JPH03252928A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JPH03252928A JPH03252928A JP2048704A JP4870490A JPH03252928A JP H03252928 A JPH03252928 A JP H03252928A JP 2048704 A JP2048704 A JP 2048704A JP 4870490 A JP4870490 A JP 4870490A JP H03252928 A JPH03252928 A JP H03252928A
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- Japan
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- light
- polarized light
- optical
- optical disk
- pickup device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種光ディスク等の信号の記録・再生に使用さ
れる光ピックアップ装置に関するものである。
れる光ピックアップ装置に関するものである。
（従来の技術）
第７図に示すように、従来、光ピックアップ装置におけ
る光束の分岐手段としては、いわゆるキューブタイプの
偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２が使用されていた。
る光束の分岐手段としては、いわゆるキューブタイプの
偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）２が使用されていた。
即ち、ケース１ａに収納された半導体レーザ１から出射
された光束は、ＰＢＳ２の偏光膜面２ａによって第７図
の紙面垂直方向に偏光した偏光成分であるＳ偏光（直線
偏光）が全て反射され、コリメートレンズ３によって平
行光となり、更に、（１／４）波長板４によって上記Ｓ
偏光が円偏光に変換される。
された光束は、ＰＢＳ２の偏光膜面２ａによって第７図
の紙面垂直方向に偏光した偏光成分であるＳ偏光（直線
偏光）が全て反射され、コリメートレンズ３によって平
行光となり、更に、（１／４）波長板４によって上記Ｓ
偏光が円偏光に変換される。
上記円偏光は、対物レンズ５によって収束されて光ディ
スク６の信号面によって反射され、この時円偏光の回転
方向が反転する。回転方向が反転した円偏光は対物レン
ズ５を介して（１／４）波長板４を通過することにより
直線偏光に変４換されるが、上記のように光ディスク６
での反射時に円偏光の回転方向が反転することにより、
復路において（１／４）波長板４を通過した直線偏光は
往路とは偏光方向が９０°回転してＰＢＳ２の偏光膜面
２ａに対してＰ偏光となる。
スク６の信号面によって反射され、この時円偏光の回転
方向が反転する。回転方向が反転した円偏光は対物レン
ズ５を介して（１／４）波長板４を通過することにより
直線偏光に変４換されるが、上記のように光ディスク６
での反射時に円偏光の回転方向が反転することにより、
復路において（１／４）波長板４を通過した直線偏光は
往路とは偏光方向が９０°回転してＰＢＳ２の偏光膜面
２ａに対してＰ偏光となる。
このＰ偏光はコリメートレンズ３を介してＰＢＳ２に到
り、偏光膜面２ａを透過した後、平凹レンズ７及び非点
収差法を用いたフォーカスエラー検出用のシリンドリカ
ルレンズ８を介して、ケース９ａ内に収納された受光素
子９に入射する。なお、第７図に示すように光ピックア
ップ装置にＰＢＳ２を使用すると、半導体レーザ１から
出射された光束のエネルギーの大部分を光ディスク６上
に集光して記録に必要なパワーを得る上で有利になり、
かつ、光ディスク６で反射された光束を効率良く受光素
子９に導いて再生信号のＳ／Ｎを向上させることができ
るものである。
り、偏光膜面２ａを透過した後、平凹レンズ７及び非点
収差法を用いたフォーカスエラー検出用のシリンドリカ
ルレンズ８を介して、ケース９ａ内に収納された受光素
子９に入射する。なお、第７図に示すように光ピックア
ップ装置にＰＢＳ２を使用すると、半導体レーザ１から
出射された光束のエネルギーの大部分を光ディスク６上
に集光して記録に必要なパワーを得る上で有利になり、
