JPH03236347A - 光学活性な芳香族カルボン酸誘導体およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、有機電子材料特に、液晶材料の中間体として
有用な新規な光学活性な芳香族カルボン酸誘導体および
その製造法に関する。

〈従来の技術および発明が解決しようとする課題〉従来
、液晶化合物として種々の化合物が開発されているが、
優れた特性を有する化合物は極めて少なく従って骸液晶
化合物の中間体の開発に関しても未だ十分とは言えない
。

本発明者らは、一般式（１） （式中、Ｒ１はアルキル基、アルコキシ基等、Ａはフェ
ニレン、ビフェニレン等、Ｘｌは２価の結合基を示す。

Ｒはアルキル基またはアルコキシアルキル基を示す。ｋ
は１または２を示し、Ｚを示す。ここでｐは１〜５の整
数を示し、本部は不斉炭素原子を示す。） で示される液晶性化合物が優れた特性を有することを見
い出した。

本発明は、上記一般式（１）で示される特性に優れた液
晶化合物の中間体として有用な新規な光学活性な芳香族
カルボン酸誘導体およびその製造法を提供するものであ
る。

〈課題を解決するための手段〉 すなわち、本発明は、一般式（Ｉ） （式中、Ｒはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素
数１〜２０のアルキル基またはハロゲン原子で置換され
ていてもよい炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基を
示し、ｋは１またはまたは−（ＣＨ２）−を示す。ここ
でｐは１〜５の整数を示し、＊印は不斉炭素原子を示す
。但し、Ｚが−（ＣＨ２）−のとき、Ｒは光学活性体で
ある。） で示される光学活性な芳香族カルボン酸誘導体およびそ
の製造法に関する。光学活性な光学活性ｒ（芳香族カル
ボン酸誘導体（Ｉ）は例えば以下のルートにより製造す
ることができる。

一般式（６） （式中、ｋおよびＺは前記と同じ意味を有する。）で示
される光学活性なアルコール類の水酸基に保護基を導入
し、 一般式（２） （式中、Ｒは前記と同じ意味を有し、Ｘはハロ（式中、
Ａは水酸基の保護基を示し、ｋおよびＺは前記と同じ意
味を有する。） で示される光学活性なアセトフェノン類を得、次にこの
アセチル基を酸化して、一般式■で示されるアシル化剤
を用いてアシル化することにより一般式０）で示される
光学活性な芳香族カルボン酸誘導体を得る方法。

以下、これらの製造法について説明する。

尚、原料である光学活性なアルコール類位）は、以下の
ようにして合成することができる。

（式中、Ａ、におよびＺは前記と同じ意味を有する。） で示される光学活性なカルボン酸類を得た後、この保護
基を脱保護して、一般式（１） （式中、ｋおよびＺは前記と同じ意味を有する。）で示
される光学活性なヒドロキシカルボン酸類を得、これを
一般式（２） ％式％（） ↓　エステル化 ↓　　フリーデルクラフト反応 ↓　加水分解 ↓ フリーデルクラフト反応 ↓ 酵素不斉加水分解 （式中、Ｒ″は低級アルキル基を示し、ｋ％に１ｐおよ
び＊印は前記と同じ意味を有する。）一般式ω）で示さ
れる光学活性なアルコール類から、一般式（２）で示さ
れる光学活性なアセトフェノン類を得る反応は、水酸基
の保護化剤と、助触媒を用い保護基を導入することによ
りおこなわれる。

水酸基の保護基としては、メチル基、ベンジル基、トリ
メル基のごときアルキルまたはアリール基；メトキシメ
チル基、メトキシエトキシメチル基、エトキシエチル基
、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロピラニル基のご
ときアルコキシアルキル基；ｔ−ブチルジメチルシリル
基のごときシリル基があげられる。

助触媒としては、保護化剤によっても異なるが、−船釣
には、保護基がアルキル、アリール基または１部のアル
コキシアルキル基の場合、塩基性物質が用いられる。た
とえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラー
ト、水素化ナトリウム、水素化カリウム、ｎ−ブチルリ
チウム、５ｅｃ−ブチルリチウム酸化銀等の無機もしく
は有機塩基性物質があげられる。

反応に用いられる保護化剤としては、具体的には、ヨウ
化メチル、臭化メチル、ベンジルクロリド、ベンジルプ
ロミド、トリチルクロリド、メチルクロロメチルエーテ
ル、メトキシエトキシクロロメチルエーテル等があげら
れる。反応試剤の使用量は、使用するアルキルまたはア
リール化剤の種類によって異なり、必すしも特定されな
いが、一般（こは、使用する原料（ＩＩ）に対して、助
触媒１〜４当量倍、保護化剤１〜５当量倍である。

この反応は、通常、溶媒の存在下におこなわれ、かかる
溶媒としては、たとえば、エチルエーテル、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン
、メチルイソブチルケトン、トルエン、ベンゼン、クロ
ルベンゼン、ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン
、クロロホルム、四塩化炭素、酢酸エチル、ジメチルホ
ルムア更ド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホス
ホリックトリアミド、アセトニトリル、ヘキサン、ヘプ
タン等のエーテル、ハロゲン化炭化水素、飽和もしくは
不飽和炭化水素、エステル、非プロトン性極性溶媒等の
反応に不活性な溶媒の単独または混合物があげられ、そ
の使用量については、特に制限なく使用することができ
る。

反応温度は、−２０から１５０℃の範囲である。

反応時間についても、特に制限されない。

保Ｗ基が、アルコキシアルキル基の場合、助触媒として
、酸性物質たとえば、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼ
ンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、硫酸水素カリ
ウム、塩酸、リン酸、酢酸、塩化アンモニウム等の無機
もしくは有機酸性物質があげられる。

