JPH03250774A - 酸化物超電導体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体及びその製造方法Info
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- JPH03250774A JPH03250774A JP2047754A JP4775490A JPH03250774A JP H03250774 A JPH03250774 A JP H03250774A JP 2047754 A JP2047754 A JP 2047754A JP 4775490 A JP4775490 A JP 4775490A JP H03250774 A JPH03250774 A JP H03250774A
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、酸化物超電導体及びその製造方法に係わり、
さらに詳しくは磁場中で高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有
する酸化物系超電導体とその製造方法に関する。
さらに詳しくは磁場中で高い臨界電流密度（Ｊｃ）を有
する酸化物系超電導体とその製造方法に関する。
層状ペロブスカイト構造を有するＹ−Ｂａ−Ｃｕ −０
系＋ Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○系、ＴＱ−Ｉ３ａ
−Ｃａ −Ｃｕ −０系の酸化物超電導材料では、臨界
温度（Ｊｃ）が液体窒素温度（７７Ｋ）以上であるため
、超電導磁石、コイル或いはエレクトロニクスデバイス
への広い応用が期待されている。
系＋ Ｂ１−８ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−○系、ＴＱ−Ｉ３ａ
−Ｃａ −Ｃｕ −０系の酸化物超電導材料では、臨界
温度（Ｊｃ）が液体窒素温度（７７Ｋ）以上であるため
、超電導磁石、コイル或いはエレクトロニクスデバイス
への広い応用が期待されている。
酸化物超電導体の成膜法としては、Ｒ，Ｆスパッタリン
グ法、ＭＢＥ （モノキュラービームエピタキシー）法
、レーザ・デポジション法及びＣＶＤ法があり、例えば
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ５３ （１６）
。
グ法、ＭＢＥ （モノキュラービームエピタキシー）法
、レーザ・デポジション法及びＣＶＤ法があり、例えば
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、 ５３ （１６）
。
１５５７（１９８８）に記載されている。ここでは５ｒ
ＴｉＯｆｆ（１００）面の単結晶基板を用いることでエ
ピタキシャル成長した膜及びＣ軸配向した膜が形成でき
、零磁場で高い臨界電流密度Ｊｃを得ている。
ＴｉＯｆｆ（１００）面の単結晶基板を用いることでエ
ピタキシャル成長した膜及びＣ軸配向した膜が形成でき
、零磁場で高い臨界電流密度Ｊｃを得ている。
しかしながら、上記に示した単結晶基板を用いた成膜法
では零磁場で高いＪｃを得ることが比較的容易である反
面、磁場中でＪｃが低下する問題があった。
では零磁場で高いＪｃを得ることが比較的容易である反
面、磁場中でＪｃが低下する問題があった。
本発明の目的は、磁場中で高い電流密度を有する酸化物
超電導体とその製造方法を提供することにある。
超電導体とその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、酸化物超電導膜に形成する
ための基板材料、基板の改質及び膜形成方法について種
々実験検討した結果、たとえば５ｒＴｉＯ，基板面に先
ず電子線照射等で点又は線欠陥を導入した後、この面上
にスパッタ法、蒸着等の薄膜形成技術により酸化物超電
導膜を形成すわばよいことを見い出した。
ための基板材料、基板の改質及び膜形成方法について種
々実験検討した結果、たとえば５ｒＴｉＯ，基板面に先
