JPH03255678A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03255678A JPH03255678A JP2054523A JP5452390A JPH03255678A JP H03255678 A JPH03255678 A JP H03255678A JP 2054523 A JP2054523 A JP 2054523A JP 5452390 A JP5452390 A JP 5452390A JP H03255678 A JPH03255678 A JP H03255678A
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- interlayer insulating
- piezoelectric film
- semiconductor device
- piezoelectric
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
信号を配線させる複数の配線層を設けた半導体装置に関
し、 配線層相互間で縦波弾性波を伝達する場合に弾性波の減
衰を低減したり、あるいは、伝達しない方向の弾性波を
減衰させることを目的とし、圧電性膜を導電性膜によっ
て挟んで形成した配線層を、層間絶縁膜を介して複数形
成した半導体装置において、前記圧電性膜の振動により
発生して前記導電性膜における反射により】往復してか
ら前記層間絶縁膜に進行する弾性波と、前記圧電性膜か
ら無反射で前記層間絶縁膜に進行する弾性波とを互いに
強め合う位相で存在させる厚さとなるように信号伝達側
の前記導電性膜を形成するか、または、それぞれの弾性
波を互いに弱め合う位相で存在させる膜厚となるように
前記導電性膜を形成したことを含み構成する。
し、 配線層相互間で縦波弾性波を伝達する場合に弾性波の減
衰を低減したり、あるいは、伝達しない方向の弾性波を
減衰させることを目的とし、圧電性膜を導電性膜によっ
て挟んで形成した配線層を、層間絶縁膜を介して複数形
成した半導体装置において、前記圧電性膜の振動により
発生して前記導電性膜における反射により】往復してか
ら前記層間絶縁膜に進行する弾性波と、前記圧電性膜か
ら無反射で前記層間絶縁膜に進行する弾性波とを互いに
強め合う位相で存在させる厚さとなるように信号伝達側
の前記導電性膜を形成するか、または、それぞれの弾性
波を互いに弱め合う位相で存在させる膜厚となるように
前記導電性膜を形成したことを含み構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、より詳しくは、信号を送信
または受信する複数の配線層を設けた半導体装置に関す
る。
または受信する複数の配線層を設けた半導体装置に関す
る。
半導体集積回路の高集積化が進み、回路構成が複雑化す
るにつれ、配線層数が多くなってきている。
るにつれ、配線層数が多くなってきている。
例えば、ニューロコンピュータに使用する半導体回路を
高集積化する場合には、各ニューロ間を全て配線で結ぶ
必要があり、これに対処するために、配線層間に層間絶
縁膜を形成するとともに、この層間絶縁膜にコンタクト
ホールを設けて上下の電極膜を接続する多層配線構造が
採用されている。
高集積化する場合には、各ニューロ間を全て配線で結ぶ
必要があり、これに対処するために、配線層間に層間絶
縁膜を形成するとともに、この層間絶縁膜にコンタクト
ホールを設けて上下の電極膜を接続する多層配線構造が
採用されている。
ところが、配線層の積層数を多くするにつれて表面に生
じる凹凸の段差が大きくなり、配線層が断線したり、薄
層化し易くなるといった問題があそこで、層間絶縁膜を
加熱して平坦化する方法も提案されているが、これによ
れば層間絶縁膜に厚い部分が形成されるため、ここに設
けられるコンタクトホールのアスペクト比が大きくなっ
てカバレッジが悪くなるといった不都合がある。
じる凹凸の段差が大きくなり、配線層が断線したり、薄
層化し易くなるといった問題があそこで、層間絶縁膜を
加熱して平坦化する方法も提案されているが、これによ
れば層間絶縁膜に厚い部分が形成されるため、ここに設
けられるコンタクトホールのアスペクト比が大きくなっ
てカバレッジが悪くなるといった不都合がある。
