JPH03248531A - シリコン系被エッチング材のエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。

産業上の利用分野 発明の概要 発明の背景 発明が解決しようとする問題点 問題点を解決するための手段 作用 実施例 実施例−１ 実施例−２ 実施例−３ 発明の効果 〔産業上の利用分野〕 本出願の各発明は、シリコン系被エツチング材のエツチ
ング方法に関する。特に、基体上にシリコン層と高融点
金属シリサイド層とを有する被エツチング部をエツチン
グするエツチング方法に関するものである。本発明は、
例えば半導体装置製造の際に、いわゆるポリサイド構造
等のエツチング方法として利用することができる。

〔発明の概要〕

本出願の各発明は、基体上に形成されたシリコン層と高
融点金属シリサイド層とを有する被工・ノチング部をエ
ツチングするシリコン系被エツチング材のエツチング方
法において、臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガ
スとを含有するエツチングガスを用いてエツチングを行
うとともに、更に各々次のような特徴をもつ。

即ち、本出願の請求項１の発明は、上記エツチングの後
、フッ素ラジカルを発生し得るガスのみによってオーバ
ーエツチングすることにより、オーバーエツチング時の
側壁のアンダーカット発生を抑え、良好なエツチング形
状を得るようにしたものである。

本出願の請求項２の発明は、上記エツチングに酸素アッ
シング処理を更に行い、その後オーバーエツチングする
ことによって、オーバーエツチング時の側壁のアンダー
カットの発生を抑え、良好なエツチング形状を得るよう
にしたものである。

本出願の請求項３の発明は、発光スペクトル強度変化を
モニタすることにより高融点金属シリサイド層のエツチ
ング終点を決定することによって、適切なエツチング終
了時を判定し、これにより良好なエンチングを実現した
ものである。

（発明の背景〕 基体上にシリコン層と高融点金属シリサイド層とが形成
されて成る構造は、例えば半導体装置の分野において、
例えばゲート配線構造を形成するために用いられている
。

高融点金属シリサイドは、従来のＬＳＩ等の半導体装置
のゲート配線材料として多用されて来たポリ（多結晶）
シリコンよりも抵抗値が小さいので有利であり、かつ、
高融点金属シリサイドと基体との間にシリコン（特にポ
リシリコン）層を介在させることにより、界面（例えば
ゲート絶縁膜としての５ｉ０２との界面）における信頼
性を維持することができる。

上記構造は、通例ポリシリコン上にシリサイドが積層さ
れて成るという意味で、一般にポリサイドと称される。

このようなポリサイド構造をエツチングしてパターニン
グする場合、異なる２種の材料に対してともに良好な異
方性をもってエツチングを行わなければならず、このた
め従来より、例えば、フロン１１３（ｃｚｃｌｉｐｚ）
に代表されるようないわゆるフロンないしはフレオンと
称されるフン化炭素系ガスを主に含有するエツチングガ
スが使用されて来た。

ところがこれらフン化炭素系ガスは、オゾン層の破壊を
もたらすなど環境上の問題があって、使用を避けること
が望まれる。いわゆるフロン規制により使用できなくな
る可能性も大きい。

このため、それに代わるエツチングガスであって、しか
もシリコン層と高融点金属シリサイド層との双方に対し
て良好な異方性を実現でき、形状の良いエツチングを達
成できるエツチングガス系の開発が望まれている。

このような背景から、本発明者らは先きに、ＨＢｒ／Ｓ
Ｆ、混合ガス系等の、臭化水素と、フッ素ラジカルを生
じ得るガスとを含有するガス系による工ンチング技術を
提案した（平成２年１月２２日特許願「ドライエツチン
グ方法」）、。

この技術によれば、高融点金属シリサイド層とポリシリ
コン層とから成るポリサイド膜を、高速で、高異方性を
維持しつつ、選択性良好にエツチングすることができる
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述のように、本発明者らの提案による上記技術は、フ
ッ化炭素系ガスを用いることなくポリサイド構造を良好
にエツチングできるので有利なのであるが、被エツチン
グ材の下地によっては、該下地との選択比がとりにくい
ことがあるという問題を残している。