ず電子線照射等で点又は線欠陥を導入した後、この面上
にスパッタ法、蒸着等の薄膜形成技術により酸化物超電
導膜を形成すわばよいことを見い出した。
基板材料は、酸化物超電導層の合成時の熱に耐えるもの
であればよく、材質にとられれない。
であればよく、材質にとられれない。
点或いは線欠陥よりなる凹み部の深さは５゜ｎｍ〜１μ
ｍ、１ｌｌｉｌは１００ｍ〜１μｍ、長さは５０ｎｍ〜
１μｍが望ましい。
ｍ、１ｌｌｉｌは１００ｍ〜１μｍ、長さは５０ｎｍ〜
１μｍが望ましい。
凹み部の代りに半球状の突出部を設けてもよく、この場
合の高さは２５ｎｍ〜１μｍが好ましい。
合の高さは２５ｎｍ〜１μｍが好ましい。
半球状の突出部は、基板材料と異なる材質が望ましい。
ＭｇＯ（１００）または５ｒＴｉＯ，（１００）単結晶
基板上へ酸化物超電導膜を合成すると、基板の影響を受
けて基板の格子定数と比較的近い結晶の配向した超電導
膜を形成できる。点或いは線欠陥等の凹み部を導入した
基板の面では、酸化物超電導体の結晶成長は欠陥部で結
晶成長しないため、欠陥部の周辺より結晶成長して欠陥
部を含む形状で膜を形成する。そのため基板面に対して
垂直な方向に欠陥を有する膜を形成する。したがって、
単結晶基板に点及び線欠陥を分散して導入することで、
基板面に対して垂直な方向の欠陥を分散して膜に導入で
きる。またこの膜は、磁場を印加した場合の磁束線のト
ラップサイトを含むため、磁場中でのＪｃの低下を抑制
する働きがある。
基板上へ酸化物超電導膜を合成すると、基板の影響を受
けて基板の格子定数と比較的近い結晶の配向した超電導
膜を形成できる。点或いは線欠陥等の凹み部を導入した
基板の面では、酸化物超電導体の結晶成長は欠陥部で結
晶成長しないため、欠陥部の周辺より結晶成長して欠陥
部を含む形状で膜を形成する。そのため基板面に対して
垂直な方向に欠陥を有する膜を形成する。したがって、
単結晶基板に点及び線欠陥を分散して導入することで、
基板面に対して垂直な方向の欠陥を分散して膜に導入で
きる。またこの膜は、磁場を印加した場合の磁束線のト
ラップサイトを含むため、磁場中でのＪｃの低下を抑制
する働きがある。
また、基板として酸化物超電導体の格子定数とミスマツ
チした結晶体及び非晶質体への超電導膜の結晶成長は、
基板の影響を受けず無配向膜を形成する。したがって、
前記結晶体及び非晶質体の析出物を形成した単結晶基板
上では、基板面に対して無配向した結晶粒が形成されて
いる配向膜を合成できる。
チした結晶体及び非晶質体への超電導膜の結晶成長は、
基板の影響を受けず無配向膜を形成する。したがって、
前記結晶体及び非晶質体の析出物を形成した単結晶基板
上では、基板面に対して無配向した結晶粒が形成されて
いる配向膜を合成できる。
基板上への点及び線欠陥の導入は、電子線照射。
各種スパッタ法、イオン打ち込み法、研磨法、酸及びア
ルカリ処理法等により行える。また基板上への析出物の
形成は、各種スパッタ法、蒸着法。
ルカリ処理法等により行える。また基板上への析出物の
形成は、各種スパッタ法、蒸着法。
レーザ・デポジション法等のＰＶＤ法及び化学気相析出
法（ＣＶＤ）などの通常の成膜法で行える。
法（ＣＶＤ）などの通常の成膜法で行える。
前記点及び線欠陥を有する基板或いは析出物を有する基
板上への酸化物超電導膜は、各種スパッタ法、蒸着法、
レーザ・デポジション法、ＣＶＤ法などの通常の薄膜形
成技術による成膜法で形成できる。
板上への酸化物超電導膜は、各種スパッタ法、蒸着法、
レーザ・デポジション法、ＣＶＤ法などの通常の薄膜形
成技術による成膜法で形成できる。
以下、本発明を実施例を示してさらに詳細に説明する。
〈実施例１〉
本発明の実施例を第１図に示す。５ｒＴｉＯ。
（１００）単結晶基板１に収束イオンビーム（Ｆ Ｉ
Ｂ）法により、Ｇａイオンを加速電圧３０ｋｅＶ、照射
量１０１１〜１０１Ｇ／ｃｍ２で照射して欠陥４及び／
或いは線欠陥３を分散して導入した。
Ｂ）法により、Ｇａイオンを加速電圧３０ｋｅＶ、照射
量１０１１〜１０１Ｇ／ｃｍ２で照射して欠陥４及び／
