JPH03248405A - 電源用低損失フェライト - Google Patents
電源用低損失フェライトInfo
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- JPH03248405A JPH03248405A JP2048714A JP4871490A JPH03248405A JP H03248405 A JPH03248405 A JP H03248405A JP 2048714 A JP2048714 A JP 2048714A JP 4871490 A JP4871490 A JP 4871490A JP H03248405 A JPH03248405 A JP H03248405A
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Landscapes
- Magnetic Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スイッチング電源の磁心等に用いるのに適し
たＭｎ−Ｚｎ系の低損失フェライトに関するもので、Ｃ
ａｂ、Ｓｉｎ、 、Ｎｂ、Ｏ３，Ｔａ、Ｏｓもしくは、
Ｃａｂ、５ｉ０２、Ｎｂ、Ｏ３，Ｔａ、Ｏｓ ，Ｔｉ
Ｏ、もしくは、Ｃａｂ、Ｓｉｎ、 、Ｎｂ、０． 。
たＭｎ−Ｚｎ系の低損失フェライトに関するもので、Ｃ
ａｂ、Ｓｉｎ、 、Ｎｂ、Ｏ３，Ｔａ、Ｏｓもしくは、
Ｃａｂ、５ｉ０２、Ｎｂ、Ｏ３，Ｔａ、Ｏｓ ，Ｔｉ
Ｏ、もしくは、Ｃａｂ、Ｓｉｎ、 、Ｎｂ、０． 。
Ｔｉｅ、を微量複合添加することにより２５ｋＨｚ〜Ｉ
ＭＨｚにおける電力損失を著しく低減したものである
。
ＭＨｚにおける電力損失を著しく低減したものである
。
（従来の技術）
Ｍｎ−Ｚｎ系の低損失フェライトは、各種通信機器、民
生用機器などのトランス用材料に用いられているが、従
来のスイッチング電源用トランスにおいては、スイッチ
ング周波数として専ら２５〜２００ｋＨｚ程度のものが
使用されている。このスイッチング電源用トランスに用
いられる低損失フェライトとしては、副成分として、Ｃ
ａＯ、Ｓｉｎ、 、 Ｖ２Ｏ，を含む、あるいはＣａＯ
Ｈ５ｉｏ２ｔ Ｎｂｚ Ｏｓを含む所望のＭｎ−Ｚｎ系
フェライトが使用されている。例えば、特開昭５８−１
１４４０１号公報。
生用機器などのトランス用材料に用いられているが、従
来のスイッチング電源用トランスにおいては、スイッチ
ング周波数として専ら２５〜２００ｋＨｚ程度のものが
使用されている。このスイッチング電源用トランスに用
いられる低損失フェライトとしては、副成分として、Ｃ
ａＯ、Ｓｉｎ、 、 Ｖ２Ｏ，を含む、あるいはＣａＯ
Ｈ５ｉｏ２ｔ Ｎｂｚ Ｏｓを含む所望のＭｎ−Ｚｎ系
フェライトが使用されている。例えば、特開昭５８−１
１４４０１号公報。
（発明が解決しようとする問題点）
近年−、スイッチング電源をさらに小型・軽量化、高周
波化するため、これに使用するフェライト材料としても
、使用周波数領域において、より低損失で、より高磁束
密度の材料が必要不可欠となっている。
波化するため、これに使用するフェライト材料としても
、使用周波数領域において、より低損失で、より高磁束
密度の材料が必要不可欠となっている。
しかし、従来のＭｎ−Ｚｎ系フェライトでは、高磁束密
度で、なおかつ低損失の共有を実現することは容易でな
かった。また、数百ｋＨｚ以上の周波数領域では、電力
損失が増大してしまう欠点があった。 本発明は１周波
数２５〜２００ｋＨｚにおいて、あるいは、周波数２０
０ｋＨｚ〜Ｉ ＭＨｚにおいて、高磁束密度で、なおか
つ充分電力損失の少ない電源用低損失フェライトを提供
しようとするものである。
度で、なおかつ低損失の共有を実現することは容易でな
かった。また、数百ｋＨｚ以上の周波数領域では、電力
損失が増大してしまう欠点があった。 本発明は１周波
数２５〜２００ｋＨｚにおいて、あるいは、周波数２０
０ｋＨｚ〜Ｉ ＭＨｚにおいて、高磁束密度で、なおか
つ充分電力損失の少ない電源用低損失フェライトを提供
しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、 Ｆｅ２Ｏ３，ＭｎＯ，Ｚｒ＋０を主成分と
