JPH0325739B2 - - Google Patents
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- JPH0325739B2 JPH0325739B2 JP56155025A JP15502581A JPH0325739B2 JP H0325739 B2 JPH0325739 B2 JP H0325739B2 JP 56155025 A JP56155025 A JP 56155025A JP 15502581 A JP15502581 A JP 15502581A JP H0325739 B2 JPH0325739 B2 JP H0325739B2
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばプリント基板の銅箔パターン
等のような台形状の断面を有する立体パターンに
生じた欠陥を検出するパターン欠陥検出装置に関
する。
等のような台形状の断面を有する立体パターンに
生じた欠陥を検出するパターン欠陥検出装置に関
する。
従来、第１図に示すようなプリント基板１の銅
箔パターン２に生じた欠陥４を検出するための装
置としては、例えば実開昭52−82859号のマイク
ロフイルムに記載されているような装置が提案さ
れている。すなわち、この装置では、プリント基
板１上に光ビームを照射して、その反射光をフオ
トダイオードアレイで検出するようにし、この際
に銅箔パターン２上からの光を実際に受光したフ
オトダイオードの数を計数し、その数を所定の設
定値と比較することによりパターン幅に欠陥があ
るかどうかを判断するようにしている。
箔パターン２に生じた欠陥４を検出するための装
置としては、例えば実開昭52−82859号のマイク
ロフイルムに記載されているような装置が提案さ
れている。すなわち、この装置では、プリント基
板１上に光ビームを照射して、その反射光をフオ
トダイオードアレイで検出するようにし、この際
に銅箔パターン２上からの光を実際に受光したフ
オトダイオードの数を計数し、その数を所定の設
定値と比較することによりパターン幅に欠陥があ
るかどうかを判断するようにしている。
ところが、上記の装置で検査対象としているパ
ターンは、厚さ方向に比べて幅方向が非常に長
く、上幅L1と下幅L2との寸法差がほとんど無視
できるような大面積のパターンであり、すなわち
ほとんど平面構造とみなせるようなパターンであ
る。そのため、この装置では、第１図に示したよ
うにプリント基板１上から上幅L1と下幅L2の双
方が完全に欠落したような欠陥４のみが欠陥とし
て検出されるだけである。従つて、微細パターン
のような、上幅L1に対して下幅L2が無視できな
い程度の台形状の断面を有する立体的なパターン
を検査しようとした場合、例えば第２図に示すよ
うにパターン２の下幅L2が正常で、上幅L1のみ
が欠けたような表面部分の欠落３ａ，３ｂ等があ
つても、これを正常なパターンとして判断してし
まうため、上記のような立体パターンに対しては
正確な欠陥検出ができないという問題がある。
ターンは、厚さ方向に比べて幅方向が非常に長
く、上幅L1と下幅L2との寸法差がほとんど無視
できるような大面積のパターンであり、すなわち
ほとんど平面構造とみなせるようなパターンであ
る。そのため、この装置では、第１図に示したよ
うにプリント基板１上から上幅L1と下幅L2の双
方が完全に欠落したような欠陥４のみが欠陥とし
て検出されるだけである。従つて、微細パターン
のような、上幅L1に対して下幅L2が無視できな
い程度の台形状の断面を有する立体的なパターン
を検査しようとした場合、例えば第２図に示すよ
うにパターン２の下幅L2が正常で、上幅L1のみ
が欠けたような表面部分の欠落３ａ，３ｂ等があ
つても、これを正常なパターンとして判断してし
まうため、上記のような立体パターンに対しては
正確な欠陥検出ができないという問題がある。
一方、断面が台形状の立体パターンを検査対象
とするパターン欠陥検出装置として、例えば特開
昭53−146171号公報に示されているように、上記
パターン２の端部斜面に光ビームを斜めに照射し
て、その反射光の方向や強度を検出し、その検出
