JPH0324295Y2 - - Google Patents
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- JPH0324295Y2 JPH0324295Y2 JP17280085U JP17280085U JPH0324295Y2 JP H0324295 Y2 JPH0324295 Y2 JP H0324295Y2 JP 17280085 U JP17280085 U JP 17280085U JP 17280085 U JP17280085 U JP 17280085U JP H0324295 Y2 JPH0324295 Y2 JP H0324295Y2
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Landscapes
- Arc Welding In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は、プラズマ切断用トーチの改良に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
プラズマ切断は、プラズマアークの切断作用を
利用して、鋼材、アルミ、銅板等の高速切断を行
うものであるが、このプラズマ切断を手動操作に
より行う際には、従来より、第6図〜第8図に示
したようなプラズマ切断用トーチA′が使用され
る。
利用して、鋼材、アルミ、銅板等の高速切断を行
うものであるが、このプラズマ切断を手動操作に
より行う際には、従来より、第6図〜第8図に示
したようなプラズマ切断用トーチA′が使用され
る。
すなわち、このプラズマ切断用トーチA′は、
トーチ本体1の先端で、プラズマアークを発生す
る構造をなすもので、トーチ本体1は、ガス導管
3をエポキシ樹脂等の絶縁性素材で被覆して形成
されている。
トーチ本体1の先端で、プラズマアークを発生す
る構造をなすもので、トーチ本体1は、ガス導管
3をエポキシ樹脂等の絶縁性素材で被覆して形成
されている。
ガス導管3は、導電性素材で形成されており、
作動ガスの通路を構成するとともに、切断電流及
び高周波電流の通電路を構成している。
作動ガスの通路を構成するとともに、切断電流及
び高周波電流の通電路を構成している。
そして、ガス導管3の先端部には、真鍮などの
熱伝導性の良好な合金で製された円筒状の導電性
接続部4が形成されており、この導電性接続部4
の外周には螺子部40が形成されている。
熱伝導性の良好な合金で製された円筒状の導電性
接続部4が形成されており、この導電性接続部4
の外周には螺子部40が形成されている。
また、導電性接続部4の中心部には、ガス導管
3に通じる配流部材41が設けられており、この
配流部材41の挿通孔41aの外周には複数の連
通路14bが軸方向に形成されている。
3に通じる配流部材41が設けられており、この
配流部材41の挿通孔41aの外周には複数の連
通路14bが軸方向に形成されている。
6は、電極5の先端に設けられたガスデストリ
ビユータであり、電極5の突出極部5aを挿入す
る孔6aを有している。このデストリビユータ6
は径方向に貫通する複数の貫通孔6bを有してい
る。ガス導管3より導出された作動ガスの一部
は、挿通孔41aから貫通孔41bを通り、チツ
プ7の冷却ガスとなり、そのままシールドカツプ
8の先端開口8bより放出されるが、他の一部は
ガスデストリビユータ6の配流孔6bを通り挿通
孔6a内に放出されて旋回流となり、チツプ7の
挿通孔7aよりプラズマアークの作動ガスとして
放出される。ガスデストリビユータ6の先端に
は、中央部に貫通孔7aが形成されたチツプ7が
電極5と所定間隙を保持し、その先端を覆うよう
にして設けられている。また、電極5は使用に伴
つて次第に消耗されていくので、交換する必要が
ある。このため、トーチA′の先端部は分解可能
な構造となつており、電極5にガスデストリビユ
ータ6、チツプ7を順に重ねてあり、シールドカ
ツプ8内面の螺子部81と導電接続部4の外周に
設けた螺子部40とを螺合させることによつて該
カツプ8をトーチ本体1側に取着する。そして、
シールドカツプ8の取着時には、これら各部品が
