JPH03232186A - 高速メモリシステム - Google Patents

高速メモリシステム

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JPH03232186A
JPH03232186A JP2026040A JP2604090A JPH03232186A JP H03232186 A JPH03232186 A JP H03232186A JP 2026040 A JP2026040 A JP 2026040A JP 2604090 A JP2604090 A JP 2604090A JP H03232186 A JPH03232186 A JP H03232186A
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memory
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module
column
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JP2026040A
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Kiyokazu Nishioka
清和 西岡
Nobuo Tsuchiya
土谷 信雄
Hideki Kamimaki
秀樹 神牧
Naoto Matsunami
直人 松並
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Hitachi Ltd
Hitachi Industry and Control Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Video Engineering Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ページアクセスモードを有効に利用し、主メ
モリに対して高速にアクセスすることを可能とする高速
メモリシステムに関する。
〔従来の技術〕
従来、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM
)を用いたメモリシステムにおいて。
高速にアクセスする技術としては、特開昭61−427
93号公報に開示されているものがある。
本技術は、DRAMのページアクセスモードを利用し、
同一ページに対する連続アクセス時には、行アドレスの
みを更新することで、高速アクセスを実現したものであ
る。
本技術を第2図に示し、さらに詳細に説明する。
DRAMモジュールは、8バンクlla〜11hで構成
され、バンクセレクト信号23a〜23hで選択される
。各バンクには共通のRAMアドレス162列アドレス
ストローブ(RAS)17、行アドレスストローブ(C
AS)18.ライトイネーブル(WE)19が与えられ
るが、バンクセレクト信号23a〜23hがアクティブ
でなければ、アクセスは無効として扱われる。また。
DRAMモジュールlla〜llh内には、ラッチBが
設けられており、各RAS17を保持するような構成に
なっていて、各モジュールごとにページアクセスモード
を持続できるようになっている。
タイミングコントローラ9は、DRAMに対するRAS
17.CaSi2.WE19.マルチプレクスされたD
RAMのアドレスバス切換信号MPX22.補助メモリ
5のライト信号LD21゜メモリシステムをアクセスし
た機器に対するアクセス終了信号ACK4を発生するも
のであり、これらの信号は、メモリシステムに与えられ
たシステムセレクト信号5EL3.リード/ライト信号
R/W2.コンパレータ6の出力信号HIT20゜クロ
ックの出力CLK24に従って動作モードが変わる。
動作モードは、リフレッシュモード、ランダムアクセス
モード、ページアクセスモードの3種があり、モードの
決定はタイミングコントローラ9が行なう。
タイミングコントローラ9は、CLK24をカウントし
、適当なインターバルでリフレッシュモードに入り、D
RAMに対してリフレッシュを行なう信号REF26を
発生する。
メモリシステムに与えられるシステムアドレス1は、上
位から順に、バンクアドレス272列アドレス28およ
び行アドレス29に分割されるような構造となっている
補助メモリ5は、バンクアドレス27でマツピングされ
ており、各バンクアドレス27ごとに、最後に与えられ
た列アドレス28を記憶する。
メモリシステムがSEL信号3によってセレクトされる
と、メモリシステムに与えられたシステムアドレス1の
