
明する。
１磁性層（３）および第２磁性層（４）で構成され、磁
性層はそれぞれＴｂＦｅやＴｂＦｅＣｏなどのフェリ磁
性体が用いられる。第１磁性層（３）と第２磁性層（４
）とは交換結合しており、第１磁性層（３）に情報は記
録される。第２図において、（７）は第１磁界発生装置
、（８）は第２磁界発生装置（永久磁石）であり、レー
ザー光（９）はレンズ（５）により集光され磁性層に照
射される。第１磁界発生装置（７）は、読み出し時のレ
ーザー出力では記録媒体（１）の磁１ヒ状■に変化は与
えず、レーザー出力が記録・消去のときにのみ関与する
。第２磁界発生装で（８）は、第１磁性層（３）の磁化
状態に関係なく第２磁性層（４）の磁（上方面を一様に
揃える。このとき、第１磁性層（３）の磁１ヒ方向は第
２磁界発生装置（８）や第２磁性層（４）との交換結合
力の影響ては磁化状態は保持されるように、記録媒体（
１）は構成されている。次にオーバーライドについて説
明する。
第２磁界発生装置（８）により第２磁性層（４）の磁化
方向が上向きに揃えられる。レーザー光（９）の出力を
上げ、照射部（６）の第２磁性層（４）の磁化反転温度
以下で第１磁性層（３）が交換結き力により第２磁性層
（４）の磁化方向に揃うとき、第２磁性層（４）の磁化
方向が第１磁性層（３）に転写され、第１磁性層（３）
の磁化方向は上向きとなる。また、第２磁性層（４）の
磁化反転温度以上では第１磁化発生装置（７）により第
２ｒ：ｔＰＬ性層（４）の磁化方向は下向きになり、さ
らに第２磁性層（４）の磁化方向が第１磁性層（３）に
転写され第１磁性層（３）の磁化方向は下向きとなる。
方向が上向きに揃えられる。レーザー光（９）の出力を
上げ、照射部（６）の第２磁性層（４）の磁化反転温度
以下で第１磁性層（３）が交換結き力により第２磁性層
（４）の磁化方向に揃うとき、第２磁性層（４）の磁化
方向が第１磁性層（３）に転写され、第１磁性層（３）
の磁化方向は上向きとなる。また、第２磁性層（４）の
磁化反転温度以上では第１磁化発生装置（７）により第
２ｒ：ｔＰＬ性層（４）の磁化方向は下向きになり、さ
らに第２磁性層（４）の磁化方向が第１磁性層（３）に
転写され第１磁性層（３）の磁化方向は下向きとなる。
このようにレーザー光（９）の出力を変えるだけて第１
磁性層（３）の磁化状態を変えることができ、直接オー
バーライｌ〜が可能となる。
磁性層（３）の磁化状態を変えることができ、直接オー
バーライｌ〜が可能となる。
光磁気記録媒体が希土類〜遷移金属合金薄膜め多層膜で
隣接する２層の希土類金属と３−移金属の組成比が異な
ったものが特開昭６２−１３７７５３号公報に示されて
いる。また、第１磁性層に用いるＴｂＦｅＣｏ ３元系
非晶質磁性合金層の組成と同じものが、好ましい組成と
して述べられている。これは、大面績にわたり均一てあ
り耐久性の改善３示したものであり、直接オーバーライ
ドの機能はなく、また各層の膜厚は１００Å以下が好ま
しいとされている。
隣接する２層の希土類金属と３−移金属の組成比が異な
ったものが特開昭６２−１３７７５３号公報に示されて
いる。また、第１磁性層に用いるＴｂＦｅＣｏ ３元系
非晶質磁性合金層の組成と同じものが、好ましい組成と
して述べられている。これは、大面績にわたり均一てあ
り耐久性の改善３示したものであり、直接オーバーライ
ドの機能はなく、また各層の膜厚は１００Å以下が好ま
しいとされている。
［発明が解決しようとする課題］
以上のような従来の光磁気記録媒体は、光磁気記録装置
に実用可能な磁界強度の初期化磁石を設けることで光変
調オーバーライドを可能にするものを効率よく得ること
は困難であった。
に実用可能な磁界強度の初期化磁石を設けることで光変
調オーバーライドを可能にするものを効率よく得ること
は困難であった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
ちのて、小さな初期化磁界強度で光変調オーバーライド
が可能な光磁気記録媒体を得ることを目的とする。
ちのて、小さな初期化磁界強度で光変調オーバーライド
が可能な光磁気記録媒体を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る光磁気記録媒体は、膜面に垂直方向に磁
化容易軸を有し、一般式 Ｔｂｘ（Ｆｅ、−ＣｏＹ）１−Ｘで示されるＴｂＦｅＣ
ｏ ３元系非晶質磁性合金層、および膜面に垂直方向に
磁化容易軸を有し一般式（ＧｄｘＤＳ’＋−ｘ）ｙ（Ｆ
ｅ１−ｚＣｏｚ）＋−ｚて示されるＣｄＤｙＦｅＣｏ
４元系非晶質合金層を基板に積層し、上記各非晶質磁性
合金層は交換結合しており、上記ＴｂＦｅＣｏ ３元系
非晶質磁性合金層において０．１５≦Ｘ≦０．２５．０
