JPH03237611A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は垂直磁気記録媒体に関する。

［従来の技術］ 近年、磁気記録の高密度化の要求に伴い、磁性層が磁性
材料のみによって形成される。いわゆる連続磁性媒体の
研究が盛んになってきた。

真空蒸着法、スパッタ法、あるいはメツキ法によって作
成される連続磁性媒体は、磁性層が薄膜であるために長
手記録は無理のこと、垂直磁気記録方式において特に記
録密度の飛躍的向上が期待されており、磁気テープ・磁
気ディスクなど各種の製品化への開発研究が進められて
いる。

この、垂直磁気記録媒体には、大別して垂直記録層のみ
により構成される「垂直単層媒体」と。

高透磁率材料からなる軟磁性層と垂直記録層とによって
構成される。「垂直二層媒体」がある。

「垂直単層媒体」は、基本的にリングヘッドで高密度ま
で記録再生できるため、現在市販されているシステムと
無理なく互換性をとることができ。

市販システムの延長上にあると考えられている。

この垂直単層媒体の具体的な応用として、ハイビジョン
に代表される高画質映像の記録がある。

高画質の映像を記録するためには、従来のＶＴＲに比べ
３倍以上の記録密度が必要であり、これまでの磁気記録
媒体では多量の記録媒体を必要とした。

ここで、映像用記録信号は低周波数から高周波数まです
べての帯域を必要とするが、垂直単層媒体の記録密度特
性は、高周波の記録再生については非常に優れているも
のの、比較的低周波の再生出力は低く、ＳｉＮは良くな
い。

このため、低周波領域の再生出力を増加させる方法とし
て、ＣｏＣｒ層の下に半硬磁性であるＦｅＣｏ膜を形成
するＣ　ｏ　Ｃｒ　／　Ｆ　ｅ　Ｃｏ媒体が研究されて
いる。

これは軟磁性層を下地層に使用する垂直二層媒体とは異
なり、下地となるＦｅＣｏ層に長手方向の記録を行い、
低周波側の出力を向上させることを目的としている。

［発明が解決しようとする課題］ この垂直磁気記録方式と長手記録方式の両方の長所を併
せたＣ　ｏ　Ｃｒ　／　Ｆ　ｅ　Ｃｏ媒体はこれまでの
垂直単層媒体の欠点であった低記録密度のＳｉＮの悪さ
を改善するものであった。

しかしながら、この媒体ではＦｅＣｏ膜の上に形成され
るＣｏＣｒ膜の形成初期における配向性が余り良好では
ないため、高密度記録での再生出力がＣｏＣｒ単層媒体
に比べ低く、垂直磁気記録方式の利点を損なっていた。

本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、その
目的とするところは、ＦｅＣｏ層の下にさらに下地層を
設けることにより、ＣｏＣｒ層の垂直配向を再現性よく
良好にし、高記録密度の出力を向上させることにある。

［作用コ Ｃｏ　Ｃｒ　／　Ｆ　ｅ　Ｃｏ二層媒体の記録状態のモ
デルは第１図に示すように、ＣｏＣｒ層では膜厚方向に
磁化が形成され、ＦｅＣｏ層ではＣｏＣｒ層の磁化反転
領域に対応して長手方向の磁化が形成される。

従って、ＣｏＣｒ層の表面では、垂直記録の磁力線と長
手記録の磁力線とが合成された状態となる。

ところが実際に膜形成を行った媒体では、第２図に示す
ように、ＣｏＣｒ層の初期層に配向が乱れた領域が現わ
れており、これが高密度記録を妨げていた。

従って本発明では、第３図に示すようにＦｅＣ０層の下
にＴｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｇｅ、Ｓｉ、５ｉ０２などの下地層
を形成することにより、ＣｏＣｒ層の垂直配向性を向上
させ、初期配向層を薄＜シ。

再現性よく高周波領域の電磁変換特性の劣化を防ぐこと
ができる。

〔実施例コ 以下に本発明の実施例を比較例と共に説明する。

［比較例１コ 厚さ３０［μ塵］のポリイミドフィルム上に。

マグネトロンスパッタ法により０．２［μ■］厚のＣｏ
Ｃｒ層を形成し、厚さ５０［Ａ］のフッソ系液体潤滑剤
をスピンコード法により塗布した。

このときのＣｏＣｒターゲットはＨｌ、５　（Ｃｒ　：
ｗｔ％）のものを使用した。

［比較例２コ 比較例１においてＣｏＣｒ層を形成する前に。

２００［Ａ］厚のＦｅＣｏ膜をマグネトロンスパッタ法
により形成した。このときのＦｅＣｏターゲットは（Ｆ
ｅ：４８ｗｔ％、Ｃｏ４８ｗｔ％、Ｖ：ｖａｔ　、　）
を使用した。