固定されるとともに部品間の接触により電気的接
続がなされるものである。なお、9は作動ガスの
漏れを防止するために設けた気密用Oリングであ
る。
ビユータであり、電極5の突出極部5aを挿入す
る孔6aを有している。このデストリビユータ6
は径方向に貫通する複数の貫通孔6bを有してい
る。ガス導管3より導出された作動ガスの一部
は、挿通孔41aから貫通孔41bを通り、チツ
プ7の冷却ガスとなり、そのままシールドカツプ
8の先端開口8bより放出されるが、他の一部は
ガスデストリビユータ6の配流孔6bを通り挿通
孔6a内に放出されて旋回流となり、チツプ7の
挿通孔7aよりプラズマアークの作動ガスとして
放出される。ガスデストリビユータ6の先端に
は、中央部に貫通孔7aが形成されたチツプ7が
電極5と所定間隙を保持し、その先端を覆うよう
にして設けられている。また、電極5は使用に伴
つて次第に消耗されていくので、交換する必要が
ある。このため、トーチA′の先端部は分解可能
な構造となつており、電極5にガスデストリビユ
ータ6、チツプ7を順に重ねてあり、シールドカ
ツプ8内面の螺子部81と導電接続部4の外周に
設けた螺子部40とを螺合させることによつて該
カツプ8をトーチ本体1側に取着する。そして、
シールドカツプ8の取着時には、これら各部品が
固定されるとともに部品間の接触により電気的接
続がなされるものである。なお、9は作動ガスの
漏れを防止するために設けた気密用Oリングであ
る。
このような構造のプラズマ切断用トーチA′で
は、シールドカツプ8の基部端縁8aとトーチ本
体1の絶縁層11の端縁11aとの間を完全に封
止してしまうことはできず、それらは幾らかの間
隙を有する。このため、プラズマアークの発生に
必要な高周波電圧に対する絶縁は、シールドカツ
プ8の内周とトーチ本体1の絶縁層11によつて
覆われた部分だけとなる。
は、シールドカツプ8の基部端縁8aとトーチ本
体1の絶縁層11の端縁11aとの間を完全に封
止してしまうことはできず、それらは幾らかの間
隙を有する。このため、プラズマアークの発生に
必要な高周波電圧に対する絶縁は、シールドカツ
プ8の内周とトーチ本体1の絶縁層11によつて
覆われた部分だけとなる。
したがつて、このままで使用すると、高周波の
漏れによる悪影響を生じるため、従来では、第6
図〜第8図に示したように、シリコンゴム等の弾
性絶縁物による円筒状絶縁カバー10をシールド
カツプ8の先端の方から嵌入してトーチ本体1に
装着し、絶縁カバー10の内面に形成された凸部
10aをトーチ本体1の溝11bに入れて固定し
て高周波の漏れを防止するようしていた。
漏れによる悪影響を生じるため、従来では、第6
図〜第8図に示したように、シリコンゴム等の弾
性絶縁物による円筒状絶縁カバー10をシールド
カツプ8の先端の方から嵌入してトーチ本体1に
装着し、絶縁カバー10の内面に形成された凸部
10aをトーチ本体1の溝11bに入れて固定し
て高周波の漏れを防止するようしていた。
また、従来のプラズマ切断用トーチA′におい
ては、導電性接続部4の内部に設けた配流部材4
1の挿通孔41aに挿嵌される電極5は、径大な
本体部5bの両端に径小な突出極部5a,5aを
設けた形状になつており、ガス導管3より導かれ
た作動ガスをトーチ先端に配流して導くようにし
ている。このため、配流部材41は、中央の挿通
孔41aの外周側に複数の連通孔41bを軸方向
に形成した複雑な構造になつている。
ては、導電性接続部4の内部に設けた配流部材4
1の挿通孔41aに挿嵌される電極5は、径大な
本体部5bの両端に径小な突出極部5a,5aを
設けた形状になつており、ガス導管3より導かれ
た作動ガスをトーチ先端に配流して導くようにし
ている。このため、配流部材41は、中央の挿通
孔41aの外周側に複数の連通孔41bを軸方向
に形成した複雑な構造になつている。
上記のような構造のプラズマ切断用トーチで
は、弾性絶縁物による円筒状絶縁カバー10をシ
ールドカツプ8の先端の方から嵌入し使用しなけ
ればならないので、トーチ本体1の外径が大きく
なり、手で操作するのが困難になる。
は、弾性絶縁物による円筒状絶縁カバー10をシ
ールドカツプ8の先端の方から嵌入し使用しなけ
