JPH03239786A - シンチレータおよびシンチレータを用いた放射線検出器 - Google Patents
シンチレータおよびシンチレータを用いた放射線検出器Info
- Publication number
- JPH03239786A JPH03239786A JP3365290A JP3365290A JPH03239786A JP H03239786 A JPH03239786 A JP H03239786A JP 3365290 A JP3365290 A JP 3365290A JP 3365290 A JP3365290 A JP 3365290A JP H03239786 A JPH03239786 A JP H03239786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- reflective material
- adhesive
- photomultiplier tube
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、例えばＸ線断層撮影装置（Ｘ線ＣＴＬ陽電子
放出１１ｉ種断層撮影装置（ポジトロンＣＴ）のような
放射線医療診断装置や高エネルギ物理学に用いられる放
射線検出器に関するちのである。
放出１１ｉ種断層撮影装置（ポジトロンＣＴ）のような
放射線医療診断装置や高エネルギ物理学に用いられる放
射線検出器に関するちのである。
放射線検出器のひとつに、光電子増倍管にシンチレータ
としてＢｉ４ＧｅｘＯ４結晶（以下ｒＢＧｏ結晶」とい
う）を接合したちのがある。ＢＧＯ結晶の表面には反射
材としてＢａ５Ｏ，粉末が塗布されている。シンチレー
ション光を光電子増倍管に効率良く伝達するためである
。 ポジトロンＣＴ用のＢＧＯ結晶は断層像の分解能を向上
するために次第に小型化され、第１図に示すように一つ
の光電子増倍管ｌ上に複数のＢＧＯ結晶チップ２１２１
・・を反射層１０を介して連結した構造がとられるよう
になった。このＢＧＯ結晶連結体２の表面には、光電子
増倍管１との接合面２ａを除いて反射層３が設けられて
いる。 ところが、反射層１０の反射材としてＢａ５Ｏ，を用い
ると、ＢａＳＯ４は粉末であるために各チップ２、・２
□・・・間の接着力がなく、検出器を構成したときにわ
ずかの振動で壊れるという問題があった。
としてＢｉ４ＧｅｘＯ４結晶（以下ｒＢＧｏ結晶」とい
う）を接合したちのがある。ＢＧＯ結晶の表面には反射
材としてＢａ５Ｏ，粉末が塗布されている。シンチレー
ション光を光電子増倍管に効率良く伝達するためである
。 ポジトロンＣＴ用のＢＧＯ結晶は断層像の分解能を向上
するために次第に小型化され、第１図に示すように一つ
の光電子増倍管ｌ上に複数のＢＧＯ結晶チップ２１２１
・・を反射層１０を介して連結した構造がとられるよう
になった。このＢＧＯ結晶連結体２の表面には、光電子
増倍管１との接合面２ａを除いて反射層３が設けられて
いる。 ところが、反射層１０の反射材としてＢａ５Ｏ，を用い
ると、ＢａＳＯ４は粉末であるために各チップ２、・２
□・・・間の接着力がなく、検出器を構成したときにわ
ずかの振動で壊れるという問題があった。
本発明は上記の問題を解決するためなされたもので、シ
ンチレーション光の伝達効率が高く１反射材の反射特性
や接着性が優れ、製造が容易なシンチレータおよび放射
線検出器を提供することを目的とする。
ンチレーション光の伝達効率が高く１反射材の反射特性
や接着性が優れ、製造が容易なシンチレータおよび放射
線検出器を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために本発明者らは、放射線検出
器の反射層を構成する反射材および接着剤について種々
の検討を行なった。反射材には結晶のシンチレーション
である４８０ｎ＋＋＋付近の１反射能力が大きいことと
、反射材同士やＢＧＯ結晶への密着性が高く、その厚さ
はできるだけ薄いことが求められる。反射材を接着する
接着剤としては、反射材をＢＧＯ結晶に十分に接着でき
、シンチレーション光を吸収しないことが必要である。 その結果、反射材としてポリテトラフルオロエチレン製
のテープ（テフロンテープ）、接着剤としてはシアナミ
ド系の瞬間接着剤が上記の条件に合致することを見出し
、本発明を完成するに至りた。 即ち２本発明の第１発明であるシンチレータは、実施例
に対応する第１図に示すようにＢＧＯ結晶２のシンチレ