かつ、光ディスク６で反射された光束を効率良く受光素
子９に導いて再生信号のＳ／Ｎを向上させることができ
るものである。
第８図にＰＢＳ２の偏光特性を示す。上記の説明からも
明らかなように、ＰＢＳ２の偏光膜面２ａは、入射光中
のＳ偏光をほぼ１００％反射し、Ｐ偏光をほぼ１００％
透過させるようになっている。即ち、Ｓ偏光の反射率Ｒ
５はほぼ１００％、Ｐ偏光の反射率Ｒ１はほぼ０％に設
定され、又、Ｐ偏光の透過率Ｔ、はほぼ１００％、Ｓ偏
光の透過率Ｔ、はほぼ０％に設定されている。
明らかなように、ＰＢＳ２の偏光膜面２ａは、入射光中
のＳ偏光をほぼ１００％反射し、Ｐ偏光をほぼ１００％
透過させるようになっている。即ち、Ｓ偏光の反射率Ｒ
５はほぼ１００％、Ｐ偏光の反射率Ｒ１はほぼ０％に設
定され、又、Ｐ偏光の透過率Ｔ、はほぼ１００％、Ｓ偏
光の透過率Ｔ、はほぼ０％に設定されている。
第９図にＰＢＳ２におけるＰ偏光及びＳ偏光の各透過率
Ｔ、−Ｔ、の波長依存性を示す。同図から明らかなよう
に、７４０〜８００ｎｍ程度のかなり広い波長域でＰ偏
光の透過率Ｔ、がほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔ５が
ほぼ０％となり、従って、半導体レーザ１の発振波長が
多少変動してもＰ偏光及びＳ偏光の分岐特性が維持でき
るようになっている。
Ｔ、−Ｔ、の波長依存性を示す。同図から明らかなよう
に、７４０〜８００ｎｍ程度のかなり広い波長域でＰ偏
光の透過率Ｔ、がほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔ５が
ほぼ０％となり、従って、半導体レーザ１の発振波長が
多少変動してもＰ偏光及びＳ偏光の分岐特性が維持でき
るようになっている。
ところで、上記した光ピックアップ装置におけるキュー
ブタイプのＰＢＳ２は、通常、三角プリズムを２個貼り
合わせてなるものであるが、三角プリズムの角度誤差と
貼り合わせ時の誤差による面の平行度の誤差等をいずれ
も数分〜１０分以内とすることが要求され、要求精度が
極めて高くなる。そのため、歩留りが低下し、ＰＢＳ２
の製造コストが極めて高く付くものであった。
ブタイプのＰＢＳ２は、通常、三角プリズムを２個貼り
合わせてなるものであるが、三角プリズムの角度誤差と
貼り合わせ時の誤差による面の平行度の誤差等をいずれ
も数分〜１０分以内とすることが要求され、要求精度が
極めて高くなる。そのため、歩留りが低下し、ＰＢＳ２
の製造コストが極めて高く付くものであった。
更に、フォーカスエラーの検出のために特別にシリンド
リカルレンズ８を設けているため、部品点数が増加する
とともに、−層コスト高になるという問題を有していた
。
リカルレンズ８を設けているため、部品点数が増加する
とともに、−層コスト高になるという問題を有していた
。
本発明に係る光ピツクアンプ装置は、上記の課題を解決
するために、半導体レーザ等の光源と、光源からの光束
を再生専用型又は記録可能型等の光ディスク上に収束さ
せる対物レンズと、光源と対物レンズとの間の光路中に
配置され、直線偏光と円偏光との間の変換を行う（１／
４）波長板と、光ディスクから反射された光束を受光す
る受光素子と、光源からの光束を光ディスク側に導くと
ともに光ディスクで反射された光束を受光素子側に導く
光学素子とを備えた光ピックアップ装置において、上記
光学素子は平板型偏光ビームスプリッタからなり、かつ
、光源からの光束の上記平板型偏光ビームスプリッタへ
の入射角が４５°より大きな角度、例えば、６８°程度
に設定されていることを特徴とするものである。
するために、半導体レーザ等の光源と、光源からの光束
を再生専用型又は記録可能型等の光ディスク上に収束さ
せる対物レンズと、光源と対物レンズとの間の光路中に
配置され、直線偏光と円偏光との間の変換を行う（１／
４）波長板と、光ディスクから反射された光束を受光す
る受光素子と、光源からの光束を光ディスク側に導くと
ともに光ディスクで反射された光束を受光素子側に導く
光学素子とを備えた光ピックアップ装置において、上記
光学素子は平板型偏光ビームスプリッタからなり、かつ
、光源からの光束の上記平板型偏光ビームスプリッタへ
の入射角が４５°より大きな角度、例えば、６８°程度
に設定されていることを特徴とするものである。
上記の構成によれば、光源からの光束を光ディスクに導
