JPH03250769A - 大規模薄膜トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、薄膜トランジスタおよびその製造方法に関す
る。

［従来の技術］ 近年、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタを、二
次元マトリクス状に配した液晶デイスプレィが開発され
、液晶テレビ、パソコンなどの各種表示装置に応用され
ている。

第５図に、特開昭５８−１１４４５３号公報記載の従来
の簿膜トランジスタの断面図を示す。

同図に示すように、従来の薄膜トランジスタは、一般に
、基板１０の上に、ドレイン電極１６、ゲート電極１１
、グー１−＄！縁膜１２、非晶質２９３２１層１３、シ
ョッ；−キー障壁形成用金ｙ、１４、ソース電極１５、
パッシベーション膜１７、遮光膜１８が積層されている
。

また、従来技術では、ゲート絶縁膜１２および非晶質シ
リコンｉ　／１５１３はプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形
成している９このプラズマＣＶＤ法は、高温での化学反
応で酸化膜や窒化膜などの薄膜を基板上に堆積させる技
術である。

一方、上記したプラズマＣＶＤ法に対し、ゲート絶縁膜
あるいは非晶質シリコン層の形成に電子サイクロトロン
共鳴プラズマＣＶＤ法を用いる方法が提案されている。

この技術は、例えば、特開昭６２−７１２７６号公報あ
るいは特開昭６３−１１５３２８号公報に記載されるよ
うに、電磁コイルにより磁場を発生し、マグネトロンよ
りマイクロ波を導入して、静磁界中の電子に電磁エネル
ギーを共鳴吸収させ、成膜室とは別に設けられたプラズ
マ生成室で、プラズマを発生させるものである。そして
、成膜室に導入した原料ガスと、プラズマ生成室から成
膜室に導入したプラズマとの相互作用により、被処理面
上にゲート絶縁膜あるいは非晶質シリコン膜を形成する
ものである。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のプラズマＣＶＤ法を使用した場合、高温での化学
反応を利用するので、基板を２５０℃〜３５０°Ｃとい
う高温に加熱するため、基板や下部材質の選択に制約を
受け、また、高温のため、薄膜への不純物の拡散などの
問題が生じる。そのため、製造歩留りの低下を生じ、広
い面積の均質薄膜を、形成することが困難であるという
問題がある。

次に、−ｉ二足した電子サイクロトロン共鳴プラズマＣ
ＶＤ法による薄膜トランジスタの製造方法は、プラズマ
ＣＶＤ法に比べ、比較的低温での膜形成を可能とし、基
板および下部層材質の選択の制約を少なくするが、以下
のような問題点がある。

すなオ〕ち、空洞共振器型のマイクロ波プラズマＣＶ　
Ｉ）法は、成膜室とは別に設けられたプラズマ生成室で
生成したプラズマを、小さな開口部より拡散させ、発散
プラズマとして利用する薄膜トランジスタの製造方法で
ある。

このため、被処理面に接するプラズマの面積は小さく、
プラズマＣＶＤ法による薄膜トランジスタと同等の性能
を有する薄膜トランジスタの形成可能な領域は、φ１−
ＯＯＩＩＩＴ１程度に限定せざるを得ないという問題が
ある。

従って、広い面積にわたって、均質な薄膜トランジスタ
を形成する手段として不適当である。

本発明は、上記従来技術の問題点を解決することを目的
としており、広い面積にわたって均質な、薄膜トランジ
スタを提供することにある。

本発明の他の目的は、上記薄膜トランジスタの製造方法
を提供することにある。

さらに、本発明の他の目的は、上記薄膜トランジスタを
備えた液晶表示装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的は、 赤外吸収スペク１−ルにおける５ｊ−Ｈ吸収（２２００
ａ＋＋　　）積分強度ａと、Ｎ−Ｈ吸収（３３４０ｃａ
ｎ　　）積分強度すとの比が、ａ　／　ｂ　＝０．２５
以下のＳｉＮｘＨｙ　（ｘ＋ｙ≦４）をゲート絶縁膜と
して用いる薄膜トランジスタにより達成できる。

