JPH03231749A - 集束イオンビーム装置によるパターン修正方法 - Google Patents
集束イオンビーム装置によるパターン修正方法Info
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- JPH03231749A JPH03231749A JP2029093A JP2909390A JPH03231749A JP H03231749 A JPH03231749 A JP H03231749A JP 2029093 A JP2029093 A JP 2029093A JP 2909390 A JP2909390 A JP 2909390A JP H03231749 A JPH03231749 A JP H03231749A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 4
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- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 4
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- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子製造用のフォトマスクやレチクル（
以下、単にマスクという）のパターン欠損部（以下、白
色欠陥部という）又はパターン余剰部（以下、黒色欠陥
部という）を集束イオンビームを用いて修正する装置に
関する。
以下、単にマスクという）のパターン欠損部（以下、白
色欠陥部という）又はパターン余剰部（以下、黒色欠陥
部という）を集束イオンビームを用いて修正する装置に
関する。
近年における半導体素子（ＬＳＩ）の高集積化に伴いそ
の製造に必要なマスクのパターンは微細化及び複雑化し
ている。それに伴いマスク製造時にパターンが大きく壊
れていたり、白色欠陥部。
の製造に必要なマスクのパターンは微細化及び複雑化し
ている。それに伴いマスク製造時にパターンが大きく壊
れていたり、白色欠陥部。
黒色欠陥部が入り交じった欠陥ができることがある。こ
のような欠陥を正常なパターンに修正するため、正常な
パターンを参照して欠陥部の認識を行うが、一般に、マ
スク上の線幅はマスク上での位Ｉで異なったりするが現
状ではこれは正常パターンとみなしている。この様な時
、参照するパターンの線幅を欠陥を含むパターンに合わ
せることにより欠陥部を適正に認識し、修正精度を高め
る。
のような欠陥を正常なパターンに修正するため、正常な
パターンを参照して欠陥部の認識を行うが、一般に、マ
スク上の線幅はマスク上での位Ｉで異なったりするが現
状ではこれは正常パターンとみなしている。この様な時
、参照するパターンの線幅を欠陥を含むパターンに合わ
せることにより欠陥部を適正に認識し、修正精度を高め
る。
欠陥パターンと同一で正常なパターンを見つけ、その正
常パターンの２次イオン像よりそのパターンの輪郭を抽
出し、それを参照パターンとし、その参照パターンと欠
陥パターンをコンピュータにより画像処理を施して比較
することにより、欠陥パターンの欠陥部を認識し欠陥を
修正する。
常パターンの２次イオン像よりそのパターンの輪郭を抽
出し、それを参照パターンとし、その参照パターンと欠
陥パターンをコンピュータにより画像処理を施して比較
することにより、欠陥パターンの欠陥部を認識し欠陥を
修正する。
しかしながら同一パターンであっても、マスク上の位置
により転写の時にパターンの大きさに差異が生しる。そ
のため欠陥を含むパターンと、参照する正常パターンが
完全に一致せず、誤って欠陥部を認識したり、修正精度
が良くないという問題点があった。
により転写の時にパターンの大きさに差異が生しる。そ
のため欠陥を含むパターンと、参照する正常パターンが
完全に一致せず、誤って欠陥部を認識したり、修正精度
が良くないという問題点があった。
本発明は上記問題点を解決するため以下の手段を得た。
すなわち、参照する正常なパターンを欠陥を含むパター
ンと一致するようパターン幅の調整を行う。
ンと一致するようパターン幅の調整を行う。
〔作用］
本発明の作用を第２図に基づいて説明する。第２図（Ａ
）は欠陥を含むパターンと参照パターンを比較した図で
ある。ここで参照パターンの方が大きいため、そのまま
