JPH03257022A - Ａｇ↓７ＴａＳ↓６で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 - Google Patents
Ａｇ↓７ＴａＳ↓６で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法Info
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＡｇ−Ｔａ−５累代合物に係り、特に半導体電
子材料並びにイオン伝導体などとして有用な新規化合物
及びその製造法に関する。
子材料並びにイオン伝導体などとして有用な新規化合物
及びその製造法に関する。
（従来の技術及び解決しようとする課題）従来、Ａｇ−
Ｔａ−８系では、三元系化合物として９００℃以下の温
度で合成される六方晶系のＡｇ、ｇＴａＳ２や、菱面体
晶系のＡｇ１／３ＴａＳ２の存在が知られている。
Ｔａ−８系では、三元系化合物として９００℃以下の温
度で合成される六方晶系のＡｇ、ｇＴａＳ２や、菱面体
晶系のＡｇ１／３ＴａＳ２の存在が知られている。
しかしながら、Ａｇ−Ｔａ−５系の相関係については、
殆ど報告がなく、立方晶系の三元系化合物の存在につい
ては全く知られていなかった。
殆ど報告がなく、立方晶系の三元系化合物の存在につい
ては全く知られていなかった。
本発明は、かＳる事情に鑑みて、Ａｇ−Ｔａ−８系で立
方晶系の新規な三元系化合物を得る技術を提供すること
を目的とするものである。
方晶系の新規な三元系化合物を得る技術を提供すること
を目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
前記目的を達成するため、本発明者は１石英封管法によ
り５００〜６００℃の温度範囲で、新規なＡｇ−Ｔａ−
８系の三元系化合物を見い出すべく研究を重ねた結果、
ここに、立方晶系の新規化合物を発見したものである。
り５００〜６００℃の温度範囲で、新規なＡｇ−Ｔａ−
８系の三元系化合物を見い出すべく研究を重ねた結果、
ここに、立方晶系の新規化合物を発見したものである。
すなわち、本発明に係る新規化合物は、化学式Ａ ｇｔ
Ｔ ａ Ｓ ｓで示される立方晶系の構造を有する化
金物である。
Ｔ ａ Ｓ ｓで示される立方晶系の構造を有する化
金物である。
また、その製造法は、銀原料として金属銀又は硫化銀と
、タンタル原料としてタンタル又は二硫化タンタルと、
硫黄原料として硫黄、二硫化タンタル又は硫化銀とを、
ＡｇとＴａとＳの割合が原子比で７対１対６の割合で混
合し、該混合粉末を加圧して圧粉体とし、これをアルミ
ナルツボに入れ真空引きした石英封管中で５００〜６０
０℃の温度に加熱することを特徴とするものである。
、タンタル原料としてタンタル又は二硫化タンタルと、
硫黄原料として硫黄、二硫化タンタル又は硫化銀とを、
ＡｇとＴａとＳの割合が原子比で７対１対６の割合で混
合し、該混合粉末を加圧して圧粉体とし、これをアルミ
ナルツボに入れ真空引きした石英封管中で５００〜６０
０℃の温度に加熱することを特徴とするものである。
以下に本発明を更に詳述する。
（作用）
本発明に係る化学式Ａｇ７ＴａＳ６で示される化合物は
、硫黄が立方密充填し、金属原子がその間隙にある六配
位位置などを占める極めて等方的な横通を有する立方晶
系の物質である。
、硫黄が立方密充填し、金属原子がその間隙にある六配
位位置などを占める極めて等方的な横通を有する立方晶
系の物質である。
立方晶系としての格子定数は、
ａ＝１０．５１３９±０．０００３（人）Ｖ＝１１６２
．２３ｆ０．０９（人３）で、空間群はＦ４３ｍ（Ｎｏ
、２１６）である。
．２３ｆ０．０９（人３）で、空間群はＦ４３ｍ（Ｎｏ
、２１６）である。
この化合物についての面指数（ｈｋＱ）、面間隔ｄ（人
）（但し、ｄｏは実測値、ｄｃは計算値）及び粉末Ｘ線
回折強度Ｉ（％）（但し、■。は実測強度）を示すと、
第１表のとおりである。
）（但し、ｄｏは実測値、ｄｃは計算値）及び粉末Ｘ線
回折強度Ｉ（％）（但し、■。は実測強度）を示すと、
第１表のとおりである。
【以下余白１
筑１男
Ａ ｉ−Ｔ ａ Ｓ ｃの粉末Ｘ線回折データこの新規
化合物は、以下の方法により製造することができる。
化合物は、以下の方法により製造することができる。
すなわち、まず、銀原料として金属銀又は硫化銀と、タ
ンタル原料としてタンタル又は二硫化タンタルと、硫黄
原料として硫黄、二硫化タンタル又は硫化銀とを、Ａｇ
とＴａとＳの割合が原子比で７対１対６の割合で混合す
る。この混合粉末を加圧して圧粉体とし、これをアルミ
ナルツボに入れ真空引きした石英封管中で５００〜６０
０℃の温度に加熱する方法である。
ンタル原料としてタンタル又は二硫化タンタルと、硫黄
原料として硫黄、二硫化タンタル又は硫化銀とを、Ａｇ
とＴａとＳの割合が原子比で７対１対６の割合で混合す
る。この混合粉末を加圧して圧粉体とし、これをアルミ
ナルツボに入れ真空引きした石英封管中で５００〜６０
０℃の温度に加熱する方法である。
この方法の場合、出発原料は、市販のものをそのまま使
用してもよいが、得られる化合物を半導体電子材料とし
て用いる場合には、不純物の含まないできるだけ純度の
高いものを用いるのが望ましい、また、製造時には同相
化学反応促進のため、粒径は小さい方が良く、数μｍ以
下であることが望ましい。
用してもよいが、得られる化合物を半導体電子材料とし
て用いる場合には、不純物の含まないできるだけ純度の
高いものを用いるのが望ましい、また、製造時には同相
化学反応促進のため、粒径は小さい方が良く、数μｍ以
下であることが望ましい。
原料は、そのまま、望ましくは不活性気体雰囲気中で充
分に混合し、加圧成形して圧粉体とする。
分に混合し、加圧成形して圧粉体とする。
加圧条件は特に限定するものではないが、１〜２ｔｏｎ
／ｃｍ”の静水圧であることが望ましい。
／ｃｍ”の静水圧であることが望ましい。
原料の混合割合は、ＡｇとＴａとＳの割合が原子比で７