くとともに光ディスクで反射された光束を受光素子に導
く光学素子を平板型偏光ビームスプリッタとしたので、
従来のキューブタイプの偏光ビームスプリッタに比して
光学素子を安価で簡易な構成とすることができる。
くとともに光ディスクで反射された光束を受光素子に導
く光学素子を平板型偏光ビームスプリッタとしたので、
従来のキューブタイプの偏光ビームスプリッタに比して
光学素子を安価で簡易な構成とすることができる。
ところで、平板型偏光ビームスプリッタを使用する場合
、第５図に示すように、平板型偏光ビームスプリッタ１
０の偏光膜１０ａの膜面に対し半導体レーザ１等の光源
からの光束の入射角θ。を、キューブタイプの偏光ビー
ムスプリッタの場合と同様に４５°とすることが考えら
れる。なお、第５図において、従来例である第７図の光
ピックアップ装置と同等の部材には同一参照番号を付し
て重複した説明を省略する。
、第５図に示すように、平板型偏光ビームスプリッタ１
０の偏光膜１０ａの膜面に対し半導体レーザ１等の光源
からの光束の入射角θ。を、キューブタイプの偏光ビー
ムスプリッタの場合と同様に４５°とすることが考えら
れる。なお、第５図において、従来例である第７図の光
ピックアップ装置と同等の部材には同一参照番号を付し
て重複した説明を省略する。
ところが、第５図の構成では、平板型偏光ビームスプリ
ッタ１０におけるＰ偏光及びＳ偏光の透過早Ｔ、−Ｔ５
の波長依存性は第６図に示すようになり、Ｐ偏光の透過
率Ｔ、がほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔｓがほぼ０％
となる波長域が極めて狭いため、半導体レーザ１等の光
源の周囲温度の変化等により発振波長が若干でも変動す
るとＰ偏光とＳ偏光の分離特性が維持されなくなるとい
う問題が生しる。
ッタ１０におけるＰ偏光及びＳ偏光の透過早Ｔ、−Ｔ５
の波長依存性は第６図に示すようになり、Ｐ偏光の透過
率Ｔ、がほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔｓがほぼ０％
となる波長域が極めて狭いため、半導体レーザ１等の光
源の周囲温度の変化等により発振波長が若干でも変動す
るとＰ偏光とＳ偏光の分離特性が維持されなくなるとい
う問題が生しる。
そこで、本発明者が平板型偏光ビームスプリッタへの光
源からの光束の入射角を４５°より大きな角度、例えば
、６８°程度となるように設定したところ、Ｐ偏光及び
Ｓ偏光の透過率Ｔ、・Ｔ。
源からの光束の入射角を４５°より大きな角度、例えば
、６８°程度となるように設定したところ、Ｐ偏光及び
Ｓ偏光の透過率Ｔ、・Ｔ。
の波長依存性が改善され、かなり、広い波長域でＰ偏光
の透過率Ｔ、をほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔ、をほ
ぼ０％とすることができた。この結果、安価で簡易な構
成の平板型偏光ビームスプリッタを使用して偏光の分離
特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができ
るようになった。
の透過率Ｔ、をほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔ、をほ
ぼ０％とすることができた。この結果、安価で簡易な構
成の平板型偏光ビームスプリッタを使用して偏光の分離
特性の優れた光ピックアップ装置を構成することができ
るようになった。
又、平板型偏光ビームスプリッタを使用すると、この平
板型偏光ビームスプリッタで非点収差が発生するので、
第７図の従来例のように、別途シリンドリカルレンズ８
を設けなくてもフォーカスエラーの検出が行えるように
なる。
板型偏光ビームスプリッタで非点収差が発生するので、
第７図の従来例のように、別途シリンドリカルレンズ８
を設けなくてもフォーカスエラーの検出が行えるように
なる。
本発明の一実施例を第１図乃至第４図に基づいて説明す
れば、以下の通りである。
れば、以下の通りである。
本光ピックアップ装置は、第１図に示すように、ケース
１２ａに収納された光源としての半導体レーザ１２と、
半導体レーザ１２からの光束を光ディスク１７上に収束
させる対物レンズ１６と、半導体レーザ１２と対物レン
ズ１６との間の光路中に配置され、直線偏光と円偏光と
の間の変換を行う（１／４）波長板１５と、ケース１９