このときの保護化剤としては、具体的Ｉこは、ジメトキ
シメタン、エチルビニルエーテル、ジヒドロフラン、ジ
ヒドロピラン等があげられる。

反応試剤の使用量は、使用するアルコキシアルキル化剤
によっても異なり、必ずしも特定されないが、一般には
、使用する原料（６）に対して、助触媒０．００５〜１
当量、保護化剤１〜５当量倍である。

この反応は、通常、溶媒の存在下におこなわれ、かかる
溶媒としては、たとえば前述の溶媒かあげられ、その使
用量についても特に制限されない。

反応温度は−２０から１５０℃の範囲である。

また反応時間についても特に制限されない。

保護基が、シリル基の場合、助触媒としては、塩基性物
質かあげられ、具体例としては、前述の塩基性物質の他
に、イミダゾール、ピリジン、４−ジメチルアミノピリ
ジン等があげられる。

このときの保護化剤としては、具体的には、トリメチル
シリルクロリド、トリメチルシリルプロミド、ｔ−ブチ
ルジメチルシリルクロリド等があげられる。

これらの使用量は、使用するシリル化剤によっても異な
り必ずしも特定できないが、一般には、使用する原料（
６）ｔこ対して、助触媒１〜４当量倍、保護化剤１〜５
当量倍である。

この反応もまた、通常、溶媒の存在下におこなわれ、か
かる溶媒としては、たとえば、前述の溶媒があげられ、
その使用量についても特に制限されない。

反応温度は一２０〜１５０℃の範囲である。

また反応時間についても特に制限されない。

このようにして得られた反応混合物は、通常の分離手段
たとえば、抽出、分液、濃縮等の操作により、光学活性
なアセトフェノン類（４）を得るコトができ、これは必
要に応じて、カラムクロマトグラフィー、再結晶等によ
り精製することもできる。

次ｆこ上記で得られた一般式（２）で示される光学活性
なアセトフェノン類から、一般式四で示される光学活性
なカルボン酸類を得る反応は、光学活性なアセトフェノ
ン類（ロ）のアセチル基を酸化することによりおこなわ
れる。

この反応で用いられる酸化剤としては、通常アセチル基
を酸化してカルボン酸とするものであれば特に制限なく
用いることができ、かかる酸化剤としては、たとえば、
重クロム酸カリウム、重クロム酸ナトリウム、過マンガ
ン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム、次亜塩素酸カ
リウム、次亜塩素酸ナトリウム、次亜臭素酸カリウム、
次亜臭素酸ナトリウム等が例示される。

かかる酸化剤の使用量は光学活性なアセトフェノン類（
ロ）に対して、１当量以上必要であり、上限については
特に制限されないが、好ましくは１０当量倍である。

この反応で使用される溶媒としては、通常酸化反応に不
活性な溶媒が使用され、かかる溶媒としては、たとえば
、水、ジオキサン、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピ
ロリドン等が例示される。

反応温度は、通常−２０〜１８０℃、好ましくは、−１
０〜１００℃の範囲である。

反応終了後、通常の分離手段、ｐ過、酸析、抽出、分液
、濃縮等の操作により光学活性なカルボン酸類■を収率
よく得ることができ、これは必要に応じてカラムクロマ
トグラフィー、再結晶等により精製することもできる。

光学活性なカルボン酸類（５）から、光学活性なヒドロ
キシカルボン酸類（７）を得る反応は、得られた光学活
性なカルボン酸類■の保護基をのぞくことによりおこな
われる。

具体的には、一般式四で示される光学活性なカルボン酸
類の保護基Ａの種類により方法が異なり、例えば以下の
方法によりおこなわれる。

１）　　Ａがアルキルまたはアリール基の場合、脱保護
剤としては、三臭化リン、三フッ化ホウ素、塩化アルミ
ニウムなどのルイス酸が用いられ、その使用量は、光学
活性なカルボン酸類■に対して１〜５当量倍である。

使用する溶媒は、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプ
タン、ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロ
ロホルム等の炭化水素ハロゲン化炭化水素等反応に不活
性な溶媒の単独または混合物が使用される。

また特にＡがベンジル基の場合、水添触媒の存在下、水
素１こより接触水添して脱ベンジル化することもできる
。

この脱ベンジル化反応において、水添触媒としては、パ
ラジウム系の金属触媒が好ましく用いられ、その具体例
としては、パラジウム／炭素、酸化パラジウム、パラジ
ウム黒、塩化パラジウム等が挙げられる。かかる触媒の
使用量は、光学活性なカルボン酸類■に対して通常０．
００１〜０．５重量倍である。反応は通常溶媒中でおこ
なわれ、溶媒としては、前記のほかｆζ、水、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、ｎ
−プロピルアルコール、アセトン、ジメチルホルムアミ
ド、酢酸エチル等のアルコール、エーテル、ケトン、エ
ステル、非プロトン性極性溶媒等の反応に不活性な溶媒
の単独または混合物が使用される。

２）　　Ａが前記ｌ〉以外の場合、 脱保護剤としては、主として酸触媒が用いられ、その使
用量は光学活性なカルボン酸類■に対して、０．００１
〜１当量倍である。

かかる酸触媒としては、ｐ−トルエンスルホン酸、ベン
ゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、硫酸、硫酸水素カ
リウム、塩酸、リン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等の無
機もしくは有機酸性物質が用いられる。

この反応に際しては、反応系内に水、メタノール、エタ
ノール等のプロトン性溶媒が存在することが必要であり
、それらに下記溶媒の存在もしくは非存在下に反応をお
こなう。すなわち、溶媒としては、ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン、アセトン、アセトニトリル、ジメチルホ
ルムアミド、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、ヘキサ
ン、ヘプタン、ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタ
ン、クロロホルム等のエーテル、ケトン、エステル、非
プロトン性極性溶媒、炭化水素、ハロゲン化炭化水素等
の反応に不活性な溶媒の単独または混合物があげられる
。

