JPH03237678A - ビデオメモリ・リフレッシュ制御装置 - Google Patents

ビデオメモリ・リフレッシュ制御装置

Info

Publication number
JPH03237678A
JPH03237678A JP2032709A JP3270990A JPH03237678A JP H03237678 A JPH03237678 A JP H03237678A JP 2032709 A JP2032709 A JP 2032709A JP 3270990 A JP3270990 A JP 3270990A JP H03237678 A JPH03237678 A JP H03237678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
refresh
switching
ras
video memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2032709A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Takayama
義弘 高山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Tec Corp
Original Assignee
Tokyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Electric Co Ltd
Priority to JP2032709A priority Critical patent/JPH03237678A/ja
Publication of JPH03237678A publication Critical patent/JPH03237678A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、例えば画像表示用データの格納用に使用され
るダイナミック形RAMで構成されたビデオメモリ・リ
フレッシュ制御装置に関する。
[従来の技術] 一般にダイナミックRAMは電荷蓄積形のメモリである
ため、各メモリセルにチャージされた電荷は時間の経過
とともに次第にディスチャージされる。従って定期的に
チャージしなければメモリセルに蓄積された記憶情報は
消滅してしまう。
そこでダイナミック形RAMの場合は定期的にリフレッ
シュを行ない、メモリセルに蓄積されている記憶情報が
消滅するのを防止している。
このようなダイナミック形のRAMを表示用のためのビ
デオメモリとして使用した場合は、表示期間中に連続し
たアドレスがビデオメモリに与えられるのでリフレッシ
ュは特に行う必要は無いと考えられるが、拡大表示時や
画面分割時のようにビデオメモリの一部のみを表示する
場合にはダイナミックRAMが定めるリフレッシュ周期
規格を満足しなくなる。このためビデオメモリをダイナ
ミック形RAMで構成した場合には水平帰線期間を利用
して定期的にリフレッシュを行ない、メモリセルに蓄積
されている記憶情報の消滅を回避する必要がある。
このようなことから従来では第5図に示すビデオメモリ
・リフレッシュ制御装置が使用されていた。
この第5図において1はリフレッシュ用RAS信号(以
下、RFRAS信号と称する。)、リフレッシュ用CA
S信号(以下、RFCAS信号と称する。)を発生する
クロック発生回路、2はRASセレクタ21とCASセ
レクタ2□からなる信号セレクタ回路である。
前記信号セレクタ回路2は通常表示期間中はRAS信号
及びCAS信号を選択してビデオメモリ回路3に供給し
、リフレッシュ動作時にはRFRAS信号及びRFCA
S信号を選択してビデオメモリ回路3に供給している。
前記ビデオメモリ回路3にはRAS信号及びCAS信号
の入力タイミングに応じてRAS信号をカウントしてリ
フレッシュ用のrowアドレスを発生するリフレッシュ
カウンタ3□及びダイナミック形RAM3□が設けられ
、ダイナミック形RAM3□はCASビフォアRASリ
フレッシュ方式によりリフレッシュされるようになって
いる。
前記ビデオメモリ回路3には表示及びリフレッシュ用ア
ドレスバスが接続されている。
この従来装置においては以下の動作を行なうようになっ
ている。
(イ)通常表示期間の動作 この表示期間では制御部から第6図のリード又はライト
動作部に示すタイミングでRAS信号及びCAS信号が
信号セレクタ回路2に人力される。
この場合図からも明らかなようにRAS信号の立下がり
がCAS信号の立下りよりも位相的に進んでいる。
そして信号セレクタ回路2のRASセレクタ21はRA
S信号を選択しCASセレクタ22はCAS信号をそれ
ぞれ選択しビデオメモリ回路3に供給する。このときア