ーション光の出射面２ａ以外の表面に反射層３が設けら
れ、反射層３のうち一面または複数面が波長４８０ｎｍ
における光線反射率が少なくとも９０％の反射材薄片１
１およびその反射材薄片１１を固定する接着剤で構成さ
れている。 第２発明のシンチレータは、複数のＢＧＯ結晶チップ２
１２１・・が波長４８０ｎｍにおける光線反射率が少な
くとも９０％の反射材薄片１１ｉ３よびその反射材薄片
１１を固定する接着剤からなる層を介して連結された連
結体である。そのシンチレーション光の出射面２ａ以外
の表面には反射層３が設けられている。 本発明の第３発明はシンチレータを用いた放射線検出器
であり、光電子増倍管ｌと、光電子増倍管ｌの入射窓１
ａに接合するＢＧＯ結晶２と、該結晶２の光電子増倍管
ｌとの接合面２ａ以外の面に設けられた反射層３とを有
している。反射層３のうち−面または複数面が波長４８
０ｎ＋ｍにおける光線反射率が少なくとも９０％の反射
材薄片１１およびその反射材薄片を固定する接着剤で構
成されている。 第４発明のシンチレータを用いた放射線検出器は、光電
子増倍管ｌと、光電子増倍管ｌの入射窓ｌａに接合する
ＢＧＯ結晶２と、結晶２の光電子増倍管ｌとの接合面１
ａ以外の面に設けられた反射層３とを有している。ＢＧ
Ｏ結晶２は複数のＢＧＯ結晶チップ２．・２１・・を波
長４８０ｎｍにおける光線反射率が少なくとも９０％の
反射材薄片１１およびその反射材薄片１１を固定する接
着剤からなる層を介して連結された連結体である。 反射材薄片としては例えばポリテトラフルオロエチレン
テープを用いることが望ましい。反射材薄片１１の固定
にはシアナミド系の接着剤が好適である。シアナミド系
の接着剤は、例えば東亜合成化学■製のアロンアルファ
（商標）が使用可能である。 なお、反射材薄片の厚さは少なくとも２００ ｕｍであ
ることが望ましい。２０１１１ ｇ＋＋＋未満の場合は
十分な遮光効果が得られない。また、波長４８０ｎａ＋
における光線反射率が９０％未満のときは光電子増倍管
ｌへのシンチレーション光の伝達が不十分になり、検出
装置の精度が低下する。
器の反射層を構成する反射材および接着剤について種々
の検討を行なった。反射材には結晶のシンチレーション
である４８０ｎ＋＋＋付近の１反射能力が大きいことと
、反射材同士やＢＧＯ結晶への密着性が高く、その厚さ
はできるだけ薄いことが求められる。反射材を接着する
接着剤としては、反射材をＢＧＯ結晶に十分に接着でき
、シンチレーション光を吸収しないことが必要である。 その結果、反射材としてポリテトラフルオロエチレン製
のテープ（テフロンテープ）、接着剤としてはシアナミ
ド系の瞬間接着剤が上記の条件に合致することを見出し
、本発明を完成するに至りた。 即ち２本発明の第１発明であるシンチレータは、実施例
に対応する第１図に示すようにＢＧＯ結晶２のシンチレ
ーション光の出射面２ａ以外の表面に反射層３が設けら
れ、反射層３のうち一面または複数面が波長４８０ｎｍ
における光線反射率が少なくとも９０％の反射材薄片１
１およびその反射材薄片１１を固定する接着剤で構成さ
れている。 第２発明のシンチレータは、複数のＢＧＯ結晶チップ２
１２１・・が波長４８０ｎｍにおける光線反射率が少な
くとも９０％の反射材薄片１１ｉ３よびその反射材薄片
１１を固定する接着剤からなる層を介して連結された連
結体である。そのシンチレーション光の出射面２ａ以外
の表面には反射層３が設けられている。 本発明の第３発明はシンチレータを用いた放射線検出器
であり、光電子増倍管ｌと、光電子増倍管ｌの入射窓１
ａに接合するＢＧＯ結晶２と、該結晶２の光電子増倍管
ｌとの接合面２ａ以外の面に設けられた反射層３とを有
している。反射層３のうち−面または複数面が波長４８
０ｎ＋ｍにおける光線反射率が少なくとも９０％の反射
材薄片１１およびその反射材薄片を固定する接着剤で構
成されている。 第４発明のシンチレータを用いた放射線検出器は、光電
子増倍管ｌと、光電子増倍管ｌの入射窓ｌａに接合する
ＢＧＯ結晶２と、結晶２の光電子増倍管ｌとの接合面１
ａ以外の面に設けられた反射層３とを有している。ＢＧ
Ｏ結晶２は複数のＢＧＯ結晶チップ２．・２１・・を波
長４８０ｎｍにおける光線反射率が少なくとも９０％の
反射材薄片１１およびその反射材薄片１１を固定する接
着剤からなる層を介して連結された連結体である。 反射材薄片としては例えばポリテトラフルオロエチレン
テープを用いることが望ましい。反射材薄片１１の固定