両パターンの相違部分を算出すると、第２図（Ｂ）斜線
部分のように関係ない部分まで欠陥として認識してしま
う。そこで参照パターンを欠陥を含むパターンのパター
ン幅に合わせることにより、第２図（Ｃ）のように正し
く欠陥を認識することができる。
）は欠陥を含むパターンと参照パターンを比較した図で
ある。ここで参照パターンの方が大きいため、そのまま
両パターンの相違部分を算出すると、第２図（Ｂ）斜線
部分のように関係ない部分まで欠陥として認識してしま
う。そこで参照パターンを欠陥を含むパターンのパター
ン幅に合わせることにより、第２図（Ｃ）のように正し
く欠陥を認識することができる。
以下図面に基づいて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明に基づく集束イオンビーム装置の全体構
成図を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発
する。３は走査電極であってＸ及びＹｔ極からなりイオ
ンビームスポットをｘｙ平面内で所定範囲に渡り走査す
るものである。
成図を示す。１はイオン源であってイオンビーム２を発
する。３は走査電極であってＸ及びＹｔ極からなりイオ
ンビームスポットをｘｙ平面内で所定範囲に渡り走査す
るものである。
４は対物レンズであってイオンビーム２のスポットを被
照射物であるマスク８の表面に結像させる。
照射物であるマスク８の表面に結像させる。
５はガス銃であってマスク８の白色欠陥部位にを機化合
物蒸気６を吹き付け、同時にイオンビームを走査しなが
ら照射し、遮光性の膜を付は白色欠陥を修正する。また
、黒色欠陥部位の修正においては不要付着部にイオンビ
ーム２を限定的に照射し、スパッタリング除去を行い修
正する。９はＸＹステージであってマスク８を載置して
ＸまたはＹ方向に移動する。１０は検出器であってマス
ク８の表面からイオンビーム２によってたたき出された
２次イオン７の強度を検出する。この２次イオン強度の
平面分布はマスク８のパターンに対応している。１１は
Ａ／Ｄ変換器であって２次イオン強度というアナログ量
をデジタルデータに変換する。
物蒸気６を吹き付け、同時にイオンビームを走査しなが
ら照射し、遮光性の膜を付は白色欠陥を修正する。また
、黒色欠陥部位の修正においては不要付着部にイオンビ
ーム２を限定的に照射し、スパッタリング除去を行い修
正する。９はＸＹステージであってマスク８を載置して
ＸまたはＹ方向に移動する。１０は検出器であってマス
ク８の表面からイオンビーム２によってたたき出された
２次イオン７の強度を検出する。この２次イオン強度の
平面分布はマスク８のパターンに対応している。１１は
Ａ／Ｄ変換器であって２次イオン強度というアナログ量
をデジタルデータに変換する。
このデジタルデータはコンピュータ１３に取り込まれて
、マスクのパターン画像が拡大再生され、ＣＲＴ１４に
表示される。１２は走査回路であってコンピュータ１３
よりイオンビーム照射範囲を受は取り、走査電極３の制
御をする。１５はＣＡＤであってコンピュータ１３とは
通信回線で結ばれており、コンピュータ１３より要求が
あった時マスクの設計データをコンピュータ１３に送る
。
、マスクのパターン画像が拡大再生され、ＣＲＴ１４に
表示される。１２は走査回路であってコンピュータ１３
よりイオンビーム照射範囲を受は取り、走査電極３の制
御をする。１５はＣＡＤであってコンピュータ１３とは
通信回線で結ばれており、コンピュータ１３より要求が
あった時マスクの設計データをコンピュータ１３に送る
。
次に実際のパターン修正方法について第２図を基に説明
する。まず２次イオン像を観察しながら欠陥パターンを
見つける。次にコンピュータ１３に取り込んだ欠陥パタ
ーンを含む２次イオン像にノイズ成分の除去等画像処理
を施し、パターンの輪郭を抽出する。そして、欠陥パタ
ーンと同一で正常なパターンである参照パターンとを比
較します（第２図（Ａ））。そして両パターンの相違部
分を算出し、参照パターンより欠陥パターンの方が欠損
している部分を白色欠陥部、参照パターンより欠陥パタ
ーンの方がはみ出している部分を黒色欠陥部として認識
を行う。
する。まず２次イオン像を観察しながら欠陥パターンを
見つける。次にコンピュータ１３に取り込んだ欠陥パタ
ーンを含む２次イオン像にノイズ成分の除去等画像処理
を施し、パターンの輪郭を抽出する。そして、欠陥パタ
ーンと同一で正常なパターンである参照パターンとを比
較します（第２図（Ａ））。そして両パターンの相違部