また特にＡがシリル基の場合、フッ素イオンの存在下、
脱シリル化することもできる。

この脱シリル化反応Ｅこおいて、フッ素イオン源として
は、例えば、テトラブチルアンモニウムフルオライド、
フッ化水素、リチウムテトラフルオロボレートがあげら
れ、その使用量は光学活性なカルボン酸類Ｗに対して１
〜６当量倍である。反応は通常、溶媒中でおこなわれ、
溶媒としては、前記の溶媒があげられる。

反応時間については、いずれの場合も特に制限されず、
また反応温度については、−２０〜１５０℃の範囲であ
る。

反応終了後、通常の分離手段、抽出、分液、濃縮等の操
作により光学活性なヒドロキシカルボン酸類Ｍを得るこ
とができ、これは必要に応じて、カラムクロマトグラフ
ィー等により精製することもできる。

なお、脱保護化の反応工程は、一般式■で示される光学
活性なカルボン酸類の保護基Ａの種類によっては、光学
活性なカルボン酸類■を得る後処理工程において、脱保
護が同時に進行する場合がある。その場合は、前述の脱
保護工程なしに後処理工程をおこない、次反応へ進める
こともできる。

光学活性なヒドロキシカルボン酸類Ｍから光学活性な芳
香族カルボン酸誘導体０〉を得る反応は、光学活性なヒ
ドロキシカルボン酸類ωを一般式（財）で示されるアシ
ル化剤と反応させることによりおこなわれる。

一般式のにおいて、Ｒとしては以下ｌこ例示されるアル
キル基またはアルコキシアルキル基があげられる。

メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル
、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル
、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデ
シル、エイコシル、メトキシメチル、メトキシエチル、
メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシペンチル
、メトキシヘキシル、メトキシヘプチル、メトキシオク
チル、メトキシノニル、メトキシデシル、エトキシメチ
ル、エトキシエチル、エトキシプロピル、エトキジブチ
ル、エトキシペンチル、エトキシヘキシル、エトキシへ
ブチル、エトキシオクチル、エトキシノニル、エトキシ
デシル、プロポキシメチル、プロポキシエチル、プロポ
キシプロピル、プロポキシブチル、プロポキシペンチル
、プロポキシヘキシル、プロポキシヘプチル、プロポキ
シオクチル、プロポキシノニル、プロポキシデシル、ブ
トキシメチル、ブトキシエチル、ブトキシプロピル、ブ
トキシブチル、ブトキシペンチル、ブトキシヘキシル、
ブトキシヘプチル、ブトキシオクチル、ブトキシノニル
、ブトキシデシル、ペンチルオキシメチル、ペンチルオ
キシエチル、ペンチルオキシプロピル、ペンチルオキシ
ブチル、ペンチルオキシペンチル、ペンチルオキシヘキ
シル、ペンチルオキシオクチル、ペンチルオキシデシル
、ヘキシルオキシメチル、ヘキシルオキシエチル、ヘキ
シルオキシプロピル、ヘキシルオキシブチル、ヘキシル
へキシペンチル、ヘキシルオキシヘキシル、ヘキシルオ
キシオクチル、ヘキシルオキシノニル、ヘキシルオキシ
デシル、ヘプチルオキシメチル、ヘプチルオキシエチル
、ヘプチルオキシプロピル、ヘプチルオキシブチル、ヘ
プチルオキシペンチル、オクチルオキシメチル、オクチ
ルオキシエチル、オクチルオキシプロピル、デシルオキ
シメチル、デシルオキシエチル、デシルオキシプロビル
、ｌ−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−メチル
ブチル、１−メチルペンチル、１−メチルヘキシル、ｌ
−メチルヘプチル、ｌ−メチルオクチル、２−メチルエ
チル、２−メチルブチル、２，８−ジメチルブチル、２
．ｆｌｌ、８−トリメチルブチル、２−メチルペンチル
、３−メチルペンチル、２゜３−ジメチルペンチル、２
，４−ジメチルペンチル、２，３，８．４−テトラメチ
ルペンチル、２−メチルヘキシル、８−メチルヘキシル
、４−メチルヘキシル、２，５−ジメチルヘキシル、２
−メチルヘプチル、２−メチルオクチル、２−トリハロ
メチルペンチル、２−トリハロメチルヘキシル、２−ト
リハロメチルヘプチル、２−ハロエチル、２−ハロプロ
ピル、８−ハロプロピル、８−ハロー２−メチルプロピ
ル、２．８−ジハロプロピル、２−ハロブチル、３−ハ
ロブチル、４−ハロブチル、２，８−ジハロブチル、２
，４−ジハロブチル、８，４−ジハロブチル、２−ハロ
ー８−メチルブチル、２−ハロー３，８−ジメチルブチ
ル、２−ハロペンチル、３−ハロペンチル、４−ハロペ
ンチル、５−ハロペンチル、２，４−ジハロペンチル、
２，５−ジハロペンチル、２−ハロー３−メチルペンチ
ル、２−ハロー４−メチルペンチル、２−ハロー３−モ
ノハロメチル−４−メチルペンチル、２−ハロヘキシル
、３−ハロヘキシル、４−ハロヘキシル、５−ハロヘキ
シル、６−ハロヘキシル、２−ハロヘプチル、２−ハロ
オクチル、ハロメチル、１−ハロエチル、１−ハロフロ
ビル、１−ハロブチル、１−ハロペンチル、１−ハロヘ
キシル、１−ハロヘプチル、１−ハロオクチル（但し上
記アルキル基中ハロトハ、フッ素、塩素、臭素又はヨウ
素を表わす） 尚、これらのアルキル基もしくはアルコキシアルキル基
は光学活性基であってもよい。

これらの光学活性基を有する光学活性なアシル化剤０の
うちのあるものは、対応するアルコールの酸化、アミノ
酸の還元的脱アミノ化により得られる。またあるものは
天然に存在するか、又は分割により得られる次のような
光学活性アミノ酸及び光学活性オキシ酸から誘導するこ
とができる。

アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、フェニル
アラニン、セリン、スレオニン、アロスレオニン、ホモ
セリン、アロイソロイシン、ｔｅｒｔ−ロイシン、２−
アミノ酪酸、ノルバリン、ノルロイシン、オルニチン、
リジン、ヒドロキシリジン、フェニルグリシン、トリフ
ルオロアラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、乳酸
、マンデル酸、トロパ酸、８−ヒドロキシ酪酸、リンゴ
酸、酒石酸、イソプロピルリンゴ酸等。

一般式■で示されるアシル化剤としては、上記に例示し
たアルキル基またはアルコキシアルキル基を有する脂肪
族カルボン酸即ち、Ｒ’Ｃ０ＯＨの酸無水物、さらには
酸クロリド及び酸プロくドのごとき酸ハライドが例示さ
れる。

光学活性なヒドロキシカルボン酸類Ｍとアシル止剤（７
）との反応は、通常溶媒の存在もしくは非存在下に、一
般には触媒の存在下に行われる。

この反応において溶媒を使用する場合、その溶媒として
はたとえばテトラヒドロフラン、エチルエーテル、アセ
トン、メチルエチルケトン、トルエン、ベンゼン、クロ
ルベンゼン、ジクロルメタン、ジクロルエタン、クロロ
ホルム、四塩化炭素、ジメチルホルムアミド、ヘキサン
等の脂肪族もしくは芳香族炭化水素、エーテル、ケトン
、ハロゲン化炭化水素等の反応に不活性な溶媒の単独ま
たは混合物があげられる。その使用量については特に制
限なく使用することができる。

該反応に於て、アシル化剤■の使用量は、光学活性なヒ
ドロキシカルボン酸類（７）に対して１当量倍以上必要
であり、上限については特に制限されないが、好ましく
は１．１〜４当量倍である。

触媒としては、たとえばジメチルアミノピリジン、トリ
エチルアミン、トリーｎ−ブチルアミン、ピリジン、ピ
コリン、コリジン、イミダゾール、炭酸ナトリウム、ナ
トリウムメチラート、炭酸水素カリウム等の有機あるい
は無機塩基性物質があげられる。また、トルエンスルホ
ン酸、メタンスルホン酸、硫酸などの有機酸あるいは無
機酸を触媒として用いることもできる。

かかる触媒を使用するにあたり、たとえばアシル化剤と
して酸ハライドを使用する場合にはピリジン、トリエチ
ルアミンが特に好ましく使用される。

触媒の使用量は、酸無水物もしくは酸ハライドの種類と
使用する触媒の組合わせ等によっても異なり、必ずしも
特定されないが、たとえば酸ハライドを使用する場合に
は、酸ハライドに対して１当量倍以上である。

反応温度は通常−３０〜１００℃であるが、好ましくは
一２５〜８０℃である。

反応時間は特に制限されず、原料の光学活性なヒドロキ
シカルボン酸類ωが消失したときを反応の終点とするこ
とができる。

反応終了後、通常の分離手段、たとえば抽出、分液、＄
１縮等の操作により反応混合物から一般式（Ｉ）で示さ
れる光学活性な芳香族カルボン酸誘導体を収率よく得る
ことができ、これは必要によりカラムクロマトグラフィ
ーなどで精製することもできる。

以上の製造法により得られる一般式（２）で示される光
学活性な芳香族カルボン酸誘導体としては、下記のもの
があげられる。

４−（１−メチル−２−アルキルカルボニルオキシエチ
ル）安息香酸、 ４−（１−メチル−８−アルキルカルボニルオキシプロ
ピル）安息香酸、 ４−（１−メチル−４−アルキルカルボニルオキシブチ
ル）安息香酸、 ４−（１−メチル−５−アルキルカルボニルオキシペン
チル）安息香酸、 ４−（１−メチル−６−アルキルカルボニルオキシヘキ
シル）安息香酸、 ４−（２−フルキルカルボニルオキシプロピル）安息香
酸、 ４−（８−アルキルカルボニルオキシブチル）安息香酸
、 ４−（４−アルキルカルボニルオキシペンチル）安息香
酸、 ４−（５−アルキルカルボニルオキシヘキシル）安息香
酸、 ４−（６−アルキルカルボニルオキシヘプチル）安息香
酸 および上記化合物において安息香酸が、４−ビフェニル
カルボン酸である化合物。

ここで、アルキルとはハロゲン原子を含んでいてもよい
炭素数１〜２０のアルキル基または、ハロゲン原子を含
んでいてもよい炭素数２〜２０のフルコキシアルキル基
ヲ示ス。

その他、 ４−（アルキルカルボニルオキシメチル）安息香酸、 ４−（２−アルキルカルボニルオキシエチル）安息香酸
、 ４−（８−アルキルカルボニルオキシプロピル）安息香
酸、 ４−（４−アルキルカルボニルオキシブチル）安息香酸
、 ４−（５−アルキルカルボニルオキシペンチル）安息香
酸、 および、上記化合物において安息香酸が、４−ビフェニ
ルカルボン酸である化合物。

ここで、アルキルとはハロゲン原子を含んでいてもよい
光学活性な炭素数８〜２０のアルキル基またはハロゲン
原子を含んでいてもよい光学活性な炭素数４〜２０のフ
ルコキシアルキル基を示す。

さらに、下記の光学活性な芳香族化合物も例示される。

４−（１−メチル−２−とドロキシエチル）安息香酸、 ４−（１−メチル−８−ヒドロキシプロピル）安息香酸
、 ４−（１−メチル−４−ヒドロキシブチル）安息香酸、 ４−（１−メチル−５−ヒドロキシペンチル）安息香酸
、 ４−（１−メチル−６−ヒドロキシヘキシル）安息香酸
、 ４−（２−ヒドロキシプロピル）安息香酸、４−（８−
ヒドロキシブチル）安息香酸、４−（４−ヒドロキシペ
ンチル）　安息ｆＦ酸、４−（５−ヒドロキシヘキシル
）安息香酸、４−（６−ヒドロキシへブチル）安息香酸
および、上記化合物において安息香酸が４−ビフェニル
カルボン酸である化合物。