にはシアナミド系の接着剤が好適である。シアナミド系
の接着剤は、例えば東亜合成化学■製のアロンアルファ
（商標）が使用可能である。 なお、反射材薄片の厚さは少なくとも２００ ｕｍであ
ることが望ましい。２０１１１ ｇ＋＋＋未満の場合は
十分な遮光効果が得られない。また、波長４８０ｎａ＋
における光線反射率が９０％未満のときは光電子増倍管
ｌへのシンチレーション光の伝達が不十分になり、検出
装置の精度が低下する。
第１発明のシンチレータは１反射層３の反射材として波
長４８０ｎｍにおける光線反射率が９０％以上の反射材
薄片を用いており、反射層３が脱落することがない。こ
のシンチレータを用いた第３発明の放射線検出器は、Ｂ
ＧＯ結晶２内で発生したシンチレーション光が最大限に
光電子増倍管１へ伝達され、光電子増倍管ｌに達する光
子数が多く、エネルギ分解能が優れている。 また、第２発明のシンチレータおよびそのシンチレータ
を用いた第４発明の放射線検出器は、ＢＧＯ結晶のチッ
プ２１・２１・・が反射材薄片１１と接着剤とによって
連結されており、前述した作用に加え、それらの連結構
造が崩れることはない。
長４８０ｎｍにおける光線反射率が９０％以上の反射材
薄片を用いており、反射層３が脱落することがない。こ
のシンチレータを用いた第３発明の放射線検出器は、Ｂ
ＧＯ結晶２内で発生したシンチレーション光が最大限に
光電子増倍管１へ伝達され、光電子増倍管ｌに達する光
子数が多く、エネルギ分解能が優れている。 また、第２発明のシンチレータおよびそのシンチレータ
を用いた第４発明の放射線検出器は、ＢＧＯ結晶のチッ
プ２１・２１・・が反射材薄片１１と接着剤とによって
連結されており、前述した作用に加え、それらの連結構
造が崩れることはない。
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明を適用するシンチレータおよび放射線検
出器の実施例を示す斜視図である。同図において、ｌは
光電子増倍管、２は光電子増倍管１の入射窓１ａに光学
的に接合された直方体のＢＧＯ結晶である。ＢＧＯ結晶
２は、薄板状のＢＧＯ結晶チップ２１・２１・・を、テ
フロンテープおよびシアナミド系接着剤からなる反射層
１１を介して交互に重ね合わせて連結したものである。 ＢＧＯ結晶２の光電子増倍管１との接合面２ａ。 即ちシンチレーション光の出射面を除く五つの面には、
反射層３がシアナミド系の接着剤で接着されている。 本発明の実験例は以下の通りである。 内周切断器を用いて５ Ｘ １２Ｘ ３０ｍｍに切り出
したＢＧＯ結晶の全ての面（６面）にＧＣ＃１０００の
砥粒で研磨加工を施す、さらに５ Ｘ １２ｍｍの面の
うち光電子増倍管ｌと接合する出射面２ａを除いて鏡面
に仕上げ、ＢＧＯ結晶チップを得る。 得られたチップの１２Ｘ３０１１１１１の面に１反射材
１１としてテフロンテープをシアナミド系の接着剤で接
着してシンチレータを作成し、そのエネルギー分解能お
よび発光量を第２図に示す測定系を使用して測定した。 また、比較のため同サイズのチップにＢａ５Ｏ，粉末を
塗布したシンチレータを作成し同様の測定を行なった。 この測定系は、シンチレータ２にγＩ！４を照射して発
生した光を光電子増倍管ｌで受けて前置増幅器５と増幅
器６で増幅した後、計数器（マルチチャンネルアナライ
ザ）７で発生した光子数を計数するものである。なお符
号８は電源である。 ここでエネルギ分解能は第３図に示すように、γ線４の
入射によって生じたパルス波高値を横軸にとり、入射し
たγ１ｉ１４の数を縦軸にとって、入射した７４１１個
に対して生じたパルス波高値をプロットし、得られたピ
ークにおけるパルス波高値Ｅとそのピークの半値幅ΔＥ
より次式によって算出される。 エネルギ分解能＝ΔＥ／Ｅ （％） エネルギ分解能が小さいほどγ線検出器としての分解能
が高いものとして取扱われる。 第４図にテフロンテープと １ＢｓＯ４扮末反射材との
エネルギー分解能および発光量を示す。この結果によれ
ば、エネルギー分解能、発光量ともテフロンテープを用
いたシンチレータの方が優れていた。 次に反射層の厚さを変えたときのシンチレーション光の
漏れを第５図に示す試験装置を用いて測定し、テフロン
テープ１１の必要な厚さを検討した。この試験装置は第
２図に示した測定系を用い、ＢＧＯ結晶２のかわりに、
二片のＢＧＯ結晶チップ２１・２２を連結したＢＧＯ結
晶ブロックを光電子増倍管ｌ （浜松ホトニクス社製、