ａ内に収納され、光ディスク１７で反射された光束を受
光する受光素子１９と、半導体レーザ１２からの光束を
光ディスク１７側に導くとともに光ディスク１７で反射
された光束を受光素子１９側に導く光学素子としての平
板型偏光ビームスプリッタ（平板型ＰＢＳ）１３とを備
えている。又、平板型ＰＢＳ １３と（１／４）波長板
１５との間にはコリメートレンズ１４が配置される一方
、平板型ＰＢＳ１３と受光素子１９との間には平凹レン
ズ１８が配置されている。なお、光ディスク１７は、コ
ンパクトディスク等の再生専用型光ディスクであっても
良く、記録可能型光ディスクであっても良い。
１２ａに収納された光源としての半導体レーザ１２と、
半導体レーザ１２からの光束を光ディスク１７上に収束
させる対物レンズ１６と、半導体レーザ１２と対物レン
ズ１６との間の光路中に配置され、直線偏光と円偏光と
の間の変換を行う（１／４）波長板１５と、ケース１９
ａ内に収納され、光ディスク１７で反射された光束を受
光する受光素子１９と、半導体レーザ１２からの光束を
光ディスク１７側に導くとともに光ディスク１７で反射
された光束を受光素子１９側に導く光学素子としての平
板型偏光ビームスプリッタ（平板型ＰＢＳ）１３とを備
えている。又、平板型ＰＢＳ １３と（１／４）波長板
１５との間にはコリメートレンズ１４が配置される一方
、平板型ＰＢＳ１３と受光素子１９との間には平凹レン
ズ１８が配置されている。なお、光ディスク１７は、コ
ンパクトディスク等の再生専用型光ディスクであっても
良く、記録可能型光ディスクであっても良い。
第２図に示すように、半導体レーザ１２から平板型ＰＢ
Ｓ １３への光束の入射角θ１は４５°より大きな角度
、例えば、６８°に設定されている。そのため、光ディ
スク１７を水平姿勢で配置する構成の場合、半導体レー
ザ１２は水平方向から若干下向きに傾斜した姿勢で配置
される。上記平板型ＰＢＳ１３は、例えば、平板ガラス
からなるガラス基板１３ａの表面に誘電体多層膜１３ｂ
を形成して構成されている。
Ｓ １３への光束の入射角θ１は４５°より大きな角度
、例えば、６８°に設定されている。そのため、光ディ
スク１７を水平姿勢で配置する構成の場合、半導体レー
ザ１２は水平方向から若干下向きに傾斜した姿勢で配置
される。上記平板型ＰＢＳ１３は、例えば、平板ガラス
からなるガラス基板１３ａの表面に誘電体多層膜１３ｂ
を形成して構成されている。
第３図に示すように、誘電体多層膜１３ｂは、Ｚ ｒ
Ｏｘ 、Ｔ ｉＯｚ等からなる高屈折率材料層１３ｃと
、Ｍ ｇ Ｆ２ 、Ｓ ｉＯｚ等からなる低屈折率材料
層１３ｄとをそれぞれ複数層交互に蒸着して積層したも
のである。上記平板型ＰＢＳ １３は特定の設計波長で
使用されるため、誘電体多層膜１３ｂの実効的な光学膜
厚がλ／４（λは半導体レーザ１２の発振波長）となる
ように膜厚を設定すれば良い。なお、誘電体多層膜１３
ｂは使用条件によって材料を選択し、最適設計を行うの
が好適であるが、前述のように、入射角が４５″である
場合は実用に耐える誘電体多層膜１３ｂの形成は困難で
ある。
Ｏｘ 、Ｔ ｉＯｚ等からなる高屈折率材料層１３ｃと
、Ｍ ｇ Ｆ２ 、Ｓ ｉＯｚ等からなる低屈折率材料
層１３ｄとをそれぞれ複数層交互に蒸着して積層したも
のである。上記平板型ＰＢＳ １３は特定の設計波長で
使用されるため、誘電体多層膜１３ｂの実効的な光学膜
厚がλ／４（λは半導体レーザ１２の発振波長）となる
ように膜厚を設定すれば良い。なお、誘電体多層膜１３
ｂは使用条件によって材料を選択し、最適設計を行うの
が好適であるが、前述のように、入射角が４５″である
場合は実用に耐える誘電体多層膜１３ｂの形成は困難で
ある。
ここで、高屈折率材料層１３ｃの屈折率をｎ。
、低屈折率材料層１３ｄの屈折率をｎＬ、ガラス基板１
３ａの屈折率をｎｃとし、入射光が誘電体多層膜１３ｂ
の第１の高屈折率材料層１３ｃにθ６で入射し、第１の
低屈折率材料層１３ｄにθ□で入射し、第２の高屈折率
材料層１３ｃにθＬで入射するものとする。
３ａの屈折率をｎｃとし、入射光が誘電体多層膜１３ｂ
の第１の高屈折率材料層１３ｃにθ６で入射し、第１の
低屈折率材料層１３ｄにθ□で入射し、第２の高屈折率
材料層１３ｃにθＬで入射するものとする。
誘電体多層膜１３ｂの各境界に対してブリュースター角
の条件を満足していれば、 ｎ Ｈ／ ＣＯ５θＨ＝ｎＬ／ＣＯ３θＬ° （１）ス