結果に基づいて欠陥の有無を判断するようにした
ものが提案されている。この装置では、正常なパ
ターンの端部斜面からの反射光が一定の方向と一
定の強度を持つことに着目したものであり、上記
反射光の方向と強度を検出することにより、パタ
ーン端部斜面の異常を検出できるようにしたもの
である。
とするパターン欠陥検出装置として、例えば特開
昭53−146171号公報に示されているように、上記
パターン２の端部斜面に光ビームを斜めに照射し
て、その反射光の方向や強度を検出し、その検出
結果に基づいて欠陥の有無を判断するようにした
ものが提案されている。この装置では、正常なパ
ターンの端部斜面からの反射光が一定の方向と一
定の強度を持つことに着目したものであり、上記
反射光の方向と強度を検出することにより、パタ
ーン端部斜面の異常を検出できるようにしたもの
である。
ところが、この装置では、パターン端部斜面か
らの反射光のみを検出するようにしているので、
その斜面に生じた欠落等は精度良く検出できるか
もしれないが、パターン上面の中央部にのみ生じ
た欠落等は完全に見逃してしまうという問題があ
る。
らの反射光のみを検出するようにしているので、
その斜面に生じた欠落等は精度良く検出できるか
もしれないが、パターン上面の中央部にのみ生じ
た欠落等は完全に見逃してしまうという問題があ
る。
本発明は、上記従来の欠点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、台形状の断面を有する立
体パターンで問題になる表面部分のみの欠落等を
も精度良く検出することのできるパターン欠陥検
出装置を提供することにある。
のであり、その目的は、台形状の断面を有する立
体パターンで問題になる表面部分のみの欠落等を
も精度良く検出することのできるパターン欠陥検
出装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、断面が台
形状に形成された立体パターンに上方から光を照
射し、その反射光を検出して電気信号に変換する
光照射及び検出手段と、該光照射及び検出手段で
得られた電気信号をそれぞれ上幅用と下幅用の所
定の閾値に基づき二値化することにより、前記立
体パターンの上幅と下幅にそれぞれ対応した二値
化パターンである上幅パターンと下幅パターンを
得る二値化パターン検知手段と、該二値化パター
ン検知手段で得られた下幅パターンのエツジ部を
検出して測長指令信号を出力する測長指令手段
と、該測長指令信号の出力により、前記下幅パタ
ーンのエツジ部を測長開始点として前記上幅パタ
ーンの一定方向に沿つた上幅寸法を測定してい
き、該上幅寸法とこれに対応する下幅寸法との差
が所定の基準値以上であつた時にパターン欠陥有
りと判断る測長手段とを備えたことを特徴とす
る。
形状に形成された立体パターンに上方から光を照
射し、その反射光を検出して電気信号に変換する
光照射及び検出手段と、該光照射及び検出手段で
得られた電気信号をそれぞれ上幅用と下幅用の所
定の閾値に基づき二値化することにより、前記立
体パターンの上幅と下幅にそれぞれ対応した二値
化パターンである上幅パターンと下幅パターンを
得る二値化パターン検知手段と、該二値化パター
ン検知手段で得られた下幅パターンのエツジ部を
検出して測長指令信号を出力する測長指令手段
と、該測長指令信号の出力により、前記下幅パタ
ーンのエツジ部を測長開始点として前記上幅パタ
ーンの一定方向に沿つた上幅寸法を測定してい
き、該上幅寸法とこれに対応する下幅寸法との差
が所定の基準値以上であつた時にパターン欠陥有
りと判断る測長手段とを備えたことを特徴とす
る。
以下、本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第３図は、本発明の一実施例を示すブロツク図
である。
である。
同図に示すように、本実施例のパターン欠陥検
出装置は、レーザ装置５、上幅及び下幅検知回路
６ａ，６ｂ、上幅及び下幅二値化パターン回路７
ａ，７ｂ、測長回路８、測長指令回路９、及び表
示装置１０から構成されている。これらの装置及
び回路について、以下に具体的に述べる。
出装置は、レーザ装置５、上幅及び下幅検知回路