対１対６の割合であることが必要であり、この割合から
組成がずれると、目的とする化合物の単一相を得ること
ができない。
対１対６の割合であることが必要であり、この割合から
組成がずれると、目的とする化合物の単一相を得ること
ができない。
次いで、該圧粉体をアルミナルツボに入れ、真空引きし
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は５００〜６
００℃であることが必要である。
た石英封管中で加熱するが、その焼成温度は５００〜６
００℃であることが必要である。
加熱時間は特に制限しないが、５００℃で３〜４日が望
ましく、それ以上の加熱は試料と器壁との反応によりタ
ンタル酸化物の生成が進行するため、好ましくない。
ましく、それ以上の加熱は試料と器壁との反応によりタ
ンタル酸化物の生成が進行するため、好ましくない。
加熱終了後は、石英封管を水中に急冷する。得られる化
学式Ａｇ７ＴａＳ６を有する化合物粉末は黒色であり、
粉末Ｘ線回折法によって立方晶系の結晶構造を有するこ
とが判明した。
学式Ａｇ７ＴａＳ６を有する化合物粉末は黒色であり、
粉末Ｘ線回折法によって立方晶系の結晶構造を有するこ
とが判明した。
次に本発明の実施例を示す。
（実施例）
純度９９．９％以上の硫化銀（Ａｇ、Ｓ）粉末と、純度
９９．９６％以上の二硫化タンタル（ＴａＳ２）粉末と
、純度９９．９９９９％以上の硫黄（Ｓ）粉末とを、Ａ
ｇとＴａとＳの原子比が７対１対６の割合となるように
グローブボックス中で秤量し、めのう乳鉢内で約１０分
間混合し、該混合粉末を加圧して圧粉体を得た。
９９．９６％以上の二硫化タンタル（ＴａＳ２）粉末と
、純度９９．９９９９％以上の硫黄（Ｓ）粉末とを、Ａ
ｇとＴａとＳの原子比が７対１対６の割合となるように
グローブボックス中で秤量し、めのう乳鉢内で約１０分
間混合し、該混合粉末を加圧して圧粉体を得た。
次いで、これをアルミナルツボに入れ、透明石英管中に
真空封入し、５００℃に設定された横型管状電気炉内に
入れ、４日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水中
に急冷した。
真空封入し、５００℃に設定された横型管状電気炉内に
入れ、４日間加熱し、その後、石英管を取り出し、水中
に急冷した。
得られた試料は、Ａｇ、Ｔａｇ、単一相であり、粉末Ｘ
線回折法により各反射の面間隔ｄ。及び回折強度工。を
測定した結果、第１表に示すとおりであった。
線回折法により各反射の面間隔ｄ。及び回折強度工。を
測定した結果、第１表に示すとおりであった。
また、立方晶系としての格子定数は次のとおりであった
。
。
ａ＝１０．５１３９±０．０００３（人）Ｖ＝１１６２
．２３±０．０９Ｃ人３）上記の格子定数、及び第１表
に示した各面指数（ｈｋｆｉ）より計算した面間隔ｄｃ
（人）は、実測の面間隔ｄ、（人）と極めてよく一致し
た。
．２３±０．０９Ｃ人３）上記の格子定数、及び第１表
に示した各面指数（ｈｋｆｉ）より計算した面間隔ｄｃ
（人）は、実測の面間隔ｄ、（人）と極めてよく一致し
た。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、化学式Ａｇ７Ｔ
ａｇ、で示される立方晶系の構造を有する新規なＡｇ−
Ｔａ−８累代合物を提供でき、特に半導体電子材料並び
にイオン伝導体などとして有用であり、その効果は大き
い。
ａｇ、で示される立方晶系の構造を有する新規なＡｇ−
Ｔａ−８累代合物を提供でき、特に半導体電子材料並び
にイオン伝導体などとして有用であり、その効果は大き
い。
Claims (2)
- （１）化学式Ａｇ＿７ＴａＳ＿６で示される立方晶系の
構造を有する化合物。 - （２）銀原料として金属銀又は硫化銀と、タンタル原料
としてタンタル又は二硫化タンタルと、硫黄原料として
硫黄、二硫化タンタル又は硫化銀とを、ＡｇとＴａとＳ
の割合が原子比で７対１対６となるように混合し、該混
合粉末を加圧して圧粉体とし、これをアルミナルツボに
入れ真空引きした石英封管中で５００〜６００℃の温度
に加熱することを特徴とするＡｇ＿７ＴａＳ＿６で示さ
れる立方晶系の構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052423A JPH0725551B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2052423A JPH0725551B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257022A true JPH03257022A (ja) | 1991-11-15 |
| JPH0725551B2 JPH0725551B2 (ja) | 1995-03-22 |
Family
ID=12914374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2052423A Expired - Lifetime JPH0725551B2 (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | Ａｇ▲下７▼ＴａＳ▲下６▼で示される立方晶系の構造を有する化合物及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725551B2 (ja) |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP2052423A patent/JPH0725551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0725551B2 (ja) | 1995-03-22 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |