JPH03245327A - 半導体レーザの発光パワー制御回路 - Google Patents
半導体レーザの発光パワー制御回路Info
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- JPH03245327A JPH03245327A JP2042101A JP4210190A JPH03245327A JP H03245327 A JPH03245327 A JP H03245327A JP 2042101 A JP2042101 A JP 2042101A JP 4210190 A JP4210190 A JP 4210190A JP H03245327 A JPH03245327 A JP H03245327A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光ディスク装置において記録、再生又は消去
用の光源として用いられる半導体レーザの発光パワー制
御回路に関する。
用の光源として用いられる半導体レーザの発光パワー制
御回路に関する。
従来の技術
一般に、光ディスク装置では半導体レーザを光源として
用い、この半導体レーザから出射させた光束を対物レン
ズにより光ディスク、光磁気ディスク等の情報記録媒体
上に集光させて情報の記録、再生又は消去を行なうよう
にしている。この場合、記録時（必要に応じて消去時を
含む・・・以下、特に消去時には触れないが、同じとす
る）には所定値以上のパワーの光を照射させるのが一般
的である。
用い、この半導体レーザから出射させた光束を対物レン
ズにより光ディスク、光磁気ディスク等の情報記録媒体
上に集光させて情報の記録、再生又は消去を行なうよう
にしている。この場合、記録時（必要に応じて消去時を
含む・・・以下、特に消去時には触れないが、同じとす
る）には所定値以上のパワーの光を照射させるのが一般
的である。
このため、記録モード時の半導体レーザの発光パターン
は、一般に、第４図（ａ）に示すように記録パワーＰｗ
は、再生パワーＰＲに所定の発光パワーを重畳させたも
のとしている。即ち、半導体レーザの発光パワーのベー
スを再生パワーＰＲに設定しておき、記録したい部分で
は所定パワーを重畳させて記録パワーＰｗとするもので
ある。このようなパワー変化を伴うための半導体レーザ
駆動回路としては、特開昭６．３−１２９５３７号公報
に示されるものがある。この駆動方式は、再生時の半導
体レーザ駆動電流を、記録時にはサンプルホールドし、
記録電流を重畳させるというものである。第３図（ａ）
に対応する半導体レーザ駆動電流は同図（ｂ）に示すよ
うになる。１ｗが記録駆動電流、■３が再生駆動電流を
示す。
は、一般に、第４図（ａ）に示すように記録パワーＰｗ
は、再生パワーＰＲに所定の発光パワーを重畳させたも
のとしている。即ち、半導体レーザの発光パワーのベー
スを再生パワーＰＲに設定しておき、記録したい部分で
は所定パワーを重畳させて記録パワーＰｗとするもので
ある。このようなパワー変化を伴うための半導体レーザ
駆動回路としては、特開昭６．３−１２９５３７号公報
に示されるものがある。この駆動方式は、再生時の半導
体レーザ駆動電流を、記録時にはサンプルホールドし、
記録電流を重畳させるというものである。第３図（ａ）
に対応する半導体レーザ駆動電流は同図（ｂ）に示すよ
うになる。１ｗが記録駆動電流、■３が再生駆動電流を
示す。
ところが、この方式の場合、光ディスクの記録すべきビ
ットとビットの間が、再生パワーＰＲで光が照射されて
いるため、正しくビットを形成できない場合がある。
ットとビットの間が、再生パワーＰＲで光が照射されて
いるため、正しくビットを形成できない場合がある。
このような欠点をなくすため、第５図（ａ）に示すよう
な半導体レーザパワー制御方法もある。これは、再生パ
ワーＰ１１よりも弱いバイアスパワーＰ１１を用いるも
ので、通常レベルとしてはバイアスパワーＰＢに設定し
ておき、記録したい部分ではこれに所定パワーを重畳さ