し、副成分として、 １） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐ、Ｓｉ０□５００
ｐｐｍ以下（０を含まず）、Ｎｂ２０５１５００ｐｐ＋
ｍ以下（０を含まず）ｔＴａｚｏｓ １５００ｐｐｍ以
下（０を含まず） ２） ＣａＯ２００〜１ＯＯＯｐｐ＋ｍ、ＳＬ０．５０
０ｐｐ＋ｉ以下（０を含まず）＋Ｎｂ２Ｏ５１５００ｐ
ｐｍ以下（０を含まず）ｌＴａ、０．１５００ρｐ＠以
下（０を含まず）、Ｔ１０１１０００〜２００００ｐρ
−３） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐ、ＳＳ１０２５
００ｐｐ以下（０を含まず）、Ｎｂ、０．１５００ｐｐ
ｍ以下（０を含まず）、ＴｉＯ□１０００〜２００００
ｐｐｍ を複合添加、含有することにより、２５ｋＨｚ〜Ｉ Ｍ
Ｈｚにおいて、高磁束密度で、なおかつ、充分電力損失
の少ないフェライトを得るものである。
し、副成分として、 １） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐ、Ｓｉ０□５００
ｐｐｍ以下（０を含まず）、Ｎｂ２０５１５００ｐｐ＋
ｍ以下（０を含まず）ｔＴａｚｏｓ １５００ｐｐｍ以
下（０を含まず） ２） ＣａＯ２００〜１ＯＯＯｐｐ＋ｍ、ＳＬ０．５０
０ｐｐ＋ｉ以下（０を含まず）＋Ｎｂ２Ｏ５１５００ｐ
ｐｍ以下（０を含まず）ｌＴａ、０．１５００ρｐ＠以
下（０を含まず）、Ｔ１０１１０００〜２００００ｐρ
−３） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐ、ＳＳ１０２５
００ｐｐ以下（０を含まず）、Ｎｂ、０．１５００ｐｐ
ｍ以下（０を含まず）、ＴｉＯ□１０００〜２００００
ｐｐｍ を複合添加、含有することにより、２５ｋＨｚ〜Ｉ Ｍ
Ｈｚにおいて、高磁束密度で、なおかつ、充分電力損失
の少ないフェライトを得るものである。
（実施例）
以下本発明に関する電源用低損失フェライトの実施例を
説明する。
説明する。
（１） Ｆｓｚ０３（５３ｍｏ１％）、Ｍｎ０（３５，
５ｍｏ１％）、Ｚｎ０（１１，５ｍｏ１％）を主成分と
する原料を９００℃にて仮焼成した後。
５ｍｏ１％）、Ｚｎ０（１１，５ｍｏ１％）を主成分と
する原料を９００℃にて仮焼成した後。
副成分として、ＣａＣＯ３を７５０ｐｐｍ（ＣａＯに換
算すると４２０ｐｐｍ） 、５ｉｎ２を５０ｐｐｍ、Ｎ
ｂ、Ｏ，を７００ｐｐｍ，Ｔａ、Ｏ，を１１００ｐｐ複
合添加し、ボールミルにて２時間粉砕した。
算すると４２０ｐｐｍ） 、５ｉｎ２を５０ｐｐｍ、Ｎ
ｂ、Ｏ，を７００ｐｐｍ，Ｔａ、Ｏ，を１１００ｐｐ複
合添加し、ボールミルにて２時間粉砕した。
但し、Ｃａｂ、Ｓｉｎ、にょうに原料に予め含有されて
いる副成分については、仮焼成後に添加する量をその分
だけ減じ、全体として上記成分の割合に一致する様にし
た。
いる副成分については、仮焼成後に添加する量をその分
だけ減じ、全体として上記成分の割合に一致する様にし
た。
この粉砕原料を乾燥後、バインダーを１ｗｔ％添加し、
造粒、成形した。この成形体を焼成温度１３００℃、焼
成雰囲気は酸素分圧１％にて５時間焼成した。なお、焼
成体の形状は、外径３０■、内径２０■。
造粒、成形した。この成形体を焼成温度１３００℃、焼
成雰囲気は酸素分圧１％にて５時間焼成した。なお、焼
成体の形状は、外径３０■、内径２０■。
高さ１０ＩＩｍのリング状とした。
この実施例１と同様の試料作製工程において。
添加物条件を変えて各試料を作製した。この結果を第１
表に示す。
表に示す。
第
表
試料１〜６，８〜１１は、周波数２５〜２００ｋＨｚに
おいて、電力損失の少ない本発明の実施例であり、試料
７は、添加物としてＣａｂ、Ｓｉｎ、 、Ｎｂ２Ｏ，を
含む従来材の例である。
おいて、電力損失の少ない本発明の実施例であり、試料
７は、添加物としてＣａｂ、Ｓｉｎ、 、Ｎｂ２Ｏ，を
含む従来材の例である。
実施例６の電力損失の温度特性を第１図に、また、電力
損失の周波数特性を第２図に示した。なお、比較例とし
