JPH03250499A - データ記憶回路 - Google Patents

データ記憶回路

Info

Publication number
JPH03250499A
JPH03250499A JP2048273A JP4827390A JPH03250499A JP H03250499 A JPH03250499 A JP H03250499A JP 2048273 A JP2048273 A JP 2048273A JP 4827390 A JP4827390 A JP 4827390A JP H03250499 A JPH03250499 A JP H03250499A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
writing
storage area
counter value
storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2048273A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Takizawa
瀧澤　廣志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2048273A priority Critical patent/JPH03250499A/ja
Priority to GB9104172A priority patent/GB2243230B/en
Publication of JPH03250499A publication Critical patent/JPH03250499A/ja
Priority to US08/193,913 priority patent/US5568626A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G11C16/3495—Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多数回書替え、電源が切れた状態で保存され
る必要のあるデータを記憶する回路に関する。
〔概要〕
本発明は、不揮発性メモリに書込みおよび読出しを行う
手段において、 メモリ領域上に設けた複数Ｎ個の保存領域を順番に書込
むことにより、 メモリの書込みの上限のＮ倍の回数で書込むことができ
るようにしたものである。
〔従来の技術〕
コンピュータ回路で随時書替え可能でかつ電源が切れて
も内容が保存されるデータを記憶するには、 ■　ＲＡＭにデータを記憶し、ＲＡＭを電池またはコン
デンサでバックアップさせるか、または、■　不揮発性
メモリに書込む。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述の■のＲ，Ａ　Ｍをバックアップする回路は書替え
回数に制限はないが、電源が切れた後に内容が保存され
る期間に制限がある欠点がある。■の不揮発性メモリに
書込む場合は、不揮発性メモリの書替え可能な回数に制
限があり、データの書替え回数が不揮発性メモリの書替
え可能な回数より大きくなる可能性があると、実用上の
問題が生ずる欠点がある。
本発明は、このような欠点を除去するもので、不揮発性
メモリの書込み回数を増やすことができるデータ記憶回
路を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、書替えが可能でこの書替え回数に限度値があ
る不揮発性メモリを備えたデータ記憶回路において、上
記不揮発性メモリは、順番が付され、保存データおよび
カウンタ値が格納される複数個の保存領域を有し、最終
の順番が付された保存領域を除く保存領域に書込みが前
回行われている状態では、書込みが前回行われた保存領
域の順番の次の順番が付された保存領域に前回書込み時
のカウンタ値と同値のカウンタ値とともに保存データの
書換えを行い、一方、最終の順番が付された保存領域に
書込みが前回行われている状態では、最初の順番が付さ
れた保存領域に前回書込み時のカウンタ値をインクリメ
ントした値のカウンタ値とともに保存データの書換えを
行う書替手段と、最初の順番が付された保存領域に格納
されているカウンタ値と同値のカウンタ値が格納されて
いる保存領域の内の最終の順番が付された保存領域を前
回書込みが行われた保存領域に定める領域検索手段と、
書込みが前回行われた保存領域から保存データを読出す
続出手段とを備えたことを特徴とする。
ここで、最初の順番が付された保存領域にカウンタ値の
初期値があらかじめ格納してもよい。
〔作用〕
データを書込む回数をＮ、とじ、不揮発性メモリの１カ
所に書込める回数の限度をＮ２とすると、Ｎ、／Ｎ２≦
Ｎなる個数の保存領域をメモリ上に設け、この保存領域
に保存データとともに格納されるカウンタ値を管理して
順番に書込む。これにより、不揮発性メモリの１カ所に
書込める回数の限度のＮ倍の回数でデータを書込むこと
ができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。第１
図はこの実施例の構成を示すブロック図である。
この実施例は、第１図に示すように、ＣＰＵ　１と、Ｒ
ＯＭ２と、ＲＡＭ３と、不揮発性メモリ　（以下、Ｅ’
ＰＲ，ＯＭという。）４とを備える。ここで、ｃｐｕｉ
はＲＯＭ２上のプログラムを実行する。ＲＯＭ２にはＣ
ＰＵ　ｌが実行するプログラムや固定した値のデータが
書込まれる。ＲＡＭ３にはＣＰＵ　１が使用する一時的
なデータが書込まれる。一般にＲ，Ａ　Ｍ　３の内容は
電源が切れると消える。ＲＡＭ３をコンデンサや電源で
バックアンプすると一定時間内容を保存することができ
るが、長い時間電源が切れつづけていると内容は消える
。
Ｅ２ＰＲ，ＯＭ、１には保存データが書込まれ、電源が