６ａ，６ｂ、上幅及び下幅二値化パターン回路７
ａ，７ｂ、測長回路８、測長指令回路９、及び表
示装置１０から構成されている。これらの装置及
び回路について、以下に具体的に述べる。
レーザ装置５は、レーザ光源、光検知器及び各
種光学系等から構成されており、上記レーザ光源
から出力されたレーザ光５ａをミラーやレンズ等
の光学系を介してプリント基板１上に照射し、そ
の反射光をミラーやレンズ等の光学系を介して上
記光検知器で検知するものである。そして、この
光照射と光検知は、レーザ装置５とプリント基板
１とを互いに太線矢印方向に順次移動しながらプ
リント基板１の全面に対して行われる。すなわ
ち、レーザ装置５では、プリント基板１上の銅箔
パターン２の凹凸に応じた反射光の光強度を順次
検知して、それに対応したレベルの電気信号に変
換していく。
種光学系等から構成されており、上記レーザ光源
から出力されたレーザ光５ａをミラーやレンズ等
の光学系を介してプリント基板１上に照射し、そ
の反射光をミラーやレンズ等の光学系を介して上
記光検知器で検知するものである。そして、この
光照射と光検知は、レーザ装置５とプリント基板
１とを互いに太線矢印方向に順次移動しながらプ
リント基板１の全面に対して行われる。すなわ
ち、レーザ装置５では、プリント基板１上の銅箔
パターン２の凹凸に応じた反射光の光強度を順次
検知して、それに対応したレベルの電気信号に変
換していく。
上幅検知回路６ａと下幅検知回路６ｂは、上記
レーザ装置５から得られたプリント基板１上の各
位置に対応する電気信号を、それぞれ上幅用、下
幅用の各閾値で二値化することにより、それぞれ
パターン２の上幅L1、下幅L2に対応した二値化
パターンである上幅パターン（第４図参照）と下
幅パターン（第５図参照）を得る回路である。上
記の上幅用と下幅用の各閾値は、パターン２の上
幅部分に対応した信号が強く、下幅部分に対応し
た信号が弱いことを考慮して、それぞれに対応し
た別々の値を設定しておく。
レーザ装置５から得られたプリント基板１上の各
位置に対応する電気信号を、それぞれ上幅用、下
幅用の各閾値で二値化することにより、それぞれ
パターン２の上幅L1、下幅L2に対応した二値化
パターンである上幅パターン（第４図参照）と下
幅パターン（第５図参照）を得る回路である。上
記の上幅用と下幅用の各閾値は、パターン２の上
幅部分に対応した信号が強く、下幅部分に対応し
た信号が弱いことを考慮して、それぞれに対応し
た別々の値を設定しておく。
上幅二値化パターン回路７ａと下幅二値化パタ
ーン回路７ｂは、それぞれ上幅検知回路６ａで得
られた上幅パターンと下幅検知回路６ｂで得られ
た下幅パターンとを記憶しておく画像メモリであ
る。すなわち、上幅二値化パターン回路７ａに
は、第４図に示すように上幅ありを「１」（斜線
部分）、上幅なしを「０」とする二値化画像であ
る上幅パターンが記憶され、また、下幅二値化パ
ターン回路７ｂには、第５図に示すように銅箔パ
ターン２の部分を「１」（斜線部分）、プリント基
板１上の基材部分を「０」とする二値化画像であ
る下幅パターンが記憶される。参考までに、上記
の上幅パターンと下幅パターンとを互いに重ね合
わせた状態を第６図に示す。
ーン回路７ｂは、それぞれ上幅検知回路６ａで得
られた上幅パターンと下幅検知回路６ｂで得られ
た下幅パターンとを記憶しておく画像メモリであ
る。すなわち、上幅二値化パターン回路７ａに
は、第４図に示すように上幅ありを「１」（斜線
部分）、上幅なしを「０」とする二値化画像であ
る上幅パターンが記憶され、また、下幅二値化パ
ターン回路７ｂには、第５図に示すように銅箔パ
ターン２の部分を「１」（斜線部分）、プリント基
板１上の基材部分を「０」とする二値化画像であ
る下幅パターンが記憶される。参考までに、上記
の上幅パターンと下幅パターンとを互いに重ね合
わせた状態を第６図に示す。
測長指令回路９は、下幅二値化パターン回廊７
ｂに記憶されている下幅パターンを一定方向（第
６図ではＸ方向）に順次見ていき、下幅パターン
のエツジ部１２を検出し、この検出時点で測長指
令信号を出力する回路であり、この測長指令信号
は測長回路８に送られる。測長回路８は、上記測