せて記録パワーＰｗとするものである。同図（ｂ）は対
応する半導体レーザ駆動電流を示す。このようなバイア
スパワーＰ６発光制御法としては、特開昭５９−５４２
８１号公報に示されるものがある。これは、半導体レー
ザの各温度においてバイアスパワーＰＢを出すためのバ
イアス電流ＩＢを予め測定しておき、温度変化に応じた
バイアス電流■８を流してバイアスパワーＰＢを出力さ
せるものである。
な半導体レーザパワー制御方法もある。これは、再生パ
ワーＰ１１よりも弱いバイアスパワーＰ１１を用いるも
ので、通常レベルとしてはバイアスパワーＰＢに設定し
ておき、記録したい部分ではこれに所定パワーを重畳さ
せて記録パワーＰｗとするものである。同図（ｂ）は対
応する半導体レーザ駆動電流を示す。このようなバイア
スパワーＰ６発光制御法としては、特開昭５９−５４２
８１号公報に示されるものがある。これは、半導体レー
ザの各温度においてバイアスパワーＰＢを出すためのバ
イアス電流ＩＢを予め測定しておき、温度変化に応じた
バイアス電流■８を流してバイアスパワーＰＢを出力さ
せるものである。
ちなみに、第６図（ａ）に示すように、記録モードにお
いて記録する部分には記録パワーＰＷを照射させるが記
録しない部分ではパワーを完全に０にしてしまう方法も
ある。同図（ｂ）は対応する半導体レーザ駆動電流を示
す。
いて記録する部分には記録パワーＰＷを照射させるが記
録しない部分ではパワーを完全に０にしてしまう方法も
ある。同図（ｂ）は対応する半導体レーザ駆動電流を示
す。
発明が解決しようとする課題
ところが、上記特開昭５９−５４２８］号公報方式によ
る場合、半導体レーザの劣化には対応できず、経時的に
はバイアスパワーＰＢか弱くなってしまう。また、半導
体レーザの温度依存の特性変化を予め測定するというの
は手間がかかり面倒かつコスト高となる。即ち、バイア
ス電流ないしはバイアスパワーの設定ないしは安定化に
問題がある。
る場合、半導体レーザの劣化には対応できず、経時的に
はバイアスパワーＰＢか弱くなってしまう。また、半導
体レーザの温度依存の特性変化を予め測定するというの
は手間がかかり面倒かつコスト高となる。即ち、バイア
ス電流ないしはバイアスパワーの設定ないしは安定化に
問題がある。
また、第６図方式によると、記録したい部分でスイッチ
ングする駆動電流■いが大きいため、高速スイッチング
が困難である。
ングする駆動電流■いが大きいため、高速スイッチング
が困難である。
課題を解決するための手段
再生電流による再生パワーより弱く設定されたバイアス
パワーで半導体レーザを発光させるバイアス電流に、記
録電流を重畳させた駆動電流で前記半導体レーザを駆動
させて記録パワーで発光させ、この記録パワーの光束を
対物レンズにより情報記録媒体」二に集光させて情報の
記録を行なうようにした光ディスク装置における半導体
レーザの発光パワー制御装置において、前記半導体レー
ザに接続した第１定電流源と、前記半導体レーザの発光
量を検出する光検出器と、この光検出器から得られる光
電流出力を電圧信号に変換する電流電圧変換器と、この
電流−電圧変換器の出力電圧をサンプリングしホールド
するサンプルホールド回路と、このサンプルホールド回
路の出力電圧と前記再生電流値に対応する所定の第１基
準電圧とを比較する比較部を備えてこの比較部出力に応
じて前記第１定電流源の第１電流値を制御する制御回路
とにより第１の制御ループを形成し、所定タイミングで
前記電流−電圧変換器の出力電圧と前記バイアス電流値
に対応する所定の第２基準電圧とを比較する比較器と、
この比較器出力に応じてアップ又はダウン動作するアッ
プダウンカウンタと、このアップダウンカウンタの出力
をアナログ信号に変換するデジタル・アナログ変換器と
、所定タイミングでスイッチングされるスイッチ素子を
介して前記半導体レーザに接続されこのデジタル・アナ
ログ変換器出力に応じて第２電流値が制御される第２定
電流源とにより第２の制御ループを形成し、最初に前記