切れても内容は保存される。
すなわち、この実施例は、書替えが可能でこの書替え回
数に限度値があるＥ２ＦＲＯＭ４を備え、Ｅ２ＦＲＯＭ
４は、第１図に示すように、順番が付され、保存データ
およびカウンタ値が格納される複数個の保存領域を有し
、最終の順番が付された保存領域を除く保存領域に書込
みが前回行われている状態では、書込みが前回行われた
保存領域の順番の次の順番が付された保存領域に前回書
込み時のカウンタ値と同値のカウンタ値とともに保存デ
ータの書換えを行い、一方、最終の順番が付された保存
領域に書込みが前回行われている状態では、最初の順番
が付された保存領域に前回書込み時のカウンタ値をイン
クリメントした値のカウンタ値とともに保存データの書
換えを行う書替手段と、最初の順番が付された保存領域
に格納されているカウンタ値と同値のカウンタ値が格納
されている保存領域の内の最終の順番が付された保存領
域を前回書込みが行われた保存領域に定める領域検索手
段と、書込みが前回行われた保存領域から保存データを
読出す読出手段とを備える。
第２図はＥ２　ＦＲＯＭ４のアドレスマツプを示し、第
３図は１つの保存領域の内容を示す。データを書込む回
数をＮ、、Ｅ２ＰＲ，０Ｍ４の一個所に書込める回数の
限度をＮｌｌ：とすると、Ｎ≧ＮＤ／ＮＥ になるＮ個の保存領域が必要になる。保存領域の内容は
保存領域識別用カウンタ（以下、カウンタという。）と
保存データとである。カウンタはＮ個の保存領域のどれ
に有効なデータが入っているか識別するのに用いる。カ
ウンタの大きさは２〜３ビツトあれば十分である。カウ
ンタをインクリメントして値がオーバフローしたときは
、値を「０」にする。保存データには書込むデータを入
れる。ここには書込みデータをそのまま入れても良いし
、また、パリティやＣＲＣなどのチエツクピットを付加
したものでも良い。チエツクピットはカウンタも含めて
計算するとデータの破壊を検出しやすい。】番Ｈの保存
領域内に書込まれているカウンタ値と保存データとをそ
れぞれＣ，、Ｄ、とする。
（以下本頁余白） ｃ、、　　　０２　　０２　　０２　　０３　　０３　
　　ＦＦ　　　ＦＦＣ，、−２０２０２０２０３０３Ｆ
Ｆ　　　ＦＦｃｋ、３０２　　０２　　０２　　０３　
　０３　　　ＦＦ　　　ＦＦＣ５゜２０２　　０２　　
０３　　０３　　０３　　　ＦＦ　　　ＦＦｃｋ、、　
　　０２　　０３　　０３　　０３　　０３　　　ＦＦ
　　　ＦＦｃｋ０３　　０３　　０３　　０３　　０３
　　　ＦＦ　　　ＦＦＣｋ−、０３０３０３０３０３Ｆ
Ｆ　　　ＦＦＣ，０３０３０３０３０３ＦＦ　　　ＦＦ
Ｃ，０３０３０３０３０４ＦＦ　　　００（１）　　　
（２）　　　（３）　　　（４）　　　（５）　　　（
６）　　　（７）表は全保存領域から保存領域識別カウ
ンタを抜き出した例である。カウンタの大きさは８ビツ
トとしている。（１）の例では、Ｏ−に番目までのカウ
ンタ値が「０３」であり、Ｋ＋ｌ〜Ｎ−１番目までが「
０２」である。
この中から有効なデータを見つけ出すには次のようにす
る。まず、０番の保存領域のカウンタ値Ｃｏを読み出す
。次に１番目のカウンタからサーチしていき、カウンタ
値がＣ８と一致する保存領域の中で最後の保存領域に有
効なデータが入っている。第４図はこの処理のフローを
示す。表の（１）の例では、Ｋ番目の保存領域に有効な
データが入っている。ここは前回データを書込んだ領域
である。
データを読み出すときは有効なデータの入っている保存
領域（以下、有効な保存領域という。）からデータを読
み出す。第６図は読み出し処理のフローを示す。データ
を書込むときは、このようにして有効な保存領域（すな
わち、前回データを書込んだ領域）を見つけ出し、その
次の領域にカウンタ値を同じにして書込む。したがって
、全部のカウンタの値は（１）の次は（２）になる。有
効な保存領域はに＋１番目になる。また、（２）のとき
に書込むと（３）のようになる。（４）のように全部の
カウンタ値が同じときに、Ｎ−１番目が有効な保存領域
になっている。書込むときは０番目の保存領域にＣ１Ｉ
をインクリメントしたカウンタ値とデータを書込む。表
の例では（４）で書込を行うと、（５）のようになる。
カウンタ値がカウンタのとれる最大値のときにインクリ
メントするとオーバフローを起こすので値はＯになる。
書込み処理のフローを第７図に示す。
未使用の回路で最初にデータの読み書きを行うときは次
のようになる。一般に未使用のＥ２ＦＲＯＭ４はデータ
の値はオール１になっているので表の例では（６）のよ
うになる。Ｎ−１番目が有効な保存領域になるため書込
みを行うと、（７）のように０番目の領域にカウンタ値
で書込まれる。または回路の組立て時にＥ２ＦＲＯＭ４
に初期値を書込んでおいても良い。
〔発明の効果〕
本発明は、以上説明したように、Ｅ２　ＦＲＯＭ上にＮ
個の保存領域を用意して書込むときは順番に書いていく
ので、Ｅ２ＰＲＯＭの書込の上限のＮ倍の回数で書込む
ことができる効果がある。また、汎用性が高いのでＮを
増やせば書込み回数を増やすことができる効果がある。
また、Ｅ’ＰＲＯＭに書込んでいるので、長期間電源を
切っても内容を保存できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明実施例の構成を示すブロック図。 第２図は、第１図に示ずＥ’　ＦＲＯＭのメモリマツプ
図。 第３図は、Ｅ２ＦＲＯＭの１番目の保存領域の内容を示
す図。 第４図は、全保存領域の中から有効な保存領域を見つけ
だす処理を示すフローチャート。 第５図は、全保存領域の中から有効な保存領域から読み
出す処理を示すフローチャート。 第６図は、全保存領域の中から有効な保存領域に書込む
処理を示すフローチャート。 １・・・ＣＰＵ、２・・・ＲＯＭ、３・・・ＲＡＭ、４
・・・Ｅ２ＲＯＭ０

