JPH03240022A - Plzt光デバイスの駆動電圧制御装置 - Google Patents

Plzt光デバイスの駆動電圧制御装置

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JPH03240022A
JPH03240022A JP3700590A JP3700590A JPH03240022A JP H03240022 A JPH03240022 A JP H03240022A JP 3700590 A JP3700590 A JP 3700590A JP 3700590 A JP3700590 A JP 3700590A JP H03240022 A JPH03240022 A JP H03240022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plzt
temperature sensor
temperature
voltage
drive voltage
Prior art date
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Pending
Application number
JP3700590A
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English (en)
Inventor
Toshihiko Hayashi
敏彦 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu General Ltd
Original Assignee
Fujitsu General Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu General Ltd filed Critical Fujitsu General Ltd
Priority to JP3700590A priority Critical patent/JPH03240022A/ja
Publication of JPH03240022A publication Critical patent/JPH03240022A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明はPLZTデイスプレィ、PLZT光スイッチな
どのPLZT光デバイスにおける駆動電圧制御装置に関
するものである。
r[来の技術」 PLZT光デバイスはPLZT基板に所定間隔で電極を
設け、相対する電極間に電圧を印加することにより光の
透過率を制御してデイスプレィや光スィッチとして用い
るものである。
[発明が解決しようとする課題」 しかるに、このPLZT光デバイスは温度が上昇すると
半波長電圧(光の透過量が最大になる電圧)が上昇する
例えばPLZT基板を構成するLa(ランタン)。
P b Z r Os (ジルコン酸鉛)、PbTi0
.(チタン酸鉛)の配合比をX/65/35とした場合
において、x=7.s、 a、o、 a、s、 9.0
のときの特性図が第3図に示すように温度の上昇に伴い
半波長電圧が上昇する。
温度の上昇の原因には動作時のPLZT基板自体の発熱
、PLZT光デバイスのバックライトの発熱、囲りの温
度の上昇などがあり、これらの温度の変化により半波長
電圧が変化して色むらが発生し、画質の低下になるとい
う問題があった。
本発明は温度の変化が生じても画質の低下をしない装置
を得ることを目的とするものである。
「課題を解決するための手段」 本発明はPLZT基板に複数の電極を設け、相対向する
電極間に、電源回路および駆動回路を介して駆動電圧を
印加することにより光の透過率を制御してなるPLZT
光デバイスにおいて、前記PLZT基板に、温度を検出
して前記駆動回路の駆動電圧を制御する温度センサーを
設けてなるものである。
「作用」 温度センサーとして例えば温度の上昇に応じて抵抗値の
下るサーミスタを用い、このサーミスタを駆動回路と各
画素の電極との間に直列に挿入する。すると、温度の上
昇に伴いサーミスタも抵抗値が下り、このサーミスタで
の電位差が小さくなった分だけ、画素に印加する半波長
電圧が上昇する。
すなわち、駆動回路の出力電圧が一定でも半波長電圧は
温度に応じて変化する。したがって、PLZT光デバイ
スの光の透過量は温度の変化に拘らず一定となる。
「実施例」 以下2本発明の一実施例を図面に基き説明する。
第1図において、(1)はPLZT基板で、このPLZ
T基板(1)には例えばくし形の1対の電極(2)(3
)が形成されて1画素(4)が構成されている。
この画素(4)はPLZT基板(1)上に縦横に多数形
成されてデイスプレィや光スィッチとなる。
前記1対の電極(2) (3)で構成された1画素(4
)毎に、温度センサー(5)を設け、一方の電極(3)
はこの温度センサー(5)を直列に介在し、また、他方
電極(2)は直接、駆動回路(6)に結合され、さらに
電源回路(7)に結合されている。
前記温度センサー(5)には、具体的には第4図に示す
