JPH03230544A - ウェーハ外観検査装置 - Google Patents
ウェーハ外観検査装置Info
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- JPH03230544A JPH03230544A JP2673490A JP2673490A JPH03230544A JP H03230544 A JPH03230544 A JP H03230544A JP 2673490 A JP2673490 A JP 2673490A JP 2673490 A JP2673490 A JP 2673490A JP H03230544 A JPH03230544 A JP H03230544A
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- wafer
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、−主面に多層膜が形成されたウェーハに異物
の有無を検出するとともにこの異物が前記多層膜のどの
位置に存在するかを検査するウェーハ外観検査装置に関
する。
の有無を検出するとともにこの異物が前記多層膜のどの
位置に存在するかを検査するウェーハ外観検査装置に関
する。
従来、この種のウェーハ外観検査装置は、特に、専用の
装置はなく、通常、ウェーハに付着している異物の有無
を検査する場合は、汎用の顕微鏡とモニターでウェーハ
面を観察し、基準の異物付きパターンと比較しながら検
査していた。
装置はなく、通常、ウェーハに付着している異物の有無
を検査する場合は、汎用の顕微鏡とモニターでウェーハ
面を観察し、基準の異物付きパターンと比較しながら検
査していた。
また、異物が多層膜のどの位置に存在するのかを検査す
る場合、ウェーハ面に白色光を照射し、焦点位置を変え
ることによって、どの位置に存在するかを顕微鏡あるい
はモニターにより観察して検査を行なっていた。
る場合、ウェーハ面に白色光を照射し、焦点位置を変え
ることによって、どの位置に存在するかを顕微鏡あるい
はモニターにより観察して検査を行なっていた。
しかしながら、上述した従来のウェーハ外観検査装置は
、異物をどの位置にあるか検査するのに顕微鏡の焦点合
せを何度か繰返して行なわなければならず、工数がかか
るばかりか、熟練を必要とする欠点がある。
、異物をどの位置にあるか検査するのに顕微鏡の焦点合
せを何度か繰返して行なわなければならず、工数がかか
るばかりか、熟練を必要とする欠点がある。
本発明の目的は、かかる欠点を解消し、より操作が簡単
で短時間で検査出来るウェーハ外観検査装置を提供する
ことである。
で短時間で検査出来るウェーハ外観検査装置を提供する
ことである。
本発明のウェーハ外観検査装置は、−主面に多層膜が形
成されたウェーハに異物の有無を検出するとともにこの
異物が前記多層膜のどの位置に存在するかを検査するウ
ェーハ外観検査装置において、前記ウェーへ面に５〜１
０ ／ｌ ｍのスポット径をもつレーザ光を照射する光
学系及びレーザ発振器と、このレーザ光による反射光を
取り込む光学系及び撮像カメラとを備え、前記多層膜内
に発生する干渉縞を観察することにより前記異物の存在
位置を知ることを特徴としている。
成されたウェーハに異物の有無を検出するとともにこの
異物が前記多層膜のどの位置に存在するかを検査するウ
ェーハ外観検査装置において、前記ウェーへ面に５〜１
０ ／ｌ ｍのスポット径をもつレーザ光を照射する光
学系及びレーザ発振器と、このレーザ光による反射光を
取り込む光学系及び撮像カメラとを備え、前記多層膜内
に発生する干渉縞を観察することにより前記異物の存在
位置を知ることを特徴としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すウェーハ外観検査装置
のブロンク図である。このウェーハ外観検査装置は、同
図に示すように、多層膜が形成されたウェーハ５の而に
白色光を照射する白色ランプ４と、レーザ光を発光する
単一波長レーザ光発振器１と、レーザ光のスポット径を
５〜１０μｍ程度に拡げるビームエクスパンダ３と、ウ
ェーハ５に照射する光を前記白色光あるいはレーザ光に
切替る切換ミラー３と、ウェーハ５より反射する白色光
及びレーザ光を受光プリズム９、ハーフミラ−１０及び
ミラー８を介して取り込む撮像カメラ１１とを有してい
る。
のブロンク図である。このウェーハ外観検査装置は、同
図に示すように、多層膜が形成されたウェーハ５の而に
白色光を照射する白色ランプ４と、レーザ光を発光する
単一波長レーザ光発振器１と、レーザ光のスポット径を
５〜１０μｍ程度に拡げるビームエクスパンダ３と、ウ
ェーハ５に照射する光を前記白色光あるいはレーザ光に
切替る切換ミラー３と、ウェーハ５より反射する白色光
及びレーザ光を受光プリズム９、ハーフミラ−１０及び
ミラー８を介して取り込む撮像カメラ１１とを有してい
る。
第２図（ａ）及び（ｂ）は第１図のウェーハ外観検査装