第１の制御ループのみにより第１定電流源の第１電流値
を制御して前記半導体レーザの発光パワーを前記再生パ
ワーに制御し、その後、前記スイッチ素子をオンさせて
前記第１− − 電流値と第２電流値との重畳電流値による半導体レーザ
駆動状態で前記第１の制御ループによる第１電流値のみ
の制御により前記半導体レーザの発光パワーを前記再生
パワーに制御しながら所定タイミングで前記スイッチ素
子をオフさせてその時の第１電流値のみで前記半導体レ
ーザが前記バイアスパワーとなるように第２電流値を第
２の制御ループにより制御するようにした。
パワーで半導体レーザを発光させるバイアス電流に、記
録電流を重畳させた駆動電流で前記半導体レーザを駆動
させて記録パワーで発光させ、この記録パワーの光束を
対物レンズにより情報記録媒体」二に集光させて情報の
記録を行なうようにした光ディスク装置における半導体
レーザの発光パワー制御装置において、前記半導体レー
ザに接続した第１定電流源と、前記半導体レーザの発光
量を検出する光検出器と、この光検出器から得られる光
電流出力を電圧信号に変換する電流電圧変換器と、この
電流−電圧変換器の出力電圧をサンプリングしホールド
するサンプルホールド回路と、このサンプルホールド回
路の出力電圧と前記再生電流値に対応する所定の第１基
準電圧とを比較する比較部を備えてこの比較部出力に応
じて前記第１定電流源の第１電流値を制御する制御回路
とにより第１の制御ループを形成し、所定タイミングで
前記電流−電圧変換器の出力電圧と前記バイアス電流値
に対応する所定の第２基準電圧とを比較する比較器と、
この比較器出力に応じてアップ又はダウン動作するアッ
プダウンカウンタと、このアップダウンカウンタの出力
をアナログ信号に変換するデジタル・アナログ変換器と
、所定タイミングでスイッチングされるスイッチ素子を
介して前記半導体レーザに接続されこのデジタル・アナ
ログ変換器出力に応じて第２電流値が制御される第２定
電流源とにより第２の制御ループを形成し、最初に前記
第１の制御ループのみにより第１定電流源の第１電流値
を制御して前記半導体レーザの発光パワーを前記再生パ
ワーに制御し、その後、前記スイッチ素子をオンさせて
前記第１− − 電流値と第２電流値との重畳電流値による半導体レーザ
駆動状態で前記第１の制御ループによる第１電流値のみ
の制御により前記半導体レーザの発光パワーを前記再生
パワーに制御しながら所定タイミングで前記スイッチ素
子をオフさせてその時の第１電流値のみで前記半導体レ
ーザが前記バイアスパワーとなるように第２電流値を第
２の制御ループにより制御するようにした。
作用
基本的には、記録時の駆動が再生パワーより弱く設定さ
れたバイアスパワーをベースとし、これに所定パワーを
重畳させて記録パワーとするものであり、正しいビット
形成が可能で、かつ、高速スイッチングによる記録が可
能となる。この際、バイアスパワー発光のためのバイア
ス電流の設定が、必須の再生パワー制御に併せて再生パ
ワーを基準に行なわれるため、半導体レーザの劣化等に
も対応した正確なものとなり、かつ、予め温度による特
性変化を測定するといった面倒なこともなくなる。
れたバイアスパワーをベースとし、これに所定パワーを
重畳させて記録パワーとするものであり、正しいビット
形成が可能で、かつ、高速スイッチングによる記録が可
能となる。この際、バイアスパワー発光のためのバイア
ス電流の設定が、必須の再生パワー制御に併せて再生パ
ワーを基準に行なわれるため、半導体レーザの劣化等に
も対応した正確なものとなり、かつ、予め温度による特
性変化を測定するといった面倒なこともなくなる。
実施例
本発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説明
する。まず、第１電流値■１ の第１定電流源１により
駆動される半導体レーザ２が設けられている。この半導
体レーザ２の発光量を受光検出する光検出器としてフォ
トダイオード３が設けられている。フォトダイオード３