長指令信号の出力により、上記下幅パターンのエ
ツジ部１２を測長開始点として、上幅二値化パタ
ーン回路７ａに記憶されている上幅パターンにお
ける上記一定方向（Ｘ方向）に沿つた上幅寸法
L1を測定していき、これに対応する下幅パター
ンの下幅寸法L2との差が所定の基準値以上であ
る場合に、その部分にパターン欠陥が有ると判断
する回路である。この判断結果は、表示装置１０
に表示される。
ｂに記憶されている下幅パターンを一定方向（第
６図ではＸ方向）に順次見ていき、下幅パターン
のエツジ部１２を検出し、この検出時点で測長指
令信号を出力する回路であり、この測長指令信号
は測長回路８に送られる。測長回路８は、上記測
長指令信号の出力により、上記下幅パターンのエ
ツジ部１２を測長開始点として、上幅二値化パタ
ーン回路７ａに記憶されている上幅パターンにお
ける上記一定方向（Ｘ方向）に沿つた上幅寸法
L1を測定していき、これに対応する下幅パター
ンの下幅寸法L2との差が所定の基準値以上であ
る場合に、その部分にパターン欠陥が有ると判断
する回路である。この判断結果は、表示装置１０
に表示される。
ここで、上記測長指令回路９によるエツジ検出
と上記測長回路８による測長は、実際には、例え
ば第７図に示すような測長センサ（測長用検査パ
ターン）Ｓを用いて行う。この測長センサＳは、
直線状に配列された複数個の単位センサからな
り、その個々の単位センサは上幅パターン及び下
幅パターンを構成する各画素の大きさに対応して
いる。そして、その中で、それぞれ１個の単位セ
ンサからなるセンサＡ及びＢは下幅パターンのエ
ツジを検出するためのものであり、また、複数個
（ｎ個）の単位センサC1〜CoからなるセンサＣは
パターン欠陥の有無を検出するためのものであ
る。更に測長センサＳは、上記センサＢから上記
センサＣの先端の単位センサCoまでの距離を所
定の基準長L3として有しており、この基準長L3
は、検出したい欠陥３の大きさの最小値LMINに等
しくなるように設定されている。このような構成
からなる測長センサＳを用いた検査は、測長セン
サＳを二値化画像（上幅パターンや下幅パター
ン）の全領域内で走査しながら、各センサＡ〜Ｃ
に対応する画素（「１」又は「０」）が所定の条件
を満足するかどうかかを判断することにより行
う。
と上記測長回路８による測長は、実際には、例え
ば第７図に示すような測長センサ（測長用検査パ
ターン）Ｓを用いて行う。この測長センサＳは、
直線状に配列された複数個の単位センサからな
り、その個々の単位センサは上幅パターン及び下
幅パターンを構成する各画素の大きさに対応して
いる。そして、その中で、それぞれ１個の単位セ
ンサからなるセンサＡ及びＢは下幅パターンのエ
ツジを検出するためのものであり、また、複数個
（ｎ個）の単位センサC1〜CoからなるセンサＣは
パターン欠陥の有無を検出するためのものであ
る。更に測長センサＳは、上記センサＢから上記
センサＣの先端の単位センサCoまでの距離を所
定の基準長L3として有しており、この基準長L3
は、検出したい欠陥３の大きさの最小値LMINに等
しくなるように設定されている。このような構成
からなる測長センサＳを用いた検査は、測長セン
サＳを二値化画像（上幅パターンや下幅パター
ン）の全領域内で走査しながら、各センサＡ〜Ｃ
に対応する画素（「１」又は「０」）が所定の条件
を満足するかどうかかを判断することにより行
う。
上記測長センサＳによる処理を、以下に具体的
に示す。
に示す。
まず、上記測長指令回路９において下幅パター
ンのエツジを検出する場合は、測長センサＳを下
幅パターン上でパターン２の幅方向（第７図では
Ｘ方向）に沿つて走査していき、センサＡに対応
する画素が「０」であつて、かつセンサＢに対応
する画素が「１」となる箇所を見つける。この条
件を満たす時、第７図に示すように２つのセンサ
Ａ，Ｂはこの両者で下幅パターンのエツジを挟む
位置にあつて、センサＢに対応する箇所が第６図
に示したエツジ部１２に相当している。このよう
にして下幅パターンのエツジが検出されると、測
長指令回路９から測長指令信号が出力される。
ンのエツジを検出する場合は、測長センサＳを下
幅パターン上でパターン２の幅方向（第７図では
