JPH03250580A - 電界発光素子とその駆動方法 - Google Patents
電界発光素子とその駆動方法Info
- Publication number
- JPH03250580A JPH03250580A JP2048804A JP4880490A JPH03250580A JP H03250580 A JPH03250580 A JP H03250580A JP 2048804 A JP2048804 A JP 2048804A JP 4880490 A JP4880490 A JP 4880490A JP H03250580 A JPH03250580 A JP H03250580A
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- JP
- Japan
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- light
- voltages
- opposite phases
- rows
- electric field
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- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電界発光素子とその駆動方法に関し、特に密着
イメージセンサ用面光源として使用され、センサの受光
素子に電界ノイズを与えないようにした電界発光素子（
以下、単にＥＬ素子と称す。
イメージセンサ用面光源として使用され、センサの受光
素子に電界ノイズを与えないようにした電界発光素子（
以下、単にＥＬ素子と称す。
とその駆動方法に関するものである。
）
ファクシミリで画像読み取りを行う際、例えば原稿に光
を照射してその反射光を一定距離だけ離れた位置に配し
たＣＣＤに縮小レンズを介して投影させ、画像を読取る
。上記方式によれば、原稿とＣＣＤ間に一定の距離を必
要とし、装置が大型化する。そのため、近年、第５図に
示すように、原稿（１）上に線状受光部（２）を略密着
させると共に、多数の発光ダイオード（Ｌ Ｅ Ｄ ）
を線状に集積して形成したＬＥＤアレイ（３）にて原稿
（１）上にその近傍より投光し、その反射光を」１記受
光部（２）に投影させて画像を直接、読み取るようにし
た密着型イメージセンサ（４）が知られている。上記密
着型イメージセンサ（４）は、上述したように、受光部
（２）とＬＥＤアレイ（３）とを具備し、第６図に示す
ように、ガラス基板（５）の下面に導光窓（６）を除い
て共通極（７）とアモーファスＳｉ層（８）と透明導電
膜（９）と金属膜（１０）とを集積・形成して微小距離
を介して保護ガラス（１１）と一体に組込んだもので、
導光窓（６）にＬＥＤアレイ（３）より投光する。そし
て、原稿（１）を保護ガラス（１１）の下面に略密着さ
せて配すると共に、ローラ（１２）にて矢印方向に送り
つつ導光窓（６）より光（Ｌ。
を照射してその反射光を一定距離だけ離れた位置に配し
たＣＣＤに縮小レンズを介して投影させ、画像を読取る
。上記方式によれば、原稿とＣＣＤ間に一定の距離を必
要とし、装置が大型化する。そのため、近年、第５図に
示すように、原稿（１）上に線状受光部（２）を略密着
させると共に、多数の発光ダイオード（Ｌ Ｅ Ｄ ）
を線状に集積して形成したＬＥＤアレイ（３）にて原稿
（１）上にその近傍より投光し、その反射光を」１記受
光部（２）に投影させて画像を直接、読み取るようにし
た密着型イメージセンサ（４）が知られている。上記密
着型イメージセンサ（４）は、上述したように、受光部
（２）とＬＥＤアレイ（３）とを具備し、第６図に示す
ように、ガラス基板（５）の下面に導光窓（６）を除い
て共通極（７）とアモーファスＳｉ層（８）と透明導電
膜（９）と金属膜（１０）とを集積・形成して微小距離
を介して保護ガラス（１１）と一体に組込んだもので、
導光窓（６）にＬＥＤアレイ（３）より投光する。そし
て、原稿（１）を保護ガラス（１１）の下面に略密着さ
せて配すると共に、ローラ（１２）にて矢印方向に送り
つつ導光窓（６）より光（Ｌ。
を照射し、その反射光（Ｌ２）を透明導電膜（９）に受
光して電気信号に変換し、原稿（１）の画像をドツトに
分けて読み取る。
光して電気信号に変換し、原稿（１）の画像をドツトに
分けて読み取る。
ここで、上記密着型イメージセンサ（４）において、そ
の光源であるＬＥＤアレイ（３）は、多数のＬＥＤを線
状に集積したもので、各ＬＥＤは点光源である。そのた
め、全ＬＥＤについて同一の光強度特性のものに揃える
必要があり、製造コスト増を招いて高くつくという難点
がある。そこで、更にＬＥＤアレイ（３）に代えて比較
的安価な電界発光灯を発光パターンに成形して面光源と