＜Ｙ≦０．３゜ＧｄＤｙＦｃＣｏ４元系非晶貫ｒｌｉ性
合金層において、０≦Ｘ≦０．５．０．２０（Ｙ≦０．
３５０＜Ｚ＜０．５０でｃｄｏｙ副格子磁化優勢になっ
ている。
化容易軸を有し、一般式 Ｔｂｘ（Ｆｅ、−ＣｏＹ）１−Ｘで示されるＴｂＦｅＣ
ｏ ３元系非晶質磁性合金層、および膜面に垂直方向に
磁化容易軸を有し一般式（ＧｄｘＤＳ’＋−ｘ）ｙ（Ｆ
ｅ１−ｚＣｏｚ）＋−ｚて示されるＣｄＤｙＦｅＣｏ
４元系非晶質合金層を基板に積層し、上記各非晶質磁性
合金層は交換結合しており、上記ＴｂＦｅＣｏ ３元系
非晶質磁性合金層において０．１５≦Ｘ≦０．２５．０
＜Ｙ≦０．３゜ＧｄＤｙＦｃＣｏ４元系非晶貫ｒｌｉ性
合金層において、０≦Ｘ≦０．５．０．２０（Ｙ≦０．
３５０＜Ｚ＜０．５０でｃｄｏｙ副格子磁化優勢になっ
ている。
［作 用］
この発明においては、従来の光磁気記録装置に簡単な外
部磁界発生装置（永久磁石）を設けることにより直接重
ね書き（オーバーライド）が可能になる。
部磁界発生装置（永久磁石）を設けることにより直接重
ね書き（オーバーライド）が可能になる。
［実施例］
以下、この発明の一実施ρｊについて説明する。
この実施例の光磁気記録媒体は、膜面に垂直方向に磁化
容易軸を有し、室温にて以下の条件を満たすように構成
されている。
容易軸を有し、室温にて以下の条件を満たすように構成
されている。
ＩＩＣ−Ｌ２＞Ｌ１＋ｌＩｗ２
Ｈｃ２＋Ｈｗ２＜Ｉｌ＋ｘ＋ ＨＩ、ｌＬ：初期化
磁界Ｈｃ２ １１ｗ２＞ＨｌｌＨａ ：記録バイアス
磁界Ｔｒｏｏｍ＜Ｔｃ＋＜Ｔｃ２ Ｔｒｏｏｍ：室温
■、１＝σｗ／ （ＬＭｓ１４＋） ｉ＝１．２（第１、第２磁性層に対応）Ｈｓ、 ｔｉｃ
、 ｔ、 ＴＣは、それぞれ非晶責合金層の飽和磁化、
保磁力、膜厚、キュリー温度であり、σ−は２つの非晶
質磁性層間の磁壁エネルギーである。また、１１□は第
１層の室温における交換結合力である。
磁界Ｈｃ２ １１ｗ２＞ＨｌｌＨａ ：記録バイアス
磁界Ｔｒｏｏｍ＜Ｔｃ＋＜Ｔｃ２ Ｔｒｏｏｍ：室温
■、１＝σｗ／ （ＬＭｓ１４＋） ｉ＝１．２（第１、第２磁性層に対応）Ｈｓ、 ｔｉｃ
、 ｔ、 ＴＣは、それぞれ非晶責合金層の飽和磁化、
保磁力、膜厚、キュリー温度であり、σ−は２つの非晶
質磁性層間の磁壁エネルギーである。また、１１□は第
１層の室温における交換結合力である。
この発明の光磁気記録媒体を形成するためには、例工ば
スパッタリング法や真空蒸着法によって成膜する。
スパッタリング法や真空蒸着法によって成膜する。
以下、具体例によって詳細に説明するが、これによりこ
の発明を限定するものではない。
の発明を限定するものではない。
具体例１゜
基板 ：１．２ｍｍ厚ガラス基板第１磁性層 ：
ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶？Ｔ磁性合金層■ｂ０２１（
Ｆｅｏ９Ｃｏｏ１）。７．膜Ｊ’７ ： ５００人保磁
カニ １０ｋＯｅ キュリー温度・１８０°Ｃ 第２１ｉ！性層 ： ＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質
磁性り金層（Ｇｄｏ、ｚＤＶｏ７）。２５（Ｆ（！Ｏ，
ＢＣＯ０，２）０．７５膜厚： １０００人 保磁カニ ２．５ｋｉｊｅ キュリー温度＝２５０℃ 上記構成材料を用い、スパッタリング法によって記録媒
体を得た。
ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶？Ｔ磁性合金層■ｂ０２１（
Ｆｅｏ９Ｃｏｏ１）。７．膜Ｊ’７ ： ５００人保磁
カニ １０ｋＯｅ キュリー温度・１８０°Ｃ 第２１ｉ！性層 ： ＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質
磁性り金層（Ｇｄｏ、ｚＤＶｏ７）。２５（Ｆ（！Ｏ，
ＢＣＯ０，２）０．７５膜厚： １０００人 保磁カニ ２．５ｋｉｊｅ キュリー温度＝２５０℃ 上記構成材料を用い、スパッタリング法によって記録媒
体を得た。
次に、動作について説明する。定常状態では第２磁界発
生装置（８）により第２磁性層（４）の磁化方向が上向
きに揃えられている。低パワーのレーザー光（９）の照
射により照射部（６）温度が上昇し１５０℃程度では第
１磁性層（３）の交換力が保磁力より大きくなり、交換
力と保磁力の差は約１ｋｔｌｅ程度となる。このとき第
１磁界発生装置（７）は一定方向に約０ 、５ ｋ（ｌ
ｅの磁界を発生しているので、第１磁性層（３）は交換
力により第２磁性層（４）の磁化方向が第１磁性層（３
）に転写され、第１磁性Ｊｌ（３）の磁化方向は上向き
となる。高パワーのレーザー光（９）の照射では照射部