ればならないので、トーチ本体1の外径が大きく
なり、手で操作するのが困難になる。
また、電極5の交換時などにおいて、シールド
カツプ8を取り外す時には、円筒状絶縁カバー1
0が外れてしまい易く、電極の交換にも手間を要
し、分解作業が面倒になるなどの問題点を有して
いた。
カツプ8を取り外す時には、円筒状絶縁カバー1
0が外れてしまい易く、電極の交換にも手間を要
し、分解作業が面倒になるなどの問題点を有して
いた。
考案が解決しようとする問題点
本考案は、従来のプラズマ切断用トーチにおけ
る叙上の如き欠点を解決するもので、径小で、か
つ高周波の漏れを確実に防止できるプラズマ切断
用トーチを提供することを目的としている。
る叙上の如き欠点を解決するもので、径小で、か
つ高周波の漏れを確実に防止できるプラズマ切断
用トーチを提供することを目的としている。
また、本考案は、構造が簡単で、部品点数も少
なく、分解、清掃の容易なプラズマ切断用トーチ
を提供することを目的としている。
なく、分解、清掃の容易なプラズマ切断用トーチ
を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
上記目的は、本考案のプラズマ切断用トーチに
よつて達成される。
よつて達成される。
ここに、本考案は、トーチ本体の先端部に、絶
縁性のシールドカツプを着脱可能に取着したプラ
ズマ切断用トーチの改良に係るものであり、トー
チ本体に設けられた導電性接続部の外周部に、該
トーチ本体の外周に設けられた絶縁層より一体的
に延出し、上記シールドカツプの内周面と十分な
沿面距離をもつて重合する絶縁部を設けるととも
に、上記導電性接続部内に、径大部にフインを形
成した電極を直接に挿嵌させる構造にしたことを
特徴とする。
縁性のシールドカツプを着脱可能に取着したプラ
ズマ切断用トーチの改良に係るものであり、トー
チ本体に設けられた導電性接続部の外周部に、該
トーチ本体の外周に設けられた絶縁層より一体的
に延出し、上記シールドカツプの内周面と十分な
沿面距離をもつて重合する絶縁部を設けるととも
に、上記導電性接続部内に、径大部にフインを形
成した電極を直接に挿嵌させる構造にしたことを
特徴とする。
考案の実施例
以下に、添付図とともに、本考案の一実施例を
説明する。本実施例の構成のうち、第1図に示し
たものと対応する部分には同一の参照符号を付し
てその説明を省略する。
説明する。本実施例の構成のうち、第1図に示し
たものと対応する部分には同一の参照符号を付し
てその説明を省略する。
本考案のプラズマ切断用トーチAは、第1図に
見るように、トーチ本体1に、電極51、ガスデ
ストリビユータ6、チツプ7、シールドカツプ8
を組合わせて構成される。
見るように、トーチ本体1に、電極51、ガスデ
ストリビユータ6、チツプ7、シールドカツプ8
を組合わせて構成される。
ここに、トーチ本体1は、作動ガスの通路とな
るガス導管3外周にエポキシ樹脂など絶縁層11
を形成して構成されており、ガス導管3の先端に
は、導電性接続部4が設けられている。
るガス導管3外周にエポキシ樹脂など絶縁層11
を形成して構成されており、ガス導管3の先端に
は、導電性接続部4が設けられている。
そして、導電性接続部4は、中央にガス導管3
に通じる挿通路4aを有し、外周に螺子部40を
形成してある。そして、導電性接続部4の首部に
は、気密用Oリング9が嵌装されている。このよ
うな導電性接続部4の挿通路4aには、径大部5
1bに複数のフイン51cを形成し両端に突出極
部51a,51aを形成した電極51の片方の突
出極部51aが挿嵌され、他方の突出極部51a
をガスデストリビユータ6の挿通孔6aに嵌入
し、この先端をチツプ7で保護する。電極51、
ガスデストリビユータ6、チツプ7は、導電性接
続部4にシールドカツプ8を螺合させた時に、シ
ールドカツプ8内で固定される。
に通じる挿通路4aを有し、外周に螺子部40を
形成してある。そして、導電性接続部4の首部に
は、気密用Oリング9が嵌装されている。このよ
うな導電性接続部4の挿通路4aには、径大部5
1bに複数のフイン51cを形成し両端に突出極
部51a,51aを形成した電極51の片方の突
出極部51aが挿嵌され、他方の突出極部51a