して利用した密着型イメージセンサ（図示せず）も知ら
れている。この時、電界発光灯は面光源であるため、Ｌ
ＥＤアレイ（３）と異なり、原稿の下方側に電界発光灯
を配してその水平性を保持した状態で原稿下面に光を照
射し、フォトダイオード等の受光素子にて受光しており
、第６図に示す光源と原稿の位置を上下逆転させればよ
い。
の光源であるＬＥＤアレイ（３）は、多数のＬＥＤを線
状に集積したもので、各ＬＥＤは点光源である。そのた
め、全ＬＥＤについて同一の光強度特性のものに揃える
必要があり、製造コスト増を招いて高くつくという難点
がある。そこで、更にＬＥＤアレイ（３）に代えて比較
的安価な電界発光灯を発光パターンに成形して面光源と
して利用した密着型イメージセンサ（図示せず）も知ら
れている。この時、電界発光灯は面光源であるため、Ｌ
ＥＤアレイ（３）と異なり、原稿の下方側に電界発光灯
を配してその水平性を保持した状態で原稿下面に光を照
射し、フォトダイオード等の受光素子にて受光しており
、第６図に示す光源と原稿の位置を上下逆転させればよ
い。
ところで、上述したように、電界発光灯を密着型イメー
ジセンサの光源として利用した場合、例えば、１００Ｖ
の交流電源を印加して電界発光灯を発光させる。そうす
ると、原稿からの反射光を受光する受光素子は電界発光
灯に近く位置し、かつ、微弱な信号を扱うため、電界発
光灯と受光素子との間に生じる浮遊容量のアンバランス
によって電圧の誘導を受けて受光素子に電圧が生じてし
まい、妨害されるという不具合があった。そこで、従来
、電界発光灯と受光素子の間にシールド板を配設したり
したが、光を通す透明シールドが必要であり、導電性の
薄膜を使用するので、十分にシールドできなかった。
ジセンサの光源として利用した場合、例えば、１００Ｖ
の交流電源を印加して電界発光灯を発光させる。そうす
ると、原稿からの反射光を受光する受光素子は電界発光
灯に近く位置し、かつ、微弱な信号を扱うため、電界発
光灯と受光素子との間に生じる浮遊容量のアンバランス
によって電圧の誘導を受けて受光素子に電圧が生じてし
まい、妨害されるという不具合があった。そこで、従来
、電界発光灯と受光素子の間にシールド板を配設したり
したが、光を通す透明シールドが必要であり、導電性の
薄膜を使用するので、十分にシールドできなかった。
本発明は基板上に帯状背面電極と第１絶縁層と発光層と
第２絶縁層と上記背面電極に対向する透明電極とを積層
・形成して構成した電界発光素子を２個、２列に近接・
配設して一素子を形成したことを特徴とし、又、その駆
動方法として２列の背面電極にそれぞれ互いに逆位相等
価の電圧を印加して駆動することを特徴とする。
第２絶縁層と上記背面電極に対向する透明電極とを積層
・形成して構成した電界発光素子を２個、２列に近接・
配設して一素子を形成したことを特徴とし、又、その駆
動方法として２列の背面電極にそれぞれ互いに逆位相等
価の電圧を印加して駆動することを特徴とする。
上記技術的手段によれば、２列に並ぶＥＬ素子の各背面
電極に互いに逆位相等価の交流電圧を印加し、透明電極
を接地して上記各背面電極に互いに逆位相等価の交流電
圧を印加すると、誘導電圧が打ち消され、ＥＬ素子の印
加電圧によって発生する電界誘導ノイズが低減できる。
電極に互いに逆位相等価の交流電圧を印加し、透明電極
を接地して上記各背面電極に互いに逆位相等価の交流電
圧を印加すると、誘導電圧が打ち消され、ＥＬ素子の印
加電圧によって発生する電界誘導ノイズが低減できる。
本発明の実施例を第１図乃至第４図を参照して以下に説
明する。第１図と第２図は本発明に係るＥＬ素子の一実
施例を示す部分断面斜視図とその駆動電圧の波形図、第
３図と第４図は本発明に係るＥＬ素子を利用した密着型
イメージセンサの部分側断面図と部分平面図である。ま
ず第１図において（１３）はガラス基板、（１４）
（１５）はガラス基板（１３）上に２列に平行に近接・
配設した２本の帯状第１、第２背面電極、（１６）
（１７） （１８）（１９）はガラス基板（１３）上
で第１、第２９面電極（１４） （１５）に積層・形
成した第１絶縁層と発光層と第２絶縁層と透明電極で、
２個の第１、第２背面電極（１４） （１５）により
独立した２個の第１、第２ＥＬ素子（２０） （２１
）にて−個のＥＬ素子（２２）を形成する。
明する。第１図と第２図は本発明に係るＥＬ素子の一実
施例を示す部分断面斜視図とその駆動電圧の波形図、第
３図と第４図は本発明に係るＥＬ素子を利用した密着型
イメージセンサの部分側断面図と部分平面図である。ま
ず第１図において（１３）はガラス基板、（１４）
（１５）はガラス基板（１３）上に２列に平行に近接・
配設した２本の帯状第１、第２背面電極、（１６）