ドレスはrowアドレスとcolumnアドレスが時分
割的にビデオメモリ回路3に供給され、ビデオメモリ回
路3ではRAS信号の立下りでrowアドレスを、CA
S信号の立下りでc o 1 umnアドレスをラッチ
し、ダイナミック形RAM3□に対するデータのアクセ
スを可能にする。
(ロ)水平帰線期間のリフレッシュ動作この動作は、R
ASオンリ・リフレッシュ方式によってリフレッシュが
行われる。すなわちこの区間では第6図のリフレッシュ
動作部に示すようにRFCAS信号の立上りがRFRA
S信号の立上りよりもtlだけ位相が進んでいる。従っ
てこのときはリフレッシュモードとなり、ビデオメモリ
回路3にはリフレッシュ用のrowアドレスのみが入力
される。
なお、図中HSYNC信号は水平同期信号である。
[発明が解決しようとする課題] このように従来のビデオメモリ・リフレッシュ制御装置
においてはシステム動作中におけるリフレッシュは行な
っていたがビデオメモリを例えばバッテリでバックアッ
プするような場合にどのようなリフレッシュ制御を行な
うかについては何等保証されていなかった。換言すれば
ビデオメモリをバッテリでバックアップすることはでき
なかった。
そこで本発明は、システム動作時からバッテリによるバ
ックアップ時へのリフレッシュの切替え及びバックアッ
プ時からシステム動作時へのリフレッシュの切替えがダ
イナミック形RAMのリフレッシュサイクルを崩すこと
無くスムーズにでき、従ってビデオメモリをバッテリで
確実にバックアップできるビデオメモリ・リフレッシュ
制御装置を提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段] 本発明は、ダイナミック形RAMで構成されたビデオメ
モリをリフレッシュ制御するビデオメモリ・リフレッシ
ュ制御装置において、リフレッシュ用RAS信号及びリ
フレッシュ用クロックソース信号を発生するクロック発
生回路と、水平又は水平垂直同期信号のレベルをラッチ
し、クロ・ツク発生回路からのクロックソース信号を受
けて通常システム動作での表示動作切替え及びリフレッ
シュ切替えのためのリフレッシュ切替信号を発生すると
ともにリフレッシュ用CAS信号を発生し、またシステ
ム用電源関知信号のレベルをラッチし、その電源関知信
号が所定レベルのとき所定個数のシステム用RAS信号
及び水平又は水平垂直同期信号、クロックソース信号を
受けてシステム動作切替え及びバックアップ切替えのた
めのリフレッシュ切替信号を発生し、かつシステム電源
及びバッテリ電源をバックアップ用電源として出力する
とともにバックアップ時にもリフレッシュ用CAS信号
を発生するリフレッシュ切替手段と、このリフレッシュ
切替手段からのリフレッシュ切替信号に応じてシステム
用RAS信号及びシステム用CAS信号を選択し、リフ
レッシュ時に°リフレッシュ用RAS信号及びリフレッ
シュ用CAS信号を選択する信号セレクタ回路とからな
り、信号セレクタ回路からのRAS信号及びCAS信号
によってビデオメモリをアクセス及びリフレッシュする
ことにある。
[作用] このような構成の本発明においては、リフレッシュ切替
手段は水平又は水平垂直帰線期間では水平又は水平垂直
同期信号のハイレベルを確認しリフレッシュ切替えのた
めのリフレッシュ切替信号を出力する。
そしてバックアップ時からシステム動作時への切替時に
は、水平又は水平垂直同期信号がローレベルであればシ
ステム用RAS信号でシステム電源関知信号のハイレベ
ルをラッチし、その後リフレッシュ用クロックソース信
号を受けるとシステム電源関知信号がハイレベルか否か
を確認し、ハイレベルのとき所定個数のシステム用RA
S信号を受けてシステム動作切替えのためのリフレッシ
ュ切替信号を出力し、また水平又は水平垂直同期信号が
ハイレベルであればリフレッシュ用クロックソース信号
の立上りでシステム電源関知信号のハイレベルをラッチ
し、そのハイレベルに基づいて所定個数のリフレッシュ
用クロックソース信号の立下がりを受けてリフレッシュ
モード切替えのためのリフレッシュ用CAS信号を出力
する。
また、システム動作時からバックアップ時への切替時に
は、水平又は水平垂直同期信号がローレベルであればリ
フレッシュ用クロックソース信号でシステム電源関知信
号のローレベルをう・ソチし、そのローレベルに基づい
てバッファ・ツブ切替えのためのリフレッシュ切替信号
を出力し、また水平又は水平垂直同期信号がりイレベル
であればリフレッシュ用クロックソース信号の立上りで
システム電源関知信号のローレベルをラッチし、そのロ
ーレベルに基づいてリフレッシュモード切替えのための
リフレッシュ用CAS信号を出力する。
従って信号セレクタ回路はリフレッシュ切替信号に応じ