そこで本出願人は、特開昭５９−５０５８３号において
、複数設けられた配線層の各層に圧電素子を形成し、各
圧電素子相互間で信号を伝達させる装置を提案している
。
、複数設けられた配線層の各層に圧電素子を形成し、各
圧電素子相互間で信号を伝達させる装置を提案している
。
即ち、第４図に示すように、層間絶縁１１９５０を介し
て複数の配線層５１．５２を上下に形成し、例えば上の
配線Ｊｉｔ５１から下の配線層５２に信号を送信する場
合には、上側の配線３８５１内の圧電性膜５３を挟む電
極膜５４．５５に電圧を加えて圧電性膜５３を振動させ
、これにより生じる弾性波を層間絶縁１ＩＩ５０を通し
て下の配線Ｊｉｉ５２に伝え、この弾性波を下の圧電性
膜５６によって電気信号に変換し、これを電極ｌ！５７
．５８によって取り出すようにしている。
て複数の配線層５１．５２を上下に形成し、例えば上の
配線Ｊｉｔ５１から下の配線層５２に信号を送信する場
合には、上側の配線３８５１内の圧電性膜５３を挟む電
極膜５４．５５に電圧を加えて圧電性膜５３を振動させ
、これにより生じる弾性波を層間絶縁１ＩＩ５０を通し
て下の配線Ｊｉｉ５２に伝え、この弾性波を下の圧電性
膜５６によって電気信号に変換し、これを電極ｌ！５７
．５８によって取り出すようにしている。
これによれば、層間の信号伝達を電気的に行っていない
ために、コンタクトホールが不要になり、そのアスペク
ト比を考慮することがなくなり、しかも、縦波弾性波は
複数の波が交錯しても、互いに独立に伝達するので、多
層化の必要性が低下することになる。
ために、コンタクトホールが不要になり、そのアスペク
ト比を考慮することがなくなり、しかも、縦波弾性波は
複数の波が交錯しても、互いに独立に伝達するので、多
層化の必要性が低下することになる。
（発明が解決しようとする課題〕
しかし、圧電性膜５３により発生した縦波弾性波は、ア
ルミニウム等よりなる電極膜５５から出力する際に著し
く減衰したり、あるいは、信号を伝達させたくない方向
に弾性波が増加して進行してしまうといった問題がある
。
ルミニウム等よりなる電極膜５５から出力する際に著し
く減衰したり、あるいは、信号を伝達させたくない方向
に弾性波が増加して進行してしまうといった問題がある
。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、配線層相互間で縦波弾性波を伝達する場合に、弾性波
のエネルギーの増減を調節することができる半導体装置
を提供することを目的とする。
、配線層相互間で縦波弾性波を伝達する場合に、弾性波
のエネルギーの増減を調節することができる半導体装置
を提供することを目的とする。
上記した課題は、第１．２図に例示するように、圧電性
膜２４を導電性膜２５．２６によって挟んで形成した配
線層２１を、層間絶縁膜１７．２７を介して複数形成し
た半導体装置において、前記圧電性膜２４の振動により
発生して前記導電性膜２６における反射によりｌ往復し
てから前記層間絶縁膜２７に通り抜ける弾性波と、前記
圧電性膜２４から無反射で前記層間絶縁膜２７に進行す
る弾性波とを互いに強め合う位相で存在させる厚さとな
るように信号伝達側の導電性膜２６を形成するか、また
は、前記圧電性膜２４の振動により発生して前記導電性
膜２５における反射により１往復してから前記層間絶縁
膜１７に進行する弾性波と、前記圧電性膜２２４から無
反射で前記層間絶縁膜１７に進行する弾性波とを互いに
弱め合う位相で存在させる膜厚により、信号を伝達しな
い側の前記導電性＃１７を形成したことを特徴とする半
導体装置。
膜２４を導電性膜２５．２６によって挟んで形成した配
線層２１を、層間絶縁膜１７．２７を介して複数形成し
た半導体装置において、前記圧電性膜２４の振動により
発生して前記導電性膜２６における反射によりｌ往復し
てから前記層間絶縁膜２７に通り抜ける弾性波と、前記
圧電性膜２４から無反射で前記層間絶縁膜２７に進行す
る弾性波とを互いに強め合う位相で存在させる厚さとな
るように信号伝達側の導電性膜２６を形成するか、また
は、前記圧電性膜２４の振動により発生して前記導電性
膜２５における反射により１往復してから前記層間絶縁
膜１７に進行する弾性波と、前記圧電性膜２２４から無
反射で前記層間絶縁膜１７に進行する弾性波とを互いに
弱め合う位相で存在させる膜厚により、信号を伝達しな