うちバンクアドレス27が、バンクセレクタ7および補
助メモリ5に与えられる。
バンクセレクタ7では、与えられたバンクアドレス27
によりDRAMモジュールが選択され、かつ、補助メモ
リ5では、与えられたバンクアドレス27に対する列ア
ドレス28が読み出される。
補助メモリ5には、列アドレス28のほかに、有効ビッ
トが記憶されている。有効ビットは過去に列アドレス2
8が書き込まれたことを示すビットで、リフレッシュモ
ードおよびパワーONリセット時にクリアされる。
読み出された有効ビットがアクティブであった場合、コ
ンパレータ6は、補助メモリ5に記憶されている列アド
レス28と、メモリシステムに与えられたシステムアド
レス1の列アドレス28とを比較する。
有効ビットがインアクティブまたは比較結果が一致しな
かった場合、コンパレータ6の出力HIT20はインア
クティブとなる。この場合、タイミングコントローラ9
は、ランダムアクセスモードとなり、補助メモリ5に対
してライト信号LD21を発生し、システムアドレス1
の列アドレス28を記憶させ、同時に、RAS 17を
インアクティブとする。次に、更新された補助メモリ5
の内容をセレクタ8を通じ、DRAMアドレスバスに列
アドレスとして与え、RAS 17を再びアクティブと
し、続けてシステムアドレス1の行アドレス29をセレ
クタ8を通じ、I)RAMアドレスバスに与え、CaS
i2をアクティブとすることで、メモリはアクセスされ
る。データ10のアクセスが終了しても、RAS17は
アクティブのままである。
有効ビットがアクティブで、かつ、比較結果が−Mした
場合、コンパレータ6の出力HIT20はアクティブと
なる。この場合、タイミングコントローラ9は、ページ
アクセスモードとなり、ページアクセスモードでのアク
セスが行われる。
第3図はDRAMモジュール11a〜11hからなるア
ドレス順に示したメモリマツプ上に各ページがどのよう
に配置されるかを表わした模式図である。
各ページ30a〜30hは、第3図に示すように、各モ
ジュール内のページ単位で区切られたうちの任意のアド
レスに存在しうる。すなわち、ページは、モジュール内
にその全てが含まれる形で存在し、モジュールにまたが
っては存在しない。
これらのページ30a〜30hへのアクセス時、ページ
アクセスモードで高速にアクセスすることができる。
つまり、従来技術においては、バンクアドレス27順に
マツピングされた補助メモリ5に、予め各DRAMモジ
ュールの最後にアクセスされた列アドレス28を記憶さ
せておき、システムアドレス1のバンクアドレス27に
基づいてDRAMモジュールを選択すると同時に、補助
メモリ5内の該バンクアドレス27の位置に記憶されて
いる列アドレス28とシステムアドレス1の列アドレス
28とを比較し、両者が一致した場合に、選択されたD
RAMモジュールがページアクセスモードで働くように
している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、メモリに記憶されたコンピュータプロ
グラムの多くが、行アドレスが同じ、すなわち、同一ペ
ージに連続的に並んでいることを利用し、ページアクセ
スモードでアクセスすることで、該コンピュータプログ
ラムに対して高速にアクセスできるようにしたものであ
るが、DRAMモジュールの増加に伴い、補助メモリの
容量も増加しなければならないという問題がある。
また、ページはモジュール内にその全てを含まれる形で
存在するので、DRAMモジュールの増加に伴い、ペー
ジアクセスモードでアクセスできる領域が、第3図に示
したように分散されてしまい、ページアクセスモードで
アクセスできる比率(以下、ヒツト率と称す。)は低下
することは無いにしても、コンピュータプログラムがメ
モリ上に連続的に記憶されていることを考えると、ヒツ
ト率の向上はDRAMモジュールを増加したとしても微
々たるものである。
本発明の目的は、ページをモジュールにまたがって存在
させることができる高速メモリシステムを提供すること
にある。
また、本発明の他の目的は、モジュールを複数使用して
も補助メモリの容量を増加させず、さらに、モジュール
の増加に伴い、ヒソ1へ率を向上させる高速メモリシス
テムを提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明は1列アドレスが同
一であれば行アドレスを与えるだけでアクセス可能なペ
ージアクセスモードを有する1つ以上のメモリモジュー
ルにアクセスするメモリシステムにおいて、前記メモリ
モジュールを並列に並べ、システムアドレスを、前記メ