Ｒ−１３０６１に接合したものである。ＢＧＯ結晶チッ
プ２１・２２同士は反射層２３を介して貼り合わされ、
光電子増倍管ｌへの接合面以外の外周にも反射層が設け
られている。チップ２１と光電子増倍管ｌとの間は、黒
色の遮光紙２４で遮蔽されている。 γ線源（Ｃｓ−１３７）から鉛の遮蔽ブロック２５の孔
を通してＢＧＯ結晶チップ２１のみにγ線４を入射させ
ると、チップ２１に発生したシンチレーション光は反射
層２３およびチップ２２を経て光電子増倍管ｌで検出さ
れる。チップ２１と光電子増倍管１間は遮光されており
、チップ２１のシンチレーション光が光電子増倍管ｌに
直接入射することはない。このときの発光光子の数をマ
ルチチャンネルアナライザ７によりｌロロ〜１０００チ
ャンネルまで６０秒間積算する（第６図参照）。 反射層２３に反射材としｔテフロンテープ、Ｂａ５Ｏ，
粉末を用いたところ、第１表の結果が得られた。 第 １ 表 上記の結果によれば、テフロンテープの厚さが２００μ
ｍ以上であれば、従来から用いられてきたＢａＳＯ４粉
末の反射材４００μｍ相当の遮光効果があることがわか
る。 上記の各測定で用いたＢＧＯ結晶のチップ２１２２・・
を８個用意し、第１図のように厚さ４０（ｌＩＩｍのテ
フロンテープとシアナミド系の接着剤（東亜合成化学■
製、アロンアルファ）からなる反射層１１を介して貼り
合わせて４３Ｘ １２Ｘ ３０ｍｍのＢＧＯ結晶ブロッ
ク２を作成する。その鏡面加工された五つの面にＢａＳ
Ｏ４扮末Ｉ Ｋｇ、水５（ｌ［）ｇ、２．６％ポリビニ
ルアルコール水溶液６０ｇよりなる分散液と、アクリル
系樹脂（日本ペイント■製、ニラペイホームペイント）
とをｌ：１の容積比で混合した混合液をスプレーガンで
塗装し、厚さ４００１の反射層３を設け、４４Ｘ １２
．５Ｘ ３０ｎ＋ｇのＢＧＯ結晶ブロック２を作成した
。その鏡面加工面を光電子増倍管ｌに接合すれば本発明
の放射線検出器が完成する。 このＢＧＯ結晶ブロック２は各ＢＧＯ結晶チップ２１２
１・・が貼り合わされているため、形状が充分に保持さ
れている。そのため、通常のハンドリングによる光電子
増倍管ｌへの接合、組み立ては従来品と比較して容易で
あった。 なお上記した実施例ではＢＧＯ結晶外周の反射材３とし
てＢａ５Ｏ＜を使用したが、テフロンテープを用いても
良い；
出器の実施例を示す斜視図である。同図において、ｌは
光電子増倍管、２は光電子増倍管１の入射窓１ａに光学
的に接合された直方体のＢＧＯ結晶である。ＢＧＯ結晶
２は、薄板状のＢＧＯ結晶チップ２１・２１・・を、テ
フロンテープおよびシアナミド系接着剤からなる反射層
１１を介して交互に重ね合わせて連結したものである。 ＢＧＯ結晶２の光電子増倍管１との接合面２ａ。 即ちシンチレーション光の出射面を除く五つの面には、
反射層３がシアナミド系の接着剤で接着されている。 本発明の実験例は以下の通りである。 内周切断器を用いて５ Ｘ １２Ｘ ３０ｍｍに切り出
したＢＧＯ結晶の全ての面（６面）にＧＣ＃１０００の
砥粒で研磨加工を施す、さらに５ Ｘ １２ｍｍの面の
うち光電子増倍管ｌと接合する出射面２ａを除いて鏡面
に仕上げ、ＢＧＯ結晶チップを得る。 得られたチップの１２Ｘ３０１１１１１の面に１反射材
１１としてテフロンテープをシアナミド系の接着剤で接
着してシンチレータを作成し、そのエネルギー分解能お
よび発光量を第２図に示す測定系を使用して測定した。 また、比較のため同サイズのチップにＢａ５Ｏ，粉末を
塗布したシンチレータを作成し同様の測定を行なった。 この測定系は、シンチレータ２にγＩ！４を照射して発
生した光を光電子増倍管ｌで受けて前置増幅器５と増幅
器６で増幅した後、計数器（マルチチャンネルアナライ
ザ）７で発生した光子数を計数するものである。なお符
号８は電源である。 ここでエネルギ分解能は第３図に示すように、γ線４の
入射によって生じたパルス波高値を横軸にとり、入射し
たγ１ｉ１４の数を縦軸にとって、入射した７４１１個
に対して生じたパルス波高値をプロットし、得られたピ
ークにおけるパルス波高値Ｅとそのピークの半値幅ΔＥ
より次式によって算出される。 エネルギ分解能＝ΔＥ／Ｅ （％） エネルギ分解能が小さいほどγ線検出器としての分解能
が高いものとして取扱われる。 第４図にテフロンテープと １ＢｓＯ４扮末反射材との
エネルギー分解能および発光量を示す。この結果によれ
ば、エネルギー分解能、発光量ともテフロンテープを用
いたシンチレータの方が優れていた。 次に反射層の厚さを変えたときのシンチレーション光の