また、上記他の目的は、断面積が順次拡がるホーンを有
し、該ホーンの開口部面積は、成膜を行なうべき領域の
面積以上の広さを持つマイクロ波放射部と、 プラズマ生成部に吹き出す際のガスの流速分布を、成膜
を行なうべき領域の面積以上の広さにわたりほぼ均一と
し、上記流速分布の方向を被処理物の被処理面に対し略
垂直にしてガスを吹き出すガス吹出手段と、 を備えて構成されるマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によ
り達成できる。

さらに、上記他の目的は、ガスを被処理物の成膜を行な
うべき面に対してほぼ均等流速分布を持つように吹き出
し、かつ、ガスに対する照射密度をほぼ均一にさせて、
上記成膜を行なうべき領域の面積以上の広さにマイクロ
波を照射して、成膜室内にプラズマを生成し、成膜する
薄膜製造方法により達成できる。

［作　用コ 本発明に係る電子サイクロトロン共鳴を利用するマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置では、特定波長のマイクロ波（
例えば２．４５ＧＩＩｚ）が、特定の磁界強度（例えば
８７５Ｇａｕｓｓ）を有する空間に照射される。

この際、マイクロ波を照射する部分の開口部面積が、成
膜を行なうへき領域の面積以上の広さを持つマイクロ波
放射部を備えているので、成膜室内のプラズマ生成部の
全領域にわたり、マイクロ波が導入される。

一方、上記マイクロ波導入とほぼ同時に、プラズマ生成
部に導入されるべきガスは２本装置とは別に設けである
ガス供給手段により、成膜室の内壁付近のガス導入管を
通り、マイクロ波放射部の開口部全面の導かれる。ここ
から、ガス吹出手段を経て５プラズマ生成部に、はぼ同
し流速分布で導入される。このように、はぼ同じ流速分
布で導入される理１１０よ、成膜室の圧力や流量を考慮
して、例えば、ガス吹出板の周辺部では、孔の大きさを
大きくし、中心部では、その大きさを小さくするなどし
ているからである。

従って、均一なプラズマが形成され、このプラズマを、
磁界に沿って被処理物の方に輸送することにより、被処
理面上に広い面積にわたり、均質な薄膜を堆積させるこ
とができる。

また１本発明に係る薄膜トランジスタを液晶と組み合オ
）せて、液晶駆動用トランジスタとして用いることによ
り、精度のよい液晶表示装置を作ることができる。

この理由は、上記薄膜トランジスタは、低温条件下で成
＋１Ｕ　したゲー１へ絶縁膜を含み、このグー１〜絶縁
膜は、赤外吸収スペクトルにおけるＳ　ｉ　−Ｈ吸収積
分強度ａと、Ｎ−Ｈ吸収積分強度すとの比が、ａ　／　
ｂ　＝０．２５以下のＳ　ｊＮｘＩ−１ｙ　（ｘ　十ｙ
≦４）であるので、十分に高いＳ　ｊ　−Ｎ系結合密度
、およびＮ　−１−（系結合密度を有し、電子ｌ−ラッ
プ帛位となるダングリングボンドの形成要因である比較
的結合力の弱いＳ　ｊ−ＩＩ系結合を多く含まないから
である。

（以下　余白） ［実施例］ 図面により本発明の詳細な説明する。

第１図は１本発明の第１実施例を示す。

第１図は、本発明の薄膜トランジスタを製造するために
使用する磁場印加可能なマイクロ波プラズマＣＶＤ装置
の断面図を示す。

本実施例の装置は、同図に示すように、マイクロ波発生
源３３と、マイクロ波導入管５と、マイクロ波を拡大し
て大面積に照射するマイクロ波放射部である電磁ホーン
２と、この電磁ホーン２に連設したプラズマを形成させ
る成膜室７と、電磁ホーン２と成膜室７の外周に配置さ
れた磁場印加装置４を基本構成とする。上記電磁ホーン
２の上部には、マイクロ波を透過させる材質、例えば溶
融石英からなる仕切板１が内設され、成膜室７と電磁ホ
ーン２とを空間的に仕切っている。