モリモジュールに順に振分けて与えるか、または、前記
メモリモジュールにページの容量分を順に振分けて与え
るようにしている。
また、前記与えられたシステムアドレスを、前記並列に
並べたメモリモジュールの数に応じて、演算により1列
アドレス、行アドレス、バンクアドレスに分割する。
また、上記他の目的を達成するために1本発明は、前記
与えられたシステムアドレスを前記演算により分割した
列アドレスと、直前に与えられたシステムアドレスを前
記演算により分割した列アドレスとを比較し、両者が一
致した場合、いずれのメモリモジュールに対してもペー
ジアクセスモードで働くようにしている。
そのために、本発明は1列アドレスが同一であれば行ア
ドレスを与えるだけでアクセス可能なページアクセスモ
ードを有する1つ以上のメモリモジュールにアクセスす
るメモリシステムにおいて。
前記メモリモジュールを並列に並べ、システムアドレス
を、前記メモリモジュールに順に振分けて与えるか、ま
たは、前記メモリモジュールにページの容量分をJ@に
振分けて与えるメモリマツピング手段と、前記メモリモ
ジュールの数を検出する手段と、前記モジュール数検出
手段により検出されたメモリモジュールの数に応じて、
演算により、前記メモリマツピング手段により与えられ
たシステムアドレスを、列アドレス、行アドレス、バン
クアドレスに分割する手段と、直前に与えられたシステ
ムアドレスのうちの列アドレスを記憶する手段と、前記
アドレス分割手段により分割された列アドレスと前記記
憶手段に記憶された列アドレスとを比較し、両者が一致
した場合、いずれのメモリモジュールに対してもページ
アクセスモードで働くようにする手段と、前記アドレス
分割手段により分割されたバンクアドレスに応じて、前
記メモリモジュールを選択する手段とを備えている。
前記アドレスの分割は、前記システムアドレスを列アド
レス、行アドレス、バンクアドレスに分Iffる際に、
前記システムアドレスを、メモリモジュールの数と各メ
モリモジュールの1ページの容量との積で整数の除算を
し、商を列アドレスとし、さらに、その剰余を、メモリ
モジュールの数で整数の除算をし、商を行アドレスとし
、剰余をバンクアドレスとすればよい。
また、記憶アドレスの分割は、前記システムアドレスを
列アドレス、行アドレス、バンクアドレスに分割する際
に、前記システムアドレスを、メモリモジュールの数と
各メモリモジュールの1ページの容量との積で整数の除
算をし、商を列アドレスとし、さらに、その剰余を、メ
モリモジュールの1ページの容量で整数の除算をし、商
をバンクアドレスとし、剰余を行アドレスとしてもよい
〔作用〕
前記メモリマツピング手段が、メモリモジュールを並列
に並べ、システムアドレスを、前記メモリモジュールに
順に振分けて与えるか、または、前記メモリモジュール
にページの容量分を順に振分けて与え、さらに、前記ア
ドレス分割手段が、前記モジュール数検出手段が検出し
たメモリモジュールの数に応じて、演算により、与えら
れたシステムアドレスを列アドレス、行アドレス、バン
クアドレスに分割する。
これにより、メモリモジュールの列アドレスが同一であ
るページは、メモリモジュールにまたがって連続的に配
置されるので、ページアクセスモードでアクセスできる
連続領域がメモリモジュールの数に応じて増加すること
から、コンピュータプログラムがメモリ上に連続して記
憶される可能性が大きいこととを考え合わせると、ヒツ
ト率が向上し、メモリ容量の増加に伴いさらなる高速メ
モリシステムを構築することができる。
なお、前記モジュール数検出手段は、メモリシステムに
装着されたメモリモジュールの数を単に検出すれば良く
、また、前記アドレス分割手段は、前記モジュール数検
出手段により得られたメモリモジュールの数に応じ、一
義的にシステムアドレスを演算すれば良い。
さらに、前記記憶手段は、メモリモジュールの数によら
ず、唯1つの列アドレスを記憶すれば良く、従来のよう
に、補助メモリにメモリモジュールコとに列アドレスを
記憶していないので、メモリモジュールに対応する列ア
ドレスレを選択する動作を必要としないことから、なお
−石高速なメモリシステムを実現することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は本発明の一実施例の高速メモリシステムの構成
を示すブロック図である。
第1図は、最大8バンクの256ワード×8ピントのD
RAMモジュール31a〜13hで構成した例である。
各DRAMモジュール31a〜31hはバンクセレクト
信号23a〜23hで選択される。各バンクには共通の
RAMアドレス16.RAS17゜CaSi2.WE1