漏れを第５図に示す試験装置を用いて測定し、テフロン
テープ１１の必要な厚さを検討した。この試験装置は第
２図に示した測定系を用い、ＢＧＯ結晶２のかわりに、
二片のＢＧＯ結晶チップ２１・２２を連結したＢＧＯ結
晶ブロックを光電子増倍管ｌ （浜松ホトニクス社製、
Ｒ−１３０６１に接合したものである。ＢＧＯ結晶チッ
プ２１・２２同士は反射層２３を介して貼り合わされ、
光電子増倍管ｌへの接合面以外の外周にも反射層が設け
られている。チップ２１と光電子増倍管ｌとの間は、黒
色の遮光紙２４で遮蔽されている。 γ線源（Ｃｓ−１３７）から鉛の遮蔽ブロック２５の孔
を通してＢＧＯ結晶チップ２１のみにγ線４を入射させ
ると、チップ２１に発生したシンチレーション光は反射
層２３およびチップ２２を経て光電子増倍管ｌで検出さ
れる。チップ２１と光電子増倍管１間は遮光されており
、チップ２１のシンチレーション光が光電子増倍管ｌに
直接入射することはない。このときの発光光子の数をマ
ルチチャンネルアナライザ７によりｌロロ〜１０００チ
ャンネルまで６０秒間積算する（第６図参照）。 反射層２３に反射材としｔテフロンテープ、Ｂａ５Ｏ，
粉末を用いたところ、第１表の結果が得られた。 第 １ 表 上記の結果によれば、テフロンテープの厚さが２００μ
ｍ以上であれば、従来から用いられてきたＢａＳＯ４粉
末の反射材４００μｍ相当の遮光効果があることがわか
る。 上記の各測定で用いたＢＧＯ結晶のチップ２１２２・・
を８個用意し、第１図のように厚さ４０（ｌＩＩｍのテ
フロンテープとシアナミド系の接着剤（東亜合成化学■
製、アロンアルファ）からなる反射層１１を介して貼り
合わせて４３Ｘ １２Ｘ ３０ｍｍのＢＧＯ結晶ブロッ
ク２を作成する。その鏡面加工された五つの面にＢａＳ
Ｏ４扮末Ｉ Ｋｇ、水５（ｌ［）ｇ、２．６％ポリビニ
ルアルコール水溶液６０ｇよりなる分散液と、アクリル
系樹脂（日本ペイント■製、ニラペイホームペイント）
とをｌ：１の容積比で混合した混合液をスプレーガンで
塗装し、厚さ４００１の反射層３を設け、４４Ｘ １２
．５Ｘ ３０ｎ＋ｇのＢＧＯ結晶ブロック２を作成した
。その鏡面加工面を光電子増倍管ｌに接合すれば本発明
の放射線検出器が完成する。 このＢＧＯ結晶ブロック２は各ＢＧＯ結晶チップ２１２
１・・が貼り合わされているため、形状が充分に保持さ
れている。そのため、通常のハンドリングによる光電子
増倍管ｌへの接合、組み立ては従来品と比較して容易で
あった。 なお上記した実施例ではＢＧＯ結晶外周の反射材３とし
てＢａ５Ｏ＜を使用したが、テフロンテープを用いても
良い；
以上説明したように、本発明を適用するシンチレータは
、ＢＧＯ結晶の反射材としてポリテトラフルオロエチレ
ン製のテープを用いており、発生したシンチレーション
光の伝達効率が高い。そのため、このシンチレータを用
いた放射線検出器は、エネルギ分解能を小さくして安定
させることができ、高精度で放射線を検出することがで
きる。またＢＧＯ結晶のチップは互いに接着されている
ために、光電子増倍管への組立てが容易である。
、ＢＧＯ結晶の反射材としてポリテトラフルオロエチレ
ン製のテープを用いており、発生したシンチレーション
光の伝達効率が高い。そのため、このシンチレータを用
いた放射線検出器は、エネルギ分解能を小さくして安定
させることができ、高精度で放射線を検出することがで
きる。またＢＧＯ結晶のチップは互いに接着されている
ために、光電子増倍管への組立てが容易である。
第１図は本発明の実施例を示す斜視図、第２図は測定系
を示すブロック図、第３図は入射したγ綿の数とγ線に
よって生じたパルス波高値を示す特性図、第４図は反射
材の発光量とエネルギ分解能の関係を示す特性図、第５
図は遮光性試験装置の概略図、第６図は光子数の測定結
果を示す図である。 ｌ・・・光電子増倍管 ２・・・ＢＧＯ結晶２１２
□・・・ＢＧＯ結晶チップ ３・・・反射層 ４・・・γ線１１・・・テ
フロンテープ
を示すブロック図、第３図は入射したγ綿の数とγ線に
よって生じたパルス波高値を示す特性図、第４図は反射
材の発光量とエネルギ分解能の関係を示す特性図、第５
図は遮光性試験装置の概略図、第６図は光子数の測定結
果を示す図である。 ｌ・・・光電子増倍管 ２・・・ＢＧＯ結晶２１２
□・・・ＢＧＯ結晶チップ ３・・・反射層 ４・・・γ線１１・・・テ
フロンテープ
Claims (10)