或いは線欠陥３を分散して導入した。
次にｒｆマグネトロンスパッタリング法により、表１に
示す条件下で前記基板上へＹ −Ｂ ａ −Ｃｕ−０（
以下ＹＢＣＯと記す）酸化物超電導膜の形成を行なった
。析出したＹＢＣＯ膜２中には、基板の点及び／或いは
線欠陥に対応して点欠陥５及び／或いは線欠陥６が基板
面に対して垂直方向に形成されていた。
示す条件下で前記基板上へＹ −Ｂ ａ −Ｃｕ−０（
以下ＹＢＣＯと記す）酸化物超電導膜の形成を行なった
。析出したＹＢＣＯ膜２中には、基板の点及び／或いは
線欠陥に対応して点欠陥５及び／或いは線欠陥６が基板
面に対して垂直方向に形成されていた。
表 １ スパッタ条件
第２図に析出したＹＩＢ ａ、Ｃｕ３ｏｃ−ｓ−７，ｓ
酸化物超電導膜のＸ線回折パターンを示す。Ｙ Ｂ Ｃ
○酸化物超電導体の（００ｎ）面に基づく回折ピークの
みが明瞭に認められ、Ｃ軸配向していることがわかる。
酸化物超電導膜のＸ線回折パターンを示す。Ｙ Ｂ Ｃ
○酸化物超電導体の（００ｎ）面に基づく回折ピークの
みが明瞭に認められ、Ｃ軸配向していることがわかる。
また、この膜のＴｃ及びＪｃの測定を四端子法を用いて
行った。抵抗が零となる温度Ｔ ｃ （ｚｅｒｏ）は８
５に、Ｊｃは２Ｘ１０５Ａ／ｃｍ（７７に、ＯＴ）であ
った。第３図に磁場を印加した場合のＪｃの低下率を示
す。本実験で得られた膜は、従来のエピタキシャル成長
した欠陥のない膜を比べて磁場中のＪｃの低下率が小さ
かった。
行った。抵抗が零となる温度Ｔ ｃ （ｚｅｒｏ）は８
５に、Ｊｃは２Ｘ１０５Ａ／ｃｍ（７７に、ＯＴ）であ
った。第３図に磁場を印加した場合のＪｃの低下率を示
す。本実験で得られた膜は、従来のエピタキシャル成長
した欠陥のない膜を比べて磁場中のＪｃの低下率が小さ
かった。
以上、点及び／或いは線欠陥を有した基板上へ超電導膜
を形成すると、基板面に対して垂直方向に形成した点及
び／或いは線欠陥を含む股を合成でき、前記膜が磁場に
対して高いＪｃを維持できることが明らかである。
を形成すると、基板面に対して垂直方向に形成した点及
び／或いは線欠陥を含む股を合成でき、前記膜が磁場に
対して高いＪｃを維持できることが明らかである。
〈実施例２〉
５ｉＴｉＯ，（１００）、５ｒＴｉＯ，（１００）。
ＭｇＯ（１００）、ＬａＡＱＯ，（１００）よりなる夫
々の単結晶基板へ、電子線照射、各種スパッタリング法
、研磨法、酸及び／或いはアルカリ処理により点及び／
或いは線欠陥を分散して導入した。実施例１シこ示す条
件下でＹＢＣＯ膜を前記基板上へ形成した。ＹＢＣＯ膜
の組成は実施例１の場合と同じである。このＹＢＣＯ膜
のＴｃ及び磁場を印加した場合のＪｃを四端子法を用い
て測定した。いずれの処理法を用いたいずれの基板上で
も超電導膜が形成されたが、電子線照射したＬ ａ Ａ
Ｑ０３基板の場合に最もよい特性、具体的にはＴｃ＝
９０に、磁場ＩＴにおけるＪ ｃ ／ Ｊ ｃ（０）＝
０．７が得られた。
々の単結晶基板へ、電子線照射、各種スパッタリング法
、研磨法、酸及び／或いはアルカリ処理により点及び／
或いは線欠陥を分散して導入した。実施例１シこ示す条
件下でＹＢＣＯ膜を前記基板上へ形成した。ＹＢＣＯ膜
の組成は実施例１の場合と同じである。このＹＢＣＯ膜
のＴｃ及び磁場を印加した場合のＪｃを四端子法を用い
て測定した。いずれの処理法を用いたいずれの基板上で
も超電導膜が形成されたが、電子線照射したＬ ａ Ａ
Ｑ０３基板の場合に最もよい特性、具体的にはＴｃ＝
９０に、磁場ＩＴにおけるＪ ｃ ／ Ｊ ｃ（０）＝
０．７が得られた。
以上、点及び／或いは線欠陥を導入した基板を用いるこ
とで、磁場によるＪｃの低下を抑制できる酸化物超電導
膜が形成できることが明らかである。
とで、磁場によるＪｃの低下を抑制できる酸化物超電導
膜が形成できることが明らかである。
〈実施例３〉
Ｓ ｒＴｊ Ｏ，（１００）単結晶基板へ、Ｍ、ＢＥ法
。
。
ＲＦスパッタリング法、ＣＶＤ法によりＡＱの島状に析
出させた。実施例１に示す条件下でＹＢＣ○膜を前記基
