JPH03232174A - 浮上型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は浮上型磁気ヘッドとその製造方法に関するるも
のであり、特に薄膜媒体を使用した小型ハードデスク用
浮上型磁気ヘッド（以下ヘッドということがある。）と
その製造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、磁気記録媒体としてのハードディスクは、酸化物
磁性粉を、アルミ合金基板に塗布したものが主流であっ
たが、近年の高記録密度の要求に対応して、メツキ法、
スパッタ法等を使用して、磁性体を基板に密着させたハ
ードディスクが主流となりつつある。磁気ディスク装置
は、上記のメツキ法、スパッタ法等のハードディスクを
用いて。

より小型、ハンディ化が進み、ディスクを駆動させるモ
ータ等も薄く、低トルクのものとなってきている。

（発明が解決しようとする課題） 上記のメツキ法やスパッタ法等で作られたディスク表面
は、従来の塗布型のものに比較して、面精度がよく仕上
られており、かつ潤滑材がオーバーコートされているた
め、従来あまり問題とされていなかったヘッドとディス
ク面とで生じるスティッキング現象が問題となってきて
いる。磁気記録媒体との対向面の面精度が高くなると、
静止しているディスクの表面とヘッドのディスク対向面
とが粘着（スティック）する。そして、このヘッドとデ
ィスク間の粘看力が過度に強くなると、装置寿命のＣ３
Ｓ　（コンタクト、スタート、ストップ）寿命が短くな
る。特に多数のディスクが組み合わさった装置であれば
、問題は更に大きなものとなってきている。このような
ステッキング現象を緩和するために、ヘッドのディスク
対向面の面粗さがある程度粗くなるような方法が種々考
えられているが、いづれも充分な効果を上げていなかっ
た。

しかし、本発明者等は、特開平１−２５１３０８号に開
示しているように、多結晶材で作られた浮上型磁気ヘッ
ドの磁気記録媒体と対向する面を逆スパッタ法を用いて
、山と谷の深さの差を５０〜２００人、山と谷の繰返し
のピッチを平均して５〜２０μｍ、とすることにより、
ＣＳＳ寿命の向上を行なう事に成功した。ただし、上記
発明は多結晶材の各結晶粒の面方位によって、その結合
エネルギーが異なる事を利用して凹凸付けを行なってい
るために、適用可能材料が多結晶材に限定され、また山
から谷へとその高さが変化する部分は、結晶の粒界に沿
って延在するという制約条件がある。従って単結晶のよ
うに結晶粒のない材料には適用不可であり、多結晶材の
場合でも結晶粒が極端に大きいか、小さい場合には所定
の面状態、面粗さを得ることができないという課題を持
っている。

そこで、本発明者等は更に鋭意検討を進めた結果、単結
晶材にも適用可能であり、また、多結晶材の場合にはそ
の結晶粒の粒径、粒界、配列等に左右されずに、所定の
面状態、面粗さを得る解決策を得ることに成功した。

（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために、請求項（１）〜（３）にお
いて、非磁性体または磁性体で作られた浮上型磁気ヘッ
ドにおいて、磁気記録媒体と対向する面の少なくとも一
部分に、山と谷との深さの差が平均して５０〜２００人
であり、山から谷へと高さが急激に変化する部分が、少
なくとも任意に選ばれ、結晶の粒径、粒界、配列に左右
されることなく、凹凸付けをされ、請求項（１）では、
山と谷との繰返しのピッチが平均して、５〜２００μｍ
の面であり、請求項（２）では、山と谷の繰返しが一定
の規則性を有し、その繰返しのピッチが平均して５〜２
００μｍの範囲にある面であり、請求項（３）では、山
と谷との繰返しが一定の規則性を有し、その繰返しのピ
ッチが５〜２００μｍの範囲にあり、更に少なくとも山
の頂き近傍の形状がほぼ幾何的に一定の規則性を有する
面状態、面粗さの浮上型磁気ヘッドを提供するものであ
る。