（１７） （１８）（１９）はガラス基板（１３）上
で第１、第２９面電極（１４） （１５）に積層・形
成した第１絶縁層と発光層と第２絶縁層と透明電極で、
２個の第１、第２背面電極（１４） （１５）により
独立した２個の第１、第２ＥＬ素子（２０） （２１
）にて−個のＥＬ素子（２２）を形成する。
上記構成に基づき本発明の動作を次に説明する。まず透
明電極（１９）を接地すると共に、第２図に示すように
、第１、第２背面電極（１４） （１５）に互いに逆
位相等価の交流電圧（Ｖｔ ） （ｖｚ ）を印加す
る。そうすると、誘導電圧が各背面電極（１４） （
１５）毎に同時に発生するが、印加電圧が逆位相なので
、相互に打ち消し合う。そのため、その外周囲において
電圧の誘導がなくなって電界ノイズの発生がなくなる。
明電極（１９）を接地すると共に、第２図に示すように
、第１、第２背面電極（１４） （１５）に互いに逆
位相等価の交流電圧（Ｖｔ ） （ｖｚ ）を印加す
る。そうすると、誘導電圧が各背面電極（１４） （
１５）毎に同時に発生するが、印加電圧が逆位相なので
、相互に打ち消し合う。そのため、その外周囲において
電圧の誘導がなくなって電界ノイズの発生がなくなる。
次に、上記ＥＬ素子（２２）を密着型イメージセンサの
面光源として利用した一興体例を第３図及び第４図を参
照して示す。図において（１３）はガラス基板、（２０
） （２１）は第１、第２ＥＬ素子、（２３）は導光
層ガラス基板、（２４）は受光素子、（２５）は透光フ
ィルム、（２６）は不活性ガス、（２７）は原稿である
。上記第１、第２ＥＬ素子（２０） （２１）はガラ
ス基板（１３）上で本発明に係る一個のＥＬ素子（２２
）を形成し、第１ＥＬ素子（２０）を投光用、第２ＥＬ
素子（２１）を電界打ち消し用としてそれぞれ用いる。
面光源として利用した一興体例を第３図及び第４図を参
照して示す。図において（１３）はガラス基板、（２０
） （２１）は第１、第２ＥＬ素子、（２３）は導光
層ガラス基板、（２４）は受光素子、（２５）は透光フ
ィルム、（２６）は不活性ガス、（２７）は原稿である
。上記第１、第２ＥＬ素子（２０） （２１）はガラ
ス基板（１３）上で本発明に係る一個のＥＬ素子（２２
）を形成し、第１ＥＬ素子（２０）を投光用、第２ＥＬ
素子（２１）を電界打ち消し用としてそれぞれ用いる。
そして、ガラス基板（２３）の下面に多数の受光素子（
２４）を一定のピッチで第１ＥＬ素子（２０）に対向し
て配設し、透光フィルム（２５）にて保護すると共に、
不活性ガス（２６）を介してＥＬ素子（２２）と一体に
組合せ、かつ、各受光素子（２４）の中央に導光窓（２
日）を形成しておく。
２４）を一定のピッチで第１ＥＬ素子（２０）に対向し
て配設し、透光フィルム（２５）にて保護すると共に、
不活性ガス（２６）を介してＥＬ素子（２２）と一体に
組合せ、かつ、各受光素子（２４）の中央に導光窓（２
日）を形成しておく。
上記構成に基づきその動作を次に説明する。まず原稿（
２７）をガラス基板（２３）の上方に略密着させて第１
、第２ＥＬ素子（２０） （２１）の長手方向に略垂
直に送ると共に、第１、第２ＥＬ素子（２０） （２
１）に互いに逆位相の電圧を印加する。
２７）をガラス基板（２３）の上方に略密着させて第１
、第２ＥＬ素子（２０） （２１）の長手方向に略垂
直に送ると共に、第１、第２ＥＬ素子（２０） （２
１）に互いに逆位相の電圧を印加する。
そうすると、第１ＢＬ素子（２０）から導光窓（２８）
を経て光が照射されると共に、その反射光を受光素子（
２４）に受光し、原稿（２７）の画像をドツトに分けて
読み取る。この時、第１ＥＬ素子（２０）によって生じ
る電界誘導ノイズは、第２ＥＬ素子（２１）に印加され
る逆位相等価の電圧によって打ち消され、受光素子（２
４）に与える電界誘導ノイズを防止する。尚、上記実施
例では第１、第２ＥＬ素子（２０） （２１）を同一
基板上に形成したが、相異なる２個の基板上に個別に形
成したものを近接して配設してもよく、又、ノイズ打ち
消し用第２ＥＬ素子（２１）に代えて電極のみ配設し、
位相調整した電圧を印加してもよいし、第１、第２ＥＬ
素子（２０） （２１）に印加する電圧を必ずしも同
一にしないくてもいい。
を経て光が照射されると共に、その反射光を受光素子（
２４）に受光し、原稿（２７）の画像をドツトに分けて
読み取る。この時、第１ＥＬ素子（２０）によって生じ
る電界誘導ノイズは、第２ＥＬ素子（２１）に印加され
る逆位相等価の電圧によって打ち消され、受光素子（２
４）に与える電界誘導ノイズを防止する。尚、上記実施
例では第１、第２ＥＬ素子（２０） （２１）を同一
基板上に形成したが、相異なる２個の基板上に個別に形
成したものを近接して配設してもよく、又、ノイズ打ち
消し用第２ＥＬ素子（２１）に代えて電極のみ配設し、