い側の前記導電性＃１７を形成したことを特徴とする半
導体装置。
本発明によれば、導電性膜２６の両面で１度づつ反射し
てから送信方向に進行する弾性波によって、無反射で進
行する弾性波を強めるように、信号伝達側の導電性腺２
６の膜厚を決定している。
てから送信方向に進行する弾性波によって、無反射で進
行する弾性波を強めるように、信号伝達側の導電性腺２
６の膜厚を決定している。
このため、縦波弾性波による信号を層間絶縁膜２７を介
して確実に他の圧電性膜に伝達することができる。
して確実に他の圧電性膜に伝達することができる。
この場合、圧電性膜２４から縦波弾性波を進行させる向
きに設ける導電性膜２６の膜厚を、縦波弾性波の波長の
整数倍をほぼ半分にした厚さにしてその圧電性膜２４に
接続すれば、はぼ最大となるエネルギーにより信号が伝
達される。
きに設ける導電性膜２６の膜厚を、縦波弾性波の波長の
整数倍をほぼ半分にした厚さにしてその圧電性膜２４に
接続すれば、はぼ最大となるエネルギーにより信号が伝
達される。
また、導電性膜２５の両面で１度づつ反射してから進行
する弾性波によって、無反射で進行する弾性波を弱める
ような大きさとなるように、信号を伝達しない側の導電
性膜２５の膜厚を設定するようにしている。
する弾性波によって、無反射で進行する弾性波を弱める
ような大きさとなるように、信号を伝達しない側の導電
性膜２５の膜厚を設定するようにしている。
このため、縦波弾性波による信号の伝達を確実に断つこ
とになる。
とになる。
この場合、圧電性膜２４から縦波弾性波を進行させない
方向に形成する導電性膜２５の膜厚を、縦波弾性波波長
の整数倍のほぼ半分となる値から１／４波長を減じた大
きさにして圧電性膜２４に接続するようにすると、その
大きさはほぼ最小になる。
方向に形成する導電性膜２５の膜厚を、縦波弾性波波長
の整数倍のほぼ半分となる値から１／４波長を減じた大
きさにして圧電性膜２４に接続するようにすると、その
大きさはほぼ最小になる。
したがって、上記したように導電性膜２５．２６の膜厚
を選択することにより、圧電性膜の振動によって発生す
る弾性波に指向性をもたせることが可能になる。
を選択することにより、圧電性膜の振動によって発生す
る弾性波に指向性をもたせることが可能になる。
そこで、以下に本発明の詳細を図面に基づいて説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図であっ
て、図中符号１は、シリコン等よりなる半導体基板３の
上にｓ＋ｏ、ｌｌ！２を介して形成された第一の配線層
で、この第一の配線層１は、絶縁膜３の上に形成された
後述する第一の電極膜４と、１００μＣ程度の開口部５
を有する厚さ０．６ μｍのＰＳＧよりなる絶縁層６と
、開口部５内に形成される厚さ０．６μｍの酸化亜鉛（
ＺｎＯ）よりなる圧電性膜７と、圧電性膜７を覆う後述
する第二の電極膜８とから構成されており、その上には
ＰＳＧよりなる層間絶縁膜９が積層されている。
て、図中符号１は、シリコン等よりなる半導体基板３の
上にｓ＋ｏ、ｌｌ！２を介して形成された第一の配線層
で、この第一の配線層１は、絶縁膜３の上に形成された
後述する第一の電極膜４と、１００μＣ程度の開口部５
を有する厚さ０．６ μｍのＰＳＧよりなる絶縁層６と
、開口部５内に形成される厚さ０．６μｍの酸化亜鉛（
ＺｎＯ）よりなる圧電性膜７と、圧電性膜７を覆う後述
する第二の電極膜８とから構成されており、その上には
ＰＳＧよりなる層間絶縁膜９が積層されている。
１１は、層間絶縁膜９の上に形成された第二の配線層で
、この配線Ｎｌｌは、絶縁膜１２の開口部１３内に形成
した圧電性膜１４を、第三及び第四の電極＃１５．１６
によって挟むことによって構成されており、この上には
さらに層間絶縁膜１７．２７を介して第三及び第四の配
線層２１．３１が積層されている。
、この配線Ｎｌｌは、絶縁膜１２の開口部１３内に形成
した圧電性膜１４を、第三及び第四の電極＃１５．１６
によって挟むことによって構成されており、この上には
さらに層間絶縁膜１７．２７を介して第三及び第四の配
線層２１．３１が積層されている。
２２は、第三の配線７１２１内に設けられた厚さ０．６
μｍのＰＳＧよりなる絶縁ＩＩ費で、この絶縁膜２２に
は、１００μＩＩ＋２程度の大きさの開口部２３が設け