- １．Ｂｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿１＿２結晶のシンチレーショ
ン光の出射面以外の表面に反射層が設けられ、前記反射
層のうち一面または複数面が波長４８０ｎｍにおける光
線反射率が少なくとも９０％の反射材薄片およびその反
射材薄片を固定する接着剤で構成されていることを特徴
とするシンチレータ。 - ２．複数のＢｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿１＿２結晶チップが波
長４８０ｎｍにおける光線反射率が少なくとも９０％の
反射材薄片およびその反射材薄片を固定する接着剤から
なる層を介して連結され、シンチレーシヨン光の出射面
以外の表面に反射層が設けられていることを特徴とする
シンチレータ。 - ３．前記反射材薄片がポリテトラフルオロエチレンテー
プであることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載のシンチレータ。 - ４．前記反射材薄片の厚さが少なくとも２００ｎｍであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
記載のシンチレータ。 - ５．前記接着剤がシアナミド系の接着剤であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載のシン
チレータ。 - ６．光電子増倍管と、光電子増倍管の入射窓に接合する
Ｂｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿１＿２結晶と、該結晶の光電子増
倍管との接合面以外の面に設けられた反射層とを有する
放射線検出器において、前記反射層のうち一面または複
数面が波長４８０ｎｍにおける光線反射率が少なくとも
９０％の反射材薄片およびその反射材薄片を固定する接
着剤で構成されていることを特徴とするシンチレータを
用いた放射線検出器。 - ７．光電子増倍管と、光電子増倍管の入射窓に接合する
Ｂｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿１＿２結晶と、該結晶の光電子増
倍管との接合面以外の面に設けられた反射層とを有する
放射線検出器において．前記Ｂｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿１＿
２結晶が複数のＢｉ＿４Ｇｅ＿３Ｏ＿１＿２結晶チップ
を波長４８０ｎｍにおける光線反射率が少なくとも９０
％の反射材薄片およびその反射材薄片を固定する接着剤
からなる層を介して連結された連結体であることを特徴
とするシンチレータを用いた放射線検出器。 - ８．前記反射材薄片がポリテトラフルオロエチレンテ
ープであることを特徴とする特許請求の範囲第６項また
は第７項記載のシンチレータを用いた放射線検出器。 - ９．前記反射材薄片の厚さが少なくとも２００μｍで
あることを特徴とする特許請求の範囲第６項または第７
項記載のシンチレータを用いた放射線検出器。 - １０．前記接着剤がシアナミド系の接着剤であること
を特徴とする特許請求の範囲第６項または第７項記載の
シンチレータを用いた放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3365290A JPH03239786A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | シンチレータおよびシンチレータを用いた放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3365290A JPH03239786A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | シンチレータおよびシンチレータを用いた放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239786A true JPH03239786A (ja) | 1991-10-25 |
Family