置の動作を説明するための撮像カメラの視野におけるパ
ターンを示す図である。次に、このウェーハ外観検査装
置の動作について説明する。
置の動作を説明するための撮像カメラの視野におけるパ
ターンを示す図である。次に、このウェーハ外観検査装
置の動作について説明する。
まず、通常の異物の有無の検査に際しては、第１図に示
すように、白色ランプ４を点灯し、白色光を発生し、切
換ミラー３を点線で示すように切換え、白色光をウェー
ハ５の表面を照射する０次に、この白色光の反射光をミ
ラー８で反射され、ハーフミラ−１０を透過し、撮像カ
メラ１１に入光し、ウェーハ５の表面を撮像する。
すように、白色ランプ４を点灯し、白色光を発生し、切
換ミラー３を点線で示すように切換え、白色光をウェー
ハ５の表面を照射する０次に、この白色光の反射光をミ
ラー８で反射され、ハーフミラ−１０を透過し、撮像カ
メラ１１に入光し、ウェーハ５の表面を撮像する。
また、異物の存在位置を観察する場合は、第１図におけ
る切換ミラー３を実線で示すように切換える。次に、単
一波長レーザ光発振器１でレーザ光を発生し、ビームエ
クスパンダ２により、レーザ光スポットを約８μｍ程度
の直径に拡げ、切替ミラー３によって、ウェーハ５の表
面に照射する。
る切換ミラー３を実線で示すように切換える。次に、単
一波長レーザ光発振器１でレーザ光を発生し、ビームエ
クスパンダ２により、レーザ光スポットを約８μｍ程度
の直径に拡げ、切替ミラー３によって、ウェーハ５の表
面に照射する。
レーザ光は、上層膜７で一部反射し、他は透過する。ま
た、上層膜７を透過した光は、下層膜６の表面で一部が
反射し、残りは、透過し、下地面で反射する。これらの
反射光はすべて受光プリズム９及びハーフミラ−１０を
通して撮像カメラ１１で捉え、パターンが撮像される。
た、上層膜７を透過した光は、下層膜６の表面で一部が
反射し、残りは、透過し、下地面で反射する。これらの
反射光はすべて受光プリズム９及びハーフミラ−１０を
通して撮像カメラ１１で捉え、パターンが撮像される。
勿論、膜中にある異物１５からも反射光が発生するので
、異物１５も撮影される。
、異物１５も撮影される。
ここで、異物１５が上層膜７中あるいは下層膜６の上に
ある場合は、第２図（ａ）に示すように、膜からの反射
光と異物からの反射光との光路差により、レーザ光スポ
ット１３の領域中のパターン１４に異物１５とは別に干
渉縞１６が撮像される。
ある場合は、第２図（ａ）に示すように、膜からの反射
光と異物からの反射光との光路差により、レーザ光スポ
ット１３の領域中のパターン１４に異物１５とは別に干
渉縞１６が撮像される。
このことにより、逆に、この干渉縞があるか否かで、異
物が膜中にあるか否かが判明する。さらに異物が上層膜
７の上にある場合は、第２図（ｂ）に示すように、干渉
縞が認められない。
物が膜中にあるか否かが判明する。さらに異物が上層膜
７の上にある場合は、第２図（ｂ）に示すように、干渉
縞が認められない。
第３図は本発明の他の実施例を示すウェーハ外観検査装
置のブロック図である。このウェーハ外観検査装置は、
同図に示すように、前述の実施例のウェーハ外観検査装
置に投射光経路中に入射角度を可変する入射角調整プリ
ズム１７を設けたことである。このウェーハ外観検査装
置は、入射角度を膜の屈折率によって種々変えることが
出来るので、より精密な異物の位置を知ることが出来る
利点がある。
置のブロック図である。このウェーハ外観検査装置は、
同図に示すように、前述の実施例のウェーハ外観検査装
置に投射光経路中に入射角度を可変する入射角調整プリ
ズム１７を設けたことである。このウェーハ外観検査装
置は、入射角度を膜の屈折率によって種々変えることが
出来るので、より精密な異物の位置を知ることが出来る
利点がある。
以上説明したように本発明は、多層膜が形成されたウェ
ーハ面上に、５〜１０μｍ程度のスポット径をもつ単一
波長のレーザ光を照射し、異物からの反射光と膜での反
射光とで発生する干渉縞を観察することによって、異物
の存在位置を容易に、短時間で知ることの出来るウェー
ハ外観検査装置が得られるという効果がある。
ーハ面上に、５〜１０μｍ程度のスポット径をもつ単一
波長のレーザ光を照射し、異物からの反射光と膜での反
射光とで発生する干渉縞を観察することによって、異物
の存在位置を容易に、短時間で知ることの出来るウェー
ハ外観検査装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すウェーハ外観検査装置
のブロック図、第２図（ａ）及び（ｂ）は第１図のウェ
ーハ外観検査装置の動作を説明するための撮像カメラの
視野におけるパターンを示す図、第３図は本発明の他の
実施例を示すウェーハ外観検査装置のブロック図である
。 ■・・・単一波長レーザ光発振器、２・−ビームエクス
パンダ、３・・−切換ミラー、４・・白色ランプ、５・
・・ウェーハ、６・・・■層膜、７−・・上層膜、８・
・ミラ９・−・受光プリズム、１０−・ハーフミラ−１