9が与えられるが、バンクセレクト信号23a〜23h
がアクティブでなければ、例えば、DRAMモジュール
31a内のゲート312aによって、アクセスは無効と
して扱われる。このゲート312aに相当するゲートは
、他のDRAMモジュール31b〜31h内にも同様に
存在する。
タイミングコントローラ9は、D RA Mに対応する
RAS17.CaSi2.WE19.列アドレスと行ア
ドレスとがマルチプレクスされたDRA Mのアドレス
バス切換信号MPX22.補助ラッチ34のライト信号
LD21.メモリシステムをアクセスした機器に対する
アクセス終了信号ACK4を発生するものであり、これ
らの信号は、メモリシステムに与えられたシステムセレ
クト信号5EL3.リード/ライト信号R/W2.コン
パレータ6の8力信号HIT20.クロックの8力CL
K24に従って動作モードが変わることは、従来技術と
同様である。
動作モードは、リフレッシュモード、ランダムアクセス
モード、ページアクセスモードの3種があり、モードの
決定はタイミングコントローラ9が行なう。
タイミングコントローラ9は、CLK24をカウントし
、適当なインターバルでリフレッシュモードに入り、D
RAMに対してリフレッシュを行なう信号REF26を
発生する。
本実施例では、最大8個のDRAMモジュールまで対応
可能なメモリシステムにおいて、3つのDRAMモジュ
ール31a、31b、31cを装着した場合を例にとり
、詳細に動作説明を行なう。
従来、メモリは、各D RA Mモジュールが直列に並
べられてマツピングされ、システムアドレスは、上位か
ら順に、バンクアドレス、列アドレス。
行アドレスが並んだ形で与えられていた。
本実施例では、各DRAMモジュールを並列に並べてマ
ツピングする。また、システムアドレスは、各DRAM
モジュールに順に振分けて与えるか、または、各DRA
Mモジュールにページの容量分を順に振分けて与えるよ
うにする。
そこで、本実施例においては、メモリシステムに与えら
れるシステムアドレスを、従来と異なり。
演算により、バンクアドレス、列アドレス、行アドレス
に分割する。上述したように、システムアドレスはDR
AMモジュールごとに振分けて与えられるので、この分
割の際に行なう演算は、DRAMモジュールの数に応じ
て行なわれる。
そのため1本実施例では、第1図に示すように、D R
A Mモジュールの数を求めるモジュール数検出部32
と、上記演算を行なうアドレスコンバータ33とを備え
ている。
第4図はモジュール数検出部32の具体例を示すブロッ
ク図である。
モジュール数検出部32に与えられるモジュール装着信
号32a〜32hのうち実際に装着しているモジュール
に対するモジュール装着信号32a、32b、32cの
みがアクティブとなり、モジュール数出力バス32Yに
は装着したモジュール数が出力され、アドレスコンバー
タ33に与えられる。
モジュール数検出部32において、エンコーダ321は
、第5図に示す真理値表で動作するとすれば、装着して
いるDRAMモジュール31a。
31b、31cのみがモジュール内でグランドに接続さ
れているためIt OI+レベルとなり、他の31d〜
31hは抵抗322d〜322hを介して電圧レベルに
接続されているため“1″レベルとなり、第5図の真理
値表示に従い、エンコーダ321の出力Y2.Yl、Y
Oは、それぞれLL Q IIrL I II 、  
II Q IIとなり、Y2を最上位ビット、YOを最
下位ビットとした2進数とすれば、10進数化で2(装
着モジュール数−1)をモジュール数出力バス32Yに
出力する。第5図の真理値表での11 X ITは47
1 II   110 IIのいずれでも良いことを示
している。
アドレスコンバータ33に与えられたモジュール数出力
バス32Yのモジュール数情報に従い、本実施例では、
262144 (=256に、 I K=1024)ワ
ードのDRAMを用いていることから、1ページの容量
は512となり、従って、列アドレス33aはシステム
アドレスをアドレスコンバータ33内にて1536 (
512X 3 = 1ページの容量×モジュール数)で
整数の除算をすることで得る。
例えば、システムアドレス1が0のとき列アドレス33
aはO、システムアドレス1が1535のとき列アドレ
ス33aは0、システムアドレス1が1536のとき列
アドレス33aは1というように、システムアドレス1
の値が1536増加するごとに列アドレス33aは1増
加し、システムアドレス1の値が最大値786431の
とき列アドレス33aは511となる。
さらに、上記除算の剰余は、行アドレス33bとバンク