て、システム動作時にはシステム用RAS信号及びシス
テム用CAS信号を選択し、またバックアップ時にはリ
フレッシュ用RAS信号及びリフレッシュ用CAS信号
を選択し、これによりビデオメモリのアクセス及びリフ
レッシュが行われることになる〇 [実施例コ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図において、11はバックアップ時にリフレッシュ
用クロックとして使用されるリフレッシュ用RAS信号
(RFRAS信号)及びリフレッシュ用クロックソース
信号(RFCK信号)を発生するクロック発生回路であ
る。
12は通常表示動作時とリフレッシュ時とを切替えるリ
フレッシュ切替手段で、この手段12はシステム電源関
知信号(P−G信号)、水平同期信号(H8YNC信号
)及びリフレッシュ用クロックソース信号が入力され、
通常システム動作時にはシステム電源を取り込んでバッ
クアップ電源とするとともにローレベルのリフレッシュ
切替信号を出力し、また水平同期信号及びリフレッシュ
用クロックソース信号によってリフレッシュ切替えのた
めのハイレベルのリフレッシュ切替信号及びリフレッシ
ュ用CAS信号(RFCAS信号)を出力し、さらにバ
ックアップ時にはバッテリ電源をシステム電源とすると
ともにハイレベルのリフレッシュ切替信号及びローレベ
ルのリフレッシュ用CAS信号を出力する機能を持って
いる。
13は信号セレクタ回路で、この回路13は通常表示時
にローレベルのリフレッシュ切替信号に基づいて制御部
(図示せず)からのシステム用RAS信号(RAS信号
)を選択し、またリフレッシュ時にハイレベルのリフレ
ッシュ切替信号に基づいて前記クロック発生回路11か
らのリフレッシュ用RAS信号を選択するRASセレク
タ13、と、通常表示時にシステム用CAS信号(CA
S信号)を選択し、またリフレッシュ時にリフレッシュ
切替手段12からのリフレッシュ用CAS信号を選択す
るCASセレクタ132とて構成されている。
14はCASビフォアRASリフレッシュ方式によって
リフレッシュ可能なRFC内臓のビデオメモリ回路で、
この回路14にはRAS信号及びCAS信号の人力タイ
ミングに応じてRAS信号をカウントしてリフレッシュ
用のrowアドレスを発生するリフレッシュカウンタ1
4.及びメモリ部を構成するダイナミック形RAM14
□が設けられている。
次に本実施例の作用を第2図乃至第5図を参照して説明
する。
(イ)通常システム動作時の表示動作 この通常システム動作時の表示動作はビデオメモリに対
するデータのリード又はライト動作で、この動作は従来
の動作と全く同じである。すなわちリード又はライト動
作区間は第2図に表示動作として示されている区間で、
RAS信号の立下りがCAS信号の立下りよりも位相が
進んだタイミングで入力される。この動作時においては
信号セレクタ回路13のRASセレクタ13、及びCA
Sセレクタ132はRAS信号及びCAS信号をそれぞ
れ選択してビデオメモリ回路14に供給している。この
ときリード又はライトのアドレスはrowアドレスとc
 o 1 umnアドレスが時分割的にビデオメモリ回
路14に入力されるので、このビデオメモリ回路14で
はRAS信号の立下りでrowアドレスを、CAS信号
の立下りでc o l umnアドレスをセレクトして
ダイナミック形RAM14□をアクセスする。
(ロ)通常システム動作時のリフレッシュ動作RASオ
ンリリフレッシュ方式でリフレッシュを行う場合は第2
図にリフレッシュ動作として示されている区間で、CA
S信号の立上りがRAS信号の立下りよりもt1位相が
進んだ関係となる。
ビデオメモリ回路14ではRAS信号の立下り時にCA
S信号がハイレベルであることを検出するとリフレッシ
ュモードに入る。このときビデオメモリ回路14にはリ
フレッシュ用のrowアドレスのみが人力される。
(ハ)バックアップ動作時のリフレッシュ動作この動作
はCASビフォアRASリフレッシュ方式を使用する。
すなわち第2図にバックアップ・リフレッシュ動作とし
て示されている区間で、リフリッシュ用CAS信号(R
FCAS)の立下りがリフレッシュ用RAS (RFR
AS)信号の立下りよりも進んだ位相となっているので
、ビデオメモリ回路14ではRFRAS信号の立下り時
にRFCAS信号がローレベルであることを検出したと
きリフレッシュモードに入る。
この場合リフレッシュカウンタ141はRFRAS信号
が入力される毎に「1」ずつカウントアツプしてrow
アドレスを発生し、ダイナミック形RA M 142の
各rowアドレスをアクセスする。
モしてRFRAS信号の各ハイレベルでプリチャージが
行われ、かつローレベルにおいて各rowアドレス毎に