て従来例の電力損失の温度特性及び周波数特性も第１図
及び第２図に示した。
損失の周波数特性を第２図に示した。なお、比較例とし
て従来例の電力損失の温度特性及び周波数特性も第１図
及び第２図に示した。
第１図より、実施例６の電源用低損失フェライトは、周
波数ｆ＝１００ｋＨｚ、磁束密度Ｂ＋ｉ＝２００ｍＴに
おいて、２０℃〜１２０℃の広温度範囲で電力損失が従
来材の７割程度と、極めて低いことがわかる。また、第
１表に示した様に各実施例の飽和磁束密度は、５１０ｍ
Ｔ以上と非常に高く、このため、第２図に示した様な優
れた電力損失の周波数特性が得られた。
波数ｆ＝１００ｋＨｚ、磁束密度Ｂ＋ｉ＝２００ｍＴに
おいて、２０℃〜１２０℃の広温度範囲で電力損失が従
来材の７割程度と、極めて低いことがわかる。また、第
１表に示した様に各実施例の飽和磁束密度は、５１０ｍ
Ｔ以上と非常に高く、このため、第２図に示した様な優
れた電力損失の周波数特性が得られた。
また、実施例６以外の本発明の電源用低損失フェライト
（実施例１〜１０）においても、第２図に示したものと
同様の傾向が見られた。
（実施例１〜１０）においても、第２図に示したものと
同様の傾向が見られた。
（２） Ｆｅ２Ｏ，（５３，５ｍｏ１％）、Ｍｎ０（３
７，５ｍｏ１％）、Ｚｎ０（９，Ｏｍｏ１％）を主成分
とする原料を９００℃にて仮焼成した後、副成分として
、ＣａＣ０，を７５０ｐｐｍ（ＣａＯに換算すると４２
０ｐｐｍ） ＊５ｘ０１を３００ｐｐｍ、ＮｂｚＯｓを
５００ｐｐ■，Ｔａ５Ｏ，を１００ｐｐ■複合添加し、
ボールミルにて１２時間粉砕した。但し、ＣａＯ，Ｓｉ
Ｏ□のように原料に予め含有されている副成分について
は、仮焼成後に添加する量をその分だけ減じ、全体とし
て上記成分の割合に一致する様にした。
７，５ｍｏ１％）、Ｚｎ０（９，Ｏｍｏ１％）を主成分
とする原料を９００℃にて仮焼成した後、副成分として
、ＣａＣ０，を７５０ｐｐｍ（ＣａＯに換算すると４２
０ｐｐｍ） ＊５ｘ０１を３００ｐｐｍ、ＮｂｚＯｓを
５００ｐｐ■，Ｔａ５Ｏ，を１００ｐｐ■複合添加し、
ボールミルにて１２時間粉砕した。但し、ＣａＯ，Ｓｉ
Ｏ□のように原料に予め含有されている副成分について
は、仮焼成後に添加する量をその分だけ減じ、全体とし
て上記成分の割合に一致する様にした。
この粉砕原料を乾燥後、バインダーを１ｗｔ％添加し、
造粒、成形した。この成形体を焼成温度１１５０℃、焼
成雰囲気は酸素分圧０．１％にて５時間焼成した。なお
、焼成体の形状は、外径２５■、内径１５■、高さ７．
５ｍｓのリング状とした。
造粒、成形した。この成形体を焼成温度１１５０℃、焼
成雰囲気は酸素分圧０．１％にて５時間焼成した。なお
、焼成体の形状は、外径２５■、内径１５■、高さ７．
５ｍｓのリング状とした。
この実施例１５と同様の試料作製工程において、添加物
条件を変えて各試料を作製した。この結果を第２表に示
す。
条件を変えて各試料を作製した。この結果を第２表に示
す。
第
表
試料１２〜２２は、周波数２００ｋＨｚ 〜Ｉ ＭＨｚ
において電力損失の少ない本発明の実施例である。
において電力損失の少ない本発明の実施例である。
実施例１５の電力損失の温度特性を第３図に、また、電
力損失の周波数特性を第４図に示した。なお、比較とし
て従来例（試料７）の電力損失の温度特性及び周波数特
性も第３図及び第４図に示した。
力損失の周波数特性を第４図に示した。なお、比較とし
て従来例（試料７）の電力損失の温度特性及び周波数特
性も第３図及び第４図に示した。
第３図より、実施例１５の電源用低損失フェライトは、
周波数ｆ＝５００ｋＨｚ、磁束密度Ｂｍ：５０＋ｍＴに
おいて、２０℃〜１２０℃の広温度範囲で電力損失が従
来材の１／２〜ｌ／３程度と、極めて低いことがわかる
。
周波数ｆ＝５００ｋＨｚ、磁束密度Ｂｍ：５０＋ｍＴに
おいて、２０℃〜１２０℃の広温度範囲で電力損失が従
来材の１／２〜ｌ／３程度と、極めて低いことがわかる
。
また、第４図より、実施例１５の電源用低損失フェライ
トが、従来の電源用フェライトに比べ、損失が１７２と
なるのは、磁束密度５０■Ｔでは２００ｋＨｚ以上１０
０ｍＴでは、 ３００ｋＨｚ以上であり、２００ｍＴで