また、成膜室７には、例えば、窒素ガス、またはアンモ
ニアガスなどの窒素を含むガスと、水素を含む金属化合
物としての、例えば、シランガスとを導入するためのガ
ス導入管６が配置される。

このガス導入管６には、リング状のガス導入口３０が連
結されており、ガス導入口３０の内側には、ガス吹き出
しのための多数の穴が設けられている。

また、成膜室７の内部には、被処理物８を支持するホル
ダ９が、上記仕切板１に対向して設けられている。

なお、同図では、電磁ホーン２の内部と、成膜室７とを
真空にする排気系は省略している。

次に、本実施例の動作について説明する。

例えば、窒素ガスとシランガスとの混合ガスが、ガス導
入口３０からプラズマ生成部３に導入され、さらに、マ
イクロ波導入管５からマイクロ波を導入するとともに、
磁場印加装置４によって磁場を発生させて、上記混合ガ
スのプラズマを発生させる。

なお、マイクロ波はモードを乱さずに電磁ホーン２を伝
播し、上記仕切板１を通って、はぼ均一の照射密度でプ
ラズマ生成部３内に導入される。

従って、マイクロ波と磁場との相互作用により。

電子サイクロトロン共鳴を行わせ、プラズマ生成部３に
、密度のプラズマを広範囲に生成させることができる。

発明者等の測定によれば、　１０”〜１０１２■程度の
電子濃度を有するプラズマが広範囲（φ５００ｗｎ）に
わたり均一に形成される。

上記プラズマ中の窒素およびシランの活性種は、磁場印
加装置４によって形成される磁界によって、成膜室７の
内部に設けた被処理物８に向って加速され、その結果、
大口径を有する被処理物８の表面に、窒化シリコン薄膜
を均一な厚さで、しかも緻密な膜質を形成することがで
きる。

また、上記した本発明によれば、高密度のプラズマを有
する電子サイクロトロン共鳴を利用するので、被処理物
を特別に高温加熱しなくても光学的もしくは電気的に優
れた特性を有する窒化シリコン簿膜を形成することが可
能である。

この理由は、低温条件下で被着した上記の薄膜は、その
薄膜中に、十分に高い５ｉ−Ｎ系結合密度、およびＮ−
Ｈ系結合密度を有し、電子トラップ準位となるダングリ
ングボンドの形成要因である比較的結合力の弱い５ｉ−
Ｈ糸結合を多く含まないからである。

従って、上記窒化シリコン薄膜を、簿膜トランジスタの
ゲート絶縁膜として用いれば、電子の移動に伴うトラン
ジスタ特性、例えば、しきい電ｈ：値の経時的変化を抑
制することができる。

なお、薄膜の元素結合状態は、例えば１反射赤外分析法
を用いて分析すれば容易に検出することができる。

次に、本発明の第２実施例を第６図を用いて説明する。

第６図は、本発明の薄膜トランジスタを製造するために
使用する磁場印加可能なマイクロ波プラズマＣＶＤ装置
の一実施例の断面図を示す。同図に示すように、本実施
例のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、第１実施例のマ
イクロ波プラズマＣＶＤ装置と、基本的な構成は同じで
ある。

本実施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置と、第１実施
例のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置との相違は、ガスを
プラズマ生成部に導入する手段にある。

本実施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の構成要素で
あるマイクロ波発生源３３や電磁ホーン２等の構成とそ
の作用は、第１実施例と同様であるので、それらの説明
は省略する。

