JPH03230586A - Ledモジュール - Google Patents

Ledモジュール

Info

Publication number
JPH03230586A
JPH03230586A JP2025858A JP2585890A JPH03230586A JP H03230586 A JPH03230586 A JP H03230586A JP 2025858 A JP2025858 A JP 2025858A JP 2585890 A JP2585890 A JP 2585890A JP H03230586 A JPH03230586 A JP H03230586A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal substrate
recess
led
insulated metal
lens plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2025858A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2511717B2 (ja
Inventor
Eiji Iri
井利 英二
Wataru Nakaoka
亘 中岡
Hiroaki Murata
博昭 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Cable Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority to JP2025858A priority Critical patent/JP2511717B2/ja
Publication of JPH03230586A publication Critical patent/JPH03230586A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2511717B2 publication Critical patent/JP2511717B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/8506Containers

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は自動車のハイマウノトストップランブ、テール
ランプ等に、或はバーコードリーダー用光源、LEDデ
イスプレィ等に使用されるLED (発光ダイオード)
モジュールに関するものである。
(従来の技術および解決しようとする課題)LEDチッ
プに!極り一ドおよび小反射鏡を取り付け、これらを樹
脂モールドした、いわゆる樹脂モールドLEDの多数個
をボードに配設したLEDモジュールは製作が面倒でコ
スト高となる所から、本願発明者等は、例えばアルミか
ら成る金属基板層とその上の絶縁層と更にその上に設け
た電極回路パターンとから成る絶縁金属基板に多数個の
くぼみを設け、くぼみの底部にLEDチップを設置しく
ぼみの側壁面を反射面とすると典に、絶縁金属板の前面
に例えばエポキシ樹脂より成り多数個のレンズを備えた
レンズ板をレンズの位置がLEDチップの位置ンこ対応
するようをこ設けた、量産に適し、低コストで生産し得
るLEDモジュールを特願昭62−328018号等に
おいて提案した。
本発明はこのLEDモジュールの改良に係るものである
上記のLEDモジュールにおいては、絶縁金属基板の金
属基板層とエポキシ樹脂等より成るレンズ板との熱膨張
係数の差が大きく、しかも金属基板層の厚さはくほみを
設ける加工(通常、しはり加工)を容易にするため比較
的薄く選ばれ、金属基板層がアルミより成る場合で通常
1馴程度であり、レンズ板はこれより厚く例えは非レン
ズ部で19に、レンズ部では40咽に達するため、モジ
ュールの温度上昇時或は下降時に膨張係数が大きいし/
ズ板の膨張力、収縮力により絶縁金属基板が屈曲し、L
EDモジュール全体が変形し、その光放射パターンが変
化し、悪化する。また温度サイクルにより屈曲を繰り返
している中ンこレンズ板と絶縁基板との接着が剥離した
り、LEDの電極とt極回路パターンとを接続するボン
ディングワイヤがレンズ板の下部で擦られてボンディン
グワイヤが切断することもある。
本発明はこれらの不都合を解消することを目的とするも
のである。
(課題を解決するための手段) 本発明のLEDモジュールは絶縁金属基板に凹部を形成
し、その底部に多数のくぼみを設け、該くぼみの底部に
LEDを設置し、くぼみの側壁面を反射面とすると共に
、絶縁金属基板の前面にレンズ板を結合したことを特徴
とする。
(作用) 本発明においては絶縁金属基板に凹部を形成したことに
より絶縁金属基板の耐屈曲強度が向上するので、温度上
昇時或は降下時のレンズ板の膨張収縮による絶縁金属基
板の屈曲が防止され、モジュールの屈曲変形により放射
光パターンが変化し、悪化するようなことがない。屈曲
の繰り返しによるレンズ板と絶縁金属基板との接着の剥
離或はボンディングワイヤの切断の惧れもない。
(実施例) 図面に基つき本発明のLEDモジュールの構成および実
施例を以下に詳細に説明する。
第1図は本発明のLEDモジュールの一例の縦断面図、
第2図はそのLEDを配設した絶縁金属基板の上面図を
示す。
図において、絶縁金属基板1は、アルミ、銅、鉄、ステ
ンレス等の金属から成る金属基板層2とエポキシ樹脂、
ガラス繊維入りエポキシ樹脂、ポリエチレン、架橋ポリ
エチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ル、ポリウレタン等の電気絶縁性材料から成る電気絶縁
層3とアルミニウム、銅、金、ニッケル等の導電性金属
から成る電極パターン4およびリード回路/くターン5
とから成る。絶縁金属基板1はその周縁部6を残して陥
没状の凹部7が形成されており、凹部7の底部には多数
個のくほみ8が設けられている。絶縁金属基板1に所望
の耐屈曲強度を付与する凹部7の深さは金属基板層2を
構成する金属の種類により、また厚さ等により異るが、
金属基板層が厚さ0.5 m〜2.0閣のアルミより成
る場合で、凹部の深さは0.5 冨〜1.5閣である。
くほみ8の大きさおよび深さは設置するLEDの寸法に
より異るが、通常は底径が0.4閣〜1.Om、<ぼみ
上部の開口径が1.0閣〜2.0順、深さ0.2閣〜0
.5 fflである。これらの凹部7およびくほみ8は
プレスによるしほり加工等により同時に成形することが
できる。
くぼみの底部9とくぼみの側壁面10は電極パターン4
により覆われ、電極パターンは図示のようにテール状の
延長部41がくほみ8の外側に延長している。くほみ8
の側壁面lOを覆う電極パターン4は光反射面として機
能する。
従って必要があれば光の痩射効率を高めるために光沢研
磨或はニッケル、クロム、金等の光沢メツキを施す。
くぼみの底部9のttiパターン4上にはLEDIIが
設置され、例えば導電性接着材(たとえば銀ペースト等
)によりこれに接着され、LEDの表面電極12は隣接
するくぼみの電極パターンの延長部41にポンディング
ワイヤ13によって接続される。図に示すように多数個
のLEDがリード回路パターン5の間に直列に接続され
ると共に、直列に接続されたLEDの列がリード回路パ
ターン5により並列に接続されている。リード回路パタ
ーン5は電源四路(図示せず)に接続されている。14
はリード回路パターン5とLEDIIとの間に接続され
た抵抗で、直列に接続されたLEDに流れる電流を制限
するためのものである。
15は絶縁金属基板1の凹部7全体を、或は少くともく
ほみ8とボンディングワイヤ13を封止する封止樹脂て
、例えばノリコン樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂等の光透過性の有機高分子より成る。
16は多数のレンズ17を備えたレンズ板で、レンズ1
7の位置がくほみ8、LEDIIの中心位置に対応する
ように位置決めして絶縁金属基板lの前面に結合される
。図ではレンズ板16は絶縁金属基板10周縁部61こ
接着材18により接着されている。前述のようにし/ズ
扱16と金属基板層2との膨張係数の差が大きいので、
絶縁金属基板1とレンズ板16との結合を強固にするた
めに、絶縁金属基板の凹部7の全体を充填する封止樹脂
と上記周縁部6との全面に接着材を塗布しレンズ板16
を接着してもよいが、接着材の塗布により光透過性が損
われないように留意する必要がある。レンズ板16はポ
リカーボネート、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、ポリプロピレン、ナイロンポリエチレンテレフタ
レート、塩化ビニリデン樹脂、三ふつ化塩化エチレン樹
脂、四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂、四ふっ化
エチレンー六ふつ化ポリプルピレン共重合樹脂等の光透
過性の有機光分子より成る。
LEDIIから放出された光は、くほみ8の側壁面10
およびレンズ17により反射、集光されてOi+方に放
射される。
上記説明した本発明のLEDモジュールは以下に述べる
ような種々の変形(但し、これに限られない)が可能で
ある。
絶縁金属基板側は第3図に斜視図(但し、電融パターン
、リード回路パターンの図示を省略)を示すよ・)に凹
部7を設けると共に縁辺に曲げリプ19を設けてもよく
、この場合には絶縁基板の1Tit捻れ性、耐屈曲性が
更に向上する。凹部7の形状についても第1〜3図に示
した陥没状の凹部に限られず、所望の耐屈曲性を付与し
得る限り種々の変形が可能である。電極パターン4およ
びくほみ8の側壁面10における反射面の形成について
も、N、極パターンはくぼみの底部9たけを覆い、El
kパターンのテール状の延長部41がくぼみの側壁面1
0に沿ってくぼみの外側に延長し、金属基板層2のくぼ
みの側壁面自体が光の反射面を形成するようにしてもよ
い。この場合は絶縁層3は光透過性の絶縁材料により構
成する必要があることは勿論であり、また金属基板層2
0表面が光沢性に富むものであることが望ましい。レン
ズ板16も第1図に示すレンズ板とは逆にレンズ17が
絶縁金属基板側に向って凸であってもよく、或は絶縁金
属基板側、これと反対側の双方に凸部を有す6ものであ
ってもよい。要は、LEDIIの光放射パターンおよび
くは68の側壁面10に形成された反射面の形状と相俟
って、LEDの放射光を前方方向に効率よく集中、放射
できればよい訳である。
レンズ板と絶縁金属基板との結合については、上述した
ような接着材等による結合に加えて、温度変化による膨
張収縮に基づくレンズとLEDとの位置ずれを防止する
ための機械的な係合固定手段を付加することが望ましい
。本願発明者が検討した所によれば、温度変化によるL
EDモジュールの伸縮によりレンズ板のレンズの位置が
絶縁金属基板のくほみおよびLEDに対して位置ずれを
生じるためにモジュールが前方に放射する光量が低下す
るという不都合があり、この位置すれによる光量の低下
は絶縁金属基板に凹部を設は絶縁金属基板の曲げ強度を
向上させたたけでは充分に抑止できない。これを充分に
抑止するためには矢張り位置ずれを充分に抑止できる係
合固定手段が必要である。第4図ピ)および(ロ)にこ
のような係合固定手段を備同−の符号は同一部分を表わ
している。絶縁金属基板1にはその周縁部6に歯型状の
溝20が設けられている。一方レンズ板15は上記の歯
型状の溝20にひりたりと回合する脚21を備えている
。絶縁金属基板lとレンズ板16とは溝20と脚21と
の嵌合により係合固定され、温度変化による伸縮に基つ
く位置すれが抑止され、後記の実験例に示すように位置
すれによる光量の低下がほぼ完全に防止さzしる。この
ような係合固定部としては、絶縁金属基板の周縁部6に
多数個の穴を設け、レンズ板にはこの穴に挿通される脚
もしくはビンを設けたものでもよく、或は絶縁金属基板
とレンズ板との双方の対応位置に穴を設け、これらに口
・ンクピンを挿通したものでもよい。これらの係合固定
部はLEDモジュールの組立時におけるie2縁金属基
板のくほみ、LEDとレンズ板のレンズとの位置合せが
簡単にできるという利点をももたらす。
(実験例1) 第1図および第2図に示すような構造を有する本発明の
LEDモジュールであって凹部の深さを異にする試料と
、凹部を有しない点を除けば同様な構造を有する従来の
LEDモジュールの試料について、−40℃で30分保
存した後、100℃で30分保存するのを1サイクルと
し、これを10サイクル繰り返すヒートショック試験を
実施し、LEDモジュールに生じる屈曲すなわち反りの
状況を観察した結果は第1表の通りであった。
各試料とも金属基板層がアルミより成り、その厚さは約
1.0mmであり、レンズ板はエポキシ樹脂より成り、
板厚は約19鰭で、8個のレンズを備え、レンズの頂点
からレンズ板下面迄の厚さは40瓢であった。LEDモ
ジュールの縦、横の寸法はそれぞれ80咽と10+mn
てあった。
第 表 (実験例2) 実験例1と同じ構造、寸法のL E’Dモジ、−ルで、
凹部の有無、係合固定部の有無および位置を異にする下
記の試料1〜4について実験例1と同様にヒートショッ
ク試験を実施し、モジュールが放射する光量の変化を弁
+定した。
その結果を第2表に示す。第2表においてはヒートショ
ック試験実施前の光量を100%としたときの光量の減
少割合をφで示している。
試料l:凹部および係合固定部なし。
試料2:凹部の深さ1.0聾、係合固定部なし。
試料3:凹部の深さ1.0団、レンズとし/ズとの中間
の位置に歯型状の溝に 試料4 よる係合固定部。
:凹部の深さl、Qw+、  レンズの真横に歯型状の
溝會こよる係合固定部。
第     2     表 (発明の効果) 本発明のLEDモジュールは、上記実験例1からも明ら
かなように、絶縁金属基板に充分な深さの凹部を形成す
ることにより絶縁金属基板の耐屈曲強度を向上させ、温
度変化によるレンズ板の膨張、収縮によるLEDモジュ
ールの屈曲が抑止でき、モジュールの屈曲によりモジュ
ールから放射する光のパターンが変化し、悪化するよう
なことがない。また熱のON、OFFにより屈曲の繰り
返しが生じレンズ板と絶縁金属基板との接着が剥離する
。或はボンディングワイヤが切断される惧れもない。し
かも、絶縁金属基板に設ける凹部とこれの底部に設ける
多数のくぼみとをしはり加工等tこより同時に成形する
ことが可能であり、LEDモジュールの量産性を損うこ
となく必要な耐屈曲強度を付与することができる。
更に本発明のLEDモジュールにおいて絶縁金属基板に
上記凹部を設けると共に絶縁金属基板とレンズ板とを係
合する係合固定部を設けた場合には、実験例2から明ら
かなように、温度変化による伸縮に基つくレンズとLE
Dとの位置すれによりLEDモジュールの放射光おが減
少するという不都合をもほぼ完全に解消できる。
そしてこれらの係合固定部は本発明のLEDモジュール
の組立においてし/ズ板の位置決めを簡単に行うことが
できる量産上の利点をももたらす。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のLEDモジュールの一例の縦断面図、
第2図はそのLEDを配設した絶縁金属基板の上面図、
第3図は本発明における絶縁金属基板の他の例の斜視図
、第4図(イ)および(ロ)は更に他の例の絶縁金属基
板およびレンズ板の余[視図である。 (符号の説明) 1:絶縁金属基板、2:金属基板層、3:絶縁層・ 4
゛電極″ターベ 5゛リ一ド回路パターン、7:凹部、
8:くほみ、1o:側壁面、永t 11:L計L 13:萎ンディングヮイヤ、16:レン
ズ板、17:レンズ、19:曲げリフ、20:歯型状の
溝、21:脚

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)絶縁金属基板に凹部を形成し、その底部に多数の
    くぼみを設け、該くぼみの底部に LEDを設置し、くぼみの側壁面を反射面とすると共に
    、絶縁金属基板の前面にレンズ板を結合したことを特徴
    とするLEDモジュール
  2. (2)絶縁金属基板の金属基板層が厚さ0.5〜2.0
    mmのアルミ板より成り、凹部の深さが0.5mm〜1
    .5mmであることを特徴とする請求項1記載のLED
    モジュール
  3. (3)絶縁金属基板とレンズ板とに互に係合する係合固
    定部を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載のL
    EDモジュール
JP2025858A 1990-02-05 1990-02-05 Ledモジュ―ル Expired - Lifetime JP2511717B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025858A JP2511717B2 (ja) 1990-02-05 1990-02-05 Ledモジュ―ル

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2025858A JP2511717B2 (ja) 1990-02-05 1990-02-05 Ledモジュ―ル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03230586A true JPH03230586A (ja) 1991-10-14
JP2511717B2 JP2511717B2 (ja) 1996-07-03

Family

ID=12177519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2025858A Expired - Lifetime JP2511717B2 (ja) 1990-02-05 1990-02-05 Ledモジュ―ル

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2511717B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001057446A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001332769A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
JP2005268405A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Dow Corning Toray Co Ltd 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法
EP1280211A3 (en) * 2001-07-25 2006-09-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Light emitting device with improved heat dissipation and its manufacturing method
JP2006344694A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Fujikura Ltd 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2007042669A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置
JP2007059677A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
JP2008118115A (ja) * 2006-09-25 2008-05-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd コンパクトな高輝度led系光源および当該光源を作製するための方法
JP2008244220A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Kyocera Corp 発光装置
JP2008270733A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Augux Co Ltd 高熱伝導効率ledのパッケージング方法とその構造
US7866853B2 (en) 2004-11-19 2011-01-11 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
JP2011043433A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Sharp Corp 光学式測距センサ、および、それを搭載した電子機器
JP2012113312A (ja) * 2004-09-24 2012-06-14 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 照明装置
JP2013235878A (ja) * 2012-05-02 2013-11-21 Ibiden Co Ltd 電子部品実装基板、ケースユニット、及び電子部品実装基板の製造方法
JP2014229789A (ja) * 2013-05-23 2014-12-08 シャープ株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2025248935A1 (ja) * 2024-05-27 2025-12-04 浜松ホトニクス株式会社 光学素子、及び光学素子の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6045452U (ja) * 1983-09-05 1985-03-30 スタンレー電気株式会社 反射機能を備えた発光素子用基板
JPS6284942U (ja) * 1985-11-19 1987-05-30
JPS63148906U (ja) * 1987-03-20 1988-09-30
JPS6486573A (en) * 1987-07-17 1989-03-31 Oshima Denki Co Light emitting device
JPH0212847U (ja) * 1988-07-08 1990-01-26

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6045452U (ja) * 1983-09-05 1985-03-30 スタンレー電気株式会社 反射機能を備えた発光素子用基板
JPS6284942U (ja) * 1985-11-19 1987-05-30
JPS63148906U (ja) * 1987-03-20 1988-09-30
JPS6486573A (en) * 1987-07-17 1989-03-31 Oshima Denki Co Light emitting device
JPH0212847U (ja) * 1988-07-08 1990-01-26

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001057446A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2001332769A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光ダイオード照明具
EP1280211A3 (en) * 2001-07-25 2006-09-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Light emitting device with improved heat dissipation and its manufacturing method
JP2005268405A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Dow Corning Toray Co Ltd 光学装置用金属ベース回路基板およびその製造方法
US8657467B2 (en) 2004-09-24 2014-02-25 Epistar Corporation Illumination apparatus
JP2012113312A (ja) * 2004-09-24 2012-06-14 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 照明装置
US7866853B2 (en) 2004-11-19 2011-01-11 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
JP2006344694A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Fujikura Ltd 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2007042669A (ja) * 2005-07-29 2007-02-15 Toyoda Gosei Co Ltd 光源装置
JP2007059677A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
JP2008118115A (ja) * 2006-09-25 2008-05-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd コンパクトな高輝度led系光源および当該光源を作製するための方法
JP2008244220A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Kyocera Corp 発光装置
JP2008270733A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Augux Co Ltd 高熱伝導効率ledのパッケージング方法とその構造
JP2011043433A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Sharp Corp 光学式測距センサ、および、それを搭載した電子機器
JP2013235878A (ja) * 2012-05-02 2013-11-21 Ibiden Co Ltd 電子部品実装基板、ケースユニット、及び電子部品実装基板の製造方法
JP2014229789A (ja) * 2013-05-23 2014-12-08 シャープ株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2025248935A1 (ja) * 2024-05-27 2025-12-04 浜松ホトニクス株式会社 光学素子、及び光学素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2511717B2 (ja) 1996-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03230586A (ja) Ledモジュール
CN1960016B (zh) 发光二极管单元
KR100901401B1 (ko) 광원 모듈 및 차량용 등기구
US9362461B2 (en) Light emitting device and lighting system having the same
US7360923B2 (en) Light-emitting diode carrier
US7009285B2 (en) Optoelectronic semiconductor component
US7678592B2 (en) LED housing and fabrication method thereof
US7183588B2 (en) Light emission device
US7626250B2 (en) High power LED package and fabrication method thereof
EP1953825B1 (en) Power surface mount light emitting die package
US8283693B2 (en) Light emitting device with a lens of silicone
CN102959320B (zh) 引线框led照明组件
US20080239724A1 (en) Illuminating Device
JPH01130578A (ja) 発光ダイオード
JP2668140B2 (ja) 発光モジュール
US6204938B1 (en) Linear illumination device and image reading apparatus using the same
US20050168922A1 (en) Surface mount optoelectronic component
US7589354B2 (en) Light emitting diode package and process of making the same
JP2008153277A (ja) 光結合装置およびその製造方法、並びに、光結合装置を用いた電子機器
JP4656382B2 (ja) 光源支持体及び光源装置
US10427585B2 (en) Electrical power supply device for at least one LED and at least one electronic component, comprising a circuit for driving the electrical power supply equipped with an insert
JPH0316794B2 (ja)
KR102101367B1 (ko) 발광 소자
KR100707958B1 (ko) 표면실장형 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
US20100232179A1 (en) Printed circuit board and back light module using the same