JPH03230969A

JPH03230969A - 静電記録装置

Info

Publication number: JPH03230969A
Application number: JP2513090A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Ono; 茂雄大野; Tetsuo Kodera; 哲郎小寺; Isao Ito; 功伊藤; Hiroaki Sato; 博昭佐藤; Keizo Abe; 敬三阿部; Daisuke Tsuda; 大介津田
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1990-02-06
Filing date: 1990-02-06
Publication date: 1991-10-14
Anticipated expiration: 2013-12-09
Also published as: JP2833097B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は静電記録装置に関するもので、更に詳細には
、イオン量を制御して静電潜像受容体に均一に帯電させ
て、高画質の画像を得られるようにした静電記録装置に
関するものである。

［従来の技術］一般に、記録媒体上に静電潜像を形成する記録装置とし
て、特開昭５９−１９０８５４号公報に示されるような
イオン流制御記録装置が知られている。

このイオン流制御記録装置は、第４図及び第５図に示す
ように、イオン流を制御しつつ照射するイオン流制御用
の記録ヘッドａと、記録ヘッドａから照射されたイオン
を帯電する記録媒体である静電潜像受容体すとで構成さ
れている。

この場合、記録ヘッドａは、接地された一対の導電性シ
ールドｃ、　　ｄ間に円筒状のチャンバｅを形成し、こ
のチャンバｅ内における長手方向に沿って放電ワイヤｆ
を張設してイオン発生手段ｇを形成し、一方のシールド
ｄの下部には絶縁層り及び導電性基板ｉを介してシール
ドｃ、　　ｄを覆うように絶縁性基板ｊを取り付けると
共に、他方のシールドＣと絶縁性基板ｊとの間にイオン
発生手段ｇに連通ずるスリットｋにてイオン流導出部Ｉ
を形成して成る。そして、絶縁性基板ｊのスリット側面
上に複数の制御電極ｍを配設して、イオン流の導出を制
御するイオン流制御手段を構成する構造となっている。

また、記録ヘッドａから照射されるイオンを帯電する静
電潜像受容体すは、電荷リセプタｎの背面側すなわち電
荷リセプタｎの記録ヘッドａと対向する面の反対側面に
高電位源０に接続する背面電極ｐを配設した構造となっ
ている。

上記のように構成される静電記録装置において、ワイヤ
電源ｑから放電ワイヤｆに高圧電圧を印加することによ
り、チャンバｅ内にイオンが発生され、そして、チャン
バｅの上方からチャンバｅに空気流Ａを吹き込むことに
より、チャンバｅ内のイオンをチャンバｅに連通して設
けられたスリットｋを通して静電潜像受容体すに付着帯
電することができる。このとき、制御回路ｒから各制御
電極ｍに画像信号に応じた電圧を印加することにより、
スリットｋを通過するイオン流を制御して静電潜像受容
体す上に帯電させて静電潜像を形成することができる。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、従来のこの種の記録装置においては、絶
縁性基板ｊがガラス製であるため、イオンの流出口に近
い絶縁性基板ｊ部分がスリットｋから出てくるイオンで
不均一に帯電されて電気力線が乱れ、また、イオンの流
出口から遠い部分では絶縁体として働くので、電気力線
が直下に向かないという現象が生じる（第５図参照）。

したがって、従来のこの種の静電記録装置においては、
静電潜像受容体す上の潜像が拡がって像乱れを生じ、結
果として高画質の画像を得ることができないという問題
点があった。