られ、この中には、第五及び第六の電極膜２５．２６に
よって上下を挟まれる厚さ０．６μｍの圧電性膜２４が
設けられている。
μｍのＰＳＧよりなる絶縁ＩＩ費で、この絶縁膜２２に
は、１００μＩＩ＋２程度の大きさの開口部２３が設け
られ、この中には、第五及び第六の電極膜２５．２６に
よって上下を挟まれる厚さ０．６μｍの圧電性膜２４が
設けられている。
また、３２は、開口部３３内に圧電性膜３４を収納する
絶縁膜で、この絶縁膜３２の上下には圧電性膜３４を挟
む電極Ｗａ３５．３６が形成されており、これらによっ
て第四の配線Ｊｉ３１が構成されている。
絶縁膜で、この絶縁膜３２の上下には圧電性膜３４を挟
む電極Ｗａ３５．３６が形成されており、これらによっ
て第四の配線Ｊｉ３１が構成されている。
上記した複数の電極膜４．８．１５．１６・・・は、ア
ルミニウムにより形成されたもので、これらの電極膜４
．８．１５．１６・・・の膜厚を例示すると次のように
なる。
ルミニウムにより形成されたもので、これらの電極膜４
．８．１５．１６・・・の膜厚を例示すると次のように
なる。
例えば第三の配線層２１において、圧電性膜２４から信
号を伝達しようとする方向に形成した第六の電極Ｍ２６
の膜厚ｄ、は、２ｄ＋−ｎλの関係を有する大きさとな
っている（λ；配線層における弾性波の波長、ｎ；正の
整数）。この関係の下では第２図に示すように、圧電性
膜２４の振動によって発生した弾性波のうち、反射して
から進行する弾性波ｗｂと直接進行する弾性波Ｗ８とが
互いに打ち消し合わずに進行することになり、信号の減
衰が生じないように構成されている。
号を伝達しようとする方向に形成した第六の電極Ｍ２６
の膜厚ｄ、は、２ｄ＋−ｎλの関係を有する大きさとな
っている（λ；配線層における弾性波の波長、ｎ；正の
整数）。この関係の下では第２図に示すように、圧電性
膜２４の振動によって発生した弾性波のうち、反射して
から進行する弾性波ｗｂと直接進行する弾性波Ｗ８とが
互いに打ち消し合わずに進行することになり、信号の減
衰が生じないように構成されている。
また、信号を伝達しない向きの第五の電極ｌｌ！２５の
膜厚ｄ２は、２ｄ、ｘｎλ−（λ／２）の関係を有する
厚さに形成されており、これによれば第２図に示すよう
に、第五の電極膜２５内で反射して進行する弾性波Ｗｃ
が、直接に進行する弾性波Ｗｄを打ち消して減衰するこ
とになり、弾性波が、はとんど下層にある信号を送りた
くない別系統の配線層１１に進行しないように構成され
る。
膜厚ｄ２は、２ｄ、ｘｎλ−（λ／２）の関係を有する
厚さに形成されており、これによれば第２図に示すよう
に、第五の電極膜２５内で反射して進行する弾性波Ｗｃ
が、直接に進行する弾性波Ｗｄを打ち消して減衰するこ
とになり、弾性波が、はとんど下層にある信号を送りた
くない別系統の配線層１１に進行しないように構成され
る。
なお、図中符号３７は、第四の配線層３１を覆うカバー
膜を示している。
膜を示している。
次に、上記した実施例の作用について説明する。
上記した実施例において、例えば、第三の配線Ｎ２１に
設けられた第五及び第六の電極膜２５．２６間に電圧を
印加すると、その間に挟まれた圧電性膜２４が振動する
が、第五の電極１１９２５の膜厚ｄ２は２ｄｔ＝ｎλ−
（λ／２）の関係を有する厚さに形成されているために
、第３図（ｂ）に示すように、その電極膜２５の上下面
で各１度づつ反射して層間絶縁膜１７に進行した弾性波
Ｗｃの位相と、直接層間絶縁膜１７に進む弾性波Ｗｄの
位相とが１／２波長だけズレることになり、第五の電極
膜２５の下方にはほとんど弾性波が進行しなくなり、第
二の配線層１１に信号が伝達されないことになる。
設けられた第五及び第六の電極膜２５．２６間に電圧を
印加すると、その間に挟まれた圧電性膜２４が振動する
が、第五の電極１１９２５の膜厚ｄ２は２ｄｔ＝ｎλ−
（λ／２）の関係を有する厚さに形成されているために
、第３図（ｂ）に示すように、その電極膜２５の上下面
で各１度づつ反射して層間絶縁膜１７に進行した弾性波
Ｗｃの位相と、直接層間絶縁膜１７に進む弾性波Ｗｄの
位相とが１／２波長だけズレることになり、第五の電極
膜２５の下方にはほとんど弾性波が進行しなくなり、第
二の配線層１１に信号が伝達されないことになる。
これに対し、第六の電極膜２６の膜厚ｄ１は、２ｄ、＝
ｎλの関係を有する厚さとなっているために、第３図（