〈発明の効果〉 本発明の一般式（Ｉ）で示される光学活性な芳香族カル
ボン酸誘導体は、液晶用材料の中間体として有用であり
、また農医薬の中間体としても利用することができる。

さらに、本発明の製造法は、該誘導体を工業的にも有利
に提供するものである。

〈実施例〉 以下、実施例により本発明を説明する。

実施例１ ←）−４−（２−ヒドロキシプロピル）アセトフェノン
１７．８　Ｆ　（０，１モル）を無水ジメチルホルムア
ミド１００−に溶かし、２５〜８０℃にて、イミダゾー
ル７、１５　ｆ　（０，１０５モル）とｔ−ブチルジメ
チルシリルクロリド１６．８Ｆ（０，１０５モル）を加
えて、６時間反応させた。

反応終了後、水４００−に注ぎ出し、トルエン４００−
を加えてから、塩酸でｐＨ１〜２とし、抽出、分液し、
得られた有機層は水、５％重曹水、水の順に洗浄し、減
圧下に濃縮して、（−）　−４−（２−ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシプロピル）アセトフェノン（１−１）
２８．９Ｆ（収率９９９６）を得た。

上で得た（ｚ−１）１４．６ｙ（５０ミリモル）を、ジ
オキサン２００−に溶かし、２０％水酸化ナトリウム６
００−と臭素８０−から調製した次亜臭素酸ナトリウム
溶液を加えて、８０〜８５℃で一昼夜攪拌した。反応終
了後は、水５００−と亜硫酸ナトリウム５０ｆを加えて
８０分間攪拌したのち塩酸でｐＨ１〜２とし、トルエン
４０〇−で抽出、水洗した。有機層を減圧下濃縮して、
得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶離液；トルエン：酢酸−２０：　１　）で精製して、
←）−４−（２−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシプロ
ピル）安息香酸（ＩＶ−１）１２．５Ｆ（収率８５％）
を得た。

２０　＝ ＠−２５，０°（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣＪ３　　）ｎ璧
＝１．４９１８ 上記で得られた（ＩＶ−１）１０．０ｆ（８４ミリモル
）をテトラヒドロフラン１００−に溶かし、テトラプチ
ルアンモニウムフルオリドのＩＭ−ＴＨＦ＠液５０ｓ／
を加えて、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、水ａ
ｏｏｆｆＩ／中に注ぎ出し、塩酸でｐＨｔ〜２にしてか
ら、トルエン８００ｄで抽出し、得られた有機層は食塩
水で洗浄した。溶媒を減圧下留去して、←）−４−（２
−ヒドロキシプロピル）安息香酸（Ｖ−１）５．７Ｆ（
収率９４％）を得た。

（ロ）”　−−８２，１°（Ｃ＝　１　、　Ｃ：ＨＣＪ
Ｊｌ　）上記で得られた（Ｖ−１）０．５４Ｆ（８ｆリ
モル）をピリジン１０ｍｆｉ：＠かし、ｎ−ブチリルク
ロリド０．８２ｆ（８Ｚリモル）を加えて、８０〜８５
℃で１時間反応させた。

反応終了後、水１００にに注ぎ出し、塩酸でｐＨ１〜２
としたのち、トルエン１００１．Ｉ／で抽出し、有機層
は食塩水で洗浄したのち、減圧下溶媒を留去した。得ら
れた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離
液；トルエン：酢酸］こて精製し、（＋）−４−（２−
プロビルカルボニルオキシプロビル）安息香酸０．５７
ｆ（収率７６％）を得た。

（ロ）曾＝＋１５．９°（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｉｓ　
）実施例２ 実施例１で得た（Ｖ−１）０．５４Ｆ（８ミリモル）を
ピリジン１０−に溶かし、無水ヘキサン酸０、６４　Ｆ
　（８ミリモル）を加えて、８０〜８５℃で４時間反応
させた。反応終了後、水１０（１＋７中に注ぎ出し、塩
酸でｐＨ１〜２としたのち、トルエン１００−で抽出し
、有機層は、食塩水で洗浄したのち、減圧下溶媒を留去
した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離液；トルエン：酢酸）にて精製して、←）−
４−（２−ペンチルカルボニルオキシプロビル）安息香
酸０．５４Ｆ（収率６５％）を得た。

（ａ）曾＝＋ｔａ、１°（ｃ＝　ｔ　、　ＣＨＣｊａ　
）実施例８ 実施例１で得た（Ｖ−１）０．５４Ｆを用い、ブチリル
クロリドに代えて、ノナノイルクロリド０．５８Ｐ（８
Ｆリモル）を用いる以外は、実施例１と同様に反応、後
処理して、＠−）−４−（２−オクチルカルボニルオキ
シプロピル）安息香酸０．６８Ｆ（収率７１％）を得た
。

（ロ）智＝＋１０．９°（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｌ５　
）実施例４ 実施例１で得た（ｖ−１）０．ｓ＋ｒを用い、ブチリル
クロリドに代えて、ヘキサデカノイルクロリド０．８２
Ｆ（８Ｆリモル）を用いる以外は実施例１と同様に反応
、後処理して、（−１−）−４−（２−ペンタデシルカ
ルボニルオキシプロピル）安息香酸０．９８Ｆ（収率７
８５％）を得た。

ｒ！ｘＪ”　＝　＋７．７°　（Ｃ−１ｅ　ＣＨＣＪ　
ｓ　）実施例５ （ホ）−４−（１−メチル−２−ヒドロキシエチル）ア
セトフェノン１７．８　Ｆ　（０，１モル）を無水ジク
ロルメタン１００−に溶かし、２，８−ジヒドロビラン
９．８Ｆ（０，１１モル）とｐ−）ルエンスルホン酸０
．１Ｆを加えて、２０〜８０℃に保温して一昼夜攪拌し
た。