１１・・・撮像カメラ、１２・・欠番、１３・・レーザ
光スポット、１４・・・パターン、１５・・・異物、１
６・・・干渉縞、１７・・・入射角調整プリズム。
のブロック図、第２図（ａ）及び（ｂ）は第１図のウェ
ーハ外観検査装置の動作を説明するための撮像カメラの
視野におけるパターンを示す図、第３図は本発明の他の
実施例を示すウェーハ外観検査装置のブロック図である
。 ■・・・単一波長レーザ光発振器、２・−ビームエクス
パンダ、３・・−切換ミラー、４・・白色ランプ、５・
・・ウェーハ、６・・・■層膜、７−・・上層膜、８・
・ミラ９・−・受光プリズム、１０−・ハーフミラ−１
１１・・・撮像カメラ、１２・・欠番、１３・・レーザ
光スポット、１４・・・パターン、１５・・・異物、１
６・・・干渉縞、１７・・・入射角調整プリズム。
Claims (1)
- 一主面に多層膜が形成されたウェーハに異物の有無を検
出するとともにこの異物が前記多層膜のどの位置に存在
するかを検査するウェーハ外観検査装置において、前記
ウェーハ面に５〜１０μｍのスポット径をもつレーザ光
を照射する光学系及びレーザ発振器と、このレーザ光に
よる反射光を取り込む光学系及び撮像カメラとを備え、
前記多層膜内に発生する干渉縞を観察することにより前
記異物の存在位置を知ることを特徴とするウェーハ外観
検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2673490A JPH03230544A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | ウェーハ外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2673490A JPH03230544A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | ウェーハ外観検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03230544A true JPH03230544A (ja) | 1991-10-14 |
Family
ID=12201540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2673490A Pending JPH03230544A (ja) | 1990-02-05 | 1990-02-05 | ウェーハ外観検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03230544A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077828A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-03-14 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトリソグラフィー工程システム及びフォトリソグラフィー工程方法 |
| JP2005189029A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 基板汚染粒子検出方法およびその装置 |
| JP2017058225A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法およびプログラム |
| JP2019132783A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 株式会社島津製作所 | 硬さ試験機 |
-
1990
- 1990-02-05 JP JP2673490A patent/JPH03230544A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003077828A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-03-14 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトリソグラフィー工程システム及びフォトリソグラフィー工程方法 |
| JP2005189029A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 基板汚染粒子検出方法およびその装置 |
| JP2017058225A (ja) * | 2015-09-16 | 2017-03-23 | 株式会社東芝 | 欠陥検出装置、欠陥検出方法およびプログラム |
| JP2019132783A (ja) * | 2018-02-02 | 2019-08-08 | 株式会社島津製作所 | 硬さ試験機 |
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