をガスデストリビユータ6の挿通孔6aに嵌入
し、この先端をチツプ7で保護する。電極51、
ガスデストリビユータ6、チツプ7は、導電性接
続部4にシールドカツプ8を螺合させた時に、シ
ールドカツプ8内で固定される。
このようにして、シールドカツプ8を導電性接
続部4に取着すると、気密用Oリング9によつて
作動ガスが外部に漏出するのが防止される。導電
性接続部4の挿通路4a内に、片方の突出極部5
1aが挿入される電極51の他方の突出極部51
aは、ガスデストリビユータ6の中央に設けられ
た挿通孔6a内に挿入され、この挿通孔6aより
突出した電極51の突出極部51aは、更に中央
に挿通孔7aを形成したチツプ7によつて保護さ
れる。ここに、ガスデストリビユータ6は、中央
に形成された挿通孔6aに直交する配流孔6bを
径方向に形成している。
続部4に取着すると、気密用Oリング9によつて
作動ガスが外部に漏出するのが防止される。導電
性接続部4の挿通路4a内に、片方の突出極部5
1aが挿入される電極51の他方の突出極部51
aは、ガスデストリビユータ6の中央に設けられ
た挿通孔6a内に挿入され、この挿通孔6aより
突出した電極51の突出極部51aは、更に中央
に挿通孔7aを形成したチツプ7によつて保護さ
れる。ここに、ガスデストリビユータ6は、中央
に形成された挿通孔6aに直交する配流孔6bを
径方向に形成している。
ガス導管3より導出された作動ガスの一部は、
挿通路4aから太径貫通孔4bを通り、チツプ7
の冷却ガスとなり、そのままシールドカツプ8の
先端開口8bより放出されるが、他の一部はガス
デストリビユータ6の配流孔6bを通り挿通孔6
a内に放出されて旋回流となり、チツプ7の挿通
孔7aよりプラズマアークの作動ガスとして放出
される。
挿通路4aから太径貫通孔4bを通り、チツプ7
の冷却ガスとなり、そのままシールドカツプ8の
先端開口8bより放出されるが、他の一部はガス
デストリビユータ6の配流孔6bを通り挿通孔6
a内に放出されて旋回流となり、チツプ7の挿通
孔7aよりプラズマアークの作動ガスとして放出
される。
一方、導電性接続部4の外周には、螺子部40
が形成されており、この螺子部40にシールドカ
ツプ8の螺子部81を螺合させて、トーチ本体1
の先端に、シールドカツプ8を取着する。
が形成されており、この螺子部40にシールドカ
ツプ8の螺子部81を螺合させて、トーチ本体1
の先端に、シールドカツプ8を取着する。
かくして、ガスデストリビユータ6、チツプ7
はこのシールドカツプ8の取着時に固定され、切
断電流及び高周波電流の通路となる。
はこのシールドカツプ8の取着時に固定され、切
断電流及び高周波電流の通路となる。
なお、9は導電性接続部4とシールドカツプ8
の内周面に介在されたOリングであり、これによ
つて作動ガスがトーチ本体1の先端より外部に漏
出するのを防止している。
の内周面に介在されたOリングであり、これによ
つて作動ガスがトーチ本体1の先端より外部に漏
出するのを防止している。
また、導電性接続部4の螺子部40の上部には
トーチ本体1の絶縁層11より一体的に延出した
絶縁部12が形成されており、この絶縁部12の
外周面に、シールドカツプ8の内周面を十分な距
離だけ重合させて、導電性接続部4からの沿面距
離を十分に採つている。
トーチ本体1の絶縁層11より一体的に延出した
絶縁部12が形成されており、この絶縁部12の
外周面に、シールドカツプ8の内周面を十分な距
離だけ重合させて、導電性接続部4からの沿面距
離を十分に採つている。
このようにして突出した絶縁部12と、トーチ
本体1の絶縁層11の端部には、シールドカツプ
8の基部端縁8aに対応した段差11aが形成さ
れており、この段差11aにシールドカツプ8の
基部端縁8aを合致させるようにして、シールド
カツプ8を導電性接続部4の螺子部40に螺合さ
せ取着させる。また、シールドカツプ8の基部端
縁8aと絶縁層11の端部の段差11aとの間に
は、防塵用のシール材13が介在され、このシー
ル材13によつてプラズマ切断時に生じる粉塵が
侵入するのを防止している。
本体1の絶縁層11の端部には、シールドカツプ
8の基部端縁8aに対応した段差11aが形成さ