反応終了後、５％重曹水８０〇−中にあけて抽出、分液
した。有機層は無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶
媒を留去して、残渣として薄かっ色の←）−４−（１−
メチル−２−テトラヒドロピラニルオキシエチル）アセ
トフェノン（ＩＩ−５）２６．８Ｆ（収率１００％）を
得た。

（ロ）曾＝　＋６．０°（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｊｓ）
上で得たＣＩｊｌ−５＞１８．１９Ｃ５０ミリモル）を
ジオキサン２００−に溶かし、２０９６水酸化ナトリウ
ム６００−と臭素８０−から調製した次亜臭素酸ナトリ
ウム溶液を加えて、８０〜８５℃で一昼夜攪拌した。反
応終了後は、水５００−と亜硫酸ナトリウム６０−を加
えて８０分間攪拌したのち、塩酸でｐＨ１〜２とし、ト
ルエン４０〇−で抽出、水洗した。有機層を減圧下濃縮
して、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶Ｉ！液；トルエンニ酢酸＝２０　：　１　）で
精製して、ｕ）−４−（１−メチル−２−とドロキシエ
チル）安息香酸（Ｖ−５）８．８ｆ（収率９２％）を得
た。

（ロ）曾＝＋１９．５°（Ｃ＝　１　、　Ｃ）ＩＣ７ｇ
）上記で得られた（Ｖ−５）０．５４Ｆ（８ミリモル）
をピリジン１０−に溶かし、ｎ−ブチリルクロリド０．
８２ｆ（８ｊリモル）を加えて、３０〜８５℃で１時間
反応させた。

反応終了後、水１００−に注ぎ出し、塩酸でｐＨ１〜２
としたのち、トルエン１００−で抽出し、有機層は食塩
水で洗浄したのち、減圧下溶媒を留去した。得られた残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離！：）
ルエンー酢酸）にて精製し、（＋）−４−（１−メチル
−２−ブチリルオキシエチル）安息香酸０．５８　ｆ　
（収率７７％）を得た。

ｒ！ｘ′ＪＤ＝　＋７．１°　（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣ
ｊｇ　）実施例６ 実施例５で得た（Ｖ−５）０．５４Ｆ（８ミリモル）を
ピリジン１０−に溶かし、エトキシアセチルクロリド０
．８８Ｆ（８Ｆリモル）を加えて、８０〜８５℃で１時
間反応させた。反応終了後、水１００．ｎｌ中Ｉこ注ぎ
出し、塩酸でｐＨ１〜２としたのち、トルエン１００−
で抽出し、有機層は、食塩水で洗浄したのち、減圧下で
溶媒を留去した。

得られた残漬をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
溶離液；トルエン−酢酸）にて精製し、（ト）−（１−
メチル−２−エトキシアセトキシエチル）安息香酸０．
５７ＰＣ収率７１％）を得た。

（ロ）曾＝　＋５．９°　（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｊｇ
　）実施例７ 実施例５で得た（Ｖ−５）０．５４Ｆを用い、ブチリル
クロリドに代えて、２−フルオロヘプタノイルクロリド
０．６２（８ミリモル）を用いる以外は、実施例５と同
様に反応および後処理をして、（＋）−４−（１−メチ
ル−２−（２−フルオロヘプタノイルオキシ）エチル）
安息香酸０．７Ｆ（収率７５％）を得た。

（ロ）首＝　＋４．１°　（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｊｌ
ｌ　）実施例８ 実施例５で得た（Ｖ−５）０．５４Ｆを用い、ブチリル
クロリドに代えて、ヘキサデカノイルクロリド０．８２
９＜ＢＥリモル）を用いる以外は実施例５と同様ｆこ反
応および後処理をして、（→−４−（１−メチル−２−
ペンタデシルカルボニルオキシエチル）安息香酸０．９
７Ｆ（収率７７％）を得た。

（ロ）グー　＋８．１°　（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｊｇ
　）実施例９〜１２ 実施例１において、（ト）−４−（２−ヒドロキシプロ
ピル）アセトフェノンに代えて、表−１に示す原料を用
いる以外は実施例１と同様ｉこ反応および後処理をして
、表−１に示す化合物（ニー９）、（１−１０）、（Ｉ
−１１）および（ｚ−１２）を得た。

実施例１８ ←）−４−（１−メチル−３−ヒドロキシプロピル）ア
セトフェノン１９．２ｆ（０，１モル）を無水ジメチル
ホルムアミド２０ｍ１と臭化ベンジル４〇−に溶かし、
酸化銀４０ｆを加えて、２日間８０〜８５０で攪拌した
。

反応終了後、反応混合物を水に注ぎ出しトルエンで抽出
した。

得られた有機層は減圧下濃縮し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマト精製（溶離液；トルエン−酢酸エチル）して
、（ト）−４−（１−メチル−８−ベンジルオキシプロ
ビル）アセトフェノン（ｍｌ−１８）１５．５Ｆ（収率
５５％）を得た。

上で得た（１−１８）１４．１Ｆ（５０ミリモル）を、
ジオキサン２００−に溶かし、２０％水酸化ナトリウム
６００−と臭素８０−から調製した次亜臭素酸ナトリウ
ム溶液を加えて、８０〜８５℃で一昼夜攪拌した。反応
終了後は、水５００−と亜硫酸ナトリウム５０ｆを加え
て８０分間攪拌したのち、塩酸でｐＨ１〜２とし、トル
エン４００−で抽出、水洗した。有機層と減圧下ｍＷｔ
Ｊｔ、て、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（溶離液；トルエン：酢酸−２０：１）で精製
して、（＋）−４−（１−メチル−８−ベンジルオキシ
プロビル）安息香酸（ＩＶ−１８）　１２．８Ｆ（収率
９０％）を得た。