板上へ形成した。本発明の概略を第４図に示す。５ｒＴ
ｉ０３（１００）単結晶基板１にではＹＢＣＯ膜のＣ軸
が基板面に対して垂直な方向に配向して膜を形成する。
出させた。実施例１に示す条件下でＹＢＣ○膜を前記基
板上へ形成した。本発明の概略を第４図に示す。５ｒＴ
ｉ０３（１００）単結晶基板１にではＹＢＣＯ膜のＣ軸
が基板面に対して垂直な方向に配向して膜を形成する。
ＡＱの析出物３０−Ｊ二ではＹＢＣ○膜が無配向に膜を
形成している。符号４０は無配向したＹＢａＣｕＯ結晶
を示している。第４図に示す酸化物超電導膜の四端子法
によるＴｃ及び磁場を印加した場合のＪ Ｃを評価した
。
形成している。符号４０は無配向したＹＢａＣｕＯ結晶
を示している。第４図に示す酸化物超電導膜の四端子法
によるＴｃ及び磁場を印加した場合のＪ Ｃを評価した
。
ＭＢＥ法でＡ、 Ｑ析出した場合が最も分散がよく、こ
の基板を用いた場合が最も特性がよかった。
の基板を用いた場合が最も特性がよかった。
Ｔｃは８６に、磁場ＩＴにおけるＪｃ／、丁ｃ（ｏ）＝
０．６が得られた。
０．６が得られた。
以上、島状の析出物を有する基板を用いれば、基板面Ｉ
、こ対して垂直な方向に無配面な結晶が島状に形成して
いるＹＢＣ○膜を合成でき、磁場によるＪｃの低下を抑
制できることがわかる。
、こ対して垂直な方向に無配面な結晶が島状に形成して
いるＹＢＣ○膜を合成でき、磁場によるＪｃの低下を抑
制できることがわかる。
〈実施例４〉
異相２０が分散しているＳ ｒＴ ｉ Ｏ，（ｌ ＯＯ
）単結晶基板１上に、実施例１に示すスパッタ条件でＹ
ＢＣＯ膜を形成した。ＹＢＣＯ膜の概略を第５図に示す
。５ｒＴｊＯ，基板の（１，００）面上ではＹＢＣ○膜
の（ＯＯｎ）面が結晶成長し、前記基板の異相の上では
ＹＢａＣｕ○膜の（１１０）面３１と（１０３）面４１
とが結晶成長している。
）単結晶基板１上に、実施例１に示すスパッタ条件でＹ
ＢＣＯ膜を形成した。ＹＢＣＯ膜の概略を第５図に示す
。５ｒＴｊＯ，基板の（１，００）面上ではＹＢＣ○膜
の（ＯＯｎ）面が結晶成長し、前記基板の異相の上では
ＹＢａＣｕ○膜の（１１０）面３１と（１０３）面４１
とが結晶成長している。
この酸化物超電導膜の四端子法によるＴｃ及び磁場を印
加した場合のＪｃを評価した。Ｔｃは８５に、磁場ＩＴ
におけるＪｃ／Ｊ ｃ（ｏ）−０，４が得られた。
加した場合のＪｃを評価した。Ｔｃは８５に、磁場ＩＴ
におけるＪｃ／Ｊ ｃ（ｏ）−０，４が得られた。
以上の結果から、異相が分散して構成されている基板を
用いれば、高いＴｃ、磁場中でも高いＪｃを持つ酸化物
超電導膜が形成できることが明らかである。
用いれば、高いＴｃ、磁場中でも高いＪｃを持つ酸化物
超電導膜が形成できることが明らかである。
〈実施例５〉
Ｓｉ基板上に５ｒＴｉ○ａ＋Ｍｇ○、 Ｂ ａ Ｔ １
０ ：ｉ ＋ＬａＡＱＯ３，ＭｇＡＱ２０．の面方位が
一様である薄膜（約０，２μｍ）をスパッタにより形成
した後、実施例１に示すＦＩＢ法により点及び／或いは
線欠陥を分散して導入した。次に実施例１に示すスパッ
タ条件下でＹＢＣ○膜を形成した。結晶は、実施例１と
同様に基板面の点及び／或いは線欠陥に対応して点及び
／或いは線欠陥が基板面に対して垂直方向に形成してい
た。この酸化物超電導膜のＴｃ及び磁場中のＪｃを四端
子法で測定した。Ｔｃは８４に、磁場ＩＴにおけるＪｃ
／Ｊｃ（ｏ）＝０．６が得られた。
０ ：ｉ ＋ＬａＡＱＯ３，ＭｇＡＱ２０．の面方位が
一様である薄膜（約０，２μｍ）をスパッタにより形成
した後、実施例１に示すＦＩＢ法により点及び／或いは
線欠陥を分散して導入した。次に実施例１に示すスパッ
タ条件下でＹＢＣ○膜を形成した。結晶は、実施例１と
同様に基板面の点及び／或いは線欠陥に対応して点及び
／或いは線欠陥が基板面に対して垂直方向に形成してい
た。この酸化物超電導膜のＴｃ及び磁場中のＪｃを四端
子法で測定した。Ｔｃは８４に、磁場ＩＴにおけるＪｃ
／Ｊｃ（ｏ）＝０．６が得られた。
以上の結果から、多層膜の場合でも超電導膜中に点及び
線欠陥を分散して導入することで、磁場中でも高いＪｃ