れており、この段差11aにシールドカツプ8の
基部端縁8aを合致させるようにして、シールド
カツプ8を導電性接続部4の螺子部40に螺合さ
せ取着させる。また、シールドカツプ8の基部端
縁8aと絶縁層11の端部の段差11aとの間に
は、防塵用のシール材13が介在され、このシー
ル材13によつてプラズマ切断時に生じる粉塵が
侵入するのを防止している。
更に、本考案においては、電極51は、その径
大部51bにフイン51cを形成した構造にして
あるので、導電性接続部4の挿通路4a内に電極
51を挿嵌入した時には、その電極51のフイン
51cと導電性接続部4の挿通路4aの内周面と
によつて作動ガスの通路が形成される。
大部51bにフイン51cを形成した構造にして
あるので、導電性接続部4の挿通路4a内に電極
51を挿嵌入した時には、その電極51のフイン
51cと導電性接続部4の挿通路4aの内周面と
によつて作動ガスの通路が形成される。
このため、導電性接続部4の中央部に、ガス導
管3に通じる配流部材を設ける必要はなく、部品
点数が軽減でき、構造の簡単なものが使用でき
る。また、このような構造のため、本考案のプラ
ズマ切断用トーチによれば、分解、清掃が簡単に
なる利点もある。
管3に通じる配流部材を設ける必要はなく、部品
点数が軽減でき、構造の簡単なものが使用でき
る。また、このような構造のため、本考案のプラ
ズマ切断用トーチによれば、分解、清掃が簡単に
なる利点もある。
考案の作用及び効果
以上の説明より理解されるように、本考案のプ
ラズマ切断用トーチによれば、トーチ本体の絶縁
層より一体的に延出した絶縁部と、シールドカツ
プの内周面とを十分に重合させて絶縁部の沿面距
離を十分に採つた構造となつているので、プラズ
マ切断時に生じる有害な高周波の漏れを確実に防
止できる。
ラズマ切断用トーチによれば、トーチ本体の絶縁
層より一体的に延出した絶縁部と、シールドカツ
プの内周面とを十分に重合させて絶縁部の沿面距
離を十分に採つた構造となつているので、プラズ
マ切断時に生じる有害な高周波の漏れを確実に防
止できる。
また、本考案のプラズマ切断用トーチにおいて
は、トーチ本体の外部に、絶縁部材を設けるなど
の構造を採らないので、トーチの径を小さく、か
つスマートにでき、使い易いプラズマ切断用トー
チが得られる。
は、トーチ本体の外部に、絶縁部材を設けるなど
の構造を採らないので、トーチの径を小さく、か
つスマートにでき、使い易いプラズマ切断用トー
チが得られる。
また、電極は、その径大部にフインを設けた構
造をなしているので、導電性接続部の挿通路内に
直接挿嵌させて取着できると共に作動ガス通路が
形成され、導電性接続部の中央部にガス導管に通
ずる配流部材を設ける必要がなく、構造が簡単で
あるばかりでなく、分解、清掃も一層容易できる
利点がある。
造をなしているので、導電性接続部の挿通路内に
直接挿嵌させて取着できると共に作動ガス通路が
形成され、導電性接続部の中央部にガス導管に通
ずる配流部材を設ける必要がなく、構造が簡単で
あるばかりでなく、分解、清掃も一層容易できる
利点がある。
第1図は、本考案のプラズマ切断用トーチの一
実施例分解斜視図、第2図はその要部縦断面構造
図、第3図、第4図、第5図は、それぞれ第2図
の−線断面図、−線断面図、−線断
面図であり、第6図〜第8図は従来のプラズマ切
断用トーチの例図であり、第6図はトーチ本体先
端部の斜視図、第7図はトーチ先端の分解斜視
図、第8図は、トーチ先端の縦断面構造図であ
る。 符号の説明、1……トーチ本体、11……絶縁
層、12……絶縁部、3……ガス導管、4……導
電性接続部、51……電極、51a……突出電極
部、51b……径大部、51c……フイン、6…
…ガスデストリビユータ、7……チツプ、8……
シールドカツプ、9,13……シール材。
実施例分解斜視図、第2図はその要部縦断面構造
図、第3図、第4図、第5図は、それぞれ第2図
の−線断面図、−線断面図、−線断
面図であり、第6図〜第8図は従来のプラズマ切
断用トーチの例図であり、第6図はトーチ本体先
端部の斜視図、第7図はトーチ先端の分解斜視
図、第8図は、トーチ先端の縦断面構造図であ
る。 符号の説明、1……トーチ本体、11……絶縁