この発明は上記事情に鑑みなされたもので、上記問題を
解決するために、記録ヘッドの絶縁性基板におけるイオ
ンの不均一帯電による電気力線の乱れを防止して、静電
潜像受容体上へのイオンの形成をシャープにして像乱れ
のない高画質の画像を得られるようにした静電記録装置
を提供しようとするものである。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するために、この発明の静電記録装置は
、イオン発生手段と、このイオン発生手段に連通ずると
共にイオン発生手段にて発生したイオン流を導出するた
めのイオン流導出部と、イオン流の導出を制御するイオ
ン流制御手段とから成る記録ヘッドと、上記イオン流導
出部に対向配置された静電潜像受容体とを具備する静電
記録装置を前提とし、上記イオン流導出部を、スリット
を形成すべく対向配置される基準電極面と、絶縁性基板
とで構成し、上記イオン流制御手段を、上記絶縁性基板
のスリット側面に配設される複数の制御電極にて形成し
、上記絶縁性基板のスリット側面と反対側面に導電性被
膜を被覆すると共に、導電性被膜を接地電位としたこと
を特徴とするものである。

この発明において、上記導電性被膜は絶縁性基板のスリ
ット側面と反対側面を被覆するものであれば、その被覆
形態は蒸着、塗布等任意でよく、また、導電性被膜の被
覆は少なくとも絶縁性基板は少なくともスリットの出口
側近傍の面に被覆されればよい。この場合、導電性被膜
としては、例えばアルミニウム等の金属が使用可能であ
る。

［作用］上記技術的手段は以下のように作用する。

上記のように構成することにより、イオン発生手段で発
生されたイオンが空気流によってスリットを通る際に制
御手段にて所定の画像信号に応じて制御されて、静電潜
像受容体上に帯電される。

この場合、絶縁性基板のスリット側面と反対側面に導電
性被膜を被覆すると共に、導電性被膜を接地電位とする
ことにより、スリットから出てくるイオンが絶縁性基板
に不均一に帯電することがなく、電気力線が直下の静電
潜像受容体上に向くことができるので、イオンが拡がら
ずに静電潜像受容体上にシャープに帯電される。

［実施例］以下にこの発明の実施例を図面に基いて詳細に説明する
。

第１図はこの発明の静電記録装置における記録ヘッドの
断面斜視図、第２図は静電記録装置の要部断面図が示さ
れている。

この発明の静電潜像記録装置は、イオン流を制御しつつ
照射するイオン流制御用の記録ヘッド１０と、記録ヘッ
ド１０から照射されたイオンを帯電する記録媒体である
静電潜像受容体１２とで主要部が構成されている。

記録ヘッド１０は、接地された一対の導電性シールド１
４．１６間に円筒状のチャンバ１８を形成すると共に、
このチャンバ１８内における長手方向に沿って放電ワイ
ヤ２０を張設してイオン発生手段２２を形成し、一方の
シールド１６の下部には絶縁層２４及び導電性基板２６
を介してシールド１４．１６を覆うように絶縁性基板２
８を取り付けると共に、他方のシールド１４（基準電極
）と絶縁性基板２８との間にイオン発生手段２２に連通
ずるスリット３０にてイオン流導出部３２を形成して成
る。そして、絶縁性基板２８のスリット側面上に導電性
基板２６に連なる複数の制御電極３４が配設されて、イ
オン流の導出を制御するイオン流制御手段が構成されて
いる。

また、絶縁性基板２８のスリット側面と反対側面に例え
ばアルミニウム等の金属にて形成される導電性被膜４６
が蒸着等によって被覆され、この導電性被膜４６はアー
ス部４８に接地されている。

一方、記録ヘッド１０から照射されるイオンを帯電する
静電潜像受容体１２は、電荷リセプタ３６の背面側すな
わち電荷リセプタ３６の記録ヘッド１０と対向する面の
反対側面に高電位源４２に接続する背面電極３８を配設
した構造となっている。

なお、第２図において、符号Ｂは電荷リセプタ３６の移
動方向である。

上記のように構成される静電記録装置において、ワイヤ
電源４０から放電ワイヤ２０に高圧電圧を印加すると、
チャンバ１８内にイオンが発生され、そして、チャンバ
１８の上方からチャンバ１８に空気流Ａを吹き込むこと
により、チャンバ１８内のイオンがチャンバ１８に連通
して設けられたスリット３０を通って静電潜像受容体１
２に照射される。このとき、制御回路４４から各制御電
極３４に画像信号に応じた電圧が印加されることにより
、スリット３０を通過するイオン流が制御されて静電潜
像受容体１２上に帯電され、静電潜像が形成される。