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、書替えが可能でこの書替え回数に限度値がある不揮
    発性メモリを備えたデータ記憶回路において、 上記不揮発性メモリは、順番が付され、保存データおよ
    びカウンタ値が格納される複数個の保存領域を有し、 最終の順番が付された保存領域を除く保存領域に書込み
    が前回行われている状態では、書込みが前回行われた保
    存領域の順番の次の順番が付された保存領域に前回書込
    み時のカウンタ値と同値のカウンタ値とともに保存デー
    タの書換えを行い、一方、最終の順番が付された保存領
    域に書込みが前回行われている状態では、最初の順番が
    付された保存領域に前回書込み時のカウンタ値をインク
    リメントした値のカウンタ値とともに保存データの書換
    えを行う書替手段と、 最初の順番が付された保存領域に格納されているカウン
    タ値と同値のカウンタ値が格納されている保存領域の内
    の最終の順番が付された保存領域を前回書込みが行われ
    た保存領域に定める領域検索手段と、 書込みが前回行われた保存領域から保存データを読み出
    す読出手段と を備えたことを特徴とするデータ記憶回路。 ２、最初の順番が付された保存領域にカウンタ値の初期
    値があらかじめ格納された請求項１に記載のデータ記憶
    回路。
JP2048273A 1990-02-27 1990-02-27 データ記憶回路 Pending JPH03250499A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2048273A JPH03250499A (ja) 1990-02-27 1990-02-27 データ記憶回路
GB9104172A GB2243230B (en) 1990-02-27 1991-02-27 Method and system for storing data in a memory
US08/193,913 US5568626A (en) 1990-02-27 1994-02-03 Method and system for rewriting data in a non-volatile memory a predetermined large number of times

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2048273A JPH03250499A (ja) 1990-02-27 1990-02-27 データ記憶回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03250499A true JPH03250499A (ja) 1991-11-08

Family

ID=12798837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2048273A Pending JPH03250499A (ja) 1990-02-27 1990-02-27 データ記憶回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5568626A (ja)
JP (1) JPH03250499A (ja)
GB (1) GB2243230B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002533810A (ja) * 1998-12-22 2002-10-08 ジェムプリュス 摩耗防止を備えたメモリ制御手段を有する記憶システムとメモリの摩耗防止制御法