分を算出し、参照パターンより欠陥パターンの方が欠損
している部分を白色欠陥部、参照パターンより欠陥パタ
ーンの方がはみ出している部分を黒色欠陥部として認識
を行う。
ここで参照パターンには、欠陥を含むパターンと同一で
正常なパターンの２次イオン像よりそのパターンの輪郭
を抽出した図形や、ＣＡＤよりマスクの設計データを受
は取り、その設計データをもとに正常なパターンを作成
した図形などを用いる。
正常なパターンの２次イオン像よりそのパターンの輪郭
を抽出した図形や、ＣＡＤよりマスクの設計データを受
は取り、その設計データをもとに正常なパターンを作成
した図形などを用いる。
なお、同一パターンにおいてもマスク上の位置によって
転写の時にパターンの大きさに差異が生じる。そこで精
度をあげるためにコンピュータによる自動倍率合わせ及
び自動幅合わせを行う。ここで倍率合わせ及び幅合わせ
の方法を第３図をもとに説明する。第３図はパターン上
の長さとパターン部分とパターン部分にはさまれた下地
の長さの両方が求められるようなパターンの場合であり
、第３図（Ａ）は欠陥を含むパターンの２次イオン像、
第３図（Ｂ）はその参照パターンである。まず欠陥パタ
ーンのＸ方向の欠陥を含まない一部分について、パター
ン上の長さａとパターン部分とパターン部分にはさまれ
た下地の長さｂを求める。
転写の時にパターンの大きさに差異が生じる。そこで精
度をあげるためにコンピュータによる自動倍率合わせ及
び自動幅合わせを行う。ここで倍率合わせ及び幅合わせ
の方法を第３図をもとに説明する。第３図はパターン上
の長さとパターン部分とパターン部分にはさまれた下地
の長さの両方が求められるようなパターンの場合であり
、第３図（Ａ）は欠陥を含むパターンの２次イオン像、
第３図（Ｂ）はその参照パターンである。まず欠陥パタ
ーンのＸ方向の欠陥を含まない一部分について、パター
ン上の長さａとパターン部分とパターン部分にはさまれ
た下地の長さｂを求める。
次に参照パターンにおける同一部分の長さａｂ′を求め
る。次に倍率合わせを行う。欠陥パターンと参照パター
ンの大きさの比率（倍率）は欠陥パターンの大きさ
ａ＋ｂ 参照パターンの大きさ ａ’＋ｂ’となる。
る。次に倍率合わせを行う。欠陥パターンと参照パター
ンの大きさの比率（倍率）は欠陥パターンの大きさ
ａ＋ｂ 参照パターンの大きさ ａ’＋ｂ’となる。
これより参照パターンの長さを
（ａ＋ｂ）／ （ａ’４−ｂ’）倍して欠陥パターンの
大きさに合わせる。Ｘ、Ｙの２方向で共にこの操作が可
能な時は各々で倍率合わせを行い、１方向だけの時は他
方向はそれに合わせる。ただしこの倍率が一定値以上で
あれば欠陥部として扱い倍率合わせは行わない。次に輻
合わせを行う０倍率合わせ後の参照パターンについて上
記のａ′、ｂ′の部分に対応する長さを求める。この長
さをそれぞれａ″、ｂ＃とすると、パターン幅の差はａ
ａ“、ｂ’−ｂ或いは （（ａ−ａ″）＋（ｂ′−ｂ））／２等で表現できる。
大きさに合わせる。Ｘ、Ｙの２方向で共にこの操作が可
能な時は各々で倍率合わせを行い、１方向だけの時は他
方向はそれに合わせる。ただしこの倍率が一定値以上で
あれば欠陥部として扱い倍率合わせは行わない。次に輻
合わせを行う０倍率合わせ後の参照パターンについて上
記のａ′、ｂ′の部分に対応する長さを求める。この長
さをそれぞれａ″、ｂ＃とすると、パターン幅の差はａ
ａ“、ｂ’−ｂ或いは （（ａ−ａ″）＋（ｂ′−ｂ））／２等で表現できる。
参照パターンのパターン幅を上記で表した式に従ってパ
ターン幅を広げて欠陥パターンのパターン幅に合わせる
。Ｘ、 Ｙの２方向で共にこの操作が可能な時は各々で
幅合わせを行い、１方向だけの時は他方向はそれに合わ
せる。ただし一定値以上パターン幅の差があった場合は
欠陥部として扱い幅合わせは行わない。
ターン幅を広げて欠陥パターンのパターン幅に合わせる
。Ｘ、 Ｙの２方向で共にこの操作が可能な時は各々で
幅合わせを行い、１方向だけの時は他方向はそれに合わ
せる。ただし一定値以上パターン幅の差があった場合は
欠陥部として扱い幅合わせは行わない。
本発明により大きくパターンが壊れているような欠陥で
も高精度に修正することができる。
も高精度に修正することができる。
第１図は本発明にかかる集束イオンビーム装置の全体構
成図、第２図 第３図は動作原理図であ ・イオン源 ・イオンビーム ・走査電極 ・対物レンズ ・ガス銃 ・有機化合物蒸気 ２次イオン ・マスク ・ｘｙステージ ・検出器 ・Ａ／Ｄ変換器 ・走査回路 ・コンピュータ ・ＣＲＴ ・ＣＡＤ ・参照パターン ・欠陥を含むパターン １８・ ・白色欠陥部 １９・ ・黒色欠陥部 以 上