ネルの法則から、 ｎＨｓｉｎθ、＝ｎＬｓｉｎθＬ ＝ｎ６ ｓｉｎθＧ
・・・（２） （１）、（２）式より、 ｓｉｎ”θｙ ＝ｎＬ” ／ （ｎＭ” ＋ｎｔ
” ）・・・ （３） 入射角がθ６＝４５°の時、 ｎｃ ” ＝２ｎａ ” ｎＬ” ／ （ｎＨ” ＋ｎ
Ｌ２）・・・（４） となり、逆にｎ６が固定されれば、 ｓｉｎ”θＧ ””ｎＮ” ｆｉＬ” ／ｎｔａ ” （ｎＨ２＋ｎ
Ｌ” ）・・・（５） となり、入射角が決定される。本実施例では、上記のよ
うに入射角が６８°とされる。
の条件を満足していれば、 ｎ Ｈ／ ＣＯ５θＨ＝ｎＬ／ＣＯ３θＬ° （１）ス
ネルの法則から、 ｎＨｓｉｎθ、＝ｎＬｓｉｎθＬ ＝ｎ６ ｓｉｎθＧ
・・・（２） （１）、（２）式より、 ｓｉｎ”θｙ ＝ｎＬ” ／ （ｎＭ” ＋ｎｔ
” ）・・・ （３） 入射角がθ６＝４５°の時、 ｎｃ ” ＝２ｎａ ” ｎＬ” ／ （ｎＨ” ＋ｎ
Ｌ２）・・・（４） となり、逆にｎ６が固定されれば、 ｓｉｎ”θＧ ””ｎＮ” ｆｉＬ” ／ｎｔａ ” （ｎＨ２＋ｎ
Ｌ” ）・・・（５） となり、入射角が決定される。本実施例では、上記のよ
うに入射角が６８°とされる。
上記の構成において、半導体レーザ１２から出射された
発散光束は、平板型ＰＢＳ１３に入射し、誘電体多層膜
１３ｂでＳ偏光がほぼ１００％反射される。半導体レー
ザ１２から出射される光束はほぼ直線偏光であるので、
半導体レーザ１２から平板型ＰＢＳ １３にＳ偏光が入
射するように設定しておくことにより、半導体レーザ１
２からの出射光をほぼ１００％光ディスク１７側に反射
させることができ、記録パワーを確保する等の観点から
有益である。
発散光束は、平板型ＰＢＳ１３に入射し、誘電体多層膜
１３ｂでＳ偏光がほぼ１００％反射される。半導体レー
ザ１２から出射される光束はほぼ直線偏光であるので、
半導体レーザ１２から平板型ＰＢＳ １３にＳ偏光が入
射するように設定しておくことにより、半導体レーザ１
２からの出射光をほぼ１００％光ディスク１７側に反射
させることができ、記録パワーを確保する等の観点から
有益である。
平板型ＰＢＳ １３から反射されたＳ偏光はコリメート
レンズ１４により平行光となった後、（１／４）波長板
１５を透過することにより円偏光に変換される。そして
、この円偏光が対物レンズ１６によって光ディスク１７
上に集光され、記録時であれば、情報の記録が行われる
。
レンズ１４により平行光となった後、（１／４）波長板
１５を透過することにより円偏光に変換される。そして
、この円偏光が対物レンズ１６によって光ディスク１７
上に集光され、記録時であれば、情報の記録が行われる
。
一方、再生時には、光ディスク１７で反射した光束が対
物レンズ１６を介して（１／４）波長板１５を透過する
が、光ディスク１７で反射することにより円偏光の回転
方向が反転しているために、今度はＰ偏光に変換される
。
物レンズ１６を介して（１／４）波長板１５を透過する
が、光ディスク１７で反射することにより円偏光の回転
方向が反転しているために、今度はＰ偏光に変換される
。
このＰ偏光は半導体レーザ１２側に戻ることなく、はぼ
１００％平板型ＰＢＳ １３を透過し、平凹レンズ１８
を介して受光素子１９で受光される。これにより、光デ
ィスク１７に記録されている情報が検出されるとともに
、平板型ＰＢＳ１３で生じた非点収差に基づいてフォー
カスエラーの検出が行われる。
１００％平板型ＰＢＳ １３を透過し、平凹レンズ１８
を介して受光素子１９で受光される。これにより、光デ
ィスク１７に記録されている情報が検出されるとともに
、平板型ＰＢＳ１３で生じた非点収差に基づいてフォー
カスエラーの検出が行われる。
第４図に平板型ＰＢＳ １３におけるＳ偏光及びＰ偏光
の透過率Ｔ、・Ｔｐの波長依存性を示す。
の透過率Ｔ、・Ｔｐの波長依存性を示す。
同図から明らかなように、平板型ＰＢＳ １３に対する
入射角θ１を６８°とすることにより、７６０〜８１０
ｎｍ程度のかなり広い波長域でＳ偏光の透過率Ｔ、がほ
ぼ０％、Ｐ偏光の透過率Ｔ、がほぼ１００％となり、半
導体レーザ１２の周囲温度の変化等により発振波長が多
少変動しても良好なＰ偏光及びＳ偏光の分岐特性を維持
できる。
入射角θ１を６８°とすることにより、７６０〜８１０
ｎｍ程度のかなり広い波長域でＳ偏光の透過率Ｔ、がほ
ぼ０％、Ｐ偏光の透過率Ｔ、がほぼ１００％となり、半
導体レーザ１２の周囲温度の変化等により発振波長が多
