JPH0324752A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH0324752A
JPH0324752A JP1160377A JP16037789A JPH0324752A JP H0324752 A JPH0324752 A JP H0324752A JP 1160377 A JP1160377 A JP 1160377A JP 16037789 A JP16037789 A JP 16037789A JP H0324752 A JPH0324752 A JP H0324752A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicone rubber
based polymer
film
fluorine based
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1160377A
Other languages
English (en)
Inventor
Taizo Ohama
大濱　泰造
Tomokazu Takami
高見　友和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1160377A priority Critical patent/JPH0324752A/ja
Publication of JPH0324752A publication Critical patent/JPH0324752A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01515—Forming coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はシリコーンゴムの表面の分子密度をフッ素系ポ
リマーと溶媒で化学反応させ高密度にし、完全な気密封
止を施すことなく半導体チップの耐湿性を維持させた半
導体装置に関するものである。
従来の技術 近年、半導体装置において高信頼性を得るために熱硬化
型樹脂による気密封止が多く利用されるようになってき
た。
以下に従来の気密封止した半導体装置について説明する
。
第２図は気密封止した半導体装置の断面図を示すもので
ある。第２図において、１は良熱伝導性の金属片、２は
半田、３は半導体チップ、４ぱ端子、６は半導体チップ
３と端子４を接続する電導性ワイヤー、６は半導体チッ
プを保護するチップコート材、７は熱硬化型樹脂である
。
以上のように構戒された半導体装置について、以下その
動作について説明する。
１ず半導体チップ３に電圧が印加され動作状態になるが
この半導体チップ３に水分が浸入すると表面のアルミパ
ターンが電解腐食される。そのために熱硬化型樹脂７に
よって水分の浸入を防止することが不可欠である。また
この熱硬化型樹脂７に要求される特性として応力の低い
、純度の高い、熱膨張係数の小さいものが必要である。
ために長時間熱硬化とキュアが必要であり、バッジ生産
になり生産性が非常に悪く、熱膨張係数を小さくするた
めにシリカを充填するが粘土が上がシ作業性が非常に悪
〈、筐た高純度のためにコストが高いという欠点を有し
ていた。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、半導体チ
ップを保護するチップコート材のシリコーン表面をフッ
素系ポリマーと溶媒で化学反応させることにより、シリ
コーンとフッ素系ポリマーを結合させ分子密度を非常に
高くした疎水性の膜を形或することによ９完全な気密封
止を必要とせずに耐湿性を維持させ、著しく生産性を向
上させることができる低コストの半導体装置を提供する
ことを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達戒するために本発明の半導体装置は、良熱
伝導性の金属片と、この金属片に半田付けされる半導体
チップと、半導体チップをコーティンクシタシリコーン
ゴムト、ソのシリコーンゴム表面にフッ素系ポリマーと
溶媒の混合物をコーティングし、シリコーンの表面の分
子密度を非常に高くした疎水性の膜の構戊を有している
。
作　　用 との構戒によって従来の樹脂を用いることなく、シリコ
ーンゴムの表面に形或された疎水性の膜により水分の浸
入を防止し、従来の疎水性を維持することができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第１図は本発明の実施例にお・ける半導体装置の断面図
を示すものである。第１図において、８はフッ素系ポリ
マー、９は疎水性の膜である。
以上のように構或された半導体装置について、以下その
動作を説明する。
まず半導体チッデ３に電圧が印加され動作状態になるが
フッ素系ポリマー８と溶媒がシリコーン表面の分子密度
を高くし、疎水性の膜９を形戒することによう水分の浸
入を防出し耐湿性を維持することができる。
以上のように本実施例によれば、フッ素系ポリマーと溶
媒の混合物をシリコーンゴム表面にコティングすること
によシ、高分子密度の疎水性の膜を形或させ水分の浸入
を防ぐことができ、特に熱硬化型の樹脂を使うことがな
い為に生産性を著しく向上させることができる。
発明の効果 以上のように本発明はシリコーンゴム表面にフッ素系ポ
リマーをコーティングすることにより、シリコーン表面
を高分子密度の疎水性の膜を形或して耐湿性を維持させ
ることと共に著しく生産性のよい、低コストの半導体装
置を実現できる本のである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例にむける半導体装置の断面図、
第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・良熱伝導性の金属片、２・・・・・・半
田、３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・端子
、６・・・・・・導電性ワイヤー、６・・・・・・チッ
プコート材、７・・・・・・熱硬化型気密封止樹脂、８
・・・・・・フッ素系ポリマー、９・・・・・・疎水性
の膜、１０・・・・・・外装パッケージ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 良熱伝導性の金属片と、この金属片に半田付けされる半
    導体チップと、その半導体チップを保護するためにコー
    トされた分子密度の低いシリコーンゴムと、そのシリコ
    ーンゴムの表面をフッ素系ポリマーと溶媒で化学反応さ
    せることにより、シリコーンとフッ素ポリマーを結合さ
    せ分子密度を高くした疎水性の膜とを備えた半導体装置
    。
JP1160377A 1989-06-22 1989-06-22 半導体装置 Pending JPH0324752A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684325A (en) * 1994-04-30 1997-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Light-transmissive resin sealed semiconductor
US5869905A (en) * 1996-01-15 1999-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same
US7339280B2 (en) * 2002-11-04 2008-03-04 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with lead frame as chip carrier and method for fabricating the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5684325A (en) * 1994-04-30 1997-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Light-transmissive resin sealed semiconductor
US5869905A (en) * 1996-01-15 1999-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same
US6258632B1 (en) 1996-01-15 2001-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Molded packaging for semiconductor device and method of manufacturing the same
US7339280B2 (en) * 2002-11-04 2008-03-04 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with lead frame as chip carrier and method for fabricating the same

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