JPH03259257A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH03259257A JPH03259257A JP2058833A JP5883390A JPH03259257A JP H03259257 A JPH03259257 A JP H03259257A JP 2058833 A JP2058833 A JP 2058833A JP 5883390 A JP5883390 A JP 5883390A JP H03259257 A JPH03259257 A JP H03259257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- layer
- pcm
- mask
- upper layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造用ＰＣＭリソグラフィー技術にお
ける光露光プロセスで、微細パターンを形成する微細パ
ターン形成力法に関するものである。
ける光露光プロセスで、微細パターンを形成する微細パ
ターン形成力法に関するものである。
第４図は従来の微細パターン形成方法を示す断面図であ
り、図において、１は上層バターニング層、２は下層バ
ターニング層、３は基板、４は上層バターニング用マス
ク、５は上層パターニング光、６は下層露光用全面照射
光、７は下層露光時の光学像、８は現像後の下層パター
ンを示す。
り、図において、１は上層バターニング層、２は下層バ
ターニング層、３は基板、４は上層バターニング用マス
ク、５は上層パターニング光、６は下層露光用全面照射
光、７は下層露光時の光学像、８は現像後の下層パター
ンを示す。
次に形成方法について説明する。
まず、第４図（ａｌに示すように、基板３上に平坦化及
びパターニング用の下層レジスト２を形威し、その上に
微細パターン形成及び下層露光時のマスク層となる上層
レジスト１をそれぞれ塗布形威する。
びパターニング用の下層レジスト２を形威し、その上に
微細パターン形成及び下層露光時のマスク層となる上層
レジスト１をそれぞれ塗布形威する。
次に、第４図（ｂｌに示すように、露光マスク４と上層
露光光５を用いて上層レジストｌのパターン形成を行う
。
露光光５を用いて上層レジストｌのパターン形成を行う
。
次いで、第４図（Ｃ）に示すように、下層レジスト２を
露光光６を用いて露光する。上層レジスト１はこの露光
光６に対して吸収を持っており、マスクとしての機能を
持つ。下層露光時の光学像は第４図＋ｄ）の７に示す通
りである。
露光光６を用いて露光する。上層レジスト１はこの露光
光６に対して吸収を持っており、マスクとしての機能を
持つ。下層露光時の光学像は第４図＋ｄ）の７に示す通
りである。
また、下層レジスト現像後のパターンは第４図＋ｅ）の
８に示す通りになる。
８に示す通りになる。
従来の微細パターン形成方法は以上のように構成されて
いるので、上層レジストパターン密度が高くなってくる
と下層レジスト露光時の回折光の光学像のコントラスト
が低下するなどの問題点があった。
いるので、上層レジストパターン密度が高くなってくる
と下層レジスト露光時の回折光の光学像のコントラスト
が低下するなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、下層露光時の光学像のコントラストを向上さ
せることができる微細パターンの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
たもので、下層露光時の光学像のコントラストを向上さ
せることができる微細パターンの形成方法を提供するこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段）
この発明に係る微細パターン形成方法は、ＰＣＭ２層レ
ジストの上層レジストパターンの両側壁部に位相シフタ
材を設け、全面照射により下層レジストの露光を行うよ
うにしたのものである。
ジストの上層レジストパターンの両側壁部に位相シフタ
材を設け、全面照射により下層レジストの露光を行うよ
うにしたのものである。
また、この発明に係る微細パターンの形成方法は、ＰＣ
Ｍ２層レジストの上層レジストと下層レジストとの間に
下層露光光に対して強い吸収をもつ中間膜を形成し、上
層レジストのパターン後、上層レジストパターンをマス
クとしたウェットエツチングにより中間膜をエツチング
するとともにさらにアンダーカットを施し、アンダーカ
ットにより除去された中間腹部分の上部に位置する上層
レジストパターンの両側壁部を位相シフタとして用い、
全面照射により下層レジストの露光を行うようにしたも
のである。
Ｍ２層レジストの上層レジストと下層レジストとの間に