にはその光電流出力を電圧信号に変換する電流−電圧変
換器４が接続されている。電流−電圧変換器４には出力
電圧についてサンプルホールド信号による所定タイミン
グでサンプリングを行ない、結果をホールドするサンプ
ルホールド回路（Ｓ ／ Ｈ回路）５が接続されている
。このＳ ／ Ｉ−ｆ回路５には前記第１定電流源１の
電流値１ を制御する制御回路６が接続されている。こ
の制御回路６は比較部を有し、前記Ｓ／Ｈ回路５の出力
電圧と所定の第１基準電圧ＶＲＲＥＦ（再生電流値に対
応する）とを比較し、出力電圧が第１基準電圧ｖＩＩＲ
ＥＦに一致するように前記第１定電流源ｌの電流値■
を制御するものである。これらのループにより第１の制
御ループ７が形成されている。
する。まず、第１電流値■１ の第１定電流源１により
駆動される半導体レーザ２が設けられている。この半導
体レーザ２の発光量を受光検出する光検出器としてフォ
トダイオード３が設けられている。フォトダイオード３
にはその光電流出力を電圧信号に変換する電流−電圧変
換器４が接続されている。電流−電圧変換器４には出力
電圧についてサンプルホールド信号による所定タイミン
グでサンプリングを行ない、結果をホールドするサンプ
ルホールド回路（Ｓ ／ Ｈ回路）５が接続されている
。このＳ ／ Ｉ−ｆ回路５には前記第１定電流源１の
電流値１ を制御する制御回路６が接続されている。こ
の制御回路６は比較部を有し、前記Ｓ／Ｈ回路５の出力
電圧と所定の第１基準電圧ＶＲＲＥＦ（再生電流値に対
応する）とを比較し、出力電圧が第１基準電圧ｖＩＩＲ
ＥＦに一致するように前記第１定電流源ｌの電流値■
を制御するものである。これらのループにより第１の制
御ループ７が形成されている。
一方、前記半導体レーザ２にはオートレーザパワーコン
トロールＡ Ｌ Ｐ Ｃ信号によりスイッチングされる
スイッチ素子８を介して第２定電流源９が第１定電流源
２と並列に接続されている。また、前記電流−電圧変換
器４の出力電圧を所定の第２基準電圧ＶＢＲＥＦ（バイ
アス電流値に対応する）と比較する比較器１０が設けら
れている。この比較器１０には比較結果に応じてアップ
動作又はダウン動作を行なうアップダウンカウンタ１１
が接続されている。このアップダウンカウンタ１１のカ
ウント出力はデジタル・アナログ変換器（Ｄ／Ａ変換器
）１２に入力されている。このＤ／Ａ変換器１２の出ツ
ノが前記第２定電流源９の第２電流値■２を制御するも
のであり、第２の制御ループ１３が形成されている。
トロールＡ Ｌ Ｐ Ｃ信号によりスイッチングされる
スイッチ素子８を介して第２定電流源９が第１定電流源
２と並列に接続されている。また、前記電流−電圧変換
器４の出力電圧を所定の第２基準電圧ＶＢＲＥＦ（バイ
アス電流値に対応する）と比較する比較器１０が設けら
れている。この比較器１０には比較結果に応じてアップ
動作又はダウン動作を行なうアップダウンカウンタ１１
が接続されている。このアップダウンカウンタ１１のカ
ウント出力はデジタル・アナログ変換器（Ｄ／Ａ変換器
）１２に入力されている。このＤ／Ａ変換器１２の出ツ
ノが前記第２定電流源９の第２電流値■２を制御するも
のであり、第２の制御ループ１３が形成されている。
また、前記半導体レーザ２には記録モード時に記録情報
に応じて閉じられるスイッチ素子１４を介して記録電流
値■３の第３定電流源１５が第１゜２定電流源２．９と
並列に接続されている。この第３定電流源１５の記録電
流値■おは電流設定回路６により設定される。
に応じて閉じられるスイッチ素子１４を介して記録電流
値■３の第３定電流源１５が第１゜２定電流源２．９と
並列に接続されている。この第３定電流源１５の記録電
流値■おは電流設定回路６により設定される。
このような構成において、初期の再生パワー制御は第１
の制御ループ７により行なう。即ち、スイッチ素子８は
オンとするが、これに接続された第２定電流源９の電流
値■２はＩ、＝ＯｍＡとしておき、かつ、スイッチ素子
１４はオフさせておく。
の制御ループ７により行なう。即ち、スイッチ素子８は