は、Ｉ Ｎ）Ｉｚ以上であることが予想される。すなわ
ち。
トが、従来の電源用フェライトに比べ、損失が１７２と
なるのは、磁束密度５０■Ｔでは２００ｋＨｚ以上１０
０ｍＴでは、 ３００ｋＨｚ以上であり、２００ｍＴで
は、Ｉ Ｎ）Ｉｚ以上であることが予想される。すなわ
ち。
実施例１５が高周波低損失という特徴を発揮するのは、
周波数２００ｋＨｚ以上、磁束密度１００■Ｔ以下の動
作条件であると言える。
周波数２００ｋＨｚ以上、磁束密度１００■Ｔ以下の動
作条件であると言える。
また、実施例１５以外の本発明の電源用低損失フェライ
ト（実施例１１〜２１）においても、第４図に示したも
のと同様の傾向が見られた。
ト（実施例１１〜２１）においても、第４図に示したも
のと同様の傾向が見られた。
尚、主成分である。 Ｆｅ、Ｏ３，ＭｎＯ，ＺｎＯの割
合は、Ｆｅ、０． ５２．０〜５５．Ｏｍｏ１％、Ｍｎ
０ ３１．０〜４２．０ｍｏ１％、 ＺｎＯ６，０〜
１６．０ｍｏ１％の範囲であれば良い。
合は、Ｆｅ、０． ５２．０〜５５．Ｏｍｏ１％、Ｍｎ
０ ３１．０〜４２．０ｍｏ１％、 ＺｎＯ６，０〜
１６．０ｍｏ１％の範囲であれば良い。
また、本発明において、副成分の添加量を限定した理由
は、以下の通りである。
は、以下の通りである。
副成分のＣａＯが１１０００ｐｐより多いと、電力損失
が増大すると共に、透磁率が急激に低下する。また、Ｃ
ａＯが２００ｐｐｍよりも少ないと、電気抵抗が低下す
るため、渦電流損失が増大し、電力損失は大きくなる。
が増大すると共に、透磁率が急激に低下する。また、Ｃ
ａＯが２００ｐｐｍよりも少ないと、電気抵抗が低下す
るため、渦電流損失が増大し、電力損失は大きくなる。
副成分のＮｂ２Ｏ３，Ｔａ、０． 、Ｓｉｎ、が本発明
の範囲以上になると、異常焼結し、電力損失が増大する
と共に、透磁率及びＱ値も低下する。尚、高磁束密度・
低損失のフェライト焼結体を得るためには、ＳｉＯ□添
加量は、周波数２５ｋＨｚ 〜２００ｋ）Ｉｚ対応のも
ので２００ｐｐｍ以下、周波数２００ｋＨｚ〜Ｉ ＭＨ
ｚ対応のもので２００〜５００Ｐρ履の範囲で含有され
ることが望ましい。
の範囲以上になると、異常焼結し、電力損失が増大する
と共に、透磁率及びＱ値も低下する。尚、高磁束密度・
低損失のフェライト焼結体を得るためには、ＳｉＯ□添
加量は、周波数２５ｋＨｚ 〜２００ｋ）Ｉｚ対応のも
ので２００ｐｐｍ以下、周波数２００ｋＨｚ〜Ｉ ＭＨ
ｚ対応のもので２００〜５００Ｐρ履の範囲で含有され
ることが望ましい。
また、副成分のＮｂ、 Ｏ３，Ｔａ２０Ｓ及び５ｕｎ２
が本発明の範囲未満になると、電気抵抗が低下し電力損
失が増大すると共に、焼結が進まず、飽和磁束密度及び
透磁率も低下する。
が本発明の範囲未満になると、電気抵抗が低下し電力損
失が増大すると共に、焼結が進まず、飽和磁束密度及び
透磁率も低下する。
副成分のＴｉｅ２が本発明の範囲以上になると、電力損
失の温度特性の極小点が低温側にシフトし。
失の温度特性の極小点が低温側にシフトし。
使用温度での電力損失が増大するため望ましくない。
また、副成分のＴｉｅ、が本発明の範囲未満になると電
力損失が増大すると共に、飽和磁束密度も低下するため
望ましくない。
力損失が増大すると共に、飽和磁束密度も低下するため
望ましくない。
（発明の効果）
前述の如く、本発明の電源用低損失フェライトは．Ｆｅ
、０３．ＭｎＯ，ＺｎＯを主成分とし、副成分として１
） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐ、ＳＳ１０２５００
ｐｐ以下（０を含まず）ｙＮｂｚｏｓ １５００ＰＰ”
以下（０を含まず），Ｔａ２Ｏ５１５００ｐｐｍ以下（
０を含まず） ２） ＣａＯ２００−１０００ｐｐｍ、ＳＬ０２５００
ｐｐｍ以下（０を含まず）、Ｎｂ２Ｏ５１５００ｐｐ＋
ｍ以下（０を含まず），Ｔａ、０．１５００ｐｐｍ以下
（０を含まず）、ＴｉＯ□１０００〜２００００ｐｐ１
１３） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐｍ，ＳｉＯ２，
５００ｐｐｍ以下（０を含まず）Ｎｂ、Ｏｓ１５００ｐ