ように、温度の上昇に反比例して抵抗値が下降する負特
性サーミスタが用いられる。
このような構成において、電源回jil(7)からの電
源が駆動回路(6)で所定の電圧に調整されて一定の直
流電圧を出力する。この電圧が電極(2) (3)間に
印加されて光の透過量を制御する。このとき、電極(2
) (3)間で電位差を生じるとともに、温度センサー
(5)でも電位差を生じる。しかるに、PLZT基板(
1)が何らかの原因で温度が上昇したものとすると、温
度センサー(5)がそれを検出し。
この温度センサー(5)での電位差が下降する。
駆動回路(6)の出力電圧は常に一定であるから、温度
センサー(5)での電位差の下降分だけ、電極(2) 
(3)間での電位差を上昇させる。すなわち、温度の上
昇に伴って半波長電圧が上昇する。PLZT基板(1)
の温度が下降したときは同様にして半波長電圧も下降す
る。したがって、温度変化に拘らず一定の光透過量とな
る。
第1図の実施例では1画素毎に温度センサー(4)を挿
入し、駆動回路(6)の出力電圧は常に一定とした例を
示した。しかし、これに限られるものではなく、第2図
に示すように、多数の画素(4)・・・で構成されるP
LZTデイスプレィ(8)に1または複数個の温度セン
サー(5)を設け、この温度センサー(5)とトランジ
スタ(9)と可変抵抗(10)とで電圧制御回路(11
)を形成し、これを電源回路(7)と駆動回路(6)の
間に挿入するようにしてもよい。
このような構成において、温度の上昇で温度センサー(
5)の抵抗値が下降すると、電圧回路(7)からの電圧
を電圧制御回路(11)にて上昇させて駆動回路(6)
へ送り、したがって、この駆動回路(6)の出力電圧も
上昇し、各画素(4)・・・の電極に印加する。
第1図および第2図の実施例では温度センサー(5)で
電位差を生じさせるようにしたので、この温度センサー
(5)が負荷となって余分な消費電力を生じさせる。
そこで、電源回路(7)を、インバータによるスイッチ
ング電源とし、温度センサー(5)で得られた信号でパ
ルス幅制御し、その後に直流電圧に変換して出力するよ
うにすれば余分な消費電力を減少させることができる。
「発明の効果」 本発明は上述のように構成したので、温度の変化に伴っ
てPLZT光デバイスの半波長電圧を制御し、常に一定
の光の透過量とすることができ、画質の低下を防止でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるPLZT光デバイスの駆動電圧制
御装置の第1実施例のブロック図、第2図は本発明の第
2実施例のブロック図、第3図はPLZTの温度特性図
、第4図は温度センサーの温度特性図である。 (1)・P L Z T基板、 (2)(3)−・・電
極、(41−・画素、(5)・・・温度センサー、(6
)・・・駆動回路、(7)・・・電源回路、(8)・・
・PLZTデイスプレィ、(9)・・・トランジスタ、
(lO)・・・可変抵抗、(11)・・・電圧制御回路
。 第 図 」 j%度(’C)−一÷

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)PLZT基板に複数の電極を設け、相対向する電
    極間に、電源回路および駆動回路を介して駆動電圧を印
    加することにより光の透過率を制御してなるPLZT光
    デバイスにおいて、前記PLZT基板に、温度を検出し
    て前記駆動回路の駆動電圧を制御する温度センサーを設
    けてなることを特徴とするPLZT光デバイスの駆動電
    圧制御装置。
  2. (2)温度センサーは負特性のサーミスタからなり、各
    画素と駆動回路との間に直列に挿入してなる請求項(1
    )記載のPLZT光デバイスの駆動電圧制御装置。
  3. (3)温度センサーは負特性サーミスタからなり、複数
    の画素につき1個を各画素と独立して設け、この温度セ
    ンサーで電源電圧を制御するようにした請求項(1)記
    載のPLZT光デバイスの駆動電圧制御装置。
JP3700590A 1990-02-17 1990-02-17 Plzt光デバイスの駆動電圧制御装置 Pending JPH03240022A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007003949A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光デバイス

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5282444A (en) * 1975-12-29 1977-07-09 Seiko Epson Corp Electrochromic display unit
JPS5810717A (ja) * 1981-07-13 1983-01-21 Ricoh Co Ltd 光シヤツタ

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