また、請求項（４）は、磁気記録媒体と対向する面の、
少なくとも頂面の凸部が平坦な面で構成されていること
を特徴とする磁気ヘッドを提供し、更に、請求項（５）
において、磁気ヘッドあディスク対向面の略全面、また
はその一部分のうねりの平均振幅を、触針式粗さ計にょ
るあらさ曲線で測定して５０〜３００人になるように仕
上げられたことを特徴とする磁気ヘッドを提供し、請求
項（６）は、（１）〜（５）の請求項で提供した面状態
、面粗さの浮上型磁気ヘッドをセラミックス、結晶化ガ
ラス、単結晶または多結晶の酸化物のなかの、少なくと
もひとつで構成された磁気ヘッドを提供するものである
。

そして、請求項（７）及び（８）は磁気ヘッドの製造方
法を提供するものであり、 請求項（７）は磁気記録媒体との対向面の処理対象外の
面にフォトレジスト液を塗布し、前記フォトレジストの
塗布されていない処理対象面を、請求項（８）は、磁気
記録媒体との対向面の略全面に、フォトレジスト液を塗
布し、処理対象面となる面をマスキングしたフォトマス
クを用いて露光し、処理対象面となる部分の未感光フォ
トレジストを除去した後に、処理対象面を、逆スパッタ
法、イオンミーリング法、またはケミカルエツチング法
のなかより選択した一方法により、所定の面状態、面粗
さに処理することを特徴とするものである。

以下、本発明の構成とその作用について詳細に説明する
。

本発明において、磁気ヘッドとしてはモノリシック形の
ものでもコンポジット形のものでもよい。

第１図はモノリシック型磁気ヘッド１０の一例を示す斜
視図である。通常は多結晶のＮｉ−Ｚｎ、あるいはＭ　
ｎ　−Ｚ　ｎフェライトで一体に構成されているが、Ｍ
　ｎ　−Ｚ　ｎの単結晶フェライトで構成すれば、電磁
変換特性は更に向上する。また、記録媒体との対向面の
みに、あるいは電磁変換部のみにＭ　ｎ　−Ｚ　ｎ単結
晶フェライトを用い、その他の部分には多結晶フェライ
トを用いた複合フェライトで構成しても良い。

符号１で示すスライダーは２条の主ベアリング面２．３
をその側辺部に有している。スライダー１の中央には細
幅のベアリング面が主ベアリング面２．３と平行に突条
様に延設されている。前記ベアリング面４の後端部には
磁気ギャップ５を介してコア６がガラス等により接合さ
れている。このコア６のスライダー１との接合面（フロ
ントギャップ及びパックギャップ）には、高透磁率の合
金薄膜を形成することもできる。巻線窓７を通してコア
６に所定ターンとなるように巻線が施される。

なお、高透磁率の磁性合金としては、センダストと通称
されるＦ　ｅ　−Ａ　Ｑ−５ｉ系合金が好適である。特
に好適なＦｅ−ＡＭ　−８ｉ系磁性合金としては、重量
％にてＡＱ：２〜１０％、Ｓｉ：３〜１６％、残部実質
的にＦｅであるものがあげられ、ＡΩ：４〜８％、Ｓｉ
：６〜１１％、残部実質的にＦｅであるものがとりわけ
好適である。

なお、Ｔｉ、Ｒｕをそれぞれ２％以下ずつ含んでいても
、耐食性、耐摩耗性を向上させることができ好適である
。また、Ｃｒを４％以下含んでいても同様の効果が得ら
れる。

また、高透磁率磁性合金として、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系ア
モルファス合金（例えば、ＣＯを７０〜９０ａｔ％、Ｎ
ｂを５〜２０ａｔ％、Ｚｒを２〜１０ａｔ％含むもの）
も好適である。

第３図はコンポジット形磁気ヘッドの一例を示す斜視図
である。磁気ヘッド１１は非磁性スライダー、または、
磁性スライダー１２とチップ１３とからなり、チップ１
３はスライダー１２の２本のベアリング面１４．１５の
一方の面１４に形成されたスリット１６中に、ガラス等
でモールド固定されている。