ｐｍ以下（０を含まず），ＴｉＯ、 １０００〜２００
００ｐＰ膳 のいずれかを複合添加、含有することにより、２５ｋＨ
ｚ〜Ｉ ＭＨｚにおいて、高磁束密度で、なおかつ充分
電力損失の少ないフェライトを得ることができる。
、０３．ＭｎＯ，ＺｎＯを主成分とし、副成分として１
） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐ、ＳＳ１０２５００
ｐｐ以下（０を含まず）ｙＮｂｚｏｓ １５００ＰＰ”
以下（０を含まず），Ｔａ２Ｏ５１５００ｐｐｍ以下（
０を含まず） ２） ＣａＯ２００−１０００ｐｐｍ、ＳＬ０２５００
ｐｐｍ以下（０を含まず）、Ｎｂ２Ｏ５１５００ｐｐ＋
ｍ以下（０を含まず），Ｔａ、０．１５００ｐｐｍ以下
（０を含まず）、ＴｉＯ□１０００〜２００００ｐｐ１
１３） ＣａＯ２００〜１１０００ｐｐｍ，ＳｉＯ２，
５００ｐｐｍ以下（０を含まず）Ｎｂ、Ｏｓ１５００ｐ
ｐｍ以下（０を含まず），ＴｉＯ、 １０００〜２００
００ｐＰ膳 のいずれかを複合添加、含有することにより、２５ｋＨ
ｚ〜Ｉ ＭＨｚにおいて、高磁束密度で、なおかつ充分
電力損失の少ないフェライトを得ることができる。
第１図は、本発明に係る実施例６の場合の周波数１００
ｋＨｚ、磁束密度２００ｍＴにおける電力損失の温度特
性を従来例の場合と比較して示したものであり、第２図
は、磁束密度２００ｍＴ、周囲温度１００℃における本
発明に係る実施例６の電力損失の周波数特性を従来例の
場合と比較して示したものであり、第３図は、本発明に
係る実施例１５の場合の周波数５００ｋＨｚ、磁束密度
５０ｍＴにおける電力損失の温度特性を従来例の場合と
比較して示したものであり、第４図は、磁束密度５０璽
Ｔ４００ｍＴ・２００鳳Ｔ、周囲温度８０℃における本
発明に係る実施例１５の電力損失の周波数特性を従来例
の場合と比較して示したものである。
ｋＨｚ、磁束密度２００ｍＴにおける電力損失の温度特
性を従来例の場合と比較して示したものであり、第２図
は、磁束密度２００ｍＴ、周囲温度１００℃における本
発明に係る実施例６の電力損失の周波数特性を従来例の
場合と比較して示したものであり、第３図は、本発明に
係る実施例１５の場合の周波数５００ｋＨｚ、磁束密度
５０ｍＴにおける電力損失の温度特性を従来例の場合と
比較して示したものであり、第４図は、磁束密度５０璽
Ｔ４００ｍＴ・２００鳳Ｔ、周囲温度８０℃における本
発明に係る実施例１５の電力損失の周波数特性を従来例
の場合と比較して示したものである。
Claims (3)
- １．Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＭｎＯ，ＺｎＯを主成分とし、副
成分として、ＣａＯ２００〜１０００ｐｐｍ，ＳｉＯ＿
２，５００ｐｐｍ以下（０を含まず），Ｎｂ＿２Ｏ＿５
１５００ｐｐｍ以下（０を含まず），Ｔａ＿２Ｏ＿５１
５００ｐｐｍ以下（０を含まず）を複合添加、含有した
ことを特徴とする電源用低損失フェライト。 - ２．Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＭｎＯ，ＺｎＯを主成分とし、副
成分として、ＣａＯ２００〜１０００ｐｐｍ，ＳｉＯ＿
２５００ｐｐｍ以下（０を含まず），Ｎｂ＿２Ｏ＿５１
５００ｐｐｍ以下（０を含まず），Ｔａ＿２Ｏ＿５１５
００ｐｐｍ以下（０を含まず），ＴｉＯ＿２１０００〜
２００００ｐｐｍを複合添加、含有したことを特徴とす
る電源用低損失フェライト。 - ３．Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＭｎＯ，ＺｎＯを主成分とし、副
成分として、ＣａＯ２００〜１０００ｐｐｍ，ＳｉＯ＿
２５００ｐｐｍ以下（０を含まず），Ｎｂ＿２Ｏ＿５１
５００ｐｐｍ以下（０を含まず），ＴｉＯ＿２１０００
〜２００００ｐｐｍを複合添加、含有したことを特徴と
する電源用低損失フェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048714A JP3044666B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 電源用低損失フェライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048714A JP3044666B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 電源用低損失フェライト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03248405A true JPH03248405A (ja) | 1991-11-06 |
| JP3044666B2 JP3044666B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=12810972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048714A Expired - Lifetime JP3044666B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | 電源用低損失フェライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3044666B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627103B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn ferrite production process, Mn-Zn ferrite, and ferrite core for power supplies |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58114401A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Tdk Corp | 電源用超低損失フエライト |
| JPS60132301A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
| JPS60262405A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフエライトの製造方法 |
| JPH03248404A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Hitachi Ferrite Ltd | 低損失フェライト |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2048714A patent/JP3044666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS60262405A (ja) * | 1984-06-11 | 1985-12-25 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｍｎ−Ｚｎフエライトの製造方法 |
| JPH03248404A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Hitachi Ferrite Ltd | 低損失フェライト |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627103B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn ferrite production process, Mn-Zn ferrite, and ferrite core for power supplies |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3044666B2 (ja) | 2000-05-22 |
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