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6230233B1 (en) * 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
FR2742893B1 (fr) * 1995-12-20 1998-01-16 Schlumberger Ind Sa Procede d'inscription d'une donnee dans une memoire reinscriptible
JP2848300B2 (ja) * 1995-12-27 1999-01-20 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5893135A (en) * 1995-12-27 1999-04-06 Intel Corporation Flash memory array with two interfaces for responding to RAS and CAS signals
JP3200012B2 (ja) * 1996-04-19 2001-08-20 株式会社東芝 記憶システム
JP3671595B2 (ja) * 1997-04-01 2005-07-13 株式会社日立製作所 複合計算機システムおよび複合ｉ／ｏシステム
DE19718479C1 (de) * 1997-04-30 1998-09-24 Siemens Ag Chipkarte mit Speicherzugriffsmaximierung und Protokollierung
FR2812116A1 (fr) * 2000-07-19 2002-01-25 Schlumberger Systems & Service Procede et dispositif d'inscription securisee de donnees dans une memoire reinscriptible
JP2007331356A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
US7904619B2 (en) 2006-11-24 2011-03-08 Sandforce, Inc. System, method, and computer program product for reducing memory write operations using difference information
US7904764B2 (en) * 2006-11-24 2011-03-08 Sandforce, Inc. Memory lifetime gauging system, method and computer program product
US7809900B2 (en) * 2006-11-24 2010-10-05 Sandforce, Inc. System, method, and computer program product for delaying an operation that reduces a lifetime of memory
US7747813B2 (en) * 2006-11-24 2010-06-29 Sandforce, Inc. Multi-memory device system and method for managing a lifetime thereof
US20080126685A1 (en) * 2006-11-24 2008-05-29 Radoslav Danilak System, method, and computer program product for reducing memory write operations using an instruction set
US8090980B2 (en) * 2006-12-08 2012-01-03 Sandforce, Inc. System, method, and computer program product for providing data redundancy in a plurality of storage devices
US7904672B2 (en) 2006-12-08 2011-03-08 Sandforce, Inc. System and method for providing data redundancy after reducing memory writes
ATE517372T1 (de) * 2007-01-24 2011-08-15 Oce Tech Bv Bilderzeugungsvorrichtung mit funktion zum zählen der von der vorrichtung angezeigten bilder
EP1950629B1 (en) 2007-01-24 2011-07-20 Océ-Technologies B.V. Image forming apparatus adapted for counting images formed by the apparatus
US7731365B2 (en) * 2007-03-19 2010-06-08 Johnson&Johnson Vision Care, Inc. Method of fitting contact lenses
US7849275B2 (en) 2007-11-19 2010-12-07 Sandforce, Inc. System, method and a computer program product for writing data to different storage devices based on write frequency
US7903486B2 (en) 2007-11-19 2011-03-08 Sandforce, Inc. System, method, and computer program product for increasing a lifetime of a plurality of blocks of memory
US9183133B2 (en) 2007-11-28 2015-11-10 Seagate Technology Llc System, method, and computer program product for increasing spare space in memory to extend a lifetime of the memory
US20100017566A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Radoslav Danilak System, method, and computer program product for interfacing computing device hardware of a computing device and an operating system utilizing a virtualization layer
US20100017588A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Radoslav Danilak System, method, and computer program product for providing an extended capability to a system
US20100064093A1 (en) * 2008-09-09 2010-03-11 Radoslav Danilak System, method, and computer program product for converting data in a binary representation to a non-power of two representation
US20100146236A1 (en) * 2008-12-08 2010-06-10 Radoslav Danilak System, method, and computer program product for rendering at least a portion of data useless in immediate response to a delete command
US8671258B2 (en) 2009-03-27 2014-03-11 Lsi Corporation Storage system logical block address de-allocation management
US8230159B2 (en) 2009-03-27 2012-07-24 Lsi Corporation System, method, and computer program product for sending logical block address de-allocation status information
US8090905B2 (en) * 2009-03-27 2012-01-03 Sandforce, Inc. System, method, and computer program product for converting logical block address de-allocation information in a first format to a second format
US20100250830A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Ross John Stenfort System, method, and computer program product for hardening data stored on a solid state disk
US20110004718A1 (en) * 2009-07-02 2011-01-06 Ross John Stenfort System, method, and computer program product for ordering a plurality of write commands associated with a storage device
US9792074B2 (en) * 2009-07-06 2017-10-17 Seagate Technology Llc System, method, and computer program product for interfacing one or more storage devices with a plurality of bridge chips
US8140712B2 (en) * 2009-07-17 2012-03-20 Sandforce, Inc. System, method, and computer program product for inserting a gap in information sent from a drive to a host device
US8516166B2 (en) * 2009-07-20 2013-08-20 Lsi Corporation System, method, and computer program product for reducing a rate of data transfer to at least a portion of memory
US8108737B2 (en) * 2009-10-05 2012-01-31 Sandforce, Inc. System, method, and computer program product for sending failure information from a serial ATA (SATA) solid state drive (SSD) to a host device
US9395924B2 (en) * 2013-01-22 2016-07-19 Seagate Technology Llc Management of and region selection for writes to non-volatile memory