オンとするが、これに接続された第２定電流源９の電流
値■２はＩ、＝ＯｍＡとしておき、かつ、スイッチ素子
１４はオフさせておく。
この状態では、半導体レーザ２に流れる駆動電流■は第
１定電流源１のみによるため、Ｉ＝１．であり、これが
第１基′４Ｂ電圧ＶＲＲＥＦにより規制される再生パワ
ーＰＲとなるように制御される。このような状態では、
光ディスクについて再生動作が１− ２− 可能である。よって、再生動作により光ディスク上のＩ
Ｄ等の情報の判別も可能で、光ディスク上に設けられた
Ａ Ｌ Ｐ Ｃ領域等の検出も可能である。
１定電流源１のみによるため、Ｉ＝１．であり、これが
第１基′４Ｂ電圧ＶＲＲＥＦにより規制される再生パワ
ーＰＲとなるように制御される。このような状態では、
光ディスクについて再生動作が１− ２− 可能である。よって、再生動作により光ディスク上のＩ
Ｄ等の情報の判別も可能で、光ディスク上に設けられた
Ａ Ｌ Ｐ Ｃ領域等の検出も可能である。
そこで、このような再生動作によりＡ Ｌ Ｐ Ｃ領域
であることが検出されたら、ＡＬＰＣ信号によりスイッ
チ素子８をオフさせ、この時の電流−電圧変換器４の出
力電圧（即ち、半導体レーザ２の発光量）を比較器１０
で第２基準電圧ＶＢＲＥＦと比較する。この比較結果に
よりアップダウンカウンタ１１のアップ／ダウン動作を
定め、１回のＡＬＰＣ領域で１回のカウント動作を行う
。このカウント値をＤ／Ａ変換器１２でアナログ変換し
、このアナログ出力に応じて第２定電流源９の電流値■
２ を制御し、半導体レーザ２の発光量を変化させる。
であることが検出されたら、ＡＬＰＣ信号によりスイッ
チ素子８をオフさせ、この時の電流−電圧変換器４の出
力電圧（即ち、半導体レーザ２の発光量）を比較器１０
で第２基準電圧ＶＢＲＥＦと比較する。この比較結果に
よりアップダウンカウンタ１１のアップ／ダウン動作を
定め、１回のＡＬＰＣ領域で１回のカウント動作を行う
。このカウント値をＤ／Ａ変換器１２でアナログ変換し
、このアナログ出力に応じて第２定電流源９の電流値■
２ を制御し、半導体レーザ２の発光量を変化させる。
この時、比較器１０はＡＬＰＣ領域における発光量が所
定のバイアスパワーＰ８より大きい時にはカウンタ１１
にアップ信号を出力してカウントアツプさせ、Ｄ／Ａ変
換器１２の出力を太きくし、結果的に電流値■７ を増
加させる。すると、ＡＬＰＣ領域が終わると、半導体レ
ーザ２に流れる駆動電流丁は瞬間的にはＩ −Ｉ、＋
Ｉ、となるが、上記の第１の制御ループ７の再生パワー
制御により自動的に電流値■１ が減少されて、全体で
は再生パワーＰＲに維持される。
定のバイアスパワーＰ８より大きい時にはカウンタ１１
にアップ信号を出力してカウントアツプさせ、Ｄ／Ａ変
換器１２の出力を太きくし、結果的に電流値■７ を増
加させる。すると、ＡＬＰＣ領域が終わると、半導体レ
ーザ２に流れる駆動電流丁は瞬間的にはＩ −Ｉ、＋
Ｉ、となるが、上記の第１の制御ループ７の再生パワー
制御により自動的に電流値■１ が減少されて、全体で
は再生パワーＰＲに維持される。
このような動作を順次繰返すことによりＡＬＰＣ領域に
おける半導体レーザ２の発光量はバイアスパワーＰＢに
近づき、遂には、発光量がバイアスパワーＰ、以下とな
る。この時（こは、比較器１０はカウンタ１１に対しダ
ウン信号を出し、カウントダウンさせ、電流値■２ を
減少させる。
おける半導体レーザ２の発光量はバイアスパワーＰＢに
近づき、遂には、発光量がバイアスパワーＰ、以下とな
る。この時（こは、比較器１０はカウンタ１１に対しダ
ウン信号を出し、カウントダウンさせ、電流値■２ を
減少させる。
以下、このようなアップ／ダウン動作を繰返すことによ
り、電流値Ｉ、 Ｔ、が決定される。ここに、電流値
■１ のみによる発光量がバイアスパワーＰ、となる。
り、電流値Ｉ、 Ｔ、が決定される。ここに、電流値
■１ のみによる発光量がバイアスパワーＰ、となる。
ＡＬＰＣ領域におけるこのような一連の動作により、半