を維持できることが明らかである。
線欠陥を分散して導入することで、磁場中でも高いＪｃ
を維持できることが明らかである。
〈実施例６〉
実施例３に示す条件で５ｒＴｉ○、（１００）単結晶基
板へＡＱを島状に析出させた後、実施例１に示す条件下
でＹＢＣＯ膜を形成した。ＹＢＣＯ膜の形成時の基板加
熱温度を６６０’Ｃ以上でＡＱが溶融してＹＢＣＯ膜と
反応し、Ｔｃが７４にと超電導特性が低下した。したが
って、基板加熱温度をＡＱの融点６６０．４℃以下でＹ
ＢＣＯ膜を形成することが好適である。
板へＡＱを島状に析出させた後、実施例１に示す条件下
でＹＢＣＯ膜を形成した。ＹＢＣＯ膜の形成時の基板加
熱温度を６６０’Ｃ以上でＡＱが溶融してＹＢＣＯ膜と
反応し、Ｔｃが７４にと超電導特性が低下した。したが
って、基板加熱温度をＡＱの融点６６０．４℃以下でＹ
ＢＣＯ膜を形成することが好適である。
〈実施例７〉
実施例１に示す条件で形成されたＹＢＣＯ膜において、
基板の欠陥の大きさを調節することでＹＢＣＯ膜の欠陥
の大きさを変化させた。この酸化物超電導膜の超電導特
性を四端子法を用いてＴｃ及び磁場中のＪｃ測測定て評
価した。膜の欠陥の大きさにかかわらず、Ｔｃは８５に
で不変であった。しかし、磁場ＩＴにおけるＪｃの低下
率は欠陥の大きさが５００ ｎ ｍより大きくなると大
きくなり、５００ｎｍ以下が好適であった。
基板の欠陥の大きさを調節することでＹＢＣＯ膜の欠陥
の大きさを変化させた。この酸化物超電導膜の超電導特
性を四端子法を用いてＴｃ及び磁場中のＪｃ測測定て評
価した。膜の欠陥の大きさにかかわらず、Ｔｃは８５に
で不変であった。しかし、磁場ＩＴにおけるＪｃの低下
率は欠陥の大きさが５００ ｎ ｍより大きくなると大
きくなり、５００ｎｍ以下が好適であった。
本発明になる点及び／或いは線欠陥を有する基板を用い
て前記基板上へ超電導膜を形成すれば。
て前記基板上へ超電導膜を形成すれば。
基板面に対して垂直方向に点及び／或いは線欠陥を有す
る超電導膜を合成できる。この膜は磁束線をトラップす
るサイトを有するので、磁場を印加した場合のＪｃの低
下を抑制できる。また、析出物を島状に形成した基板を
用いることにより、基板面に対して垂直な方向に無配向
な結晶粒が成長した酸化物超電導膜を形成できるので、
磁場中のＪｃの向上に効果がある。さらに、面方位の異
なる部分が分散して存在する基板上に酸化物超電導膜を
合成すると、超電導膜中に面方位の異なる相を有するの
で、磁場中で高いＪｃを維持できる。
る超電導膜を合成できる。この膜は磁束線をトラップす
るサイトを有するので、磁場を印加した場合のＪｃの低
下を抑制できる。また、析出物を島状に形成した基板を
用いることにより、基板面に対して垂直な方向に無配向
な結晶粒が成長した酸化物超電導膜を形成できるので、
磁場中のＪｃの向上に効果がある。さらに、面方位の異
なる部分が分散して存在する基板上に酸化物超電導膜を
合成すると、超電導膜中に面方位の異なる相を有するの
で、磁場中で高いＪｃを維持できる。
第１図は１本発明の一実施例の点及び／或いは線欠陥を
有する基板上へ形成した酸化物超電導膜の模式図、第２
図は、本発明によるＣ軸配向性を示す酸化物超電導膜の
Ｘ線回折パターン図、第３図は、磁場（Ｂ）を印加した
場合の臨界電流密度の低下率（Ｊ ｃ／Ｊ ｃ（ｏ））
を示す特性図、第４図は、本発明になる析出物が島状で
ある基板上へ形成した酸化物超電導膜の模式図、第５図
は、本発明になる異相を有する基板上へ形成した酸化物
超電導膜の模式図である。 １・・・単結晶基板、２・・・酸化物超電導膜、３・・
・基板の線欠陥、４・・・基板の点欠陥。 ５・・・超電導膜の点欠陥、６・・・超電導膜の線欠陥
。
有する基板上へ形成した酸化物超電導膜の模式図、第２
図は、本発明によるＣ軸配向性を示す酸化物超電導膜の
Ｘ線回折パターン図、第３図は、磁場（Ｂ）を印加した
場合の臨界電流密度の低下率（Ｊ ｃ／Ｊ ｃ（ｏ））
を示す特性図、第４図は、本発明になる析出物が島状で