例えば、ゲート配線構造に用いる場合、下地は−Ｓにゲ
ート酸化膜をなすためのＳｉＯ□膜であることが多く、
この５ｉｎ２膜がエツチングのストッパー膜ともなり得
るものでなくてはいけないが、例えばエンチングガスと
してＳＦ６　／ＨＢｒ混合ガス系を用いるとき、下地Ｓ
ｉｎｇとの選択比がとりにくく、良好なエツチングを実
現しに（いことがある。場合によっては、オーバーエツ
チングの際に、シリコン層にアンダーカット（えぐれ）
などが生ずることがある。

この問題について、第７図を参照して説明すると次のと
おりである。

例えば、第７図（ａ）に示すように、被エツチング材が
、基板１とエツチングストッパーとなる絶縁膜２（Ｓｉ
Ｏ□）から成る基体１１上に、シリコン層３であるＤＯ
ＰＯ３（ドープされたポリシリコン）と高融点シリサイ
ド層４であるーＳｉｘ　（タングステンシリサイド）か
ら成るポリサイド膜である被エツチング部１０が形成さ
れて成る材料の場合に、図示の如くフォトレジスト５１
．５２をマスクにしてＳＦ、　／ＨＢｒエツチングガス
系を用いてエツチングを行うと、ジャストエッチ時に、
第７図（ｂ）に符号３ａで示すシリコンのエツチング残
りや、あるいは特にレジスト５１．５２の間において、
エツチング残り３ｂが生ずることがある。これはエツチ
ング条件の変動や、被エツチング材の面内不均一性等に
よって、多かれ少なかれ発生する。このため、オーバー
エツチングを行ってかかるエツチング残り３ａ、３ｂを
除去する必要がある。ところがこの場合、例えば上記Ｓ
Ｆ６　／　ＨＢｒガス系をそのまま用いるとＳｉＯ□と
の選択比がとれず、所望の良好なエツチングが達成され
ない。

当初からＷＢｒ単独で、あるいは５１２６単独でエツチ
ングを行い、引きつづいてオーバーエツチングを行うよ
うにすると、ＳｉＯ２との選択比の問題は改善されるが
、エツチング速度が充分でなかったり、あるいはシリコ
ン層のアンダーカットが生じたりする。例えば、第８図
（ａ）の如きポリサイド構造をこのようにエツチング及
びオーバーエ・ノチングすると、第８図（ｂ）に示すよ
うに、シリコンパターン３１に、えぐれた形状のアンダ
ー力・ント３ａ′が生ずることがあり、良好なエツチン
グを実現できない。（なお、第７図及び第８図中、３１
゜３１１．３１２はエツチング後のシリコンパターン、
４１゜４１Ｌ４１２は同じく高融点金属シリサイドパタ
ーンである。またエツチング時の形状劣化の防止のため
、側壁保護の手法を用いる技術の一つとして、特開昭６
３−２３９９５０号公報に記載のものがある）。

また更に、上記のように被エツチング部１０が高融点金
属シリサイド層４とシリコン層３との、ドライエツチン
グ時の反応生成物の蒸気圧が互いにそれぞれ異なる２層
の材料の積層構造をとっている場合には、高融点金属シ
リサイド層４をエツチングする条件でシリコン層３まで
エツチングを行うと、同様に側壁にアンダーカッ）３ａ
’を生ずる場合がある。これを避けるためには、各層ご
とに最適条件を設定してエツチングを行うことが高積度
の異方性加工という観点からは望ましい。

しかしながら、上記の観点から、あるいはその他の事情
から、高融点金属シリサイド層４とシリコン層３とのエ
ツチング条件を変えたいとしても、これを実現するため
には、高融点金属シリサイド層４のエツチングの終点の
判定（例えばＷＳｉｘ／ＤＯＰＯ３間でのエツチング終
点判定）が高精度に行えることが必要であるが、従来上
の技術ではこれはきわめて難しかった。

本出願の各発明は上記問題点を解決せんとするものであ
り、請求項１．２の発明は、オーバーエツチング時にシ
リコン層に生ずる可能性のあるアンダーカットの発生を
抑え、良好な形状のエツチングを達成することを目的と
する。また請求項３の発明は、高融点金属シリサイド層
のエツチング終点を容易かつ確実に判定して、これによ
り良好な形状のエツチングを達成することを目的とする
。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本出願の各発明は、以下の構
成をとる。

即ち、本出願の請求項１の発明は、基体上に形成された
シリコン層と高融点金属シリサイド層とを有する被エツ
チング部をエツチングするシリコン系被エツング材のエ
ツチング方法において、臭化水素とフッ素ラジカルを発
生し得るガスとを含有するエツチングガスを用いてエツ
チングを行い、その後フッ素ラジカルを発生し得るガス
のみによってオーバーエツチングすることを特徴とする
ものである。