導体レーザ２を各々再生パワーＰＲ、バイアスバワ−１
，ｉ）８で発光させるための電流値ＩＩ２が定められる
。電流値１１ がバイアスパワーＰ ［１に対応し、電
流値（Ｉ、十Ｔ２）が再生パワーＩ）、、に％ｔ Ｉ；
ｉ；する６、また、通常の再生パワー制御は、カウンタ
１１により定められた電流値■２に加えて発光域に応じ
た電流４＋’ｆ Ｔ、を！ｌ’、導体レーザ２に流ずこ
とにより実現される。
導体レーザ２を各々再生パワーＰＲ、バイアスバワ−１
，ｉ）８で発光させるための電流値ＩＩ２が定められる
。電流値１１ がバイアスパワーＰ ［１に対応し、電
流値（Ｉ、十Ｔ２）が再生パワーＩ）、、に％ｔ Ｉ；
ｉ；する６、また、通常の再生パワー制御は、カウンタ
１１により定められた電流値■２に加えて発光域に応じ
た電流４＋’ｆ Ｔ、を！ｌ’、導体レーザ２に流ずこ
とにより実現される。
また、実際の記録時においては、スイッチ素子８はオフ
し、所定の記録パワーｐＨ、が出力されるように電流設
定回路１６により定められた記録電流値１．を第３定電
流源１５を通して半導体レーザ２に流し、記録情報信号
に応じてスイッチ素子１４をオン／オフさぜる。これに
より、半導体レーザ２に流れる駆動電流１は、１１
と（１，＋１．、）とに交互に変化したものとなる。即
ち、バイアスパワーＰ、３をベースとし、記録部分で記
録パワーＰｗとなるパワー状態となり、第５図に示した
記録方式となる。
し、所定の記録パワーｐＨ、が出力されるように電流設
定回路１６により定められた記録電流値１．を第３定電
流源１５を通して半導体レーザ２に流し、記録情報信号
に応じてスイッチ素子１４をオン／オフさぜる。これに
より、半導体レーザ２に流れる駆動電流１は、１１
と（１，＋１．、）とに交互に変化したものとなる。即
ち、バイアスパワーＰ、３をベースとし、記録部分で記
録パワーＰｗとなるパワー状態となり、第５図に示した
記録方式となる。
なお、−１−記の動作において、サンプルホールド回路
５に対するサンプルホールド信号、スイッチ素子８に対
するＡ Ｌ Ｉ） Ｃ信号及びカウンタ１１に対するカ
ウントパルスのタイミングを第３図に示す。即ち、初期
の再生パワー制御においてはＡＬＰＣ信号とカウントパ
ルスとが出ないので、第１の制御ループ７により通常の
制御が行なわれる。
５に対するサンプルホールド信号、スイッチ素子８に対
するＡ Ｌ Ｉ） Ｃ信号及びカウンタ１１に対するカ
ウントパルスのタイミングを第３図に示す。即ち、初期
の再生パワー制御においてはＡＬＰＣ信号とカウントパ
ルスとが出ないので、第１の制御ループ７により通常の
制御が行なわれる。
その後、Ａ Ｌ Ｐ Ｃ信号及びカウントパルスが出る
とバイアスパワーＰ５の制御も同時に行なわれる。
とバイアスパワーＰ５の制御も同時に行なわれる。
なお、上述した説明では、初期の制御中にもサンプリン
グ＆ホールド動作を行なわせるようにしたが、初期にお
いてはサンプリングモードを連続させるようにしてもよ
い。また、バイアスパワー制御をＡＬＰＣ領域利用によ
るタイミングで行なうようにしているが、例えば電源投
入時や温度変化によるアイドル時にバイアスパワー制御
を行なうようにすれば、光ディスクの有無、フォーカス
／トラッキング状態に関係なく、パワー制御可能５ ６ となる。
グ＆ホールド動作を行なわせるようにしたが、初期にお
いてはサンプリングモードを連続させるようにしてもよ
い。また、バイアスパワー制御をＡＬＰＣ領域利用によ
るタイミングで行なうようにしているが、例えば電源投
入時や温度変化によるアイドル時にバイアスパワー制御
を行なうようにすれば、光ディスクの有無、フォーカス
／トラッキング状態に関係なく、パワー制御可能５ ６ となる。
発明の効果
本発明は、上述したように構成したので、基本的には、
記録時の駆動が再生パワーより弱く設定されたバイアス
パワーをベースとし、これに所定パワーを重畳させて記
録パワーとする方式によるため、記録に際して正しいビ
ット形成が可能で、かつ、高速スイッチングによる記録