アドレス33cとに分割されるが、これは、上述のメモ
リのマツピンングの仕方に従って、該剰余をさらにモジ
ュール数で整数の除算をした商を行アドレス33bとし
、剰余をバンクアドレス33cとする(A方式)か、ま
たは、該剰余をさらにDRAMモジュールの1ページの
容量で整数の除算をした商をバンクアドレス33cとし
、剰余を行アドレス33bとする(B方式)。
第6図はアドレスコンバータ33の具体例を示すブロッ
ク図である。
A方式およびB方式の相違は、上述した通り、除算部3
34の剰余を除算部335において、A方式は、インク
リメント部331の出力で除算し、商を行アドレス33
b、剰余をバンクアドレス33cとし、B方式は、ペー
ジ容量332で除算し、剰余を行アドレス33b、商を
バンクアドレス33cとする点のみである。インクリメ
ント部331は、第4図に示したモジュール数検出部3
2において、モジュール数出力バス32Yがモジュール
数から1減算したものを出力するため、アドレスコンバ
ータ33内でモジュール数に変換するよう設けられたも
のである。
第7図は以上に述べたアドレスコンバータ33に入力さ
れるシステムアドレス1に対する出力である列アドレス
33a9行アドレス33b、バンクアドレス33cの一
例を、A方式およびB方式のそれぞれについて示したも
のである。
また、第8図はシステムアドレス1から見た各DRAM
モジュールの並びを模式的に表わしたものである。
モジュール内の数値は、システムアドレス1の値を示し
、()内の数値は、各モジュールでのRAMアドレス値
である。
第8図に示すように、A方式およびB方式のいずれも、
大枠内は全て同一の列アドレス33aでアクセスするこ
とが可能であり、すなわち、この大枠内のいずれのアド
レスであっても連続したアクセスに対してはページアク
セスモードが可能となる。
以下、本実施例のメモリシステムを示した第1図の動作
を第9図のタイミングチャートに従って説明する。
メモリシステムがSEL信号3によってセレクトされる
と、メモリシステムに与えられたシステムアドレス1が
メモリモジュール数に応じアドレスコンバータ33で変
換され、バンクアドレス33cがバンクセレクタ7に与
えられ、DRAMモジュールが選択される。また、列ア
ドレス33aがコンパレータ6に与えられると同時に、
補助ラッチ34の内容もコンパレータ6に与えられる。
補助ラッチ34は、従来の補助メモリ5に相当するもの
であるが、本実施例では、従来と異なり、バンクアドレ
スごとに列アドレスを記憶せずに、直前にアクセスされ
た列アドレス33aの値が唯1つと有効ビット(vビッ
ト)34aとを記憶する。Vビット34aは過去に列ア
ドレス33aが書き込まれたことを示すビットで、リフ
レッシュモードおよびパワーONリセット時にクリアさ
れる。
読み出されたVビット34aがアクティブの場合、コン
パレータ6は、補助ラッチ34から読み出された列アド
レス34bとシステムアドレス1から得られた列アドレ
ス33aとを比較する。
Vビットがインアクティブまたはコンパレータ6による
比較結果が一致しなかった場合、コンパレータ6の出力
HIT20はインアクティブとなる。この場合、タイミ
ングコントローラ9は、第9図に示すように、ランダム
アクセスモードとなり、補助ラッチ34に対してライト
信号LD21を発生し1列アドレス33aを記憶させ、
同時に、RAS 17をインアクティブ(=”1”)と
する。
次に、更新された補助ラッチ34の内容をセレクタ8を
通じ、RAMアドレスバスに列アドレスとして与え、R
AS17を再びアクティブとし、続けてシステムアドレ
ス1から得られた行アドレス33bをセレクタ8を通じ
、RAMアドレスバスに行アドレスとして与え、CAS
18をアクティブとすることで、データ10のやりとり
を終了する。
次に、タイミングコントローラ9は、アクセス終了信号
ACK4を発生し、メモリシステムをアクセスした機器
に終了を伝える。この際、アクセスが終了しても、RA
S17はアクティブのままである。
Vビット34aがアクティブで、かつ、コンパレータ6
による比較結果が一致した場合、コンパレータ6の出力
HIT20はアクティブとなる。
この場合、タイミングコントローラ9はページアクセス
モードとなり、与えられたシステムアドレス1から得ら
れた行アドレス33bは、セレクタ8を通じRAMアド
レスバスに与えられ、CAS18はアクティブとなり、
ページアクセスモードでのアクセスが行なわれる。デー
タ10のアクセスが終了すると、タイミングコントロー
ラ9は、アクセス終了信号ACK4を発生し、メモリシ
ステムをアクセスした機器に終了を伝える。