本出願の請求項２の発明は、基体上に形成されたシリコ
ン層と高融点金属シリサイド層とを有する被エツチング
部をエツチングするシリコン系被エツチング材のエツチ
ング方法において、臭化水素とフッ素ラジカルを発生し
得るガスとを含有するエツチングガスを用いてエツチン
グを行い、更に酸素アッシング処理を行い、その後オー
バーエツチングすることを特徴とするものである。

本出願の請求項３の発明は、基体上に形成されたシリコ
ン層とこの上に形成された高融点金属シリサイド層とを
有する被エツチング部をエツチングするシリコン系被エ
ツチング材のエツチング方法において、臭化水素とフッ
素ラジカルを発生し得るガスとを含有するエツチングガ
スを用いてエツチングを行うとともに、発光スペクトル
強度変化をモニタすることにより高融点金属シリサイド
層のエツチング終点を決定することを特徴とするもので
ある。

〔作　用〕

本出願の請求項１の発明は、臭化水素とフッ素ラジカル
を発生し得るガスとを含有するエツチングガスを用いて
エツチングを行った後、フッ素ラジカルを発生し得るガ
スのみによってオーバーエツチングするので、シリコン
層と高融点金属シリサイド層とを有する被エツチング部
を、オーバーエツチング前においては充分な速度で形状
良好なエツチングが達成でき、かつオーバーエツチング
時においてはアンダーカットなどが生じたりすることに
よる形状の劣化が防止でき、良好なエツチングを達成で
きる。

本出願の請求項２の発明は、臭化水素とフッ素ラジカル
を発生し得るガスとを含有するエツチングガスを用いて
エツチングを行い、更に酸素アッシング処理を行い、そ
の後オーバーエツチングするので、シリコン層と高融点
金属シリサイド層とを有する被エツチング部を、オーバ
ーエツチング前においては充分な速度で形状良好なエツ
チングが達成でき、かつオーバーエツチング時において
は酸化による側壁保護効果によって、アンダーカットな
どの発生が防止されて形状の良好なエツチングを達成で
きる。

本出願の請求項３の発明は、臭化水素とフッ素ラジカル
を発生し得るガスとを含有するエツチングガスを用いて
エツチングを行うとともに、発光スペクトル強度変化を
モニタすることにより高融点金属シリサイド層のエツチ
ング終点を決定することを特徴とするものであるので、
被エツチング物質が変わる時点で特異的な挙動を示す波
長のスペクトルをモニタすることによって、高精度のエ
ツチング終点判定を行うことができる。

〔実施例〕

以下本出願の各発明の実施例について、図面を参照して
説明する。但し当然のことではあるが、各発明は以下に
示す実施例により限定されるものではない。

実施例−１ この実施例は、本出願の請求項１の発明を具体化したも
のであり、特に、半導体装置のパターン形成に際して、
第１図に示す如く近接したフォトレジスト５１．５２に
よりパターニングを行う場合にこの発明を適用したもの
である。

本実施例におけるシリコン系被エツチング材は、基体１
１（本例では基板１であるシリコン基板と、エツチング
のストッパー膜２として機能をもっＳｉＯ□とからなる
基体）上に形成されたシリコン層３と高融点金属シリサ
イド層４とを有する被エツチング部１０を備えるもので
ある。特に重金属シリサイド層４はタングステンシリサ
イドから成り、シリコン層はポリシリコン、特に不純物
がドープされたＤＯＰＯ３から成る。

本実施例では、まず第１ステツプとして、次の条件で、
ジャストエッチまでエツチングを行った。

Ｉ　ｙ　チア　クカス：　ＳＦａ／　ＨＢｒ　＝　２０
／　３０ＳＣＣＭ電　　　　流７２５０ｍＡ ＲＦ印印加力カニ１００ 匈ス　圧：　５ｍＴｏｒｒ 次に、第２のステップとして、オーバーエツチングを行
う。第７図を用いて説明したように、ジャストエッチ条
件でエツチングしても、被エツチング材の面内不均一や
、エツチング条件のぶれなどにより、第７図（ｂ）に極
端に示した如くエツチング残り３ａや、またこのように
レジスト５１゜５２間の距離が狭い場合は、第７図（ｂ
）におけるエツチング残り３ｂが残存する可能性がある
からである。