少変動しても良好なＰ偏光及びＳ偏光の分岐特性を維持
できる。
なお、上記の実施例では、平板型ＰＢＳへの入射角を６
８″としたが、この入射角は４５°より大きい適当な値
であれば良く、例えば、６０”又は７０°としても良い
。
８″としたが、この入射角は４５°より大きい適当な値
であれば良く、例えば、６０”又は７０°としても良い
。
本発明に係る光ピックアップ装置は、以上のように、光
源からの光束を光ディスクに導くとともに光ディスクで
反射された光束を受光素子に導く光学素子が平板型偏光
ビームスプリッタからなり、かつ、光源からの光束の上
記平板型偏光ビームスプリッタへの入射角が４５°より
大きな角度に設定されている構成である。
源からの光束を光ディスクに導くとともに光ディスクで
反射された光束を受光素子に導く光学素子が平板型偏光
ビームスプリッタからなり、かつ、光源からの光束の上
記平板型偏光ビームスプリッタへの入射角が４５°より
大きな角度に設定されている構成である。
これにより、上記光学素子を安価で簡易な構成とするこ
とができるとともに、かなり、広い波長域でＰ偏光の透
過率Ｔｐをほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔ、をほぼ０
％として、偏光の分離特性の優れた光ピックアップ装置
を提供することができる。
とができるとともに、かなり、広い波長域でＰ偏光の透
過率Ｔｐをほぼ１００％、Ｓ偏光の透過率Ｔ、をほぼ０
％として、偏光の分離特性の優れた光ピックアップ装置
を提供することができる。
又、平板型偏光ビームスプリッタを使用しているので、
平板型偏光ビームスプリッタで非点収差が発生し、その
結果、第７図の従来例のように、別途シリンドリカルレ
ンズ８を設けなくてもフォーカスエラーの検出が行える
ようになって部品点数の削減及びコストダウンを図るこ
とができる。
平板型偏光ビームスプリッタで非点収差が発生し、その
結果、第７図の従来例のように、別途シリンドリカルレ
ンズ８を設けなくてもフォーカスエラーの検出が行える
ようになって部品点数の削減及びコストダウンを図るこ
とができる。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示すものである
。 第１図は光ピックアップ装置の構成を示す概略正面図で
ある。 第２図は平板型ＰＢＳへの入射角を示す概略正面図であ
る。 第３図は平板型ＰＢＳを示す概略断面説明図である。 第４図は平板型ＰＢＳへの入射角を６８°とした場合の
Ｓ偏光及びＰ偏光の透過率の波長依存性を示すグラフで
ある。 第５図は平板型ＰＢＳへの入射角を４５″とし′た場合
の光ピックアップ装置の構成を示す概略正面図である。 第６図は平板型ＰＢＳへの入射角を４５°とした場合の
Ｓ偏光及びＰ偏光の透過率の波長依存性を示すグラフで
ある。 第７図乃至第９図は従来例を示すものである。 第７図は光ピックアップ装置の構成を示す概略正面図で
ある。 第８図はキューブタイプのＰＢＳのＳ偏光及びＰ偏光の
分岐特性示す概略正面図である。 第９図はキューブタイプのＰＢＳのＳ偏光及びＰ偏光の
透過率の波長依存性を示すグラフである。 １２は半導体レーザ（光源）、１３は平板型偏光ビーム
スプリッタ（光学素子）、１５は（ｌ／４）波長板、１
６は対物レンズ、１７は光ディスク、１９は受光素子で
ある。
。 第１図は光ピックアップ装置の構成を示す概略正面図で
ある。 第２図は平板型ＰＢＳへの入射角を示す概略正面図であ
る。 第３図は平板型ＰＢＳを示す概略断面説明図である。 第４図は平板型ＰＢＳへの入射角を６８°とした場合の
Ｓ偏光及びＰ偏光の透過率の波長依存性を示すグラフで
ある。 第５図は平板型ＰＢＳへの入射角を４５″とし′た場合
の光ピックアップ装置の構成を示す概略正面図である。 第６図は平板型ＰＢＳへの入射角を４５°とした場合の
Ｓ偏光及びＰ偏光の透過率の波長依存性を示すグラフで
ある。 第７図乃至第９図は従来例を示すものである。 第７図は光ピックアップ装置の構成を示す概略正面図で
ある。 第８図はキューブタイプのＰＢＳのＳ偏光及びＰ偏光の
分岐特性示す概略正面図である。 第９図はキューブタイプのＰＢＳのＳ偏光及びＰ偏光の
透過率の波長依存性を示すグラフである。 １２は半導体レーザ（光源）、１３は平板型偏光ビーム
スプリッタ（光学素子）、１５は（ｌ／４）波長板、１