ａ）に示すように、反射した弾性波ｗｂと反射しない弾
性波Ｗａの位相が一致して上方の層間絶縁膜２７に進行
することになり、エネルギーの大きな弾性波が層間絶縁
膜２７を介して第四の配線層３１に進行し、その中の圧
電性＃３４を振動させることになる。
ｎλの関係を有する厚さとなっているために、第３図（
ａ）に示すように、反射した弾性波ｗｂと反射しない弾
性波Ｗａの位相が一致して上方の層間絶縁膜２７に進行
することになり、エネルギーの大きな弾性波が層間絶縁
膜２７を介して第四の配線層３１に進行し、その中の圧
電性＃３４を振動させることになる。
この結果、第四の配線層３１に信号が伝達されたことに
なる。
なる。
次に、電極膜２５．２６をアルミニウムにより形成する
場合の膜厚を具体的に説明する。
場合の膜厚を具体的に説明する。
ここで、アルミニウムよりなる電極膜２５．２６中の音
速υは６４２抛／Ｓで、また、ＺｎＯよりなる圧電性膜
２４の膜厚を６２００人とするとその共振周波数ｆは５
Ｇ）１２であり、さらに、波長λ、と音速υと共振周
波数ｆとの間にはλ１−υ／ｆとなる関係がある。
速υは６４２抛／Ｓで、また、ＺｎＯよりなる圧電性膜
２４の膜厚を６２００人とするとその共振周波数ｆは５
Ｇ）１２であり、さらに、波長λ、と音速υと共振周
波数ｆとの間にはλ１−υ／ｆとなる関係がある。
したがって、この条件下で第六の電極ｌ！２６を通る縦
波弾性波の波長はλ、 ＝１．２８４ μｍとなり、信
号を伝達しようとする側の第六の電極膜２６の厚さはｄ
、＝ｎλ＋７２ ＝ ｎ １．２８４／ ２ ＝ ｎ
Ｏ，６４２ｔｔｍとなり、この膜厚によれば減衰のない
弾性波が上方の層間絶縁膜２７を伝達することになる。
波弾性波の波長はλ、 ＝１．２８４ μｍとなり、信
号を伝達しようとする側の第六の電極膜２６の厚さはｄ
、＝ｎλ＋７２ ＝ ｎ １．２８４／ ２ ＝ ｎ
Ｏ，６４２ｔｔｍとなり、この膜厚によれば減衰のない
弾性波が上方の層間絶縁膜２７を伝達することになる。
他方、信号を送信しない側の第五の電極膜２５の膜厚ｄ
２は、この膜が第六の電極膜２６と同一の材料により形
成されているため、ｄ、 ＝ （ｎλｌ／２）−（λ／
４ ） ＝ ｎ １．２８４／ ２−１．２８４／
４となり、ｎ＝１の場合には、ｄｚ ＝０．３２１ ｐ
ｍになる。これによれば、下方の層間絶縁膜１７に弾性
波がほとんど進行しなくなる。
２は、この膜が第六の電極膜２６と同一の材料により形
成されているため、ｄ、 ＝ （ｎλｌ／２）−（λ／
４ ） ＝ ｎ １．２８４／ ２−１．２８４／
４となり、ｎ＝１の場合には、ｄｚ ＝０．３２１ ｐ
ｍになる。これによれば、下方の層間絶縁膜１７に弾性
波がほとんど進行しなくなる。
以上のような関係のある厚さの電極膜を各圧電性膜７．
１４．２４．３４の上下に形成することにより、縦波弾
性波に指向性を付与することになる。
１４．２４．３４の上下に形成することにより、縦波弾
性波に指向性を付与することになる。
なお、電極膜４．８．１４・・・内を複数回往復する弾
性波はその減衰量が多いために、無視することができる
。
性波はその減衰量が多いために、無視することができる
。
また、上記した実施例では、電極膜２５．２６内で反射
した弾性波と無反射の弾性波の位相を一致させるように
電極膜２６の膜厚を決定するか、または、それぞれの位
相を１／２波長ずらすような電極膜２５の膜厚としたが
、弾性波のエネルギー量に誤差を許容できる場合には、
一定範囲内で膜厚を設定することもできる。
した弾性波と無反射の弾性波の位相を一致させるように
電極膜２６の膜厚を決定するか、または、それぞれの位
相を１／２波長ずらすような電極膜２５の膜厚としたが
、弾性波のエネルギー量に誤差を許容できる場合には、
一定範囲内で膜厚を設定することもできる。
例えば、±１０％の誤差を許容できる場合には、信号を
伝達する側の電極膜２６の厚さｄｌを、０゜９０ｎλ／
２ ＜ ｄ ＋ ＜ １．１０ ｎλ／２となし、ま
た、信号を伝えない面の電極膜２５の膜厚ｄ２を（０゜
９０ｎλ／２） −（λ／４） ＜ ｄ ｚ ＜ （１
，１０ｎλ／２）（λ／４）にすればよい。
伝達する側の電極膜２６の厚さｄｌを、０゜９０ｎλ／
２ ＜ ｄ ＋ ＜ １．１０ ｎλ／２となし、ま
た、信号を伝えない面の電極膜２５の膜厚ｄ２を（０゜