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62245600A (ja) * 1986-04-17 1987-10-26 Fanuc Ltd 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式
JPH01277397A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Sony Corp 情報記憶読出方法とその装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3123444A1 (de) * 1981-06-12 1983-01-05 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und anordnung zum nichtfluechtigen speichern des zaehlerstandes einer elektronischen zaehlschaltung
US4638430A (en) * 1983-07-15 1987-01-20 United Technologies Corporation EAROM and EEPROM data storage management
JPS618798A (ja) * 1984-06-21 1986-01-16 Nec Corp 不揮発性記憶装置
GB2171543B (en) * 1985-02-27 1988-04-20 Hughes Microelectronics Ltd Counting circuit which provides for extended counter life
US4718041A (en) * 1986-01-09 1988-01-05 Texas Instruments Incorporated EEPROM memory having extended life
JPS62202294A (ja) * 1986-02-28 1987-09-05 Casio Comput Co Ltd カウンタ装置
JP2685173B2 (ja) * 1986-05-31 1997-12-03 キヤノン株式会社 メモリ書き込み制御方法
US4803707A (en) * 1987-12-21 1989-02-07 Ncr Corporation Nonvolatile electronic odometer with excess write cycle protection
US4947410A (en) * 1989-02-23 1990-08-07 General Motors Corporation Method and apparatus for counting with a nonvolatile memory
US5048085A (en) * 1989-10-06 1991-09-10 International Business Machines Corporation Transaction system security method and apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62245600A (ja) * 1986-04-17 1987-10-26 Fanuc Ltd 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式
JPH01277397A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Sony Corp 情報記憶読出方法とその装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002533810A (ja) * 1998-12-22 2002-10-08 ジェムプリュス 摩耗防止を備えたメモリ制御手段を有する記憶システムとメモリの摩耗防止制御法

Also Published As

Publication number Publication date
GB2243230B (en) 1993-11-17
GB2243230A (en) 1991-10-23
GB9104172D0 (en) 1991-04-17
US5568626A (en) 1996-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03250499A (ja) データ記憶回路
JP4948793B2 (ja) バッドブロック管理部を含むフラッシュメモリシステム
US8412881B2 (en) Modified B+ tree to store NAND memory indirection maps
EP1739683A1 (en) Space management for managing high capacity nonvolatile memory
CN104516959A (zh) 一种管理数据库日志的方法及装置
US20080189476A1 (en) Nonvolatile semiconductor storage device and method of managing the same
US6484250B1 (en) Hash technique eliminating pointer storage to reduce RAM size
CN116301614B (zh) 存储器数据存取方法、系统、设备和存储介质
JP2003058417A (ja) 記憶装置
TWI514136B (zh) 快閃記憶裝置及其資料寫入方法
JPH07153284A (ja) 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法
JP3494676B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置とデータ書換／読出方法
US20070005929A1 (en) Method, system, and article of manufacture for sector mapping in a flash device
JPH05274219A (ja) 記憶装置
CN115469802A (zh) 数据存储设备
CN115185857A (zh) 一种嵌入式flash数据存储管理方法、系统及存储介质
US10559359B2 (en) Method for rewriting data in nonvolatile memory and semiconductor device
JP3471838B2 (ja) 循環順編成ファイルの管理方法
CN113050878B (zh) 一种开卡划分块的方法和装置
JPH10289144A (ja) メモリの制御方法
JP2001318824A (ja) フラッシュメモリのデータ管理方式およびそのプログラムを記録した記録媒体
CN113050877B (zh) 一种映射表存储的方法、装置、电子设备及存储介质
JP2922956B2 (ja) ファイル領域割当て方法
JPH0546489A (ja) メモリカード装置
JPS63231546A (ja) データベース装置