Ｘ方向）に沿つて走査していき、センサＡに対応
する画素が「０」であつて、かつセンサＢに対応
する画素が「１」となる箇所を見つける。この条
件を満たす時、第７図に示すように２つのセンサ
Ａ，Ｂはこの両者で下幅パターンのエツジを挟む
位置にあつて、センサＢに対応する箇所が第６図
に示したエツジ部１２に相当している。このよう
にして下幅パターンのエツジが検出されると、測
長指令回路９から測長指令信号が出力される。
上記測長指令信号が出力されると、今度は、測
長回路８による欠陥検出が行われる。この場合
は、測長センサＳのＸ、Ｙ方向の位置を上記エツ
ジ検出時の位置（すなわち、センサＢが下幅パタ
ーンのエツジ部１２上に来る位置）に固定したま
まで上幅パターン上に配置する。そして、その位
置における上幅パターンの上幅L1を測定し、こ
の上幅L1と下幅パターンの下幅L2との差が所定
の基準長L3以上かどうか、すなわち上幅パター
ンに大きさLMIN（＝L3）以上の欠落が存在するか
どうかを検査する。この検査は、上幅パターンを
構成する画素のうち、欠陥検出用のセンサＣを構
成しているｎ個の単位センサC1〜Coに対応する
画素の全てが「０」かどうかを調べることにより
行う。もし、この全ての画素が「０」であれば、
この位置に少なくとも大きさLMIN（＝L3）の欠陥
があると判断する。
長回路８による欠陥検出が行われる。この場合
は、測長センサＳのＸ、Ｙ方向の位置を上記エツ
ジ検出時の位置（すなわち、センサＢが下幅パタ
ーンのエツジ部１２上に来る位置）に固定したま
まで上幅パターン上に配置する。そして、その位
置における上幅パターンの上幅L1を測定し、こ
の上幅L1と下幅パターンの下幅L2との差が所定
の基準長L3以上かどうか、すなわち上幅パター
ンに大きさLMIN（＝L3）以上の欠落が存在するか
どうかを検査する。この検査は、上幅パターンを
構成する画素のうち、欠陥検出用のセンサＣを構
成しているｎ個の単位センサC1〜Coに対応する
画素の全てが「０」かどうかを調べることにより
行う。もし、この全ての画素が「０」であれば、
この位置に少なくとも大きさLMIN（＝L3）の欠陥
があると判断する。
以上のようなエツジ検出と欠陥検出をＹ方向に
一画素分ずつ移動させながら順次行うことによ
り、Ｙ方向に沿つて配置されたパターン２の全領
域の欠陥検出を完了する。続いて、測長センサＳ
を90度回転させることにより、今度はＸ方向に沿
つて配置されたパターンの欠陥検出を全く同様に
して行う。このようにして、プリント基板１上の
全領域についてパターン欠陥検出を終了する。
一画素分ずつ移動させながら順次行うことによ
り、Ｙ方向に沿つて配置されたパターン２の全領
域の欠陥検出を完了する。続いて、測長センサＳ
を90度回転させることにより、今度はＸ方向に沿
つて配置されたパターンの欠陥検出を全く同様に
して行う。このようにして、プリント基板１上の
全領域についてパターン欠陥検出を終了する。
本実施例によれば、従来の装置では検出するこ
とのできなかつた第２図のような表面部分のみの
欠落３ａ，３ｂ等を確実に検出することができる
ので、プリント基板１上の銅箔パターン２の信頼
性を大幅に向上させることができる。
とのできなかつた第２図のような表面部分のみの
欠落３ａ，３ｂ等を確実に検出することができる
ので、プリント基板１上の銅箔パターン２の信頼
性を大幅に向上させることができる。
なお、上記実施例では、光照射及び検出手段と
して１個のレーザ装置５を設けたが、上幅パター
ン検出用と下幅パターン検出用にそれぞれ別々の
レーザ装置を設けてもよい。
して１個のレーザ装置５を設けたが、上幅パター
ン検出用と下幅パターン検出用にそれぞれ別々の
レーザ装置を設けてもよい。
また、測長センサＳによる測長はパターンの幅
方向に沿つて行われるので、そのエツジ検出の
際、確実にエツジを検出できるように、第７図に
破線で示すような補助センサＤ，Ｅ，Ｆ，Ｇをセ
ンサＡ，Ｂと同時に用いるようにしてもよい。こ
れらの補助センサＤ，Ｅ，Ｆ，Ｇは、センサＡ及
びＢから所定間隔をおいて四方に配置させたもの
であり、いずれも２個の単位センサからなつてい
る。エツジ検出を行う際は、センサＡが「０」で