チップ１３の一例の詳細な構造を第４図に示す。

第４図において、Ｃ形コア２０及びＩ形コア２１上にス
パッツタ膜２２．２３が形成されている。

Ｃ形コア２０と工形コア２１とは、ギャップ２４を有す
るように、ガラス接合されている。２５はガラスを示す
。また、巻線窓２６を通してＩ形コア２１に所定パター
ンとなるように巻線が施される。

上記のチップ１３の構成材料としては、多結晶のＭ　ｎ
　−Ｚ　ｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等が好適
であるが、Ｍ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトが特に好適であ
る。好適なＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトの組成としては
モル％でＭｎＯ：２５〜３７％、ＺｎＯ：８〜２３％、
Ｆｅ２Ｏ，：　５１〜５７％があげられる。また、単結
晶のＭ　ｎ　−Ｚ　ｎフェライトも好適であり、その好
適組成範囲はモル％で、Ｍ　ｎ　Ｏ：２６〜３２％、Ｚ
ｎ○：１４〜２１％、Ｆｅ２Ｏ，：５０〜５５％である
。

前記第３図のスライダー１２の材料としては、結晶化ガ
ラスや多結晶の非磁性セラミックス材料が好適に用いら
れ、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、アルミナ
、亜鉛フェライト、ジルコニアセラミックス等があげら
れる。勿論、これ以外の非磁性材料でも良いし、Ｍｎ−
Ｚｎ等の磁性材料が使われる場合もある。

本発明では、前記ベアリング面２．３．４及び１４．１
５の表面が特定の面状態１面粗さになるように処理する
。ヘッド１０．１１が正規の停止姿勢であるときにベア
リング面２．３，４および１４．１５のうち静止状態の
ディスクと実際に接触するのは第１．３図でＡの領域（
ヘッドの前縁部と後縁部に設けられた傾斜部Ｂ、以外の
領域）である６本発明では、これら領域Ａ、Ｂ、Ｃのす
べてを上記特定の面あらさとなるように処理しても良い
が、Ａ領域のみ処理しても良い、またＡ領域のうちの主
要部、例えば第２図でハツチをした領域のみを処理して
も良い。

第５図（ａ）は請求項（１）、（４）の実施例（ｂ）は
請求項（３）、（４）の実施例に係るヘッドのベアリン
グ面を模式的に示す断面図である。

図示の如く、ベアリング面では山２８と谷２９とが交互
に現われ、かつ山２８と谷２９との間は高さが急激に変
化する部分（崖）となっている、この崖の部分は結晶の
粒径、粒界、配列とは無関係に、所望の箇所に任意に設
定することが可能である。山２８と谷２９との深さの差
ｄの平均値は５０〜２００人であり、山と谷との繰返し
のピッチｅは、（ａ）においては、５〜２００μｍのピ
ッチで生じ、（ｂ）においては、５〜２００μｍの範囲
で一定の規則性を持って生じる。また、山の断面形状は
（ａ）では不規則で有るが、（ｂ）では少なくとも山の
頂き近傍では、幾何的に一定の規則性を有している。

このように、山２８と谷２９とが適度な段差を有し、か
つ適度なピッチで繰り返されることにより、また、ディ
スクとの接地面積が少ないために、ヘッドとディスクと
のスティッキング（粘着）現象が防止または緩和される
ようになる。

また、本発明では、頂面の凸部が平坦な面で構成されて
いるので、ヘッドがディスク表面に着陸したり、逆にデ
ィスクから離陸する際のヘッドがディスク表面をひっか
く現象も確実に回避され、これによってもＣ８Ｓ特性が
向上するものと考えられる。