本実施例のオーバーエツチング条件は、エツチングガス
としてフッ素ラジカルを発生し得るガスであるＳＦ、単
独のガス系を用いて行うものである。

即ち、ＳＦ、　＝５０５ＣＣＭの条件で行った。

本例においてシリコン層３をなしているＤＯＰＯ３は、
そのエツチング速度が、ガス系がＳＦｂ　／ＨＢｒ　＝
２０／３０５ＣＣＭの場合では７７００人／ｍｉｎであ
るのに対し、ガス系がＳＦｉ　＝５０ＳＣＣＭの場合で
は、ＲＦバイアス電力＝１００−の場合で１５２００人
／ｗｉｎとなる。

従ってオーバーエッチの時間は、エツチングガスをＳＦ
、単独にすることで、約半分に短縮できる。

またオーバーエツチング時のＲＦバイアス電力をゼロＷ
に落とせば、下地のストッパー膜２であるＳｉＯ□に対
する選択比も上がる。ＳｉＯ□のエツチング速度が下が
るのに対し、ＤＯＰＯ３等のシリコンは、そのエツチン
グ速度はあまり変化しないからである。シリコンはフッ
素ラジカルでエツチングが進行するので、イオンアシス
トによるＳｉＯ□のエツチングはどＲＦバイアス電力に
依存しないからと考えられる。これにより、下地ＳｉＯ
□層のエツチングを低減しつつ、オーバーエツチングを
行うことが可能となる。最初からＳＦ、単独でエツチン
グを行うとアンダーカットが生じてしまい、一方ＨＢｒ
　／ＳＦ、混合系をそのままオーバーエツチングにも用
いると、速度が上がらず、実用的でない。

第１図（ｂ）に、エツチングにより得られたパターン形
状を例示する。同図中、４１１，４１２は高融点金属シ
リサイド（ＷＳｉｘ）パターン、３１１゜３１２はシリ
コン層（ＤＯＰＯ３）パターンである。

上記例は２つのパターニング用レジスト５Ｌ５２が隣接
して存在する場合への適用であるが、勿論単独のレジス
トパターンによりパターニングする場合にも好適に利用
することができることは当然である。本実施例は、例え
ば、ポリサイド構造のゲート構造の形成に用いることが
できる。

上述したように、本実施例は、タングステンポリサイド
をエツチングする場合に、まずＳＦ、　／ＨＢｒ系ガス
によるジャストエッチの後、オーバーエツチングプロセ
スとして、エツチングガスにＳＦｉのみを用いたもので
あり、またこのＳＦｉ、によるオーバーエラチンプロセ
スにおけるＲＦバイアス電力をゼロＷとするように構成
でき、これによってＳＦ、　／ＨＢｒによる異方性エツ
チング後のオーバーエツチングプロセスの時間を短縮し
、また選択比を確保することを可能ならしめたものであ
る。

実施例−２ 本実施例は、本出願の請求項２の発明を具体化したもの
である。本実施例におけるシリコン系被エツチング材は
、第２図（ａ）に示すもので、実施例−１におけると同
様、基体１１（本例では基板１であるシリコン基板と、
エツチングのストッパー膜２として機能をもっ５ｉｎ２
とがら成る基体）上に形成されたシリコン層３と高融点
金属シリサイド層４とを有する被エツチング部１ｏを備
えるものである。特に重金属シリサイド層４はタングス
テンシリサイドから成り、シリコン層はポリシリコン、
特に不純物がドープされたＤＯＰＯ３から成る。

本実施例では、まず第１ステツプとして、５Ｆ６７ＨＢ
ｒエツチングガス系によって異方性エツチングをジャス
トエッチまで行う。ここまでのエツチングは、実施例−
１と同じ条件を用いてよい。

次に第２ステツプとして、次の条件で酸素アッシング処
理を行う。即ち、 電囲気ガス：　０２　＝　５０ＳＣＣＭ電　　　流　　
　　：　２５０ｍＡ ＲＦバイアス電力：ゼロり の条件で放電を５秒行う。これにより側壁にごく薄い酸
化膜が形成される。側壁を酸化することにより側壁保護
を行うことは知られているが、この方法においては、エ
ツチングされた各パターン４１、３１　（第２図（ｂ）
参照）の側壁に付着する反応生成物５ｉＢｒｘが非常に
不安定であるため、化学的に活性となっていて容易に酸
化され、従ってより効率的に酸化が行われると考えられ
る。