［実施例１］ 比較例２において、ＦｅＣｏ膜を形成する前に５０［Ａ
］厚のＴｉをマグネトロンスパッタ法により形成し、Ｆ
ｅＣｏ、ＣｏＣｒ膜を形成した。

［実施例２］ 比較例２において、ＦｅＣｏ膜を形成する前に１００［
Ａ］厚のＴｉをマグネトロンスパッタ法により形成し、
ＦｅＣｏ、ＣｏＣｒ膜を形成した。

［実施例３］ 比較例２において、ＦｅＣｏ膜を形成する前に２００［
Ａ］厚のＴｉをマグネトロンスパッタ法により形成し、
ＦｅＣｏ、ＣｏＣｒ膜を形成した。

［実施例４コ 比較例２において、ＦｅＣｏ膜を形成する前に３００［
Ａ］厚のＴｉをマグネトロンスパッタ法により形成し、
ＦｅＣｏ、ＣｏＣｒ膜を形成した。

［実施例５コ 実施例１〜４においてＴｉのかわりにＷを５０〜３００
［Ａ］の厚さに形成した。

［実施例６］ 実施例１〜４においてＴｉのかわりにＴａを５０〜３０
０［Ａ］の厚さに形成した。

［実施例７］ 実施例１〜４においてＴｉのかわりにＧｅを５０〜３０
０［Ａ］の厚さに形成した。

［実施例８］ 実施例１〜４においてＴｉのかわりにＳｉを５０〜３０
０［Ａ］の厚さに形成した。

［実施例９］ 実施例１〜４においてＴｉのかわりにＳｉＯ２を５０〜
３００［Ａ］の厚さに形成した。

以上の比較例１．２および実施例１，２，３゜４につい
て２”ディスクを形成し、記録密度特性を測定した結果
を第４図に示す。

このときの磁気ヘッドはトラック幅６０［μ１１］ギャ
ップ長０．２［μ１１］のＭＩＧヘッドを使用した。

比較例１の媒体は通常のＣｏＣｒ垂直単層媒体であり、
記録密度特性も記録周波数が５　［Ｍｔ（ｚ　］以下で
は出力が小さい。

また、比較例２は、従来通常得られるＣｏＣｒ層　Ｆ　
ｅ　Ｃｏ媒体の例であり、高密度周波数での再生出力が
小さくなっている。

一方１本発明の実施例Ｃｏ　Ｃｒ　／　Ｆ　ｅ　Ｃｏ　
／　Ｔｉ媒体は、Ｔｉ膜厚が２００［Ａ３以上である実
施例３および実施例４は、高周波領域まで再生出力が大
きくなっている。

さらに、実施例５，６，７，８．９について。

第４図と同様に記録密度特性を測定し、記録周波数が１
［ＭＨｚ］と９［ＭＨｚ］のときの再生出力の比をとり
、各下地層の厚さに対する変化の様子をプロットしたの
が第５図である。

Ｗ、Ｔａ、Ｓｉについては１００［Ａ１以上で。

５ｉｎ２については２００［Ａ３以上で、Ｇｅについて
は５０［Ａ３以上で再生出力の比がほぼ１になっている
のがわかる。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、低周波領域から高周
波領域まで再生出力の変化の少ない垂直磁気記録媒体が
得られた。

下地層の厚さに対してプロットした特性である。

１−−−　Ｃｏ　Ｃｒ層、２−ＦｅＣ，ｏ層、３−Ｃｏ
Ｃｒ層からの磁力線、４・・・ＦｅＣｏ層からの磁力線
。

５・・・ＣｏＣｒ層の磁化、６・・・ＦｅＣｏ層の磁化
。

７・・・初期配向層、８・・・垂直配向層、９・・・ベ
ースフィルム、１０・・・下地層。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＣｏＣｒ／ＦｅＣｏ媒体の記録状態を示す概
略図である。 第２図は、実際に形成されたＣｏＣｒ／ＦｅＣ０媒体の
記録状態を示す概略図である。 第３図は本発明の実施例を示す概略図である。 第４図は本発明の実施例により得られた記録密度特性で
ある。 第５図は本発明の実施例により得られた低記録密度の再
生出力と高記録密度の再生出力の比を。 第 １ 図 第 図 ０ 配録Ｆ？波数［ＭＨｚｌ 第 図 第 図 ０ ００ ５０ ００ ５０ ００ 下地層の厚さ ［Ａ１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）高分子フィルム上にスパッタリング法により下地層
   を形成し、その上にＦｅＣｏ膜、ＣｏＣｒ膜および保護
   膜を形成されて成ることを特徴とする垂直磁気記録媒体
   。 ２）第１項における下地層にＴｉ、ＳｉＯ＿２のいずれ
   かとし、厚さを２００オングストローム以上としたこと
   を特徴とする垂直磁気記録媒体。 ３）第１項における下地層をＷ、Ｔａ、Ｓｉのいずれか
   とし、厚さを１００オングストローム以上としたことを
   特徴とする垂直磁気記録媒体。 ４）第１項における下地層をＧｅとし、厚さを５０オン
   グストローム以上としたことを特徴とする垂直磁気記録
   媒体。