（６）の温度は２４０℃程度まで上昇するため、第１磁
性層（３）はキュリー温度以上となって磁化は消失し、
第２磁性層（４）もキュリー温度近傍のため保磁力は減
少し、第１磁界発生装置（７）の磁界により磁化が反転
する。そして温度の減少において第１磁性層（３）の磁
化方向は第２磁性層（４）との交換力により下向きとな
る。その後、第２磁性層（４）の磁化方向は第２磁界発
生装置（８）により再び上向きとなるが、第１磁性Ｗｉ
（３）の磁化方向は保磁力が交換結合力より大きいため
に変化しない。以上のような動作により光変調オーバー
ライドが可能となり、線速６Ｈ／ｓｅｃてピット長１〜
５μｍの信号を第１磁界発生′Ａ置（７）の発生磁界を
０ 、５ ｋｏｅ、第２磁界発生装置（８）の発生磁界
を３ｋ（ｌｅ、レーザノくワーを１５＋ｎＷと５ｆｆ１
１１１で光変調を行い、消去比２５ｄＢ以上の特性が得
られた。このときの再生）（ワーは１１であった。
生装置（８）により第２磁性層（４）の磁化方向が上向
きに揃えられている。低パワーのレーザー光（９）の照
射により照射部（６）温度が上昇し１５０℃程度では第
１磁性層（３）の交換力が保磁力より大きくなり、交換
力と保磁力の差は約１ｋｔｌｅ程度となる。このとき第
１磁界発生装置（７）は一定方向に約０ 、５ ｋ（ｌ
ｅの磁界を発生しているので、第１磁性層（３）は交換
力により第２磁性層（４）の磁化方向が第１磁性層（３
）に転写され、第１磁性Ｊｌ（３）の磁化方向は上向き
となる。高パワーのレーザー光（９）の照射では照射部
（６）の温度は２４０℃程度まで上昇するため、第１磁
性層（３）はキュリー温度以上となって磁化は消失し、
第２磁性層（４）もキュリー温度近傍のため保磁力は減
少し、第１磁界発生装置（７）の磁界により磁化が反転
する。そして温度の減少において第１磁性層（３）の磁
化方向は第２磁性層（４）との交換力により下向きとな
る。その後、第２磁性層（４）の磁化方向は第２磁界発
生装置（８）により再び上向きとなるが、第１磁性Ｗｉ
（３）の磁化方向は保磁力が交換結合力より大きいため
に変化しない。以上のような動作により光変調オーバー
ライドが可能となり、線速６Ｈ／ｓｅｃてピット長１〜
５μｍの信号を第１磁界発生′Ａ置（７）の発生磁界を
０ 、５ ｋｏｅ、第２磁界発生装置（８）の発生磁界
を３ｋ（ｌｅ、レーザノくワーを１５＋ｎＷと５ｆｆ１
１１１で光変調を行い、消去比２５ｄＢ以上の特性が得
られた。このときの再生）（ワーは１１であった。
具体例２
第１表に示すような構成材料を用いる他は具体例１と同
様にして光磁気記録媒体を得た。ここで中間層以外の第
１磁性層（３）および第２磁性層（４）は実施例１と同
じものを用いた。
様にして光磁気記録媒体を得た。ここで中間層以外の第
１磁性層（３）および第２磁性層（４）は実施例１と同
じものを用いた。
第１表
良好：消去比２５ｄＢ以上
記録不可：直接重ね書きくオーバーライド）ができなし
）（消去比２５ｄＩｌ以下） ［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、この発明は、膜面に垂
直方向に磁化容易軸を有し一般式Ｔｂ−（Ｆｅ、、Ｃｏ
、ｔ）＋−で示されるＴｂＦｅＣｏ ３元系非晶質磁性
合金層、および膜面に垂直方向に磁化容易軸を有しｍｍ
式（ＣｄＸＤｙ１−Ｘ）Ｙ（Ｆｅ１−ＺＣｏＺ）１−ｚ
で示されるＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質会合層を基
板に頂層し、上記各非晶貰磁性合金層は交換結合してお
り、上記ＴｂＦｅＣｏ Ｂ元系非晶質磁性＆金層におい
て０．１５≦Ｘ≦０．２５．０＜Ｙ≦Ｑ、３ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ４元系非晶貰磁性合金層において、０≦Ｘ≦０．
５，０．２くＹ≦０．３５．Ｏ＜Ｚ＜０゜５てＧｄＤｙ
副格子磁化優勢 としたことにより、従来の光磁気記録
装置に初期化磁石を設けて光変調オーバーライドが可能
となる。
）（消去比２５ｄＩｌ以下） ［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、この発明は、膜面に垂
直方向に磁化容易軸を有し一般式Ｔｂ−（Ｆｅ、、Ｃｏ
、ｔ）＋−で示されるＴｂＦｅＣｏ ３元系非晶質磁性
合金層、および膜面に垂直方向に磁化容易軸を有しｍｍ
式（ＣｄＸＤｙ１−Ｘ）Ｙ（Ｆｅ１−ＺＣｏＺ）１−ｚ
で示されるＧｄＤｙＦｅＣｏ ４元系非晶質会合層を基
板に頂層し、上記各非晶貰磁性合金層は交換結合してお
り、上記ＴｂＦｅＣｏ Ｂ元系非晶質磁性＆金層におい