ディスクとヘッドとの静止摩擦係数はμｍを１゜０以下
、好ましくは０．７以下に保つことができる。この静止
摩擦係数は、静止した磁気デイ′スク上に磁気ヘッドを
ジンバルで約８ｇ−ｆの力で押しつけておき、磁気ヘッ
ドの回転を開始するのに要する力（トルク）を測定して
、これを摩擦係数に換算した。

このようなベアリング面を形成するには、後述するよう
に、山となる部分にスプレィ等によりフォトレジスト液
を吹き付けてマスキングするか、記録媒体対向面にフォ
トレジスト液を塗布し、ベアリング面の谷を形成する部
分（処理対象面）をマスキングしたフォトマスクを用い
て露光し、未感光のフォトレジストを除去して、イオン
ミーリング法、ケミカルエツチング法、または逆スパッ
タ法を用いれば良い。なお、上記各方法によってベアリ
ング面を処理する場合、ベアリング面またはその一部分
のうねりの振幅を、触針式粗さ計によるあらさ曲面で測
定して５０〜３００人になるように仕上げた浮上型磁気
ヘッドも本発明の目的を達成する。

イオンミーリングは、カウフマン型の装置を用いた。こ
の装置はミーリング室を初期真空度０゜０１〜０．０３
Ｐａ、Ａｒガス導入後の真空度的０．０５Ｐａ、加速電
圧約ＩＫＶ、イオン電流密度０．５〜ｌ　ｍ　Ａ　／　
ａＪの条件下で、発生したＡｒイオンをイオン銃で加速
して、Ａｒのイオンビームを処理材の面に当て、衝撃に
より処理材の原子を弾き飛ばして純粋に物理的にエツチ
ングするものであり、材料に対するイオンの入射角を任
意に選択することによりエツチングの速度を調整するこ
とができる。

逆スパッタ法は、通常のスパッタ法がＡｒガス等の不活
性ガス雰囲気中で、高電圧をがけＡｒガスをイオン化し
て、ターゲット表面に衝突させ、その際に飛びだしたタ
ーゲット粒子を他の基板上に付着させて膜形成をするの
に対し、逆スパッタ法は真空槽に相対する２枚の電極を
設置し、−度真空に排気し、次に０．１〜１．０Ｐａの
Ａｒガスを導入し、２枚の電極間に０．５〜ＩＫｖの電
圧をかけてグロー放電を起こし、内部においた処理材表
面にプラズマ中のイオン化したＡｒを衝突させて処理材
の表面の原子を除去する。

ケミカルエツチング法は、化学試薬と処理材との化学反
応を利用して処理を行なうもので、塩酸やりん酸溶液を
加熱し、その溶液中に処理材を所定時間浸漬する。使用
薬品の種類、濃度、溶液温度、浸漬時間等は処理材の材
質、所定の面粗さ、面状態に応じて適宜選択する。

（実施例） 実施例１ ディスク対向面をＭｎ○：２８モル％、ＺｎＯ：１９モ
ル％、Ｆｅ、０３：５３モル％の組成のＭｎ−Ｚｎの単
結晶材とし、その他の部分をＭ　ｎ　−Ｚｎの多結晶材
で構成したモノリシック型の浮上型磁気ヘッドを用い、
その単結晶面を、フロートポリッシングにより面粗さ約
２０人に仕上した。次いで表面を洗浄し、吸着水分を除
去した後に、スプレィ方式により、ノズルよりフォトレ
ジスト液をジェット流として単結晶処理面に塗布した。

成膜後、ベーキング処理を行い、ケミカルエツチングを
施した。ケミカルエツチング時には、電磁変換部はマス
キングを行い、エツチング防止をした。

エツチング条件としては、塩酸１２．５ｗｔ％溶液を８
０℃に加熱し、前記磁気ヘッドを５秒〜１５秒間浸漬さ
せた。エツチング条件 定の面方位であるために、はぼフォトレジスト膜でマス
キングされた部分と、膜が形成されない部分を境界とし
て山と谷が凹凸が生じた。第５図（ａ）にその断面図を
示す。