本実施例の特徴である、ガスをプラズマ生成部に導入す
る手段について説明する。

ガスをプラズマ生成部３に導入するための手段は、第６
図において、ガス導入装置３２とガス吹出板３１とから
構成される。

ガス導入装置３２は、成膜室７の内壁に沿って設けた、
径の異なる２枚の略円筒形からなる。なお、成膜室７の
内壁を二重にすることにより、ガス導入装置３２として
もよい。さらに、複数の管を適当な間隔で配置すること
により、ガス導入装置３２とすることもできる。

また、ガス吹出板３１は、マイクロ波を透過させる物質
で作られ、仕切板１の上に所定の間隔をあけて設けられ
る。

その形状は、多数の孔を有する板体であり、孔の直径は
、例えば、０．３ｍ＋ｎ程度でよいが、望ましくは、成
膜時の供給ガス圧等を考慮して、孔の数および直径は、
ガス吹出板３１の外周部から中心に向って、各孔から均
一の流速のガスが吹き出すように調整することが好まし
い。例えば、孔の直径が全て同一の場合は、ガス吹出板
３１の外周部に近い部分は孔の数を少なくし、外周部か
ら離れている部分は孔の数を多くする。すなわち、成膜
時の成膜室７の圧力およびガス流量によって、仕切板１
の端部から中心部に向かって、ガスの流れに対するコン
ダクタンスが異なるので、これらを考慮して、上記の孔
の数およびサイズを調整する。

なお、上記仕切板１とガス吹出板３１との間隔は、約０
．５画以下が望ましい。この理由は、仕切板１とガス吹
出板３１との間隔が約０　、５　ｍｎ以上の場合は、仕
切板１とガス吹出板３１の間にプラズマが生成され、仕
切板１の孔に薄膜が堆積され、孔の径が変化するので、
ガスの吹出が不均一となるからである。また、上記空間
の圧力を、成膜室７の圧力よりも相対的に低くすること
によっても、上記空間にプラズマが生成されるのを防止
できる。

なお、上記ガス吹出板３１の代わりに、その径と、はぼ
同様の内径を有するパイプ状のものを、ガス吹出板３１
の板厚とほぼ同じ長さに切断し、それらを隼めて孔の代
わりにしてもよい。上記のガス吹出板３１や、パイプ状
のものの東合体などが、請求の範囲記載のガス吹出手段
に該当する。

また、ガス導入装置３２とガス吹出板３１とは、ガス導
入装置３２から導入されたガスの全てが、プラズマ生成
部３に導かれるように連結する。

また、ガス吹出板３１と被処理物８との距離は、１００
〜１５０ｍｍとするのがよい。

次に、本実施例による、プラズマ生成部３へのガスの供
給について説明する。

ガス吹出板３１の外周部と連結しているガス導入装置３
２から、一定の圧力で供給されたガスは、ガス吹出板３
１に設けられた多数の孔から、均一の流速分布となるよ
うに吹き出し、その結果、ガス吹出板３１と平行な面を
プラズマ生成部３に想定すれば、その面には一定流量の
ガスが供給される。すなわち、ガス吹出板３１と平行に
配置された被処理物８には、はぼ一定流量のガスが供給
されることになる。　なお、プラズマ生成部３における
ガスのプラズマ化等については、第１実施例と同様であ
るので省略する。

次に、上記実施例のマイクロ波プラズマ装置を用いて成
膜した効果を第３図により示す。

第３図は、本実施例のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を
用いて形成した窒化シリコン薄膜の代表的な特性を表わ
した実験結果を示す。

実験条件として、窒素およびシランの各流旦を１０＝１
、圧力を１−３　ｍｍＴｏｒｒ、マイクロ波出力を１〜
２ｋｗに設定した。

同図（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、（ａ）は被処理物
８として透明ガラス基板を用いた場合の膜厚分布特性、
（ｂ）はその抵抗率分布特性、（Ｃ）はその誘電率分布
特性、（ｄ）はその赤外吸収スペクト膜特性を示す。