以上説明したように、本実施例では、システムアドレス
を各DRAMモジュールごとに振分けて与えているので
、モジュールにまたがってページを存在するようメモリ
をマツピングすることができ、列アドレスが同一である
ページ内で、行アドレスを更新し、かつ、バンクアドレ
スでモジュールを切換えることにより、ページアクセス
モードでのアクセスを実現する。そこで、メモリシステ
ムに許される範囲で任意の数のDRAMモジュールを装
着した場合に、高速にメモリアクセスが可能なページア
クセスモードを使用でき、装着したDRAMモジュール
数に比例して、ページアクセスモードでアクセスできる
メモリ領域が増加するので、ヒツト率を向上することが
できる。
さらに、最後にアクセスされたメモリの列アドレスを記
憶する補助ラッチも唯1つの列アドレスを記憶するだけ
で良いので、列アドレスの出力動作は、従来のように、
バンクアドレスに対応する列アドレスを選択する必要が
なく、安価かつ高速に実現することができる。
なお、現に存在するメモリシステムに新たにDRAMモ
ジュールを増設する場合は、再びシステムアドレスを振
分は直す必要があるが、これは、例えば、パーソナルコ
ンピュータにおける環境設定のプログラムを応用して行
なうことができる。
本実施例では、1個のDRAMモジュールの容量が25
6K (=262144)ワード×8ビットとして説明
したが、いずれの容量のDRAMを用いたとしてもDR
AMに応じページサイズが変わるのみであり、また、1
ワードの幅が16ビツトや32ビツトであっても、本実
施例を適用できることは言うまでもない。さらに、本実
施例では、メモリモジュール数の最大を8個として説明
したが、いくつであっても、モジュール数検出部、バン
クセレクタを最大値に応じて変更するのみで、本実施例
は適用できる。
次に、本発明の他の実施例を第10図を用いて説明する
第10図は本発明の他の実施例の高速メモリシステムの
構成を示すブロック図である。
本実施例は、第1の実施例で示したメモリシステムのう
ち、モジュール数検出部32.アドレスコンバータ33
を、それぞれ、モジュール数設定部50.アドレスコン
バータ51に変更したものである。
本実施例では、装着するDRAMモジュールの数は、1
,2,4.8のいずれかとし、DRAMモジュールの容
量は、第1の実施例と同様に256 K (=2621
44)ワード×1ビットのDRAMモジュール8個から
構成した256K (=26:’!!、44)ワード×
8ビットの場合を例にとって説明する。
本実施例では、8個のDRAMモジュール3La〜31
hを装着したとする。モジュール数設定部50には、メ
モリシステムをアクセスする機器により装着されたモジ
ュール数″8”を設定する。
一般に、システムアドレス1は複数本の信号からなる2
進数のバス形式で与えられることから、第1の実施例の
アドレスコンバータ33で行なわれたアドレス変換演算
は、第11図に示すように、システムアドレス1が2進
数A2゜〜Aoからなるとすれば、モジュール数が1の
ときA。方向へシフト量0、モジュール数が2のときへ
〇方向へシフト量1、モジュール数が8のときA。方向
へシフト量3というように、モジュール数がx(xは2
の累乗)のとき10gzxだけA0方向にシフトするこ
とにほかならない。
第12図はアドレスコンバータ51を中心としたブロッ
ク図である。
モジュール数設定部50から与えられたモジュール数を
シフト量演算部511でビットシフト量に変換し、シフ
タ512にて、システムアドレス1から与えられるA8
゜〜A0の2進数アドレスをシフトする。シフタ512
の入力には、Aoの下位に3本の“0“レベルが入力さ
れているが、これは、本実施例においては、最大8個の
DRAMモジュールを装着可能としているため、シフト
量の最大値はIt 311であるところに起因する。シ
フタ512において変換されたアドレスは、下位から順
に、3本のバンクアドレス33c、9本の行アドレス3
3b、9本の列アドレス33aに分割される。
第13図はモジュール数がII I IIのとき(a)
と、“8″のとき(b)のシフタ512の動作を示す概
略図である。
モジュール数が1”のとき、システムアドレス1のうち
A、o、A1.、A18が未接続となるが、これは、メ
モリシステム上にアドレスに対応するメモリが存在しな
いためである。
上記動作で得られた列アドレス33a1行アドレス33
bバンクアドレス33cは、第1の実施例で述べた動作
と同様に、補助ラッチ34の列アドレス34bと列アド
レス33aとが不一致またはVビット34aがインアク
ティブであれば、ランダムアクセスモードとなり、また
