JPH03235357A - ヒートシンク構造体 - Google Patents
ヒートシンク構造体Info
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- JPH03235357A JPH03235357A JP2337040A JP33704090A JPH03235357A JP H03235357 A JPH03235357 A JP H03235357A JP 2337040 A JP2337040 A JP 2337040A JP 33704090 A JP33704090 A JP 33704090A JP H03235357 A JPH03235357 A JP H03235357A
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- heat transfer
- semiconductor
- heat dissipation
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- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W70/698—Semiconductor materials that are electrically insulating, e.g. undoped silicon
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は一般的には半導体デバイスのパッケージングに
関し、特に半導体パッケージ構造体の内部で発生した熱
を除去することに関する。
関し、特に半導体パッケージ構造体の内部で発生した熱
を除去することに関する。
［従来の技術と発明が解決しようとする課題］半導体技
術の進歩により集積回路チップ自体、並びにモジュール
の用語で当該技術分野において公知である数個のチップ
の組立体におけるチップのパッケージの双方において素
子の高密度化をもたらした。モジュールは、ハウジング
組立体に取り付けられかつ一群の相互配線されたチップ
を含む。このハウジング組立体は、外部配線に対する取
付けおよび接続を促進し、かつ放熱を促進するものであ
る。密度が増すと個々のチップの電流は極めて低くなる
が、現在の技術水準においてはチップ当りのデバイスの
数は数１０万個に近づき、かつモジュール当りのチップ
の数は１００程度に近づいており、そのため伝熱の問題
が最も深刻な検討項目となっている。
術の進歩により集積回路チップ自体、並びにモジュール
の用語で当該技術分野において公知である数個のチップ
の組立体におけるチップのパッケージの双方において素
子の高密度化をもたらした。モジュールは、ハウジング
組立体に取り付けられかつ一群の相互配線されたチップ
を含む。このハウジング組立体は、外部配線に対する取
付けおよび接続を促進し、かつ放熱を促進するものであ
る。密度が増すと個々のチップの電流は極めて低くなる
が、現在の技術水準においてはチップ当りのデバイスの
数は数１０万個に近づき、かつモジュール当りのチップ
の数は１００程度に近づいており、そのため伝熱の問題
が最も深刻な検討項目となっている。
従来技術におけるモジュールパッケージの１タイプでは
チップで発生する熱を、例えば米国特許第４，３２３，
９１４号に示すような液体金属、米国特許第４，８２３
．８６３号に示すようなオイル充てん多孔層、米国特許
第４，５８７．５０５号に示すようなサーマルグリース
、および１９７８年６月刊行ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎｓ Ｖｏｌ
、２１． Ｎｏ、１１８５頁および１９７８年９月刊行
同Ｖｏ１．２１． Ｎｏ、４．１４７３頁に示すような
コンフォーマルフォイルのような粘性であるが、適合性
のよい（ｃｏｎｆ’ｏｒａａｌ）材料を通してチップの
裏側からハウジングへ伝熱させている。
チップで発生する熱を、例えば米国特許第４，３２３，
９１４号に示すような液体金属、米国特許第４，８２３
．８６３号に示すようなオイル充てん多孔層、米国特許
第４，５８７．５０５号に示すようなサーマルグリース
、および１９７８年６月刊行ＩＢＭ Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎｓ Ｖｏｌ
、２１． Ｎｏ、１１８５頁および１９７８年９月刊行