層、12……絶縁部、3……ガス導管、4……導
電性接続部、51……電極、51a……突出電極
部、51b……径大部、51c……フイン、6…
…ガスデストリビユータ、7……チツプ、8……
シールドカツプ、9,13……シール材。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 中央に挿通路を有し外周に螺子部を形成した導
電性接続部をガス導管の先端に設け、ガス導管の
外周を絶縁層で被覆したトーチ本体の導電接続部
の挿通路に、経大部の両端に突出極部を有する電
極の片方の突出極部を嵌挿し、他方の突出極部を
中央に形成した挿通孔に直交する配流孔を径方向
に形成したガスデストリビユータの挿通孔に嵌入
し、該突出極部の先端を中央に挿通孔を有するチ
ツプで保護して、該導電性接続部の螺子部に内周
胴に螺子部を有するシールドカツプを螺合させ、
トーチ本体の先端にシールドカツプを着脱可能に
取着し、シールドカツプの取着時にこれら各部品
が固定されるとともに、部品間の接触により電気
的接続がなされるようにしたプラズマ切断用トー
チに於いて、 導電性接続部の外周胴にトーチ本体の外周に設
けられた絶縁層より一体的に延出し、シールドカ
ツプの内周面と十分な沿面距離をもつて重合する
絶縁部を設けるとともに、電極の経大部外周胴に
フインを設け、導電性接続部の挿通路の内周面と
フインとによつて作動ガスの通路を形成せしめた
ことを特徴とするプラズマ切断用トーチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17280085U JPH0324295Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17280085U JPH0324295Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282184U JPS6282184U (ja) | 1987-05-26 |
| JPH0324295Y2 true JPH0324295Y2 (ja) | 1991-05-27 |
Family
ID=31109666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17280085U Expired JPH0324295Y2 (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0324295Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4716269A (en) * | 1986-10-01 | 1987-12-29 | L-Tec Company | Plasma arc torch having supplemental electrode cooling mechanisms |
| JP2001061852A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-13 | Assist Japan Kk | プラズマ状ガス発生装置 |
| FI20031331L (fi) * | 2003-09-17 | 2005-03-18 | Tomion Oy | Jäähdytetty plasmapoltin ja menetelmä polttimen jäähdyttämiseksi |
| JP4688450B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2011-05-25 | 株式会社小松製作所 | プラズマ加工機、プラズマトーチ及びその部品の着脱方法 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP17280085U patent/JPH0324295Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6282184U (ja) | 1987-05-26 |
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