あつて、かつセンサＢが「１」であり、更に、セ
ンサＤ及びＥの双方が全て「１」であつて、かつ
センサＦ及びＧの双方が全て「０」であることが
条件となる。また、欠陥検出の条件として、セン
サＣの全ての単位センサC1〜Coが「０」となる
ことを挙げたが、この代わりに、例えばC1及び
C2は「１」でもよいが、C3〜Coの全てが「０」
となることを条件としてもよい。このようにする
と、パターン上面の中央部にのみ存在する欠落を
も容易に検出することができる。勿論、これらの
測長センサはほんの一例であつて、上幅L1と下
幅L2の差から欠陥の有無を検出できるものであ
れば、これ以外のセンサを用いてもよい。
方向に沿つて行われるので、そのエツジ検出の
際、確実にエツジを検出できるように、第７図に
破線で示すような補助センサＤ，Ｅ，Ｆ，Ｇをセ
ンサＡ，Ｂと同時に用いるようにしてもよい。こ
れらの補助センサＤ，Ｅ，Ｆ，Ｇは、センサＡ及
びＢから所定間隔をおいて四方に配置させたもの
であり、いずれも２個の単位センサからなつてい
る。エツジ検出を行う際は、センサＡが「０」で
あつて、かつセンサＢが「１」であり、更に、セ
ンサＤ及びＥの双方が全て「１」であつて、かつ
センサＦ及びＧの双方が全て「０」であることが
条件となる。また、欠陥検出の条件として、セン
サＣの全ての単位センサC1〜Coが「０」となる
ことを挙げたが、この代わりに、例えばC1及び
C2は「１」でもよいが、C3〜Coの全てが「０」
となることを条件としてもよい。このようにする
と、パターン上面の中央部にのみ存在する欠落を
も容易に検出することができる。勿論、これらの
測長センサはほんの一例であつて、上幅L1と下
幅L2の差から欠陥の有無を検出できるものであ
れば、これ以外のセンサを用いてもよい。
更に、本発明は、プリント基板のパターン以外
にも、台形状の断面を持つ各種の立体パターンに
適用できる。
にも、台形状の断面を持つ各種の立体パターンに
適用できる。
以上説明したように、本発明によれば、台形状
の断面を持つ立体パターンの上幅と下幅の双方を
検知して、その差から欠陥の有無を検出するよう
にしたので、上記立体パターンで問題になる表面
部分のみ欠落等をも非常に精度良く検出すること
ができる。
の断面を持つ立体パターンの上幅と下幅の双方を
検知して、その差から欠陥の有無を検出するよう
にしたので、上記立体パターンで問題になる表面
部分のみ欠落等をも非常に精度良く検出すること
ができる。
第１図は一般的なプリント基板上の銅箔パター
ン及びその欠陥を示す斜視図、第２図は銅箔パタ
ーンに表面部分のみの欠落が生じた場合を示す第
１図のＡ−Ａ断面図、第３図は本発明のパターン
欠陥検出装置の一実施例を示すブロツク図、第４
図は第３図に示した上幅二値化パターン回路７ａ
に記憶されている二値化画像（上幅パターン）を
示す図、第５図は第３図に示した下幅二値化パタ
ーン回路７ｂに記憶されている二値化画像（下幅
パターン）を示す図、第６図は上幅パターンと下
幅パターンとを互いに重ね合わせた状態を示す
図、第７図は測長センサの一例を示す図である。 １……プリント基板、２……銅箔パターン、５
……レーザ装置、６ａ……上幅検知回路、６ｂ…
…下幅検知回路、７ａ……上幅二値化パターン回
路、７ｂ……下幅二値化パターン回路、８……測
長回路、９……測長指令回路、１０……表示装
置、Ｓ……測長センサ、L1……パターンの上幅、
L2……パターンの下幅。
ン及びその欠陥を示す斜視図、第２図は銅箔パタ
ーンに表面部分のみの欠落が生じた場合を示す第
１図のＡ−Ａ断面図、第３図は本発明のパターン
欠陥検出装置の一実施例を示すブロツク図、第４
図は第３図に示した上幅二値化パターン回路７ａ
に記憶されている二値化画像（上幅パターン）を
示す図、第５図は第３図に示した下幅二値化パタ
ーン回路７ｂに記憶されている二値化画像（下幅
パターン）を示す図、第６図は上幅パターンと下
幅パターンとを互いに重ね合わせた状態を示す
図、第７図は測長センサの一例を示す図である。 １……プリント基板、２……銅箔パターン、５
……レーザ装置、６ａ……上幅検知回路、６ｂ…
…下幅検知回路、７ａ……上幅二値化パターン回
路、７ｂ……下幅二値化パターン回路、８……測