同Ｖｏ１．２１． Ｎｏ、４．１４７３頁に示すような
コンフォーマルフォイルのような粘性であるが、適合性
のよい（ｃｏｎｆ’ｏｒａａｌ）材料を通してチップの
裏側からハウジングへ伝熱させている。
従来技術における別のタイプのモジュールパッケージは
、シリコンの中間ウェファを採用し、該ウェファ上に、
熱膨張運動を許容するよう中央ポストにより支持された
ある種の配電配線が配設され、かつ該ウェファにチップ
の接点が接着されている。そのようなモジネールは、パ
ッケージの一部を、１９７９年９月刊行“Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇａｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔ
ｉｏｎ”の１２７１頁のＪ、 Ｋ、 Ｈａｇｇｅによる
論文“Ｕｌｔｒａ Ｒｅ１ｉａｂｌｅ ＩＩＷｓＩ ｗ
ｉｔｈ ＡｌｕｍｉｎｕａＮｉｔｒｉｄｅ Ｐａｃｋａ
ｇｉｎｇ”に示す特殊材料ＡＩＨに依存している。米国
特許節３，９９９，１０５号に示すそのようなモジュー
ルの別の例は液体カプセル封じを採用している。
、シリコンの中間ウェファを採用し、該ウェファ上に、
熱膨張運動を許容するよう中央ポストにより支持された
ある種の配電配線が配設され、かつ該ウェファにチップ
の接点が接着されている。そのようなモジネールは、パ
ッケージの一部を、１９７９年９月刊行“Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃ Ｐａｃｋａｇｉｎｇａｎｄ Ｐｒｏｄｕｃｔ
ｉｏｎ”の１２７１頁のＪ、 Ｋ、 Ｈａｇｇｅによる
論文“Ｕｌｔｒａ Ｒｅ１ｉａｂｌｅ ＩＩＷｓＩ ｗ
ｉｔｈ ＡｌｕｍｉｎｕａＮｉｔｒｉｄｅ Ｐａｃｋａ
ｇｉｎｇ”に示す特殊材料ＡＩＨに依存している。米国
特許節３，９９９，１０５号に示すそのようなモジュー
ルの別の例は液体カプセル封じを採用している。
密度か増え、寸法が小さくなるにつれて、それと同じか
、あるいは単結晶シリコンのように熱膨張に対応する材
料の中央ポスト支持中間ウェファを用いることは、全て
の熱か均一に発生するとは限らないので、予測できない
こと、および若干広範囲の運動をもたらすことの可能性
がある。そのような状態においては、単に数回の熱サイ
クルの後でも中間ウェファに破壊が見られることがあり
うる。
、あるいは単結晶シリコンのように熱膨張に対応する材
料の中央ポスト支持中間ウェファを用いることは、全て
の熱か均一に発生するとは限らないので、予測できない
こと、および若干広範囲の運動をもたらすことの可能性
がある。そのような状態においては、単に数回の熱サイ
クルの後でも中間ウェファに破壊が見られることがあり
うる。
［課題を解決するための手段］
前記課題を解決するために本発明は、周囲で弾力的に取
り付けられた中間ウェファの一方の側にチップが接着さ
れ、中間ウェファの他方の側全体は、何ら固体による接
続を介さずして、外部へ熱放散するよう適当な熱伝導状
態に保たれている集積回路パッケージ化原理を提供する
。
り付けられた中間ウェファの一方の側にチップが接着さ
れ、中間ウェファの他方の側全体は、何ら固体による接
続を介さずして、外部へ熱放散するよう適当な熱伝導状
態に保たれている集積回路パッケージ化原理を提供する
。
［実 施 例コ
本発明によれば、モジュール型パッケージは、外部の配
線担持基板上に配置された、複数の、相互配線されたチ
ップを含む。このモジュール型パッケージは、外部配線
担持基板に取り付は可能の放熱および支持ハウジングと
、外部配線基板の次に来る側でチップを位置させており
、かつ中間ウェファ支持材に弾性を提供するのみならず
、中間ウェファの他方の側とハウジングとの間の空間を
完全に充たすある量のサーマルグリース用容器としでも
作用する部材によって周囲で弾力的に取り付けられた中
間ウェファチップ支持部材とから構成されている。本発
明の構造は使用中の熱サイクルを急進的に改良しうる単
純構造を提供する。
線担持基板上に配置された、複数の、相互配線されたチ
ップを含む。このモジュール型パッケージは、外部配線
担持基板に取り付は可能の放熱および支持ハウジングと
、外部配線基板の次に来る側でチップを位置させており
、かつ中間ウェファ支持材に弾性を提供するのみならず
、中間ウェファの他方の側とハウジングとの間の空間を