ダイナミック形RAM142について順次リフレッシュ
が行われる。
ところでリフレッシュ動作においてはバックアップ時か
らシステム動作時への切替えと、システム動作時からバ
ックアップ時への切替えのタイミングが問題となる。こ
の点について本実施例では以下の動作を行う。
なお、第3図は表示期間での切替えタイミングを示し、
第4図は水平帰線期間での切替えタイミングを示す。
(1)バックアップ時からシステム動作時への切替え−
その■ この場合は第3図の■の区間で示すタイミングで制御が
行われる。すなわちリフレッシュ切替手段12はP−G
信号(システム用電源関知信号)がハイレベルになると
システムRES信号をハイレベルにし、これにより図示
しないシステム全体のリセットが解除されてシステムの
初期化が行われる。このとき表示制御装置が動作して表
示動作が開始される。
またバックアップ切替手段12ではP−G信号がハイレ
ベルとなった後、RAS信号のハイレベルでP−G信号
のハイレベルをラッチし、クロック発生回路11からの
RFCK信号(リフレッシュ用クロックソース信号)に
よってラッチデータ「ハイレベル」を確認する。そして
2発目のRAS信号の立上りを受けてリフレッシュ切替
信号をローレベルに切替えると同時にRFCAS信号を
ハイレベルにする。
ここでRASセレクタ131及びCASセレクタ132
はローレベルのリフレッシュ切替信号を受けると、RA
S信号及びCAS信号の選択に切り替わって通常のシス
テム動作時の処理が行われる。このときリフレッシュ切
替手段12はバッテリ電源に代えてシステム電源をバッ
クアップ電源として出力し、またRFCK信号の立上り
でRFRAS信号を1度サンプリングすることによりバ
ックアップ時のリフレッシュの最後のサイクルが終了し
たことを認知できる。
(2)バックアップ時からシステム動作時への切替え−
その■ この場合は第4図の■の区間で示すタイミングで制御が
行われる。すなわちリフレッシュ切替手段12はP−G
信号(システム用電源関知信号)がハイレベルになると
システムRES信号をハイレベルにし、これにより図示
しないシステム全体のリセットが解除されてシステムの
初期化が行われる。このとき表示制御装置が動作して表
示動作が開始される。
またバックアップ切替手段12ではP−G信号がハイレ
ベルとなった後、クロック発生回路11からのRFCK
信号(リフレッシュ用クロックソース信号)の立上りに
よってP−G信号のハイレベルをラッチし確認する。モ
してRFCK信号の立下りを受けてRFCAS信号をハ
イレベルにする。
(3)システム動作時からバックアップ時への切替動作
−その■ この場合は第3図の■の区間で示すタイミングで制御が
行われる。すなわちシステム電源関知信号であるP−G
信号がローレベルになると、リフレッシュ切替手段12
はP−G信号のローレベルをH8YNC信号(水平同期
信号)のハイレベルでサンプリングした後、システムR
ES信号をローレベルにし、さらにリフレッシュ切替信
号をハイレベルに設定する。そしてシステムRES信号
がローレベルになると同時に図示しないシステム全体が
リセットされる。
ここでリフレッシュ切替手段12はシステム電源に代わ
ってバッテリ電源をバックアップ電源として出力する。
その後RFCK信号の立下りでローレベルのRFCAS
信号を出力する。
RASセレクタ13.及びCASセレクタ132はリフ
レッシュ切替信号に基づいてRAS信号及びCAS信号
に代えてRFRAS信号及びRFCAS信号を選択し、
ビデオメモリ回路14に供給する。しかしてRFCAS
信号がローレベルとなるためビデオメモリ回路14では
バックアップ時にCASビフォアRASリフレッシュ方
式に基づいてリフレッシュを行うことになる。
(4)システム動作時からバックアップ時への切替動作
−その■ この場合は第4図の■の区間で示すタイミングで制御が
行われる。すなわちP−G信号がローレベルになると、
リフレッシュ切替手段12はPG倍信号ローレベルをR
FCK信号の立上りでサンプリングした後、システムR
ES信号をローレベルにする。そしてシステムRES信
号がローレベルになると同時に図示しないシステム全体
がリセットされる。
ここでリフレッシュ切替手段12はシステム電源に代わ
ってバッテリ電源をバックアップ電源として出力する。
その後RFCK信号の立下りでローレベルのRFCAS
信号を出力する。
RASセレクタ13□及びCASセレクタ13□はリフ
レッシュ切替信号に基づいてRAS信号に代えてRFR
AS信号を出力するとともにRFCAS信号をハイレベ
ルからローレベルに代えて出力し、ビデオメモリ回路1
4に供給する。
しかしてRFCAS信号がローレベルとなるためビデオ
メモリ回路14ではバックアップ時にCASビフォアR