、Vビット34aがアクティブで、かつ、列アドレス3
4bと列アドレス33aとが一致すれば、ページアクセ
スモードとなり、高速にメモリアクセスを行なうことが
できる。
以上説明したように、本実施例によれば、メモリシステ
ム装着するDRAMモジュール数を2の累乗に限定すれ
ば、システムアドレスを変換するアドレスコンバータは
、アドレスをビットシフトすることで実現でき、特に高
速かつ安価な高速メモリシステムを構築することができ
る。
本実施例では最大8個のDRAMモジュールを装着可能
として説明したが、任意のN(但し、Nは2の累乗)個
のDRAMモジュールに対してもアドレスコンバータの
ビット数、バンクセレクタの出力を変更するのみで対応
可能である。さらに、DRAMモジュールの容量も、本
実施例では256にワード×1ビットのDRAMモジュ
ールを使用した例について説明したが1例えば、LM 
(1024に= 1048576)ワードxビットのD
RAMを使用したとすれば、ページサイズは1024ワ
ードとなることから、列アドレス、行アドレスを、それ
ぞれ10本のアドレス数からなるバスに変更しさえすれ
ば、本実施例で対応可能であることは言うまでもない。
なお、本実施例では、DRAMを中心に説明したが、ア
ドレスをマルチプレクスした構成のスタティックRAM
、ROM等でページアクセスモードを備えているメモリ
に対しても、同様のシステムが構築できることは言うま
でもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、システムアドレス
を各モジュールごとに振分けて与えるので、モジュール
にまたがってページを割当てることができる。従って、
モジュールの装着数を増加すれば、ページアクセスモー
ドでアクセスできるメモリ領域を、システムアドレスに
対して連続的に増加させることができるという効果があ
る。
また、一般に、メモリに記憶するコンピュータプログラ
ムは連続して記憶されることから、本発明によれば、ペ
ージアクセスモードでアクセスできる比率、すなわち、
ヒツト率を向上させることができるという効果がある。
さらに、本発明は、最後にアクセスされたモジュールの
列アドレスを1つだけ記憶し、メモリシステムに与えら
れたシステムアドレスを演算により分割して得られる列
アドレスと記憶していた列アドレスとが一致した場合に
、ページアクセスモードでアクセスするようにするので
、従来のように、バンクアドレスごとに列アドレスを記
憶しである場合に比べ、列アドレスを選択する動作が必
要なくなり、高速動作を要求されるメモリシステムには
最適である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の高速メモリシステムの
構成を示すブロック図、第2図は従来のメモリシステム
の構成を示すブロック図、第3図は従来のメモリシステ
ムでのメモリマツプ図、第4図は第1図のモジュール数
検出部の具体例を示すブロック図、第5図は第4図のモ
ジュール数検出部が用いる真理値表の説明図、第6図は
第1図のアドレスコンバータの具体例を示すブロック図
、第7図は第6図のアドレスコンバータの入出力仕様を
示す説明図、第8図は第1図の実施例のメモリマツプ図
、第9図は第1図の実施例のタイミングチャート、第1
0図は本発明の第2の実施例の高速メモリシステムの構
成を示すブロック図、第11図は第10図のアドレスコ
ンバータの動作仕様を示す説明図、第12図は第10図
のアドレスコンバータを中心としたブロック図、第13
図は第12図の動作例を示す説明図である。 1・・システムアドレス、 6・・コンパレータ、7・
・・バンクセレクタ、   8・・・セレクタ、9・・
タイミングコントローラ、 10・・・データ、 31 a〜31 h−DRAMモジュール、32・・・
モジュール数検出部、 33・・・アドレスコンバータ、 33a・・・列アドレス、   33b・・行アドレス
、33c・・・バンクアドレス、 34・・・補助ラッチ、 50・・・・・・ジュール数設定部、 51・・・アドレスコンバータ・ 纂 図 メモリマップ 纂 ヰ 図 稟 図 稟 図 (α)六方式 %式% () 為 11 図 嵩 Z 図 判子ドレス 33L:L オ丁アドレス 3i5− へンクーrトレス 30 纂 !3 図 (α)モジュール◆に10ヒさ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、列アドレスが同一であれば行アドレスを与えるだけ
    でアクセス可能なページアクセスモードを有する1つ以
    上のメモリモジュールにアクセスするメモリシステムに