完全に充たすある量のサーマルグリース用容器としでも
作用する部材によって周囲で弾力的に取り付けられた中
間ウェファチップ支持部材とから構成されている。本発
明の構造は使用中の熱サイクルを急進的に改良しうる単
純構造を提供する。
第１図を参照すれば、配線を概略的にエレメント２とし
て示す、例えばプリント回路のような外部配線担持基板
１上には多数の相互依存の機構を有するモジュールハウ
ジング３が位置している。
て示す、例えばプリント回路のような外部配線担持基板
１上には多数の相互依存の機構を有するモジュールハウ
ジング３が位置している。
このハウジング３には、はんだ付は用パッドとして示さ
れているが外部配線基板１に対するアタッチメント４と
、例えば空気あるいは液体のような流体媒体に伝達する
フィンとして概略的に示す放熱装置５と、取外し可能部
材として概略図示する中間ウェファ６の支持および位置
決め装置７とが備えられ、かつ使用中に発生した熱によ
り中間ウェファ６の形を変えてしまうような場合、その
中ヘサーマルグリース８が出入りできる溝として概略図
示するサーマルグリース８の熱膨張吸収装置９を含めて
もよい。サーマルグリース８は、シリコーンあるいはミ
ネラルオイル中に懸濁した、酸化亜鉛あるいはセラミッ
クのような高熱伝導性の固体粒子の懸濁物である。この
材料は通常ペースト状である。
れているが外部配線基板１に対するアタッチメント４と
、例えば空気あるいは液体のような流体媒体に伝達する
フィンとして概略的に示す放熱装置５と、取外し可能部
材として概略図示する中間ウェファ６の支持および位置
決め装置７とが備えられ、かつ使用中に発生した熱によ
り中間ウェファ６の形を変えてしまうような場合、その
中ヘサーマルグリース８が出入りできる溝として概略図
示するサーマルグリース８の熱膨張吸収装置９を含めて
もよい。サーマルグリース８は、シリコーンあるいはミ
ネラルオイル中に懸濁した、酸化亜鉛あるいはセラミッ
クのような高熱伝導性の固体粒子の懸濁物である。この
材料は通常ペースト状である。
モジュールパッケージは中間ウェファ６のチップ取付は
部材を採用している。中間ウェファ６は、導体として概
略図示し配線１１上に取り付けられたチップｌＯの半導
体材料と緊密に熱適合するものである。中間ウェファ６
はシリコン単結晶ウェファから作られることが好ましい
。このようなウェファの厚さは約０．６３５ミリメート
ル（０，０２５インチ）である。シリコン単結晶材料を
使用すると高度の弾力性を提供するものの、該材料は取
り付けられると使用中急速に脆性となり、そのため固体
接続部に対して発生する応力によりウェファに亀裂が始
める。代替的なウェファ６の構造は銅−インバー銅、銅
−モリブデンー銅のような複合材あるいはこれら材料を
含むより一般的な複合材から作ることができる。
部材を採用している。中間ウェファ６は、導体として概
略図示し配線１１上に取り付けられたチップｌＯの半導
体材料と緊密に熱適合するものである。中間ウェファ６
はシリコン単結晶ウェファから作られることが好ましい
。このようなウェファの厚さは約０．６３５ミリメート
ル（０，０２５インチ）である。シリコン単結晶材料を
使用すると高度の弾力性を提供するものの、該材料は取
り付けられると使用中急速に脆性となり、そのため固体
接続部に対して発生する応力によりウェファに亀裂が始
める。代替的なウェファ６の構造は銅−インバー銅、銅
−モリブデンー銅のような複合材あるいはこれら材料を
含むより一般的な複合材から作ることができる。
チップ１０は、その上にハウジング３が取り付けられて
いる外部配線担持基板１の面の次に来る中間ウェファの
側１２に取り付けられている。チップ１０はエレメント
１３として概略図示されている電気端子を導体１１にボ
ンディングすることにより取り付けられる。導体１１は
弾性ワイヤとして概略図示する弾性導電性接続１４によ
り基板１上の外部配線に接続されている。チップｌｏと
基板１との間には空間１５がある。
いる外部配線担持基板１の面の次に来る中間ウェファの
側１２に取り付けられている。チップ１０はエレメント
１３として概略図示されている電気端子を導体１１にボ
ンディングすることにより取り付けられる。導体１１は
弾性ワイヤとして概略図示する弾性導電性接続１４によ
り基板１上の外部配線に接続されている。チップｌｏと
基板１との間には空間１５がある。
中間ウェファ６は一方の側でエレメント７上に載置され
、他方の側は弾性部材１６によりその周囲でエレメント