同図（ａ）から（ｄ）の縦軸は、それぞれ、（ａ）はｒ
Ｐ；３厚、（ｂ）は屈折率、（Ｃ）は抵抗率、（ｄ）は
吸収係数である。

また、横軸は、（ａ）から（Ｃ）までは基板中心からの
距離を示し、（ｄ）は吸収強度である。

この結果から、薄膜は、透明ガラス基板の中心から半径
方向に向って極めて広範囲に、均一な特性分布を実現し
ていることが明らかである。

また、赤外吸収スペクトル特性から推察すれば、ｉＪ　
ＩＩ’Ｊ中には、化学駁論的組成を示す十分に高い５ｉ
−Ｎ系結合密度およびＮ　−）−Ｉ糸結合密度を有して
おり、極めて緻密性に優れた構造をしていることがわか
る。

この理由は、従来技術において成膜時に生成されるシリ
コンのダングリングボンド（結合子をもたずに、電子の
トラップ準位を形成し、膜特性あるいはトランジスタ特
性に悪影響を及ぼす）の形成要因である、比較的結合力
の弱いＳ　ｉ　−）Ｉ系結合は持たず、従って、緻密な
原子構造を維持することができるからである。

本実施例においては、実験結果から、５ｉ−Ｈ結合とＮ
−１１結合との積分吸収強度の比が０．１以下である。

この比の値が０．２５以下であれば、上記理由により、
薄膜１〜ランジスタを形成した場合の電子の移動に伴っ
て生じるトランジスタ特性の経時的な変動を抑制するこ
とができる。

本実施例によれば、被処理物を高温に加熱しなくても、
窒化シリコンを主成分とする薄膜を大面積に形成するこ
とができる。そして、この薄膜をグー１〜絶縁膜として
用いることにより、優れた電気的特性を、長期にわたり
保持可能な薄膜トランジスタを実現することができる。

次に、本発明の第３実施例を第２図を用いて説明する。

第２図は、本実施例の薄膜トランジスタの断面図を示す
。

同図において、１９は非晶質シリコンｎ″層であり、他
の符号は第５図の従来例と同一のものを示す。

本実施例の薄膜トランジスタの製造方広について説明す
る。

ゲート絶縁膜１２は１例えば、窒化シリコン膜を第２実
施例に示した電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装
置による技術を用いて形成する。

第２図において、被処理物８として、例えば、屈折率１
．５２の透明ガラス１０を用い、ホルダ９に止着する。

まず、透明ガラス１０上にＣｒ等の金属からなるグー１
４極〕−１を、公知のスパッタ法などを用いて形成する
。

次に、ガス導入装置３２から窒素ガスおよびシランガス
を導入し、窒素プラズマ中でシランを分ｈ′シ、ゲート
電極１１」二にグー１〜絶縁膜１２として、膜厚３００
０〜４０００人の窒化シリコン薄膜を形成する。

次いで、ガス導入装置３２の窒素ガスの供給を止め、所
定の領域に非晶質シリコンユ層１３および非晶質シリコ
ンｎ”層１９を各々３０００〜４０００人、３００〜４
００人連続的に形成する。

なお、非晶質シリコンｎ”ｌ１９のドーパントとして、
例えば、ホスフィン（Ｐ　Ｈ３）をガス導入装置３２よ
り供給する。

次に、透明電極としてＩＴ○膜２膜製０知の陽極酸化法
を用いて、所定の領域に形成する。

その後、上記非晶質シリコンｒ１“層１９の一部をエツ
チング法により除去し、ＡＭ等の金属を用いてドレイン
電極１５、およびソース電極１６を真空蒸着法などを用
いて形成することにより、薄膜トランジスタができあが
る。