下層露光光に対して強い吸収をもつ中間膜を形成し、上
層レジストのパターン後、上層レジストパターンをマス
クとしたウェットエツチングにより中間膜をエツチング
するとともにさらにアンダーカットを施し、アンダーカ
ットにより除去された中間腹部分の上部に位置する上層
レジストパターンの両側壁部を位相シフタとして用い、
全面照射により下層レジストの露光を行うようにしたも
のである。
また、さらにこの発明に係る微細パターンの形成方法は
、ＰＣＭ２層レジストの上層レジストパターン間の１区
間おきに、下層レジストにくぼみを形威し、このくぼみ
部を位相シックとして用い、全面照射により下層レジス
トの露光を行うようにしたものである。
、ＰＣＭ２層レジストの上層レジストパターン間の１区
間おきに、下層レジストにくぼみを形威し、このくぼみ
部を位相シックとして用い、全面照射により下層レジス
トの露光を行うようにしたものである。
この発明においては、上層レジストパターンの側壁部に
位相シックを形威したため、あるいは上層レジストパタ
ーンの１区間おきに下層レジストにくぼみを設け、そこ
を位相シックとしたため、下層レジストの全面露光時に
下層レジスト露光光の一部が位相反転することとなり、
下層レジスト露光した際の光学像のコントラストを向上
させることができる。
位相シックを形威したため、あるいは上層レジストパタ
ーンの１区間おきに下層レジストにくぼみを設け、そこ
を位相シックとしたため、下層レジストの全面露光時に
下層レジスト露光光の一部が位相反転することとなり、
下層レジスト露光した際の光学像のコントラストを向上
させることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の第１の実施例によるＰＣＭ法リソグラ
フィーにおける微細パターンの形成方法を示す図であり
、図において、１は上層パターニング層、２は下層パタ
ーニング層、３は基板、６は下層露光用全面照射光、７
は下層露光時の光学像、９はシフター材、１０はエッチ
バックのためのプラズマ、１１は上層レジストのワク付
け、１２は光学エネルギー像を示す。
フィーにおける微細パターンの形成方法を示す図であり
、図において、１は上層パターニング層、２は下層パタ
ーニング層、３は基板、６は下層露光用全面照射光、７
は下層露光時の光学像、９はシフター材、１０はエッチ
バックのためのプラズマ、１１は上層レジストのワク付
け、１２は光学エネルギー像を示す。
次に製造方法について説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、基板３上に平坦化、
及びパターニング用の下層レジスト２を形威し、その上
に微細パターン形成時及び下層露光時にマスク層となる
上層レジス）１を塗布形威し、露光マスク（図示せず）
及び上層露光光（図示せず）を用いて上層レジスト１の
パターニングを行つＯ 次に、第１図（′ｂ）に示すように、上層レジスト１の
パターニング後、ＣＶＤ法により基板全面にＳｉ３Ｎ４
等のシフター材９を形成する。
及びパターニング用の下層レジスト２を形威し、その上
に微細パターン形成時及び下層露光時にマスク層となる
上層レジス）１を塗布形威し、露光マスク（図示せず）
及び上層露光光（図示せず）を用いて上層レジスト１の
パターニングを行つＯ 次に、第１図（′ｂ）に示すように、上層レジスト１の
パターニング後、ＣＶＤ法により基板全面にＳｉ３Ｎ４
等のシフター材９を形成する。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、全面エッチバック１
０を行って上層レジストパターンに側壁１１を形成する
。ここで、この側壁の膜厚ｄを、λ にすることにより、ここを通る光の位相を１８０＠反転
させる。ここで、ｎはシフター材９の屈折率、λは後の
工程で用いる下層レジスト露光光６の波長である。
０を行って上層レジストパターンに側壁１１を形成する
。ここで、この側壁の膜厚ｄを、λ にすることにより、ここを通る光の位相を１８０＠反転
させる。ここで、ｎはシフター材９の屈折率、λは後の
工程で用いる下層レジスト露光光６の波長である。
そして、第１図（ｄ）に示すように、この上層パターン
１及び上層側壁１１をマスクとして下層レジスト２を露
光する。シスター材により形成された上層の側壁部１１
を通る光は、上層パターン部ｌを通る光に対して１８０
”位相が反転するので、光学像７及び光学エネルギー像
１２の分布は第１図（ｄｌに示すようになり、コントラ
ストが向上する。
１及び上層側壁１１をマスクとして下層レジスト２を露
光する。シスター材により形成された上層の側壁部１１
を通る光は、上層パターン部ｌを通る光に対して１８０
”位相が反転するので、光学像７及び光学エネルギー像
１２の分布は第１図（ｄｌに示すようになり、コントラ
