JPH03246559A

JPH03246559A - 記録方法

Info

Publication number: JPH03246559A
Application number: JP4383890A
Authority: JP
Inventors: Ryoyu Takanashi; 高梨　稜雄; Shintaro Nakagaki; 中垣　新太郎; Tsutae Asakura; 浅倉　伝; Masato Furuya; 正人古屋; Takehisa Koyama; 剛久小山; Yuji Uchiyama; 裕治内山
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1990-02-23
Filing date: 1990-02-23
Publication date: 1991-11-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は高解像度、高感度を目的とする記録方法に係り
、特に光導電層に電磁放射線束を入射させ、記録層に記
録する記録方法に関する。

（従来技術）従来、高解像度を目的とした記録方式に静電潜像（電荷
像）を利用したものか見られる。

この記録方式は、記録媒体を誘電体層と電極によって構
成しておき、この誘電体層の面と微少な間隔を隔てて、
光導電層の片面に透明電極を有する記録ヘッド（書込ヘ
ッド）を光導電層と誘電体層とが対向するように対向配
置させ、記録ヘッドの光導電層に被写体を光学レンズに
よって結像させるものである。光導電層は入射光の強弱
（明暗）に応じて電気抵抗値が変化するため、結像によ
る明暗は光導電層の電気抵抗の変化を引き起すから、記
録ヘッドの透明電極と記録媒体の電極間に所定の電圧を
与えると、電気抵抗値の変化に応した電界が誘電体と光
導電層間にかかることになり、誘電体層の表面には、光
導電層と誘電体層間の放電により被写体の光学像の明暗
に応じた電荷像が記録されることになる。再生に際して
は、再生ヘッドが用いられるが、これは、透明電極面と
誘電体ミラー面とに挟持された光変調層によって構成さ
れている。光変調層は印加された電界の大きさに応じて
、そのに入射した光の物理的状態を変化させる特性を有
するもので、例えば、電気光学効果を有するニオブ酸リ
チウム、あるいはネマチック液晶の層が用いられている
。その再生の原理は、再生ヘッドと記録済みの記録媒体
を、誘電体ミラー面と誘電体層が微少間隔を隔てて配設
すると、光変調層と透明電極間に、・誘電体層に記録さ
れた電荷像に応じた電界が誘電体ミラーを介して与えら
れる。この時、再生ヘッドの透明電極側から例えばレー
ザー光源から放射された光を偏光子を通過させて直線偏
光の光束としてから光偏向器により２方向に偏光してい
る状態のものとして出射させ、この光をコリメータレン
ズによって平行光とし、更にビームスプリッタに入射し
た光束はレンズにて集光されて再生ヘッドの透明電極側
に読取光として入射させる。読取光は光変調層を通過し
、誘電体ミラーによって反射されるが、この反射光は電
荷像によって与えられた光変調層の電界中を通過するこ
とになるため各部の電界の大きさに応じた偏光面の回転
量の変化（物理量の変化）を受けることになり、この回
転量の変化を、例えば検光子等を介して光の明暗に変換
することにより、記録媒体に記録された電荷像を映像、
あるいは映像に対応した電気信号に変換することが出来
る。

本出願人は、先に出願した特願昭６３−２８９７０７号
の優先権主張出願特願平１−２９１６Ｈ号において、上
記の高解像度を目的とした・記録・再生方式に用いられ
る記録媒として、光変調層部材と電荷像形成層部材を備
えた記録媒体、あるいはメモリー機能を有する光変調層
部材と光導電層部材を備えた新しいタイプの記録媒体を
提案した。

後者のタイプの記録媒体には、メモリー機能を有する光
変調層部材として高分子一液晶複合膜を用いたものであ
る。こらは高分子一液晶複合膜に、例えば、ポリエステ
ル樹脂・ポリカーボネート樹脂等の高分子材料中に、高
い体積抵抗率を有するネマチック液晶を分散させること
によって構成されている。

第３図は、高分子一液晶複合膜からなる光変調層と光導
電層を備えた記録媒体１０の断面図である。同図におい
て、１１は光変調層であり、ポリエステル樹脂等からな
る高分子材料１２と、高分子材料１２中の細孔に封入さ
れた液晶１３とからなる。１４は光電導層であり、光変
調層１１の一方の面に形成されている。１５は光変調層
１２の他方の面に密着して形成された電極である。