上記ゲート絶縁膜１２は、上記のように第２実施例に示
した電子サイクロ１〜ロン共鳴プラズマＣＶ　Ｉ）装置
による技術を用いて形成している。すなオ〕ち、電子サ
イクロトロン共鳴作用により活性度が非常に高くなった
プラズマを、磁界を活用して適度に調整されたエネルギ
ーで取り出して被処理物８の表面に衝突させて形成して
いる。

従って、プラズマの高活性と、イオンや電子の被処理物
への限定された強さの衝突とによる複合効果によって、
効率良く薄膜形成などの表面処理反応が生じる。この反
応は外部から加熱しなくても起きるから、常温での処理
が可能である。

この結果、第３図で説明したように、薄膜トランジスタ
を形成した場合の電子の移動に伴って生じるトランジス
タ特性の経時的な変動を抑制することができる。

従って、上記第２実施例のプラズマＣＶＤ装置を用いた
薄膜製造方法により、優れた電気的特性を、長期にわた
り保持可能な薄膜トランジスタを実現することができる
。

次に、第４の実施例を、第４図を用いて説明する。

第４図は、液晶表示装置の一部を破断した斜視図であり
、第３実施例のゲート絶縁膜を含む薄膜トランジスタと
液晶とを組合わせた大画面表示装置を示す。

本実施例の大画面表示装置は２つの偏光板２６゜２６に
挾まれた構造となっている。

第４図において、下にある偏光板２６の上に透明ガラス
１０．薄膜１−ランジスタ２１、電極２２、液晶２３、
カラーフィルタ２４、表面保護用ガラス２５、偏光板２
６を公知の方法で順次積層して。

大画面表示装置２７は構成される。

上記大画面表示装置２７において、画面サイズを決定す
るのは、薄膜トランジスタ２１の形成可能な領域である
が、上記実施例に記載したように。

電磁ホーンを用いたマイクロ波プラズマＣＶＤ装置によ
り成膜するので、約φ５００Ｉの領域に薄膜１−ランジ
スタ２１を形成することができる。すなわち、約２０イ
ンチの画面を有する表示装置を形成することが可能であ
る。

［発明の効果コ 以上述べたように、本発明によれば、非晶質シリコン薄
膜を用いた薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を、マイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて形成する際に、仕切板
とガス吹出板とを内蔵した電磁ホーンでマイクロ波を拡
大して大面積に照射し、仕切板と被処理物（ガラス基板
）との空間に存在する高活性のプラズマを活用するので
、約φ５００１ＴＩ１１の領域に、化学量論的組成を有
し、かつ電気的光学的特性の優れた、極めて緻密な薄膜
を形成することができる。

そして、薄膜トランジスタを構成する上記薄膜は、電子
サイクロトロン共鳴作用により、高活性のプラズマを用
いて形成されるので、形成時の被処理物の温度を特別に
高温加熱処理を施す必要が無く、ダングリングボンド欠
陥を生じさせる比較的弱いＳ　ｉ　−Ｈ結合を多く含ま
ない緻密な膜形成ができる。