実施例２ Ｍｎ０：３１モル％、ＺｎＯ：１６モル％、Ｆ　（１２
０３：　５３モル％よりなる多結晶材で作られた磁気ヘ
ッドを用い、そのディスク対向面を、ダイヤモンドの微
細砥粒を用いた湿式ラップで面粗さ１０〜４０人に仕上
した。次いで表面を洗浄し。

吸着水分を除去した後に、フォトレジストをスピンコー
ティングすることによって塗布し、１３０℃の温度で約
３０分ベーキングを行い、５μｍ層厚に平坦化された成
膜面を得た。

次ぎに、直径が３０μｍ、ピッチが１００μｍの円形状
の画像を有するフォトマスクを、成膜した前記磁気ヘッ
ドの処理面に位置合せして重ね感光し、現像液で処理し
未感光の部分を除去して、円形画像を有するフォトレジ
スト膜を作りポストベーク処理をし、逆スパッタリング
を行なった。

スパッタ装置としてＲ−Ｆ型のものを用いて、ターンテ
ーブルの大きさがΦ４２ａａ、投入電力０゜５Ｋｗに設
定し、ガスとしてはＡｒを用いガス圧０．４４〜０．４
８Ｐａとした。第６図にその時の逆スパッタ時間と面粗
さの関係を示した。これ等の関係は、投入時間、不活性
ガスの種類、または数種のガス構成、ガス圧等の条件に
よって変化するようになるが、粗さは、やはり時間にほ
ぼ比例して、変化してゆき、その直線の傾きが変わると
いった関係にある。またこの時のヘッド表面の除去量も
第６図に併せて示したが、フォトレジストのない円形状
の部分は逆スパッタ時より除去され、フォトレジストが
残った部分は除去されないで元の状態にあり、第２図に
示すようなディスクとの接触面を部分的にしたヘッドを
つくることができた。第７図には、ヘッドの山と谷の段
差を変えただ時のディスクとヘッドの間に生じる静止摩
擦力の変化をＣ８Ｓの繰返し回数との関係で測定したも
のを示した。従来の湿式ラップのみのものは、Ｃ８Ｓ繰
返し回数の増加と共にその摩擦力は増大し、やく１万回
から、その増加量は大きく変化している。これに対し、
本発明の山と谷の段差を有したヘッドはその摩擦力も小
さいものとなっている。このことからヘッドのディスク
対向面の段差は粗くすればするほど効果は大きいと考え
られるが、余り表面を荒すと、ヘッド、ディスクへの傷
を付けるという問題が発生することがあり。

傷の発生がない山と谷の深さの差が上限となる。

実施例３ 前記実施例１と同様にスプレィにより、フォトレジスト
の前処理を施した浮上型磁気ヘッドを使用し、この浮上
型磁気ヘッドを、上記と同じＲ−Ｆのマグネトロン製ス
パッタ装置内のターンテーブル（直径４２０ｍ）の所定
の位置にセットし、投入電力０．３−１．ＯＫｗ、Ａｒ
ガス圧０．４〜０．５Ｐａ、逆スパッタ時間１０〜６０
分と変化させ、浮上型磁気ヘッドのディスク対向面を表
面処理した。その結果、得られた本発明浮上型磁気ヘッ
ドは第２図に示した通りである。

なお第２図では斜線を施した部分が逆スパッタによって
表面処理した部分であり、他の部分は逆スパッタ時に表
面が処理されないようにフォトレジストによりマスクを
行った。このようにして表面処理された部分を、触針式
粗さ計により表面粗さを測定した。その結果得られた粗
さ曲線の一例を第８図に示す。粗さ曲線は周期的なうね
りを示す。