５から隔置されている。中間ウェファ６の縁部はハウジ
ング３内で運動できる状態で嵌合している。エレメント
１６は、中間ウェファ６を保持し、同時にその膨張運動
を許容し、またサーマルグリース８の面１７に対する横
運動を抑制する。また、エレメント１６により形成され
た周囲囲い部分はサーマルグリース８の粘性要件を緩和
させる作用がある。エレメント１Ｂは面１８に接着取り
付けされるシリコーンゴムから作ればよい。そのような
構造体は、＋ ８５０”Ｃ程度の好ましい動作温度に対
して、低くて一４０℃まで、高くて＋１２５℃まで安定
している。
、他方の側は弾性部材１６によりその周囲でエレメント
５から隔置されている。中間ウェファ６の縁部はハウジ
ング３内で運動できる状態で嵌合している。エレメント
１６は、中間ウェファ６を保持し、同時にその膨張運動
を許容し、またサーマルグリース８の面１７に対する横
運動を抑制する。また、エレメント１６により形成され
た周囲囲い部分はサーマルグリース８の粘性要件を緩和
させる作用がある。エレメント１Ｂは面１８に接着取り
付けされるシリコーンゴムから作ればよい。そのような
構造体は、＋ ８５０”Ｃ程度の好ましい動作温度に対
して、低くて一４０℃まで、高くて＋１２５℃まで安定
している。
この極めて単純な構造において、動作時に発生する熱は
チップから導き出され、発生しつる種々タイプの応力を
許容し、潜在的な温度サイクルによる損傷を防止する。
チップから導き出され、発生しつる種々タイプの応力を
許容し、潜在的な温度サイクルによる損傷を防止する。
中間ウェファ６の膨張がチップに適合することにより、
端子１３が配線１１に導電性を有してボンディングされ
ている場合の応力を制御する。中間ウェファ６が可撓性
であるため、一方のチップ１０が別のチップより多く熱
を発生する場合の局部膨張の差を制御する。中間ウェフ
ァ６に応力が発生しても弾性の周囲の取付部材１６によ
り制御される。該取付部材は不均一な支持を許容し、−
刃用性の接続を排除している。
端子１３が配線１１に導電性を有してボンディングされ
ている場合の応力を制御する。中間ウェファ６が可撓性
であるため、一方のチップ１０が別のチップより多く熱
を発生する場合の局部膨張の差を制御する。中間ウェフ
ァ６に応力が発生しても弾性の周囲の取付部材１６によ
り制御される。該取付部材は不均一な支持を許容し、−
刃用性の接続を排除している。
熱は、端子１３を介して中間ウェファ６に、次いでサー
マルグリース８を介してウェファの面１７の全面上から
ハウジング３へ、かつ放熱装置５へと伝達される。
マルグリース８を介してウェファの面１７の全面上から
ハウジング３へ、かつ放熱装置５へと伝達される。
次に第２図を参照すると、本発明による部材間の相互依
存性と構造の簡便性とが同じ参照番号を採用した概略斜
視図に詳しく示されている。第２図において、基板ｌの
一部にはハウジング３の一部がエレメント４において取
り付けられている。
存性と構造の簡便性とが同じ参照番号を採用した概略斜
視図に詳しく示されている。第２図において、基板ｌの
一部にはハウジング３の一部がエレメント４において取
り付けられている。
中間ウェファ６はエレメント７に載置され、該エレメン
ト７は一方向に周囲支持体を形成し、かつ空間Ｉ５を画
成している。中間ウェファ６はさらに周囲の弾性スペー
サ部材１６により他方向において隔置されている。中間
ウェファ６の上には、測定した量のサーマルグリース８
は、弾性スペーサ部材１６により周囲を、中間ウェファ
６の面１７により一方の側を、而１８により他方の側を
囲まれ、かつエレメント９に作られている空間へ膨張し
て出入りできる。
ト７は一方向に周囲支持体を形成し、かつ空間Ｉ５を画
成している。中間ウェファ６はさらに周囲の弾性スペー
サ部材１６により他方向において隔置されている。中間
ウェファ６の上には、測定した量のサーマルグリース８
は、弾性スペーサ部材１６により周囲を、中間ウェファ
６の面１７により一方の側を、而１８により他方の側を
囲まれ、かつエレメント９に作られている空間へ膨張し
て出入りできる。
次に第３図と第４図とを参照すると、弾性スペーサ１６
の種々の位置づけを示している。第３図においては、弾
性スペーサ１６はハウジング３の方向が変わる交差部に
位置し、ハウジング３に接着させずに中間ウェファが撓
みうるようにする空間２０が設けられている。第４図に