もｉ工面となり、この際、バイアスパワー発光のための
バイアス電流の設定が、所定の第１，２の制御ループに
より、必須とする再生パワー制御に併せてこの再生パワ
ーを基準に行なわれるため、半導体レーザ″の劣化等に
も対応した正確なものとなり、確実な記録動作を行なわ
せることができ、かつ、Ｔ・め温度による特性変化を測
定するといった面倒なこともないものである。
記録時の駆動が再生パワーより弱く設定されたバイアス
パワーをベースとし、これに所定パワーを重畳させて記
録パワーとする方式によるため、記録に際して正しいビ
ット形成が可能で、かつ、高速スイッチングによる記録
もｉ工面となり、この際、バイアスパワー発光のための
バイアス電流の設定が、所定の第１，２の制御ループに
より、必須とする再生パワー制御に併せてこの再生パワ
ーを基準に行なわれるため、半導体レーザ″の劣化等に
も対応した正確なものとなり、確実な記録動作を行なわ
せることができ、かつ、Ｔ・め温度による特性変化を測
定するといった面倒なこともないものである。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図はブロック図、第２図は半導体レーザの駆動電流
−発光パワー特性図、第３図はタイミングチャート、第
４図、第５図及び第６図は各々異なる制御方式の従来例
を示す発光パワー駆動電流特性図である。 １・・・第１定電流源、２・・・半導体レーザ、３・・
・光検出器、４・・・電流−電圧変換器、５・・・サン
プルホールド回路、６・・・制御回路、７・・第１の制
御ループ、８・・・スイッチ素子、９・・・第２定電流
源、１０・・比較器、１１・・・アップダウンカウンタ
、１２・・デジタルアナログ変換器、１３・・・第２の
制御ループ
第１図はブロック図、第２図は半導体レーザの駆動電流
−発光パワー特性図、第３図はタイミングチャート、第
４図、第５図及び第６図は各々異なる制御方式の従来例
を示す発光パワー駆動電流特性図である。 １・・・第１定電流源、２・・・半導体レーザ、３・・
・光検出器、４・・・電流−電圧変換器、５・・・サン
プルホールド回路、６・・・制御回路、７・・第１の制
御ループ、８・・・スイッチ素子、９・・・第２定電流
源、１０・・比較器、１１・・・アップダウンカウンタ
、１２・・デジタルアナログ変換器、１３・・・第２の
制御ループ
Claims (1)
- 再生電流による再生パワーより弱く設定されたバイアス
パワーで半導体レーザを発光させるバイアス電流に、記
録電流を重畳させた駆動電流で前記半導体レーザを駆動
させて記録パワーで発光させ、この記録パワーの光束を
対物レンズにより情報記録媒体上に集光させて情報の記
録を行なうようにした光ディスク装置における半導体レ
ーザの発光パワー制御装置において、前記半導体レーザ
に接続した第１定電流源と、前記半導体レーザの発光量
を検出する光検出器と、この光検出器から得られる光電
流出力を電圧信号に変換する電流−電圧変換器と、この
電流−電圧変換器の出力電圧をサンプリングしホールド
するサンプルホールド回路と、このサンプルホールド回
路の出力電圧と前記再生電流値に対応する所定の第１基
準電圧とを比較する比較部を備えてこの比較部出力に応
じて前記第１定電流源の第１電流値を制御する制御回路
とにより第１の制御ループを形成し、所定タイミングで
前記電流−電圧変換器の出力電圧と前記バイアス電流値
に対応する所定の第２基準電圧とを比較する比較器と、
この比較器出力に応じてアップ又はダウン動作するアッ
プダウンカウンタと、このアップダウンカウンタの出力
をアナログ信号に変換するデジタル・アナログ変換器と
、所定タイミングでスイッチングされるスイッチ素子を
介して前記半導体レーザに接続されこのデジタル・アナ
ログ変換器出力に応じて第２電流値が制御される第２定
電流源とにより第２の制御ループを形成し、最初に前記
第１の制御ループのみにより第１定電流源の第１電流値
を制御して前記半導体レーザの発光パワーを前記再生パ
ワーに制御し、その後、前記スイッチ素子をオンさせて