９０ｎλ／２） −（λ／４） ＜ ｄ ｚ ＜ （１
，１０ｎλ／２）（λ／４）にすればよい。
さらに上記した実施例では、圧電性膜７．１４・・・に
ＺｎＯを用いた場合について説明したが、ニフッ化ポリ
ビニル、硫酸リチウム或いはチタン酸バリウム等の材料
によって形成することもでき、また、電極膜４．８・・
・には、アルミニウムの他に、アルミニウム合金、多結
晶シリコン等を適用することもできる。
ＺｎＯを用いた場合について説明したが、ニフッ化ポリ
ビニル、硫酸リチウム或いはチタン酸バリウム等の材料
によって形成することもでき、また、電極膜４．８・・
・には、アルミニウムの他に、アルミニウム合金、多結
晶シリコン等を適用することもできる。
なお、ＺｎＯよりなる圧電性膜をスパッタ法によって形
成する場合には、ベース圧をｌＸｌ０−ｂ７ｏｒｒ ％
スパッタ圧を４．５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、スパッタ
パワーを３００Ｗ、スパッタ時間を１００分にするとと
もに、アルゴンと酸素を含むガスをスパッタ時間として
用いることになる。
成する場合には、ベース圧をｌＸｌ０−ｂ７ｏｒｒ ％
スパッタ圧を４．５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、スパッタ
パワーを３００Ｗ、スパッタ時間を１００分にするとと
もに、アルゴンと酸素を含むガスをスパッタ時間として
用いることになる。
以上述べたように本発明によれば、導電性膜の両面で１
度づつ反射してから送信方向に進行する弾性波によって
、無反射で進行する弾性波を強めるように、信号伝達側
の導電性膜の膜厚を決定したので、縦波弾性波による信
号を層間絶縁膜を介して確実に他の圧電性膜に伝達する
ことができる。
度づつ反射してから送信方向に進行する弾性波によって
、無反射で進行する弾性波を強めるように、信号伝達側
の導電性膜の膜厚を決定したので、縦波弾性波による信
号を層間絶縁膜を介して確実に他の圧電性膜に伝達する
ことができる。
この場合、圧電性膜から縦波弾性波を進行させる向きに
設ける導電性膜の膜厚を、縦波弾性波の波長の整数倍を
ほぼ半分にした厚さにして圧電性膜に接続すれば、はぼ
最大となるエネルギーにより信号を送ることができる。
設ける導電性膜の膜厚を、縦波弾性波の波長の整数倍を
ほぼ半分にした厚さにして圧電性膜に接続すれば、はぼ
最大となるエネルギーにより信号を送ることができる。
また、導電性膜の両面で１度づつ反射してから送信方向
に進行する弾性波によって、無反射で進行する弾性波を
弱めるような大きさとなるように、信号を伝達しない側
の導電性膜の膜厚を設定するようにしたので、縦波弾性
波による信号を確実に断つことができる。
に進行する弾性波によって、無反射で進行する弾性波を
弱めるような大きさとなるように、信号を伝達しない側
の導電性膜の膜厚を設定するようにしたので、縦波弾性
波による信号を確実に断つことができる。
この場合、圧電性膜から縦波弾性波を進行させない方向
に形成する導電性膜の膜厚を、縦波弾性波波長の整数倍
のほぼ半分の大きさから１／４波長を減じた大きさにし
て圧電性膜に接続するようにすると、その大きさをほぼ
最小にすることができる。
に形成する導電性膜の膜厚を、縦波弾性波波長の整数倍
のほぼ半分の大きさから１／４波長を減じた大きさにし
て圧電性膜に接続するようにすると、その大きさをほぼ
最小にすることができる。
したがって、以上のような関係のある膜厚で導電性膜を
形成するこにより、圧電性膜の振動によって発生する弾
性波に指向性をもたせることが可能になる。
形成するこにより、圧電性膜の振動によって発生する弾
性波に指向性をもたせることが可能になる。
第１図は、本発明の一実施例を示す装置の断面図、
第２図は、本発明の一実施例装置の動作説明図、第３図
は、本発明の一実施例装置における弾性波の一例を示す
波形図、 第４図は、従来装置の一例を示す断面図である。 （符号の説明） ■、１１．２１． ２・・・５ｉＯ７膜、 ３・・・半導体基板、 ５．１３．２３． ６．１２．２２． ９．１７．２７． ７．１４．２４． ４．１５．２５． ８．１６．２６、
は、本発明の一実施例装置における弾性波の一例を示す