成図、第２図 第３図は動作原理図であ ・イオン源 ・イオンビーム ・走査電極 ・対物レンズ ・ガス銃 ・有機化合物蒸気 ２次イオン ・マスク ・ｘｙステージ ・検出器 ・Ａ／Ｄ変換器 ・走査回路 ・コンピュータ ・ＣＲＴ ・ＣＡＤ ・参照パターン ・欠陥を含むパターン １８・ ・白色欠陥部 １９・ ・黒色欠陥部 以 上
Claims (1)
- イオンビームを発生するイオン源と、該イオンビームを
走査させる走査電極と、有機化合物蒸気を吹き付けるガ
ス銃と、マスクパターンから放出される２次イオンを検
出する検出器と、該検出器により取り込んだ２次イオン
強度により画像処理を行い、そのデータをもとにイオン
ビーム照射位置を設定するコンピュータよりなる集束イ
オンビーム装置において、マスクの欠陥パターンを修正
するために、該欠陥パターンに対応する正常な参照パタ
ーンを用いて、該参照パターンを欠陥パターンの線幅に
合わせ両パターンを比較して欠陥部を認識し、欠陥を修
正することを特徴としたパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2909390A JP2523385B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 集束イオンビ―ム装置によるパタ―ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2909390A JP2523385B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 集束イオンビ―ム装置によるパタ―ン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03231749A true JPH03231749A (ja) | 1991-10-15 |
| JP2523385B2 JP2523385B2 (ja) | 1996-08-07 |
Family
ID=12266742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2909390A Expired - Lifetime JP2523385B2 (ja) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | 集束イオンビ―ム装置によるパタ―ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2523385B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
| JPS6184833A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 |
| JPS6272123A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン欠陥検査修正方法 |
-
1990
- 1990-02-07 JP JP2909390A patent/JP2523385B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196020A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-15 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥検査・修正方法およびその装置 |
| JPS6184833A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Mitsubishi Electric Corp | マスクパタ−ン欠陥検査修正装置 |
| JPS6272123A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン欠陥検査修正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2523385B2 (ja) | 1996-08-07 |
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