おいては、別の形状の弾性スペーサ２１が提供され、該
スペーサ２１は、それを中間ウェファ６を横方向に位置
づけしゃすくするよう空間２０へ延びている部分２２を
有している。
の種々の位置づけを示している。第３図においては、弾
性スペーサ１６はハウジング３の方向が変わる交差部に
位置し、ハウジング３に接着させずに中間ウェファが撓
みうるようにする空間２０が設けられている。第４図に
おいては、別の形状の弾性スペーサ２１が提供され、該
スペーサ２１は、それを中間ウェファ６を横方向に位置
づけしゃすくするよう空間２０へ延びている部分２２を
有している。
次に第５図を参照すると、測定された量のサーマルグリ
ース８を供給する状態の概略図示において本発明の構造
の簡便性と組立ての容易さとが示されている。１ｓ５図
においては、概略組立て斜視図が示されており、スペー
サモールド２３は、中間ウェファ６と接触して位置決め
される過程において示されている。スペーサモールド２
３は、例えば黄銅のシム材を単純に打抜いたものであっ
て、測定された量のサーマルグリースを規定する開口２
５の縁部が弾性スペーサエレメントＩＢの内縁部と一致
するような幅２４を前記開口２５とスペーサモールド２
３の縁部との間で有する。スペーサモールド２３の厚さ
はエレメント１Ｂの厚さと基本的に等しい。
ース８を供給する状態の概略図示において本発明の構造
の簡便性と組立ての容易さとが示されている。１ｓ５図
においては、概略組立て斜視図が示されており、スペー
サモールド２３は、中間ウェファ６と接触して位置決め
される過程において示されている。スペーサモールド２
３は、例えば黄銅のシム材を単純に打抜いたものであっ
て、測定された量のサーマルグリースを規定する開口２
５の縁部が弾性スペーサエレメントＩＢの内縁部と一致
するような幅２４を前記開口２５とスペーサモールド２
３の縁部との間で有する。スペーサモールド２３の厚さ
はエレメント１Ｂの厚さと基本的に等しい。
曲かった点線の矢印で示すように中間ウェファ６と接触
するよう位置されると、真直の点線で示すように運動す
る標準的なドクタブレード２６が測定された量のサーマ
ルグリース８を面１８上に堆積させる。代替的なサーマ
ルグリースの膨張を吸収する装置９は面１８上のＸ字形
溝であるエレメント２７として示されている。
するよう位置されると、真直の点線で示すように運動す
る標準的なドクタブレード２６が測定された量のサーマ
ルグリース８を面１８上に堆積させる。代替的なサーマ
ルグリースの膨張を吸収する装置９は面１８上のＸ字形
溝であるエレメント２７として示されている。
全体的な組立ては、測定された量のサーマルグリース８
の周囲と厚さとを規定するスペーサモールド２３を作り
、スペーサモールド２３を面１８と接触して位置させ、
測定された量のサーマルグリース８を堆積させ、放熱装
置５の面１８上に弾性スペーサ１６を位置させ、ウェフ
ァ６と、グリース８と放熱装置５の組合せとをハウジン
グ３に組み立てる過程とを含むだけである。
の周囲と厚さとを規定するスペーサモールド２３を作り
、スペーサモールド２３を面１８と接触して位置させ、
測定された量のサーマルグリース８を堆積させ、放熱装
置５の面１８上に弾性スペーサ１６を位置させ、ウェフ
ァ６と、グリース８と放熱装置５の組合せとをハウジン
グ３に組み立てる過程とを含むだけである。
第１図は本発明による構造体の概略断面図、第２図は本
発明による構造エレメントの相対位置づけを示す概略斜
視図、 第３図と第４図とは弾性中間ウェファマウントの種々゛
位置づけの概略図、および 第５図は本発明による構造体を組み立てる方法において
測定された量のサーマルグリースを供給する態様を示す
概略図である。 １・・基 板 ２・・・配 線３・・・ハウ
ジング ６・・・中間ウェファ ９・・・溝 １５・・・空 間 １８・・・面 ２１・・・スペーサ ２５・・・開 口 ２７・・・溝 ５・・・放熱装置 ８・・・サーマルグリース １０・・・チップ １６・・・弾性部材 ２０・・・空 間 ２３スペーサモールド ２６・・・ドクタブレード （外１名）
発明による構造エレメントの相対位置づけを示す概略斜
視図、 第３図と第４図とは弾性中間ウェファマウントの種々゛
位置づけの概略図、および 第５図は本発明による構造体を組み立てる方法において
測定された量のサーマルグリースを供給する態様を示す
概略図である。 １・・基 板 ２・・・配 線３・・・ハウ