上記のようにしてイオンが静電潜像受容体１２の電荷ク
セブタ３６上に付着帯電される際、絶縁性基板２８のス
リット側面と反対側面に導電性被膜４６が被覆され、か
つ、導電性被膜４６がアース部４８に接地されているた
め、絶縁性基板２８が不均一に帯電されることがなく、
電気力線が直下に向く　（第２図参照）。

したがって、イオンが拡がらずに電荷リセプタ３６上に
付着帯電され、電荷リセプタ３６が矢印Ｂ方向に移動し
て、図示しない現像部にて電荷リセプタ３６の帯電部に
現像剤が付着されると共に、転写部にて記録シート（図
示せず）に転写される。

次に、この発明の静電記録装置の記録ヘッド１０と従来
の記録ヘッドａとのライン像の比較テストについて説明
する。

テストに当って、 ■ライン像は電荷リセプタ３６．ｎの移動量０゜５ｍｍ
分だけ記録ヘッド１０．ａで潜像を書き込み、電子写真
方式による現像とし、 ■記録ヘッド１０．ａから出る総イオン量を両ヘッド１
０．　　ａ共同じ条件とし、 ■ライン像の比較は像濃度を測定して、その半値幅を測
定した。

上記条件の下でテストを行った結果、第３図に示したよ
うに、従来の記録ヘッドａのライン幅は０．６０ｍｍで
、太り量は０．５ｍｍのラインに対して＋２０％であっ
たのに対し、この発明における記録ヘッド１０のライン
幅は０．５５ｍｍで、太り量は０．５ｍｍのライン幅に
対して＋１０％であり、１０％の太り量を減少させるこ
とができた。また、この発明における記録ヘッド１０で
は従来の記録ヘッドａと比較して像のエツジがシャープ
になり、鮮明な画像を得ることができた。

［発明の効果］以上に説明したように、この発明の静電記録装置によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

１）絶縁性基板のスリット側面と反対側面に導電性被膜
を被覆すると共に、導電性被膜を接地電位としであるた
め、絶縁性基板が不均一に帯電されることがなく、静電
潜像受容体上にシャープにイオンを帯電することができ
る。

２）静電潜像受容体上にシャープにイオンが帯電される
されるため、像乱れを防止することができ、高画質の画
像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の静電記録装置における記録ヘッドの
断面斜視図、第２図はこの発明の静電記録装置の要部断
面図、第３図はこの発明における記録ヘッドと従来の記
録ヘッドの光学濃度とライン像幅の関係を示すグラフ、
第４図は従来の記録ヘッドの断面斜視図、第５図は従来
の静電記録装置の要部の断面図である。符号説明（１０）（１２）（１４）（２２）（２８）（３０）（３２）（３４）（４４）（４６）（４８）・・・記録ヘッド・・・静電潜像受容体・・・シールド（基準電極）・・・イオン発生手段・・・絶縁性基板・・・スリット・・・イオン流導出部・・・制御電極（イオン流制御手段）・・・制御回路・・・導電性被膜・・・アース部

Claims

【特許請求の範囲】

（１）イオン発生手段と、このイオン発生手段に連通す
ると共にイオン発生手段にて発生したイオン流を導出す
るためのイオン流導出部と、イオン流の導出を制御する
イオン流制御手段とから成る記録ヘッドと、上記イオン流導出部に対向配置された静電潜像受容体と
を具備する静電記録装置において、上記イオン流導出部
を、スリットを形成すべく対向配置される基準電極面と
、絶縁性基板とで構成し、上記イオン流制御手段を、上記絶縁性基板のスリット側
面に配設される複数の制御電極にて形成し、上記絶縁性基板のスリット側面と反対側面に導電性被膜
を被覆すると共に、導電性被膜を接地電位としたことを
特徴とする静電記録装置。