上記の記録媒体１・０は、高分子材料１２中の細孔の大
きさを小さくして、高分子材料１２の液晶１３に加えら
れる細孔の壁の力か大きくなるようになされると、光変
調層１１の液晶１３に電界が印加されて、光変調層１１
が透明な状態になるような傾向で液晶１３に生じた配向
状態が、前記した印加電界の除去後においても保持され
続けるようになるため、メモリ機能を有することになる
。

なお、液晶としてスメクチックタイプの液晶を用いても
よいことは勿論のことである。

第４図は第３図に示す記録媒体を用いた記録時の動作を
説明するための説明図であり、以下同図を用いて説明す
る。

同図において１６は、記録ヘッドであり、ガラス等から
なる透明基板１７面に透明電極１８が形成されている。

記録に際して、記録媒体１０は、その光導電層１４が記
録ヘッド１６の透明電極１８と微少間隔ｔだけはなれて
対向する様に配設すると共に、透明電極１８と電極１５
とに直流電源ｖ５を接続し、被写体１９の光学像を撮像
レンズ２０によって、記録ヘッド１６を介して光導電層
１４に結像させる。

光導電層１４の電気抵抗値は、結像された被写体１９の
光学像によって変化するが、記録ヘッド１６の透明電極
１８と光変調層１１の電極１５には直流電源Ｖ、が接続
されているため、光導電層１４と光変調層１１との界面
２１の電界強度は、光導電層１４の電気抵抗値の変化パ
ターンに従って変化し、透明電極１８との放電によって
光導電層１４と光変調層１１との界面２１に形成される
電荷像は被写体１９の光学像に対応する電荷像となる。

電荷像が形成されると、その電荷像による電界が光変調
層１１に加わるために、光変調層１１には、これに対応
した液晶１３の変化が生じ、前記の理由から記録が行わ
れる。

再生に際して、光導電層１４に電荷像が記録された状態
の記録媒体１０における光変調層１４に一定の光強度の
読取り光（再生光）を照射すると、光変調層１４の透過
光または反射光は光導電層１４に形成された電荷像の情
報を有しているものになっていることは明らかである。

（発明が解決しようとする課題）記録層として用いている高分子一液晶複合膜からなる光
変調層１１が比較的低インピーダンス（１０〜１０１１
Ω・〔）を有している場合、光導電層に結像された光学
像によって変化した電気抵抗値により形成された光導電
層１４と光変調層１１の界面２１の電界は界面２１方向
に拡散しやすく解像度の劣化が発生する等の不都合があ
った。

（課題を解決するための手段）本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、少なくとも第１の電極層、光導電層、情報記録層及び
第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を
前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極に所
定の電圧を印加することにより、前記電磁放射線束に対
応した像を前記記録層に記録する記録方法において、前
記印加電圧を交流電圧としたことを特徴とする記録方法
を提供しようとするものである。

（実施例）第１図は本発明になる記録方法を説明するための説明図
であるが、前記従来例の構成要素と同一の構成要素には
同一符号を付し、説明を省略する。

同図において３０は本発明の１実施例に用いられる記録
媒体であり、第４図に示す記録媒体１０を形成する光導
電層１４の表面に透明電極３１を形成した構成としであ
る。

３２は交流電源であり、切換スイッチＳＷの一方の接点
Ａと透明電極３１間に接続され、スイッチＳＷの他方の
接点Ｂは透明電極３１に、固定点Ｃは電極１５に接続さ
れ、非記録時はスイッチＳＷは接点Ｂ側にされて透明電
極３１と電極１５はショート状態になされている。

記録に際し、スイッチＳＷを接点Ａ側とし、透明電極３
１と電極１５間に交流電源３２を接続し、被写体１９の
光学象を撮像レンズ２０によって透明電極３１を介して
光導電層１４に結像させる。

光導電層１４の電気抵抗は、結像された被写体１つの光
学像によって変化するが、光導電層１４の透明電極３１
と光変調層１１の電極１５には交流電源３２が接続され
ているため、光変調層１１には、時間的に極性（向き）
が反転し、振幅が入射光量に対応した電界が印加される
。上述の様に、光変調層１１にメモリ性を有する高分子
一液晶複合膜からなる材料を用いた場合、電界による反
応は極性に依存せず、印加される電界の絶対値及び印加
時間に依存することになる。