波形図、 第４図は、従来装置の一例を示す断面図である。 （符号の説明） ■、１１．２１． ２・・・５ｉＯ７膜、 ３・・・半導体基板、 ５．１３．２３． ６．１２．２２． ９．１７．２７． ７．１４．２４． ４．１５．２５． ８．１６．２６、
Claims (4)
- （１）圧電性膜を導電性膜によって挟んで形成した配線
層を、層間絶縁膜を介して複数形成した半導体装置にお
いて、 前記圧電性膜の振動により発生して前記導電性膜におけ
る反射により１往復してから前記層間絶縁膜に進行する
弾性波と、前記圧電性膜から無反射で前記層間絶縁膜に
進行する弾性波とを互いに強め合う位相で存在させる膜
厚により、信号伝達側の前記導電性膜を形成したことを
特徴とする半導体装置。 - （２）圧電性膜を導電性膜によって挟んで形成した配線
層を、層間絶縁膜を介して複数積層した半導体装置にお
いて、 前記圧電性膜から弾性波を進行させる向きに設ける前記
導電性膜の膜厚を、前記弾性波の波長の整数倍をほぼ半
分にした厚さにして前記圧電性膜に接線したことを特徴
とする半導体装置。 - （３）圧電性膜を導電性膜によって挟んで形成した配線
層を、層間絶縁膜を介して複数形成した半導体装置にお
いて、 前記圧電性膜の振動により発生して前記導電性膜におけ
る反射により１往復してから前記層間絶縁膜に進行する
弾性波と、前記圧電性膜から無反射で前記層間絶縁膜に
進行する弾性波とを互いに弱め合う位相で存在させる膜
厚により、信号を伝達しない側の前記導電性膜を形成し
たことを特徴とする半導体装置。 - （４）圧電性膜を導電性膜により挟んで形成した配線層
を、層間絶縁膜を介して複数積層した半導体装置におい
て、 前記圧電性膜から弾性波を進行させない方向に形成する
前記導電性膜の膜厚を、前記弾性波波長の整数倍のほぼ
半分となる値から１／４波長を減じた大きさにして前記
圧電性膜に接続したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054523A JPH03255678A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054523A JPH03255678A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03255678A true JPH03255678A (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=12973021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2054523A Pending JPH03255678A (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03255678A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610797U (ja) * | 1979-07-06 | 1981-01-29 | ||
| JPS5825714U (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-18 | 富士重工業株式会社 | 自動車用ウエザ−ストリツプ |
| JPH0249768U (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-06 |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP2054523A patent/JPH03255678A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610797U (ja) * | 1979-07-06 | 1981-01-29 | ||
| JPS5825714U (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-18 | 富士重工業株式会社 | 自動車用ウエザ−ストリツプ |
| JPH0249768U (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-06 |
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