従って、上記薄膜を用いて形成した薄膜トランジスタは
、電気的にも光学的にも、経時的に安定な特性を維持す
ることが可能になる。

さらに、上記大面積を有する薄膜トランジスタと液晶等
を組み合せることにより、大画面（約２０インチ）の表
示装置を実現することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である薄膜ｌ−ランジスタを
形成するマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の一実施例の断
面図、第２図は本発明の一実施例を示す薄膜トランジス
タの断面図、第３図は薄膜トランジスタを構成するゲー
ト絶縁膜（窒化シリコン膜）の特性を説明する特性図、
第４図は液晶表示装置の一部を破断した斜視図、第５図
は従来技術を示す薄膜トランジスタの断面図、第６図は
本発明の薄膜トランジスタを製造するために使用する磁
場印加可能なマイクロ波プラズマＣＶＤ装置の一実施例
の断面図である。 １・・・仕切板、２・・・電磁ホーン、３・・・プラズ
マ生成部、４・・磁場印加装置、５・・マイクロ波導入
管、６・・・ガス導入管、７・・・成膜室、８・・・被
処理物、９・・・ホルダ、１０・・・基板、１１・・・
ゲート電極、１２・・・ゲート絶縁膜、１３・・・非晶
質９９３２５層、１４・・・ショットキー障壁形成用金
属、１５・・・ソース電極、１６・・・ドレイン電極、
１７・・・パッシベーション膜、１８・・遮光膜、１９
・・非晶質シリコンｎ“層、２０・・・ＩＴＯ膜、２１
・・・薄膜１ヘランジスタ、２２・・電極、２３・・液
晶、２４・・カラーフィルタ、２５・・・表面保護用ガ
ラス、２６・・偏光板、２７・大画面表示装置、３１・
・・ガス吹出板、３２・・・ガス導入装置、３３・・・
マイクロ波発生源。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、赤外吸収スペクトルにおけるＳｉ−Ｈ吸収（２２０
   ０ｃｍ）積分強度ａと、Ｎ−Ｈ吸収（３３４０ｃｍ）積
   分強度ｂとの比が、ａ／ｂ＝０．２５以下のＳｉＮ＿ｘ
   Ｈ＿ｙ（ｘ＋ｙ≦４）をゲート絶縁膜として用いること
   を特徴とする薄膜トランジスタ。 ２、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、断面積が
   順次拡がるホーンを有するマイクロ波放射部を備え、該
   放射部の開口部面積は、成膜を行なうべき領域の面積以
   上の広さを持つことを特徴とするマイクロ波プラズマＣ
   ＶＤ装置。 ３、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、内部にプ
   ラズマを生成して被処理面に薄膜を形成する成膜室と、 上記プラズマ生成部にマイクロ波を導入するマイクロ波
   導入手段とを備えて構成され、 上記マイクロ波導入手段と上記成膜室とを空間的に仕切
   るための仕切板を設け、上記成膜室のマイクロ波導入側
   の被処理面に対向する面上に、複数の孔を有するガス吹
   出手段を設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマＣ
   ＶＤ装置。 ４、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、プラズマ
   生成部に吹き出す際のガスの流速分布を、成膜を行なう
   べき領域の面積以上の広さにわたりほぼ均一とし、上記
   流速分布の方向を被処理物の被処理面に対し略垂直にし
   てガスを吹き出すガス吹出手段を設けたことを特徴とす
   るマイクロ波プラズマＣＶＤ装置。 ５、断面積が順次拡がるホーンを有し、該ホーンの開口
   部面積は、成膜を行なうべき領域の面積以上の広さを持
   つマイクロ波放射部と、 プラズマ生成部に吹き出す際のガスの流速分布を、成膜
   を行なうべき領域の面積以上の広さにわたりほぼ均一と
   し、上記流速分布の方向を被処理物の被処理面に対し略
   垂直にしてガスを吹き出すガス吹出手段と、 を備えて構成されるマイクロ波プラズマ ＣＶＤ装置。 ６、ガスを被処理物の成膜を行なうべき面に対してほぼ
   均等流速分布を持つように吹き出し、かつ、ガスに対す
   る照射密度をほぼ均一にさせて、上記成膜を行なうべき
   領域の面積以上の広さにマイクロ波を照射して、成膜室
   内にプラズマを生成し、成膜することを特徴とする薄膜
   製造方法。 ７、請求項６記載の成膜方法により成膜されたゲート絶
   縁膜を含む薄膜トランジスタ。 ８、請求項１または７記載の薄膜トランジスタを、液晶
   駆動用トランジスタとして用いた液晶表示装置。 ９、マイクロ波の進行方向に合わせて、ガスを吹き出す
   手段を成膜室に設けたマイクロ波プラズマＣＶＤ装置。