て０．１５≦Ｘ≦０．２５．０＜Ｙ≦Ｑ、３ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ４元系非晶貰磁性合金層において、０≦Ｘ≦０．
５，０．２くＹ≦０．３５．Ｏ＜Ｚ＜０゜５てＧｄＤｙ
副格子磁化優勢 としたことにより、従来の光磁気記録
装置に初期化磁石を設けて光変調オーバーライドが可能
となる。
第１図は従来の光磁気記録媒体の断面図、第２図は同じ
く動作説明のための斜視図である。 （１）・・記録媒体、（２）・・透明基板、（３）・・
第１磁性層、（４）・・第２磁性層。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照不７図 悠２図
く動作説明のための斜視図である。 （１）・・記録媒体、（２）・・透明基板、（３）・・
第１磁性層、（４）・・第２磁性層。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照不７図 悠２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し一般式 Ｔｂ＿Ｘ（Ｆｅ＿１＿−＿ＹＣｏ＿Ｙ）＿１＿−＿Ｘで
示されるＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合金層と、およ
び膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し一般式（Ｃｄ＿Ｘ
Ｄｙ＿１＿−＿Ｘ）＿Ｙ（Ｆｅ＿１＿−＿ＺＣｏ＿Ｚ）
＿１＿−＿Ｙで示されるＧｄＤｙＦｅＣｏ４元系非晶質
合金層とを基板に積層し、上記各非晶質磁性合金層は交
換結合しており、上記ＴｂＦｅＣｏ３元系非晶質磁性合
金層において０．１５≦Ｘ≦０．２５、０＜Ｙ≦０．３
、ＧｄＤｙＦｅＣｏ４元系非晶質磁性合金層においては
０≦Ｘ≦０．５、０．２０＜Ｙ≦０．３５、０＜Ｚ＜０
．５でＧｄＤｙ副格子磁化優勢である光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024434A JP2945049B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024434A JP2945049B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230340A true JPH03230340A (ja) | 1991-10-14 |
| JP2945049B2 JP2945049B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=12138048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024434A Expired - Fee Related JP2945049B2 (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2945049B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345938A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-01 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027251A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Nikon Corp | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
-
1990
- 1990-02-05 JP JP2024434A patent/JP2945049B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027251A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-11 | Nikon Corp | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04345938A (ja) * | 1991-05-23 | 1992-12-01 | Sharp Corp | 光磁気記憶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2945049B2 (ja) | 1999-09-06 |
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