（ロ）萱＝＋２７．２°　（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣ７ｇ
　）上で得られた（ＩＶ−１８）１０．０ｆ（８５Ｆリ
モル）をテトラヒドロフラン１００−に溶かし、１０％
Ｐｄ−Ｃ０，５を加えて、水素雰囲気下、常圧で水素添
加反応を行なった。水素吸収が停止したところ（約８０
０４）で、反応混合物をとり出し、Ｐｄ−Ｃを炉別後、
溶媒を減圧下留去して、（−１−）−４−（１−メチル
−８−ヒドロキシプロピル）安息香酸（Ｖ−１８）６．
８ｆ（収率１００％）を得た。

（ロ）曾＝＋２５．８°　（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｉｓ
　）上で得られた（Ｖ−１８）０．５８Ｆ（８ｆリモル
）をピリジン１０−に溶かし、ｎ−ブチリルクロリド０
．８２Ｆ（８ミリモル）を加えて、８０〜８５℃で１時
間反応させた。

反応終了後、水１０（ｌｊに注き゛出し、塩酸でｐＨ１
〜２としたのち、トルエン１００−で抽出し、有機層は
食塩水で洗浄したのち、減圧下溶媒を留去した。得られ
た残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液
；トルエン−酢酸）にて精製して（ト）−４−（１−メ
チル−８−ブチリルオキシプロピル）安息香酸０．５７
Ｆ（収率７２％）を得た。

０− （ロ）。−＋　１２．４°　（Ｃ＝１　、ＣＨＣｊＢ　
）実施例１４ ４−（ａ−ヒドロキシプロピル）アセトフェノン１７．
８Ｆ（０，１モル）を無水ジメチルホルムアミド１００
−に溶かし、２５〜８０℃にて、イミダゾール７．１５
　Ｆ　（０，１０５モル）とｔ−ブチルジメチルシリル
クロリド１５．８Ｆ（０，１０５モル）を加えて、６時
間反応させた。

反応終了後、水４００−に注ぎ出し、トルエン４００−
を加えてから、塩酸でｐＨ１〜２とし、抽出、分液した
。得られた有機層は水、６９６重曹水、水の順に洗浄し
、減圧下濃縮して、４−（８−１−ブチルジメチルシリ
ルオキシプロビル）アセトフェノン（ＩＮ−１４）２８
．８ｆ（収率９９％）を得た。

上で得られた（１−１４）１４．６Ｆ（５０ミリモル）
を、ジオキサン２００−に溶かし、２０％水酸化ナトリ
ウム６００−と臭素８０−から調製した次亜臭素酸ナト
リウム溶液を加えて、３０〜３５℃で一昼夜攪拌した。

反応終了後、水５００−と亜硫酸ナトリウム５０Ｆを加
えて８０分間攪拌したのち塩酸でｐＨ１〜２とし、トル
エン４０〇−で抽出し、水洗した。有機層を減圧下濃縮
して、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（溶離液；トルエン：酢酸＝２０：１）で精製して
、４−（８−ｔ−ブチルジメチルシリルオキシプロビル
）安息香＃（ＩＶ−１４）１２．８Ｆ（収率８　Ｂ　９
６）を得た。

上で得られた（ＩＶ−１４）１０．Ｏｆ　（８４ミリモ
ル）をテトラヒドロフラン１００−に溶かし、テトラブ
チルアンモニウムフルオリドのＩＭ−ＴＨＦ溶液５０−
を加えて、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、水８
０〇−中に注ぎ出し、塩酸でｐＨ１〜２にしてから、ト
ルエン３００−で抽出し、得られた有機層は食塩水で洗
浄した。溶媒を減圧下留去して、４−（８−ヒドロキシ
プロピル）安息香酸（Ｖ−１４）５．６Ｆ（収率９２％
）を得た。

上で得られた（Ｖ−１４）０．５４ｐ（８ミリモル）を
ピリジンＩＱｍ／に溶かし、←）−メチルブチリルクロ
リド０．８６　Ｆ　（８ミリモル）を加えて、８０〜８
５℃で１時間反応させた。

反応終了後、水１００−に注ぎ出し、塩酸でｐＨ１〜２
としたのち、トルエン１００−で抽出し、有機層は食塩
水で洗浄したのち、減圧下で溶媒を留去した。得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；
トルエン−酢酸）にて精製して←）−４−（８−（８）
−メチルブチリルオキシプロピル）安息香酸０．５５　
Ｆ　（収率７０９６）を得た。

（ロ）曾＝＋１．５°　（Ｃ＝　１　、　ＣＨＣｊａ　
）実施例１５ 実施例１４において、４−（３−ヒドロキシプロピル）
アセトフェノンＩこ代えて、４−（４−ヒドロキシブチ
ル）アセトフェノン１９．２Ｆを、（ト）−メチルブチ
リルクロリドに代えて、（ト）−２−フルオロヘプタノ
イルクロリド０．５２を用いる以外は、実施例１４と同
様に反応および後処理をして、（−１−）−４−１４−
（２−フルオロヘプタノイル）オキシブチル）安息香酸
を得た。

（ロ）曾＝＋１．２°　（Ｃヨ１　、　ＣＨＣｊａ　）
実施例１６〜２０ 実施例１において、（＋）−４−（２−ヒドロキシプロ
ピル）アセトフェノンに代えて、表−２に示す原料を用
いる以外は、実施例１と同様に反応および後処理をして
、表−２に示す化合物を得た。

実施例２１〜２４ 実施例６において、（→−４−（２−ヒドロキシプロピ
ル）アセトフェノンに代えて、←）−４−（４−ヒドロ
キシペンチル）−４−アセチルビフェニル（０，１モル
）を原料とし、かつアシル化剤として用いたｎ−ブチリ
ルクロリドに代えて表−８に記載のアシル化剤を用いる
以外は実施例５と同様に反応および後処理をして、表−
８に示す化合物を得た。