ジング ６・・・中間ウェファ ９・・・溝 １５・・・空 間 １８・・・面 ２１・・・スペーサ ２５・・・開 口 ２７・・・溝 ５・・・放熱装置 ８・・・サーマルグリース １０・・・チップ １６・・・弾性部材 ２０・・・空 間 ２３スペーサモールド ２６・・・ドクタブレード （外１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、集積回路パッケージにおいて、 一方の側で少なくとも１つの集積回路半導体チップがそ
の上に接着されているウェファを含み、前記ウェファが
周囲で弾性的に取り付けられ、前記ウェファの他方の側
が広い領域で外部の放熱構造体と適合した伝熱関係にあ
る集積回路パッケージ。 ２、半導体材料に対して熱膨張適合性を有する材料から
なるウェファ形状の部材と、 該部材の一方の側の面に取り付けられた半導体電子デバ
イスとを含み、 前記部材の他方の側の面が放熱手段に対置され、かつ前
記部材と該放熱手段との間での熱接触を提供する手段を
有する構造体。 ３、請求項２に記載の構造体において、前記ウエファ形
状の部材が半導体材料である構造体。 ４、請求項２に記載の構造体において、前記ウェファ形
状の部材が複合材である構造体。 ５、請求項３に記載の構造体において、前記半導体電子
デバイスが前記ウェファ形状の部材と同じ半導体材料の
集積回路である構造体。 ６、請求項５に記載の構造体において、前記ウェファ形
状の部材と前記放熱手段との間で前記ウェファ形状の部
材の縁部に沿って配置され、その間で空洞を形成する周
囲弾性部材を含み、前記空洞が粘性で熱伝導性の材料で
充てんされている構造体。 ７、請求項６に記載の構造体において、前記熱伝導性材
料の移動を制御する手段を含む構造体。 ８、請求項７に記載の構造体において、前記移動を制御
する手段が溝である構造体。 ９、集積回路パッケージにおいて、 半導体材料と熱膨張適合性のある材料のウェファ部材を
含み、 該ウェファ部材がその第１の側で少なくとも１つの半導
体集積回路を支持し、 前記ウェファ部材が、第２の側である反対の側で弾性的
にかつ周囲が外部放熱手段と適合した伝熱の関係に配置
されている集積回路パッケージ。 １０、請求項９に記載のパッケージにおいて、前記ウェ
ファの半導体材料と前記集積回路の半導体材料とが同じ
である集積回路パッケージ。 １１、請求項１０に記載のパッケージにおいて、前記半
導体材料がシリコンである集積回路パッケージ。 １２、請求項１１に記載のパッケージにおいて、前記の
適合した伝熱のものが前記ウェファ部材の前記第２の側
と前記外部放熱手段の面との間で、弾性のウェファ部材
のスペーサにより囲まれた領域を充たすある量の粘性伝
熱材料である集積回路パッケージ。 １３、請求項１２に記載のパッケージにおいて、前記の
粘性の伝熱材料の移動を制御する手段を含む集積回路パ
ッケージ。 １４、請求項１３に記載のパッケージにおいて、前記移
動を制御する手段が溝である集積回路パッケージ。 １５、請求項１４に記載のパッケージにおいて、前記ウ
ェファの半導体材料と前記集積回路の半導体材料とが同
じである集積回路パッケージ。 １６、請求項１５に記載のパッケージにおいて、前記半
導体材料がシリコンである集積回路パッケージ。 １７、請求項１６に記載のパッケージにおいて、前記弾
性ウェファスペーサがシリコーンゴムである集積回路パ
ッケージ。 １８、伝熱適合性半導体集積回路を作る方法において、 放熱構造体の内面と接触し、測定した量の粘性伝熱材料
の周囲と厚さとを規定するスペーサモールド部材を位置
決めするステップと、 前記スペーサモールド部材を前記粘性伝熱材料で充たす
ステップと、 前記スペーサモールド部材を外すステップと、前記放熱
構造体の内面に弾性スペーサ部材を位置決めし、前記粘
性の伝熱材料を囲むステップと、少なくとも１つの集積
回路チップを支持している中間ウェファ部材と、前記粘
性伝熱材料と前記放熱構造体とを組合せたものを、前記
ウェファ部材の周囲を前記弾性スペーサ部材と接触させ
るハウジングに組み立てるステップと、 を備える伝熱適合性半導体集積回路を作る方法。 １９、請求項１８に記載の方法において、前記放熱構造
体の前記内面に膨張吸収用の溝を形成するステップを含
む伝熱適合性半導体集積回路を作る方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US47250190A | 1990-01-29 | 1990-01-29 | |