長回路、９……測長指令回路、１０……表示装
置、Ｓ……測長センサ、L1……パターンの上幅、
L2……パターンの下幅。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 断面が台形状に形成された立体パターンに上
方から光を照射し、その反射光を検出して電気信
号に変換する光照射及び検出手段と、 該光照射及び検出手段で得られた電気信号をそ
れぞれ上幅用と下幅用の所定の閾値に基づき二値
化することにより、前記立体パターンの上幅と下
幅にそれぞれ対応した二値化パターンである上幅
パターンと下幅パターンを得る二値化パターン検
知手段と、 該二値化パターン検知手段で得られた下幅パタ
ーンのエツジ部を検出して測長指令信号を出力す
る測長指令手段と、 該測長指令信号の出力により、前記下幅パター
ンのエツジ部を測長開始点として前記上幅パター
ンの一定方向に沿つた上幅寸法を測定していき、
該上幅寸法とこれに対応する下幅寸法との差が所
定の基準値以上であつた時にパターン欠陥有りと
判断する測長手段とを備えたことを特徴とするパ
ターン欠陥検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502581A JPS5855841A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン欠陥検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15502581A JPS5855841A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン欠陥検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5855841A JPS5855841A (ja) | 1983-04-02 |
| JPH0325739B2 true JPH0325739B2 (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=15597018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15502581A Granted JPS5855841A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | パタ−ン欠陥検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5855841A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6645993B2 (ja) | 2016-03-29 | 2020-02-14 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6594931B2 (ja) | 2016-10-31 | 2019-10-23 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、監視プログラム及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5282859U (ja) * | 1975-12-18 | 1977-06-21 | ||
| JPS53146171A (en) * | 1977-05-26 | 1978-12-19 | Fujitsu Ltd | Method of inspecting printed board |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15502581A patent/JPS5855841A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5855841A (ja) | 1983-04-02 |
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| JPH0516585B2 (ja) |