そのうねりの平均波長λを第８図に示すように連続する
、ピークＬ工、Ｌ２１．．．Ｌ、□を抜取りＬ〜Ｌ２１
間の距離Ｑを測定してλ＝Ｑ／２０より計算で求めた。

なお、粗さ曲線は１０箇所、５■の距離にわたり測定し
、１０箇所の平均値をλとした。また、Ｒｍａｘはいず
れも０．０２０〜０゜０３０μｍであった。以上のよう
にして得られる種々のλを有するこの浮上型磁気ヘッド
と、スパッタディスクおよびメツキディスクとのＣ８Ｓ
特性を測定したところ、山と谷深さの差が５０〜３００
人であれば、Ｃ８Ｓ回数が３万回以上でも静止摩擦係数
μｍは０．７以下に保持され、スパッタおよびメツキデ
ィスクともクラッシュされないことが確認できた。λが
２００μｍ以上になると、急激に静止摩擦係数μｍが増
大して０．７以上となり、通常の浮上型磁気ヘッドと同
様に５千回未満でディスクがクラッシュし、またλ＝５
μｍ以下の場合にも、１万回未満でディスクのクラッシ
ュが起こることが明らかとなった。

実施例４．５、比較例１．２ 実施例１において、逆スパッタ処理時間を０分、（比較
例１）、１０分（実施例４）、２０分（実施例５）、３
０分（比較例２）とした。

Ｃ８Ｓテスト例１ 実施例４．５、比較例１．２のヘッドを用いてＣ８Ｓの
テストを行なった。

Ｃ８Ｓに用いたディスクは次の３．５インチハードディ
スクである。

基　板ニアルミニウム 下　地：Ｃｒ 磁性膜：　Ｃｏ　−Ｎ　ｉスパッタ膜 表面層：Ｃスパッタ層及びＣ層表面に塗布されたフッ素
樹脂系潤滑剤（潤滑剤 厚さ１０〜３０人） ディスク表面粗さ：４００から〜６００人Ｃ８Ｓテスト
時のディスク駆動条件は次の通りである。

回　転　速　度：３６００ｒｐｍ １回の回転速度ニアｓｅｃ 回転と回転との停止時間：３ｓｅｃ このＣ８Ｓテストを行ないつつ、ヘッドとディスクとの
静止摩擦係数μｍを測定した。その結果をＣ８Ｓ繰返し
回数と共に第９図に示す。

第９図より次のことが認められる。

実施例４．５では１０万回のＣ８Ｓを行なっても静止摩
擦係数μ、は約０．６以下であり、かつディスク、ヘッ
ドのいずれにも異常はない。比較例１では、１万回のＣ
８Ｓでディスク、ヘッドの接触時に″チリチリ”という
異音が発生し、４万回のＣ８Ｓでディスク回転始動時に
時々失敗が認められる。比較例２では、静止摩擦係数μ
ｍは低いものの、２万回のＣ８Ｓでヘッド、ディスク面
共に傷が発生し始める。

ＣＳＳＳＳトス２ 次のメツキディスクを用いた他は、上記テスト例１と同
様のテストを行なった。

基　板ニアルミニウム 下　地：Ｎ１−ｐ 磁性膜：　Ｃｏ　−Ｎ　ｉ 表面層：Ｃ及び潤滑剤（テスト例１と同じ）このＣ８Ｓ
テスト例の結果を第１０図に示す。

第１０図からも上記テスト例１と同様の結果が認められ
る。

（発明の効果） 以上の実施例からも明らかなように、請求項（１）〜（
６）のヘッドはディスクとの静止摩擦係数が小さく、シ
かも繰返しＣ８Ｓを行なってもディスク、ヘッド面とも
に傷がつきにくく耐久性が良い。

請求項（７）、（８）によれば、上記ヘッドを製造する
ことができる。

このように、本発明により、ディスクとヘッドの間に生
ずる摩擦を低減することが可能となり、安価で、しかも
安定した手法により、より一層のディスク装置の小型、
軽量、薄肉化への対応ができるようになる。