第２図は光変調層にかかる交流電圧を示すグラフであり
、縦軸に光変調層１１にかかる電圧、横軸に時間軸をと
っである。

３３は、光変調層にかかる交流電圧を示し、３４゜３５
は光変調層１１が記録反応するためのしきい値電圧ｖｔ
ｈ、　−ｖｔｈを示す。

従って、光変調層１１は、図中、斜線部分の期間で反応
する。言い換えるなら、光変調層１１の記録反応は、電
界印加時間の依存性があることから、電圧の正負領域で
しきい値電圧３４．３５を越える度毎に反応が進行し、
光導電層１４と光変調層１１との界面２１に生じた電荷
像に応じた記録を行うことが出来る。従・って、光変調
層１１の直流に対するインピーダンスが低い場合でも、
印加交流電圧の周波数を十分高く設定すれば、電界の界
面２１方向の拡散による解像度劣化を防止出来、高解像
の記録が可能となる。

上述の例では、光変調層１１としてメモリ性を有する高
分子一液晶複合膜を用いた例で説明したが、これに限ら
れるものではなく、例えばＰＬＺＴ等の様に電圧の極性
によらないメモリ機能を有する材料に適用出来るもので
ある。

また、他の実施例として、記録媒として第４図に示す記
録媒１０を用い、記録ヘッドとして第４図に示す記録ヘ
ッド１６を用いた構成とし、透明電極１８と電極１５間
に交流電圧を印加する構成としでも、前記同様、解像度
の優れた記録を行うことが出来る。

更に、第１図に示す実施例において、光導電層１４と光
変調層を分離し、空間を隔てて対向させた構成において
も同様に記録可能となることは言うまでもない。この時
、記録媒体は光変調層１１と電極１５とから構成され、
記録ヘッドは光導電層１４と透明電極３１から構成され
たものとなっている。

また、記録情報の読出しを反射光を利用して行うために
、光変調層１１と光導電層１４との界面にミラーを構成
した記録媒体にも応用可能であるのは説明するまでもな
い。

この場合、ミラーの直流インピーダンスが低い場合でも
、本発明になる交流電圧を加える方法により、電界の拡
散の影響を前記した理由から同様に軽減出来るものであ
る。

また、印加交流電圧は、正弦波状、ステップ状等任意の
ものを用いることが出来、印加交流電圧の振幅は一定で
も良いし、あるいは、周波数、印加時間に対応して変化
させても上述と同様の効果を得ることが出来る。

（発明の効果）上述の様に、本発明になる記録方法によれば、少なくと
も第１の電極層、光導電層、情報記録層及び第２の電極
を有し、記録対象に対応した電磁放射線束を前記光導電
層に入射させると共に、前記２つの電極に所定の電圧を
印加することにより、前記電磁放射線束に対応した像を
前記記録層に記録する記録方法において、前記印加電圧
を交流電圧としたため、情報記録層の直流に対するイン
ピーダンスが低い場合でも、印加交流電圧の周波数を十
分高く設定することにより、電界の界面方向の拡散を防
止出来、解像度の高い記録方法の提供を可能とするもの
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明になる記録方法を説明するための説明図
、第２図は光変調層にかかる電圧を示すグラフ、第３図
は、高分子一液晶複合膜からなる光変調層と光導電層を
備えた記録媒体の断面図、第４図は第３図に示す記録媒
体を用いた記録時の動作を説明するための説明図である
。１０．３０・・・記録媒体、１２・・・高分子材料、１３・・・液晶、１４・・・光導電層、１５・・・電極
、１９・・・被写体、２０・・・撮像レンズ、２１・・
・界面、３１・・・透明電極、３２・・・交流電源、３
３・・・交流電圧、３４．３５・・・しきい値電圧。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも第１の電極層、光導電層、情報記録層
及び第２の電極を有し、記録対象に対応した電磁放射線
束を前記光導電層に入射させると共に、前記２つの電極
に所定の電圧を印加することにより、前記電磁放射線束
に対応した像を前記記録層に記録する記録方法において
、前記印加電圧を交流電圧としたことを特徴とする記録
方法。
（２）情報記録層を少なくとも光変調層部材を含んで構
成したことを特徴とする請求項第１項記載の記録方法。