その後オーバーエツチングを行う。本実施例では、上記
酸素アッシング処理に続くオーバーエツチングプロセス
では、次の条件を用いた。

エツチングガス：　ＨＢｒ　＝５０ＳＣＣＭ電　　　流
　　　　：　１５０ｍＡ ＲＦバイアス電カニ５０− このようにオーバーエツチング時のエツチングガスとし
て、臭化水素を用いると、ＳｉＯ□に対する高い選択比
が得られるため、酸化された側壁のアンダーカットを抑
えることができる。

これにより、異方性形状を保ちながら下地ＳｔＯ□との
高選択比をとったエツチングが実現可能となる。

但しオーバーエツチングは、ＳＦ、や、その他のガスを
用いるのでもよい。

上述したように本実施例では、臭化水素とフッ素ラジカ
ルを生じ得るガスとの混合ガス系であるＳＦｂ　／　Ｈ
Ｂｒによるジャストエッチの後に、０２プラズマ処理を
行い側壁酸化を行った後にオーバーエツチングを行うも
のであり、かつ本実施例では特にオーバーエツチングプ
ロセスのエツチングガスにＨＢｒを用いたので、タング
ステンポリサイド構造のオーバーエツチングプロセスを
アンダーカットを生じさせることなく、良好な形状のエ
ツチングパターンが得られるように処理することが可能
ならしめられた。

エツチング後の構造を、第２図（ｂ）に示す。

実施例−３ 本実施例は、本出願の請求項３の発明を具体化したもの
である。

本実施例におけるシリコン系被エツチング材は、第３図
（ａ）に示すとおりであり、これは実施例２における被
エツチング材と同様のものである。

本実施例においては、第１ステツプのエツチングガスと
して少なくともフッ素ラジカルを容易に発生し得るガス
にＨＢｒを添加してなるガスを用い、５００〜６００ｎ
ｍに現れる発光ライン強度の変化で、高融点金属シリサ
イド層４であるＷＳｉｘ層エツチングの終点判定を行う
ように構成した。

本実施例ではまず第１ステツプとして、第３図（ａ）に
示したタングステンポリサイド構造から成る被エツチン
グ部１０について、次の条件でエツチングを行った。

エツチングガス：　ＳＦ、、／ＨＢｒ　＝２０／３０３
ＣＣＭマイクロ波電カニ　２５Ｏｎ＋Ａ ＲＦバイアス：　１００Ｗ 上記条件でエツチングすることにより、反応生酸物によ
る汚染（再付着）のないエツチングが達成できる。この
エツチングの時に、発光ライン５１９ｎｍをモニターし
て、高融点金属シリサイド層４であるＷＳｉｘ層のエツ
チングの終点判定を行った。

上記により、エツチングを高融点金属シリサイド層４（
ＷＳｉｘ層）で停止することができ、第３図（ｂ）のよ
うなシリコン層３の表面が露出する形状が得られた。

エツチング時の５１９ｎｍにおける発光強度変化を第６
図に示す。感度６７でこのピークが検出された。

このエツチング終点判定方法は、ＷＳｉｘ等の高融点金
属シリサイドのエツチング時と、ＤＯＰＯ８等のシリコ
ンのエツチング時とにおいて、発光強度に差があること
を利用するものである。

これについて第４図及び第５図を用いて説明すると次の
とおりである。

第４図は、ＷＳｉｘエツチング時の発光スペクトルＩ　
（破線で示す）と、ＤＯＰＯＳエツチング時の発光スペ
クトル■（実線で示す）とを重ねて示したものであるが
、波長によって、両者にかなりの差が見られることがわ
かる。

第５図は、両者の差を示したもので、ＷＳｉエツチング
時の発光スペクトルＩからＤＯＰＯＳエツチング時の発
光スペクトル■を差し引いたものである。横軸より上が
ＷＳｉｘエツチング時の方が強い発光ラインを示す場合
、横軸より下がＤＯＰＯＳエツチング時の方が強い発生
ラインを示す場合である。

各図から理解できるように、実施例で用いた波長５１９
ｎｎ＋をはじめとする５００〜６００ｎＩＩ１間では、
発光スペクトルの強度に明らかに差があることがわかる
。

上記のように、ＷＳｉｘのエツチング速度の方がＤＯＰ
Ｏ３のエツチング速度よりも大きいにも拘らず、発生強
度の方は大きくなっているが、この差の生ずる原因の詳
細は不明である。恐らく、高融点金属（Ｗ）の性質に基
因するものではないかと推定される。