実施例２５および２６ 実施例１４において、４−（８−ヒドロキシプロピル）
アセトフェノンに代えて、４−（８−ヒドロキシプロピ
ル）　−４’−アセチルビフェニルを原料とし、使用す
るアシル化剤を表−４に示す化合物とする以外は実施例
１４と同様に反応および後処理をして表−４に示す化合
物を得た。

＼ ＼ 参考例 実施例１０で得られた←）−４−（５−ブチリルオキシ
ヘキシル）安息香酸０．２９ｆ（ｌｉリモル）と４−デ
シルオキシ−４−ヒドロキシビフェニル０．３８Ｆ（１
ミリモル）をジクロルメタン２〇−に加え、そこへ、Ｎ
、Ｎ−ジシクロへキシルカルボジイミド０．２５ｆ（１
，２ミリモル）とＮ−ピロリジノピリジン０．０５１を
加えて、２０〜２５℃で一昼夜攪拌した。

反応終了後、トルエン２００−で希釈したのち、水、５
％酢酸、水、５％重曹水、および水で順次洗浄したのち
、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮した。

得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て精製（ｆＢ出液；トルエン−酢酸エテル）して、０．
４７　ｆの←）−４−デシルオキシ−４−ビフェニリル
　４−（５−ブチリルオキシヘキシル）ベンゾエートを
得た。

透明電極が設けられたガラス基板上にポリイミド系高分
子膜を設け、ラビング処理をしたのち、２枚の基板のラ
ビング方向が平行になるようにガラスファイバー（径５
μｍ）をスペーサーとして、液晶セルとして組立て、こ
れに上記化合物を封入して液晶素子を得た。

この液晶素子を偏光子と組み合わせ、電界を±２０Ｖに
印加しながら、温度変化させていくと、通過光強度の変
化が観察され、上記化合物が強誘電性液晶であることが
わかった。

＼ ＼ ＼ ＼

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素
   数１〜２０のアルキル基またはハロゲン原子で置換され
   ていてもよい炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基を
   示し、ｋは１または２を示す。Ｚは▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼ または−（ＣＨ＿２）＿ｐ−を示す。ここでｐは１〜５
   の整数を示し、＊印は不斉炭素原子を示す。但し、Ｚが
   −（ＣＨ＿２）＿ｐ−のとき、Ｒ′は光学活性体である
   。）で示される光学活性な芳香族カルボン酸誘導体。
2. （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｖ〕 （式中、ｋは１または２を示し、Ｚは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼または−（ＣＨ＿２）＿ｐ−を示す。 ここでｐは１〜５の整数を示し、＊印は不斉炭素原子を
   示す。） で示される光学活性なヒドロキシカルボン酸類を一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒはハロゲン原子で置換されていてもよい炭素
   数１〜２０のアルキル基またはハロゲン原子で置換され
   ていてもよい炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基を
   示し、Ｘはハロゲン原子または▲数式、化学式、表等が
   あります▼基を示す。） で示されるアシル化剤を用いてアシル化することを特徴
   とする請求項１記載の光学活性な芳香族カルボン酸誘導
   体（ I ）の製造法。
3. （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （式中、ｋは１または２を示し、Ｚは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼または−（ＣＨ＿２）＿ｐ−を示す。 ここでｐは１〜５の整数を示し、＊印は不斉炭素原子を
   示す。Ａは水酸基の保護基を示す。） で示される光学活性なカルボン酸類から水酸基の保護基
   を脱保護し、光学活性なヒドロキシカルボン酸類（Ｖ）
   を得ることを特徴とする請求項２記載の光学活性な芳香
   族カルボン酸誘導体（ I ）の製造法。
4. （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、ｋは１または２を示し、Ｚは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼または−（ＣＨ＿２）＿ｐ−を示す。 ここでｐは１〜５の整数を示し、＊印は不斉炭素原子を
   示す。Ａは水酸基の保護基を示す。） で示される光学活性なアセトフェノン類のアセチル基を
   酸化して、光学活性なカルボン酸類（IV）を得ることを
   特徴とする請求項３記載の光学活性な芳香族カルボン酸
   誘導体（ I ）の製造法。
5. （５）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、ｋは１または２を示し、Ｚは ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼または−（ＣＨ＿２）＿ｐ−を示す。 ここでｐは１〜５の整数を示し、＊印は不斉炭素原子を
   示す。） で示される光学活性なアルコール類の水酸基に保護基を
   導入し、光学活性なアセトフェノン類（III）を得るこ
   とを特徴とする請求項４記載の光学活性な芳香族カルボ
   ン酸誘導体（ I ）の製造法。
6. （６）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｋは１または２を示し、Ｚ′は ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼を示す。ここでｐは１〜５の整数
   を示し、＊印は不斉炭素原子を示す。Ｒは水素原子また
   は水酸基の保護基を示す。） で示される光学活性な芳香族化合物。
7. （７）Ｒが水素原子である請求項６記載の光学活性な芳
   香族化合物。
8. （８）Ｚが▲数式、化学式、表等があります▼である請
   求項１記載の光 学活性な芳香族カルボン酸誘導体。
9. （９）Ｚが▲数式、化学式、表等があります▼でｐが１
   である請求項１ 記載の光学活性な芳香族カルボン酸誘導体。
10. （１０）Ｚが▲数式、化学式、表等があります▼でｐが
    ２である請求項１記載の光学活性な芳香族カルボン酸誘
    導体。
11. （１１）Ｚが▲数式、化学式、表等があります▼でｐが
    ３〜５の整数である請求項１記載の光学活性な芳香族カ
    ルボン酸誘導体。
12. （１２）Ｚが−（ＣＨ＿２）＿ｐ−でかつＲ′が光学活
    性基である請求項１記載の光学活性な芳香族カルボン酸
    誘導体。