| US472501 | 1990-01-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03235357A true JPH03235357A (ja) | 1991-10-21 |
| JPH0697681B2 JPH0697681B2 (ja) | 1994-11-30 |
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ID=23875752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2337040A Expired - Lifetime JPH0697681B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-11-30 | ヒートシンク構造体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0439752B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0697681B2 (ja) |
| DE (1) | DE69018806T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006039349A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| US8203669B2 (en) | 2006-07-25 | 2012-06-19 | Kyocera Corporation | Liquid crystal display device |
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|---|---|---|---|---|
| US7017433B2 (en) * | 2001-10-04 | 2006-03-28 | Ssi Technologies, Inc. | Non-contacting sensor multichip module with integral heat-sinks |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS51114879A (en) * | 1975-03-31 | 1976-10-08 | Ibm | Air cooled container actually mounted |
| JPS6175137U (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-21 |
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-
1990
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- 1990-12-13 DE DE69018806T patent/DE69018806T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-13 EP EP90124054A patent/EP0439752B1/en not_active Expired - Lifetime
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| US8203669B2 (en) | 2006-07-25 | 2012-06-19 | Kyocera Corporation | Liquid crystal display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697681B2 (ja) | 1994-11-30 |
| EP0439752A3 (en) | 1991-08-28 |
| DE69018806D1 (de) | 1995-05-24 |
| DE69018806T2 (de) | 1995-11-23 |
| EP0439752B1 (en) | 1995-04-19 |
| EP0439752A2 (en) | 1991-08-07 |
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