ASリフレッシュ方式に基づいてリフレッシュを行うこ
とになる。
このようにバックアップ時からシステム動作時及びシス
テム動作時からバックアップ時に切替わるときにはP−
G信号のレベルを確認後、所定個数の特定信号でシステ
ム動作切替えのためのリフレッシュ切替信号を出力する
ので、電源投入時にノイズが発生してもそのノイズがビ
デオメモリ回路に悪影響を及ぼす虞はない。
またシステム動作に切替える前にP−G信号のレベルを
確認してリフレッシュ信号を発生するので、リフレッシ
ュサイクルを崩すことなく適切に切替えてリフレッシュ
動作を実行できる。
なお、前述した実施例における水平同期信号及び水平帰
線期間は水平垂直同期信号を水平同期信号に置き換える
だけで、水平帰線のみならず垂直帰線期間でもリフレッ
シュが可能となる。しかも前述した実施例の動作と何等
変わるところ無〈実施できる。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、システム動作時か
らバッテリによるバックアップ時へのリフレッシュの切
替え及びバックアップ時からシステム動作時へのリフレ
ッシュの切替えがダイナミック形RAMのリフレッシュ
サイクルを崩すこと無くスムーズにでき、従ってビデオ
メモリをバッテリで確実にバックアップできるビデオメ
モリやリフレッシュ制御装置を提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明の実施例を示すもので、第1
図はブロック図、第2図は表示動作時、リフレッシュ動
作時、バックアップリフレッシュ時の各信号タイミング
を示すタイミング図、第3図及び第4図はシステム動作
時とバックアップ時との切替え時の各信号タイミングを
示すタイミング図、第5図及び第6図は従来例を示すも
ので、第5図はブロック図、第6図は表示動作時、リフ
レッシュ動作時の各信号タイミングを示すタイミング図
である。 11・・・クロック発生回路、 12・・・リフレッシュ切替手段、 13・・・信号セレクタ回路、 14・・・ビデオメモリ回路。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ダイナミック形RAMで構成されたビデオメモリ
    をリフレッシュ制御するビデオメモリ・リフレッシュ制
    御装置において、リフレッシュ用RAS信号及びリフレ
    ッシュ用クロックソース信号を発生するクロック発生回
    路と、水平同期信号のレベルをラッチし、前記クロック
    発生回路からのクロックソース信号を受けて通常システ
    ム動作での表示動作切替え及びリフレッシュ切替えのた
    めのリフレッシュ切替信号を発生するとともにリフレッ
    シュ用CAS信号を発生し、またシステム用電源関知信
    号のレベルをラッチし、その電源関知信号が所定レベル
    のとき所定個数のシステム用RAS信号及び前記水平同
    期信号、クロックソース信号を受けてシステム動作切替
    え及びバックアップ切替えのためのリフレッシュ切替信
    号を発生し、かつシステム電源及びバッテリ電源をバッ
    クアップ用電源として出力するとともにバックアップ時
    にも前記リフレッシュ用CAS信号を発生するリフレッ
    シュ切替手段と、このリフレッシュ切替手段からのリフ
    レッシュ切替信号に応じてシステム用RAS信号及びシ
    ステム用CAS信号を選択し、リフレッシュ時にリフレ
    ッシュ用RAS信号及びリフレッシュ用CAS信号を選
    択する信号セレクタ回路とからなり、前記信号セレクタ
    回路からのRAS信号及びCAS信号によって前記ビデ
    オメモリをアクセス及びリフレッシュすることを特徴と
    するビデオメモリ・リフレッシュ制御装置。
  2. (2)請求項(1)記載のビデオメモリ・リフレッシュ
    制御装置において、水平同期信号に対し垂直帰線期間を
    示す垂直同期信号を論理和した信号である水平垂直同期
    信号を用いたことを特徴とするビデオメモリ・リフレッ
    シュ制御装置。
JP2032709A 1990-02-14 1990-02-14 ビデオメモリ・リフレッシュ制御装置 Pending JPH03237678A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2032709A JPH03237678A (ja) 1990-02-14 1990-02-14 ビデオメモリ・リフレッシュ制御装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2032709A JPH03237678A (ja) 1990-02-14 1990-02-14 ビデオメモリ・リフレッシュ制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03237678A true JPH03237678A (ja) 1991-10-23