    おいて、 前記メモリモジュールを並列に並べ、システムアドレス
    を、前記メモリモジュールに順に振分けて与えるか、ま
    たは、前記メモリモジュールにページの容量分を順に振
    分けて与えることを特徴とする高速メモリシステム。 2、前記与えられたシステムアドレスを、前記並列に並
    べたメモリモジュールの数に応じて、演算により、列ア
    ドレス、行アドレス、バンクアドレスに分割することを
    特徴とする請求項1記載の高速メモリシステム。 3、前記メモリシステムに与えられたシステムアドレス
    を前記演算により分割した列アドレスと、直前に与えら
    れたシステムアドレスを前記演算により分割した列アド
    レスとを比較し、両者が一致した場合、いずれのメモリ
    モジュールに対してもページアクセスモードで働くよう
    にすることを特徴とする請求項2記載の高速メモリシス
    テム。 4、列アドレスが同一であれば行アドレスを与えるだけ
    でアクセス可能なページアクセスモードを有する1つ以
    上のメモリモジュールにアクセスするメモリシステムに
    おいて、 前記メモリモジュールを並列に並べ、システムアドレス
    を、前記メモリモジュールに順に振分けて与えるか、ま
    たは、前記メモリモジュールにページの容量分を順に振
    分けて与えるメモリマッピング手段と、 前記メモリモジュールの数を検出する手段と、前記モジ
    ュール数検出手段により検出されたメモリモジュールの
    数に応じて、演算により、前記メモリマッピング手段に
    より与えられたシステムアドレスを、列アドレス、行ア
    ドレス、バンクアドレスに分割する手段と、 直前に与えられたシステムアドレスのうちの列アドレス
    を記憶する手段と、 前記アドレス分割手段により分割された列アドレスと前
    記記憶手段に記憶された列アドレスとを比較し、両者が
    一致した場合、いずれのメモリモジュールに対してもペ
    ージアクセスモードで働くようにする手段と、 前記アドレス分割手段により分割されたバンクアドレス
    に応じて、前記メモリモジュールを選択する手段とを備
    えたことを特徴とする高速メモリシステム。 5、前記アドレスの分割は、前記システムアドレスを列
    アドレス、行アドレス、バンクアドレスに分割する際に
    、前記システムアドレスを、メモリモジュールの数と各
    メモリモジュールの1ページの容量との積で整数の除算
    をし、商を列アドレスとし、さらに、その剰余を、メモ
    リモジュールの数で整数の除算をし、商を行アドレスと
    し、剰余をバンクアドレスとすることを特徴とする請求
    項2または4記載の高速メモリシステム。 6、前記アドレスの分割は、前記システムアドレス列を
    列アドレス、行アドレス、バンクアドレスに分割する際
    に、前記システムアドレスを、メモリモジュールの数と
    各メモリモジュールの1ページの容量との積で整数の除
    算をし、商を列アドレスとし、さらに、その剰余を、メ
    モリモジュールの1ページの容量で整数の除算をし、商
    をバンクアドレスとし、剰余を行アドレスとすることを
    特徴とする請求項2または4記載の高速メモリシステム
JP2026040A 1990-02-07 1990-02-07 高速メモリシステム Pending JPH03232186A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE41589E1 (en) 1993-09-08 2010-08-24 Renesas Technology Corp. Memory system performing fast access to a memory location by omitting the transfer of a redundant address

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE41589E1 (en) 1993-09-08 2010-08-24 Renesas Technology Corp. Memory system performing fast access to a memory location by omitting the transfer of a redundant address

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