ストが向上する。
但し、このシフタ材９は下層２をＤｅｅｐＵＶ光。
エキシマレーザ等によって全面露光した際に、これらの
光を吸収しないＳ ｉｉＮ ａ膜等の材質を選択する。
光を吸収しないＳ ｉｉＮ ａ膜等の材質を選択する。
また、このシックにはわずかな色素等の吸収材を添加し
てもよく、この色素材の量により、さらに光学像のコン
トロールを行うことができる。
てもよく、この色素材の量により、さらに光学像のコン
トロールを行うことができる。
また、上記実施例では上層パターンの側壁に位相シフト
部を形成するようにしたが、上層の側壁自身を位相シッ
クとして利用してもよく、以下にその例を示す。
部を形成するようにしたが、上層の側壁自身を位相シッ
クとして利用してもよく、以下にその例を示す。
即ち、第２図は本発明の第２の実施例によるＰＣＭ法リ
ソグラフィーにおける微細パターンの形成方法を示す図
であり、図において、第１図と同一符号は同一部分を示
し、１３はＣｒ、ＭｏＳｉ等の中間膜、１４はウェット
エッチにより形成された中間膜である。以下、製造方法
について説明する。
ソグラフィーにおける微細パターンの形成方法を示す図
であり、図において、第１図と同一符号は同一部分を示
し、１３はＣｒ、ＭｏＳｉ等の中間膜、１４はウェット
エッチにより形成された中間膜である。以下、製造方法
について説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、基板３上に平坦化、
及びパターニング用のＰＭＣＩレジスト等の下層レジス
ト２を塗布した後、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｓ ｉ。
及びパターニング用のＰＭＣＩレジスト等の下層レジス
ト２を塗布した後、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｓ ｉ。
Ｗ等の光を透過しない金属あるいは金属シリサイド膜等
の中間膜１１をスパッタ等の方法で形成し、その上に微
細パターン形成時及び下層露光時にマスク層となるＰＭ
ＭＡあるいはＰＭＣＩ等の上層レジスト１をコーティン
グ塗布する。ここで、この上層レジスト１の膜厚ｄは、 λ 但し、ｎは上層レジストｌであるＰＭＭＡレジストある
いはＰＭＧＩレジストの屈折率、λは露光光の波長であ
る。
の中間膜１１をスパッタ等の方法で形成し、その上に微
細パターン形成時及び下層露光時にマスク層となるＰＭ
ＭＡあるいはＰＭＣＩ等の上層レジスト１をコーティン
グ塗布する。ここで、この上層レジスト１の膜厚ｄは、 λ 但し、ｎは上層レジストｌであるＰＭＭＡレジストある
いはＰＭＧＩレジストの屈折率、λは露光光の波長であ
る。
次に第２図（ｂ）に示すように、上層レジスト１をＤｅ
ｅｐＵＶ、エキシマレーザ等によりパターニングする。
ｅｐＵＶ、エキシマレーザ等によりパターニングする。
その後、第２図（Ｃ）に示すように、パターニングした
上層レジスト１をマスクとして中間金属膜１３をウェッ
トエツチングにより除去し、アンダーカットを施す。そ
して、このアンダーカットされた領域の上層レジスト１
を１８０°位相シフターとして用いる。
上層レジスト１をマスクとして中間金属膜１３をウェッ
トエツチングにより除去し、アンダーカットを施す。そ
して、このアンダーカットされた領域の上層レジスト１
を１８０°位相シフターとして用いる。
このような本実施例においても上記実施例と同様に、上
層レジスト１の側壁部に位相シフタが形成されることと
なるので、ＤｅｅｐＵＶ、エキシマレーザ等により下層
レジスト２を全面露光した際には、光学像７及び光学エ
ネルギー１２の分布は第２図（Ｃ）に示すようになり、
コントラストの向上を図ることができる。
層レジスト１の側壁部に位相シフタが形成されることと
なるので、ＤｅｅｐＵＶ、エキシマレーザ等により下層
レジスト２を全面露光した際には、光学像７及び光学エ
ネルギー１２の分布は第２図（Ｃ）に示すようになり、
コントラストの向上を図ることができる。
なお、上記実施例では中間膜１３をスパッタ等の方法に
より形成したが、この中間膜１３は蒸着。
より形成したが、この中間膜１３は蒸着。
コーティング等の方法により形成した膜（但し、露光光
に吸収のあるもの）であってもよく、上記実施例と同様
の効果が得られる。
に吸収のあるもの）であってもよく、上記実施例と同様
の効果が得られる。
また、以上の実施例では上層パターンの側壁を位相シフ
ト部として利用するようにしたが、該位相シフト部は下
層に設けてもよく、以下にその例を示す。
ト部として利用するようにしたが、該位相シフト部は下
層に設けてもよく、以下にその例を示す。
即ち、第３図は本発明の第３の実施例によるＰＣＭレジ
ストの微細パターン形成方法を示す図であり、図におい