ある基板上へ形成した酸化物超電導膜の模式図、第５図
は、本発明になる異相を有する基板上へ形成した酸化物
超電導膜の模式図である。 １・・・単結晶基板、２・・・酸化物超電導膜、３・・
・基板の線欠陥、４・・・基板の点欠陥。 ５・・・超電導膜の点欠陥、６・・・超電導膜の線欠陥
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に酸化物超電導層を有する酸化物超電導体に
おいて、前記基板表面に深さ５０ｎｍ〜１μｍ、幅１０
ｎｍ〜１μｍ及び長さ５０ｎｍ〜１μｍの多数の凹み部
或いは高さ２５ｎｍ〜１μｍの半球状の突起部を有し、
前記酸化物超電導層の該基板面に対して垂直な方向に点
或いは／及び線欠陥が導入されていることを特徴とする
酸化物超電導体。 ２、深さ５０ｎｍ〜１μｍ、幅１０ｎｍ〜１μｍ及び長
さ５０ｎｍ〜１μｍの多数の凹み部或いは高さ２５ｎｍ
〜１μｍの半球状の突起部を有する基板上に、酸化物超
電導層をスパッタ、蒸着、レーザデポジションから選ば
れた薄膜形成技術により成膜して該超電導層の基板面に
対して垂直な方向に点或いは／及び線欠陥を導入するこ
とを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 ３、請求項１において、前記基板表面に半球状の異相を
有することを特徴とする酸化物超電導体。 ４、基板上に一様な面方位で成長した中間層を有し、該
中間層表面に深さ５０ｎｍ〜１μｍ、幅１０ｎｍ〜１μ
ｍ及び長さ５０ｎｍ〜１μｍの多数の凹み部或いは高さ
２５ｎｍ〜１μｍの半球状の突起部を有し、前記中間層
上に酸化物超電導層を有し、該超電導層の前記中間層表
面に対して垂直な方向に点或いは／及び線欠陥が導入さ
れていることを特徴とする酸化物超電導体。 ５、請求項２において、前記基板表面に電子線照射、ス
パッタリング、イオン打込みの少なくとも１つにより凹
み部を形成することを特徴とする酸化物超電導体の製造
方法。 ６、請求項１において、前記酸化物超電導層がＹ＿１Ｂ
ａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿６＿．＿５＿〜＿７＿．＿５系酸化
物超電導材料よりなることを特徴とする酸化物超電導体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2047754A JPH0748572B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2047754A JPH0748572B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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-
1990
- 1990-02-28 JP JP2047754A patent/JPH0748572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| WO2006025252A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | National University Corporation Nagoya University | 超伝導薄膜、その製造方法、およびそれを用いた超伝導線材、超伝導デバイス |
| JPWO2006025252A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2008-05-08 | 国立大学法人名古屋大学 | 超伝導薄膜、その製造方法、およびそれを用いた超伝導線材、超伝導デバイス |
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| JPH0748572B2 (ja) | 1995-05-24 |
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