６は対物レンズ、１７は光ディスク、１９は受光素子で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光源と、光源からの光束を光ディスク上に収束させ
る対物レンズと、光源と対物レンズとの間の光路中に配
置され、直線偏光と円偏光との間の変換を行う（１／４
）波長板と、光ディスクから反射された光束を受光する
受光素子と、光源からの光束を光ディスク側に導くとと
もに光ディスクで反射された光束を受光素子側に導く光
学素子とを備えた光ピックアップ装置において、 上記光学素子は平板型偏光ビームスプリッタからなり、
かつ、光源からの光束の上記平板型偏光ビームスプリッ
タへの入射角が４５゜より大きな角度に設定されている
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048704A JPH03252928A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2048704A JPH03252928A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252928A true JPH03252928A (ja) | 1991-11-12 |
Family
ID=12810702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2048704A Pending JPH03252928A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03252928A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523994A (en) * | 1992-12-08 | 1996-06-04 | Sony Corporation | Magneto-optical recording/reproducing apparatus with optical pickup device having a multi-layer dielectric film beam splitter |
| US5657306A (en) * | 1993-10-27 | 1997-08-12 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical pick-up head having polarizing beam splitter |
| WO2009078291A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
| WO2009078250A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2048704A patent/JPH03252928A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5523994A (en) * | 1992-12-08 | 1996-06-04 | Sony Corporation | Magneto-optical recording/reproducing apparatus with optical pickup device having a multi-layer dielectric film beam splitter |
| US5657306A (en) * | 1993-10-27 | 1997-08-12 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical pick-up head having polarizing beam splitter |
| WO2009078291A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
| WO2009078250A1 (ja) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Konica Minolta Opto, Inc. | 光ピックアップ装置 |
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