また、本発明によれば、スパッタデスクおよびメツキデ
ィスクと浮上型磁気ヘッドの間に生じる摩擦を低減する
ことができるため、Ｃ８Ｓによる寿命を延ばすことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、モノリシック型の浮上型磁気ヘッ
ドの斜視図、第３図は複合型の浮上型磁気ヘッドの斜視
図、第４図はヘッドチップの斜視図、第５図（ａ）、（
ｂ）はベアリング表面の断面図、第６図、第７図、第８
図、第９図、及び第１０図はそれぞれ測定結果を示すグ
ラフである。 １．１０．、、ヘッド ２．３．４，１４．１５．、、ベアリング面２８、、、
山、２９．、、谷、３０．、、崖３１．３２．３３．３
４．３５．３６．３７．３８．３９．４０．４１．、、
結晶粒。 第１図 第２図 第５図 （ａ） （ｂ） 第６図 逆スパッタ時間（分） 第７図 ＳＳ 回 数（ｘｌｏｏｏ） 第８図

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性体または磁性体で作られた浮上型磁気ヘッ
   ドにおいて 磁気記録媒体と対向する面の少なくとも１部分に、山と
   谷との繰返しのピッチが平均して５〜２００μｍの面で
   あり、山と谷の深さの差が平均して５０〜２００Åであ
   り、山から谷へと高さが急激に変化する部分が、少なく
   とも任意に選ばれ、結晶の粒径、粒界、配列に左右され
   ることなく、凹凸付けをされたことを特徴とする浮上型
   磁気ヘッド。
2. （２）磁気記録媒体と対向する面の少なくとも１部分に
   、山と谷との繰返しが一定の規則性を有し、その繰返し
   のピッチが５〜２００μｍの範囲に有る面であり、山と
   谷の高さの差が平均して５０〜２００Åであり、山から
   谷へと深さが急激に変化する部分が、少なくとも任意に
   選ばれ、結晶の粒径、粒界、配列に左右されることなく
   、凹凸付けをされたことを特徴とする浮上型磁気ヘッド
   。
3. （３）磁気記録媒体と対向する面の少なくとも１部分に
   、山と谷との繰返しが一定の規則性を有し、その繰返し
   のピッチが５〜２００μｍの範囲に有る面であり、山と
   谷の深さの差が平均して５０〜２００Åであり、少なく
   とも山の頂き近傍の形状がほぼ幾何的に一定の規則性を
   有し、山から谷へと深さが急激に変化する部分が、少な
   くとも任意に選ばれ、結晶の粒径、粒界、配列に左右さ
   れることなく、凹凸付けをされたことを特徴とする浮上
   型磁気ヘッド。
4. （４）磁気記録媒体と対向する面の、少なくとも頂面の
   凸部が平坦な面で構成されていることを特徴とする浮上
   型磁気ヘッド。
5. （５）磁気ヘッドの磁気記録媒体との対向面の略全面、
   またはその一部分のうねりの平均振幅を、触針式粗さ計
   による粗さ曲線で測定して、５０〜３００Åになるよう
   に仕上げられたことを特徴とする浮上型磁気ヘッド。
6. （６）非磁性体または磁性体が、セラミックス、結晶化
   ガラス、単結晶または多結晶の酸化物のなかの、少なく
   ともひとつより構成されている請求項（１）〜（５）の
   浮上型磁気ヘッド。
7. （７）磁気記録媒体との対向面の処理対象外の面にフォ
   トレジスト液を塗布し、前記フォトレジストの塗布され
   ていない処理対象面を、逆スパッタ法、イオンミーリン
   グ法、またはケミカルエッチング法のなかより選択した
   一方法により、所定の面状態、面粗さに処理することを
   特徴とする浮上型磁気ヘッドの製造方法。
8. （８）磁気記録媒体との対向面の略全面に、フォトレジ
   スト液を塗布し、処理対象面となる面をマスキングした
   フォトマスクを用いて露光し、処理対象面となる部分の
   未感光フォトレジストを除去した後に、処理対象面を逆
   スパッタ法、イオンミーリング法、またはケミカルエッ
   チング法のなかより選択した一方法により、所定の面状
   態、面粗さに処理することを特徴とする浮上型磁気ヘッ
   ドの製造方法。