位相調整した電圧を印加してもよいし、第１、第２ＥＬ
素子（２０） （２１）に印加する電圧を必ずしも同
一にしないくてもいい。
本発明によれば、ＥＬ素子を密着型イメージセンサの光
源として利用する際、受光素子に加わる電界Ｒ１１Ａノ
イズを防止できる。
源として利用する際、受光素子に加わる電界Ｒ１１Ａノ
イズを防止できる。
第１図と第２図は本発明に係るＥＬ素子の一実施例を示
す部分断面図とその駆動電圧の波形図、第３図と第４図
は本発明に係るＥＬ素子を利用した密着型イメージセン
サの要部の側断面図と平面図、第５図と第６図と第７図
は従来の密着型イメージセンサ−の具体例を示す斜視図
と要部の側断面図と平面図である。 （１３）・−・一基板、 （１４） （１５）
−背面電極、（１６）−−一一一第１絶縁層、（１７）
−発光層、（１８）・−第２絶縁層、（１９）−・透明
電極、（２０） （２１）・−・−電界発光素子。
す部分断面図とその駆動電圧の波形図、第３図と第４図
は本発明に係るＥＬ素子を利用した密着型イメージセン
サの要部の側断面図と平面図、第５図と第６図と第７図
は従来の密着型イメージセンサ−の具体例を示す斜視図
と要部の側断面図と平面図である。 （１３）・−・一基板、 （１４） （１５）
−背面電極、（１６）−−一一一第１絶縁層、（１７）
−発光層、（１８）・−第２絶縁層、（１９）−・透明
電極、（２０） （２１）・−・−電界発光素子。
Claims (2)
- （１）基板上に帯状背面電極と第１絶縁層と発光層と第
２絶縁層と上記背面電極に対向する透明電極とを積層・
形成して構成した電界発光素子を２個、２列に近接・配
設して一素子を形成したことを特徴とする電界発光素子
。 - （２）２列の背面電極にそれぞれ互いに逆位相等価の電
圧を印加して駆動することを特徴とする請求項（１）記
載の電界発光素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048804A JPH03250580A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 電界発光素子とその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048804A JPH03250580A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 電界発光素子とその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250580A true JPH03250580A (ja) | 1991-11-08 |
Family
ID=12813397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048804A Pending JPH03250580A (ja) | 1990-02-27 | 1990-02-27 | 電界発光素子とその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03250580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234676A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-09-10 | Nippondenso Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| US5416494A (en) * | 1991-12-24 | 1995-05-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent display |
-
1990
- 1990-02-27 JP JP2048804A patent/JPH03250580A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234676A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-09-10 | Nippondenso Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| US5416494A (en) * | 1991-12-24 | 1995-05-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent display |
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