上述したように本実施例では、高融点金属ポリサイド構
造特にタングステンポリサイド構造のエツチングにおい
て、第１ステツプのＷＳｉｘ層エツチングに少なくとも
Ｆラジカルを容易に発生し得るガスにＨＢｒを添加して
なるガスを用い、かつ５００〜６００ｎｍ付近の発光強
度変化を核層のエツチング終点判定に用いたので、高融
点金属シリサイド層４のエツチング終点の判定を容易か
つ精密に行える。よって、高融点金属シリサイド層４と
、ＤＯＰＯ３等のシリコン層３とのエツチングを、互い
に条件を変えて各々最適条件で行おうとする場合などの
、条件の切り換えを行う場合に有効である。

本実施例の条件において、エツチングガスとして上記Ｓ
Ｆ、のほか、ＮＦ、、ＣｆＦ、、Ｆ２゜ＨＦ等のフッ素
ラジカルを生じるガスに少なくともＨＢｒを添加してな
るガスを用いることができる。ＤＯＰＯ３自体は、ＨＢ
ｒのみでも充分エツチング可能である。

また終点判定に用いる発光ラインを５１９ｎｍとしたが
、発光強度差が確認できる波長であればよく、その他例
えば５０５ｎｍ　、５３９ｎｍなどを用いることができ
る。

このように本実施例は、本発明の採用により、高融点金
属シリサイド層４（本例ではＷＳｉｘ層）のエツチング
時の終点判定を高精度に行うことができ、タングステン
ポリサイド構造等の良好な異方性加工を容易に実現でき
る。

〔発明の効果〕

上述の如く本出願の各発明によれば、基体上に形成され
たシリコン層と高融点金属シリサイド層とを有する被エ
ツチング部をエツチングする場合に、良好なエツチング
を実現でき、特に請求項１゜２の発明は、オーバーエツ
チング時にシリコン層に生ずる可能性のあるアンダーカ
ットの発生を抑え、良好な形状のエツチングを達成でき
、また請求項３の発明は、高融点シリサイド層のエツチ
ング終点を容易かつ確実に判定して、これにより良好な
形状のエツチングを達成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）（ｂ）は、実施例−１の工程を被エツチン
グ材の各工程における断面図で示すものである。第２図
（ａ）（ｂ）は、同じ〈実施例２の工程を示すものであ
る。第３図（ａ）（ｂ）は、同じ〈実施例−３の工程を
示すものである。 第４図乃至第６図は実施例−３を説明するための図であ
り、第４図は発光スペクトル図、第５図は発光スペクト
ルの差を示す図、第６図は５１９ｎｍにおける発光強度
変化を示す図である。第７図及び第８図は、各々従来技
術を示す図である。 ３・・・シリコン（ＤＯＰＯ３）、４・・・高融点金属
シリサイド（ＷＳｉｘ）、５・・・フォトレジスト、１
０・・・被エツチング部、１１・・・基体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に形成されたシリコン層と高融点金属シリサ
   イド層とを有する被エッチング部をエッチングするシリ
   コン系被エッチング材のエッチング方法において、 臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスとを含有す
   るエッチングガスを用いてエッチングを行い、 その後フッ素ラジカルを発生し得るガスのみによってオ
   ーバーエッチングすることを特徴とするシリコン系被エ
   ッチング材のエッチング方法。 ２、基体上に形成されたシリコン層と高融点金属シリサ
   イド層とを有する被エッチング部をエッチングするシリ
   コン系被エッチング材のエッチング方法において、 臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスとを含有す
   るエッチングガスを用いてエッチングを行い、 更に酸素アッシング処理を行い、 その後オーバーエッチングすることを特徴とするシリコ
   ン系被エッチング材のエッチング方法。 ３、基体上に形成されたシリコン層と高融点金属シリサ
   イド層とを有する被エッチング部をエッチングするシリ
   コン系被エッチング材のエッチング方法において、 臭化水素とフッ素ラジカルを発生し得るガスとを含有す
   るエッチングガスを用いてエッチングを行うとともに、
   発光スペクトル強度変化をモニタすることにより高融点
   金属シリサイド層のエッチング終点を決定することを特
   徴とするシリコン系被エッチング材のエッチング方法。