ID=12392378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3365290A Pending JPH03239786A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | シンチレータおよびシンチレータを用いた放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03239786A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009025258A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| JP2012013460A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Horiba Ltd | 放射線検出器 |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP3365290A patent/JPH03239786A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009025258A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| JP2012013460A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Horiba Ltd | 放射線検出器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102239425B (zh) | 闪烁分离器 | |
| CN101855576B (zh) | 用于成像设备的闪烁体、闪烁体模块、带有这种闪烁体的成像设备和制造闪烁体的方法 | |
| US8399842B2 (en) | Digital radiographic detector with bonded phosphor layer | |
| JP3332200B2 (ja) | Ｘ線ｃｔ用放射線検出器 | |
| US4317037A (en) | Radiation detection apparatus | |
| CN102576086B (zh) | 闪烁探测器组件 | |
| JP2918003B2 (ja) | 放射線検出器用シンチレータブロック | |
| US7138633B1 (en) | Apparatus employing a filtered scintillator and method of using same | |
| US4720426A (en) | Reflective coating for solid-state scintillator bar | |
| JPH02266287A (ja) | 放射線検出器 | |
| US8399841B2 (en) | Digital radiographic detector with bonded phosphor layer | |
| CN211043685U (zh) | 基于gagg闪烁体的阵列式核辐射探测器 | |
| US6459085B1 (en) | Depth of interaction system in nuclear imaging | |
| CN114236592B (zh) | 组合式成像探测器模块及其制备方法和成像设备 | |
| US9869778B2 (en) | Digital radiography detector | |
| JPWO2016167334A1 (ja) | 放射線像変換スクリーン、フラットパネルディテクタ、放射線検出装置、及びシンチレータ | |
| JPH0587935A (ja) | 放射線測定装置 | |
| JP2000235078A (ja) | 放射線検出用構造体と、それを用いた放射線検出器および放射線検査装置 | |
| CN113031044B (zh) | 用于辐射检查的探测器及探测装置 | |
| JPH03239785A (ja) | シンチレータ、シンチレータの加工方法及びシンチレータを用いた放射線検出器 | |
| CN114190959A (zh) | 一种探测模块及装置 | |
| JPH03238387A (ja) | 放射線検出器 | |
| CN108663705B (zh) | 复合晶体的包覆方法及复合晶体探测器 | |
| JPS5888685A (ja) | 放射線検出器 | |
| CN217133005U (zh) | 一种多模式的康普顿成像检测装置 |