Family

ID=12366370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2032709A Pending JPH03237678A (ja) 1990-02-14 1990-02-14 ビデオメモリ・リフレッシュ制御装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03237678A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6311250B1 (en) 1997-06-19 2001-10-30 Nec Corporation Computer memory controller with self refresh performed during memory back-up operation in case of power failure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6311250B1 (en) 1997-06-19 2001-10-30 Nec Corporation Computer memory controller with self refresh performed during memory back-up operation in case of power failure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4939695A (en) Virtual type static semiconductor memory device including refresh detector circuitry
KR20020096926A (ko) 반도체기억장치, 이를 제어하는 방법, 및 전자정보장치
US6859407B1 (en) Memory with auto refresh to designated banks
US5146430A (en) Self-refresh system for use in a field memory device
JPS6213758B2 (ja)
US6864884B2 (en) Synchronization signal generation circuit, image display apparatus using synchronization signal generation circuit, and method for generating synchronization signal
US20050235102A1 (en) Memory controller, semiconductor integrated circuit device, microcomputer, and electronic equipment
JPH03237678A (ja) ビデオメモリ・リフレッシュ制御装置
JPS60117327A (ja) ディスプレイ装置
JP2557077B2 (ja) 同期アクセス方式のキヤラクタ表示システム
JPH09116874A (ja) 映像信号処理回路
JPS63114000A (ja) ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリの制御方式
JP2664258B2 (ja) 揮発性メモリを用いた大容量メモリのデータ保持方法及び装置
JPH03237679A (ja) メモリ・リフレッシュ制御装置
JP2574871B2 (ja) 表示装置
JPS58215789A (ja) ダイナミツクramのリフレツシユ回路
KR0165394B1 (ko) 화상처리장치의 메모리 리프레쉬 방법 및 장치
JPH01128294A (ja) フィールドメモリのセルフリフレッシュ装置
JPS6326183A (ja) 動画メモリ装置
JPH07168751A (ja) メモリコントローラ
JPH08147207A (ja) メモリ回路
KR0183813B1 (ko) 디알에이엠 리프레쉬 제어기
JP2817483B2 (ja) 映像表示制御回路
KR20050077685A (ko) 디스플레이 데이터 제어회로, 이 회로를 위한 메모리, 및이 메모리의 어드레스 발생방법
JPH09269762A (ja) 表示装置