前記第１電流値と第２電流値との重畳電流値による半導
体レーザ駆動状態で前記第１の制御ループによる第１電
流値のみの制御により前記半導体レーザの発光パワーを
前記再生パワーに制御しながら所定タイミングで前記ス
イッチ素子をオフさせてその時の第１電流値のみで前記
半導体レーザが前記バイアスパワーとなるように第２電
流値を第２の制御ループにより制御するようにしたこと
を特徴とする半導体レーザの発光パワー制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042101A JPH03245327A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 半導体レーザの発光パワー制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042101A JPH03245327A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 半導体レーザの発光パワー制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03245327A true JPH03245327A (ja) | 1991-10-31 |
Family
ID=12626596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2042101A Pending JPH03245327A (ja) | 1990-02-22 | 1990-02-22 | 半導体レーザの発光パワー制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03245327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5513197A (en) * | 1992-11-12 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser drive circuit including switched current source |
| US7298766B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode driver and driving method for controlling auto laser power, optical pickup device, and optical recording/reproducing apparatus using the same |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2042101A patent/JPH03245327A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5513197A (en) * | 1992-11-12 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser drive circuit including switched current source |
| US7298766B2 (en) | 2002-03-29 | 2007-11-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode driver and driving method for controlling auto laser power, optical pickup device, and optical recording/reproducing apparatus using the same |
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