て、第１図と同一符号は同一部分を示し、Ｉ５はシフタ
一部形成のための露光用のマスク、１６は下層レジスト
２上に形成されたシフタ部である。
ストの微細パターン形成方法を示す図であり、図におい
て、第１図と同一符号は同一部分を示し、Ｉ５はシフタ
一部形成のための露光用のマスク、１６は下層レジスト
２上に形成されたシフタ部である。
次に製造方法について説明する。
まず、第３図（ａｌに示すように、上記実施例と同様に
、基板３上に平坦化、及びパターニング用の下層レジス
ト２を形成し、その上に微細パターン形成、及び下層露
光時のマスク層となる上層レジスト１をそれぞれ順次塗
布形成する。
、基板３上に平坦化、及びパターニング用の下層レジス
ト２を形成し、その上に微細パターン形成、及び下層露
光時のマスク層となる上層レジスト１をそれぞれ順次塗
布形成する。
次に第３図（ｂ）に示すように、露光マスク４と上層露
光光５を用いて上層レジスト１をパターニングする。
光光５を用いて上層レジスト１をパターニングする。
その後、第３図（Ｃ）に示すように、上層パターンの１
区間おきに露光用マスター５を設け、該マスク１５を用
いて露光法により下層２にくぼみ１６を形成する。ここ
で、該くぼみの深さｄは、λ とする。但し、ｎはシフターの屈折率、λはリフグラフ
ィー光の波長を示す。
区間おきに露光用マスター５を設け、該マスク１５を用
いて露光法により下層２にくぼみ１６を形成する。ここ
で、該くぼみの深さｄは、λ とする。但し、ｎはシフターの屈折率、λはリフグラフ
ィー光の波長を示す。
このように形成したものに、第３図（ｄ）に示すように
下層露光のため、上層レジストパタン−をマスクとして
全面に光６を照射すると、下層レジストのくぼみ部工６
の所で１８０°の位相シフトが発生し、くぼみを形成し
ていない所とは位相が反転する。従って、下層露光時の
光学像は７、光学エネルギーは１２に示すとおりとなり
、コントラストのよいものが得られ、下層レジスト現像
後のパターニング精度を向上できる。
下層露光のため、上層レジストパタン−をマスクとして
全面に光６を照射すると、下層レジストのくぼみ部工６
の所で１８０°の位相シフトが発生し、くぼみを形成し
ていない所とは位相が反転する。従って、下層露光時の
光学像は７、光学エネルギーは１２に示すとおりとなり
、コントラストのよいものが得られ、下層レジスト現像
後のパターニング精度を向上できる。
以上のように、この発明によれば、上層レジストパター
ン形成後に該上層パターンの両側壁に位相シスフ材を設
けてこれを位相シフト部としたため、また、下層レジス
トと上層レジストとの間に露光光に対して強い吸収を示
す中間層を設け、エツチングによる上層レジストのパタ
ーニング後、ウエットエッチにより中間層をエツチング
し、さらにアンダーカットを施して、上層レジストパタ
ーンの両側壁を位相シフト部として利用したので、また
、さらには、上層レジストパターン形成後に上層レジス
トパターンの１区間おきに露光法により下層レジストに
くぼみを設け、該くぼみを位相シフト部として利用した
ので、ＰＣＭリソグラフィー法における下層レジスト露
光時に光学像のコントラストを向上でき、矩形性の高い
レジスト像が得られる効果がある。
ン形成後に該上層パターンの両側壁に位相シスフ材を設
けてこれを位相シフト部としたため、また、下層レジス
トと上層レジストとの間に露光光に対して強い吸収を示
す中間層を設け、エツチングによる上層レジストのパタ
ーニング後、ウエットエッチにより中間層をエツチング
し、さらにアンダーカットを施して、上層レジストパタ
ーンの両側壁を位相シフト部として利用したので、また
、さらには、上層レジストパターン形成後に上層レジス
トパターンの１区間おきに露光法により下層レジストに
くぼみを設け、該くぼみを位相シフト部として利用した
ので、ＰＣＭリソグラフィー法における下層レジスト露
光時に光学像のコントラストを向上でき、矩形性の高い
レジスト像が得られる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による微細パターン形
成方法を示す断面側面図、第２図はこの発明の第２の実
施例による微細パターン形成力法を示す断面側面部、第
３図はこの発明の第３の実施例による微細パターン形成
方法を示す断面側面図、第４図は従来の微細パターン形
成方法を示す図である。 図中、ｌは上層パターニング層、２は下層バターニンク
層、３は基板、４は上層パターニング用マスク、５は上
層パターニング光、６は下層露光用全面照射光、７は下
層露光時の光学像、８は現像後の下層パターン、９はシ
フタ材、１ｏはエッチバックプラズマ、１１は上層レジ
ストのワタ付け、１２は光学エネルギー像、１３は中間
膜、１５はシフタ一部露光用マスク、１６は下層レジス
ト上のシフタ部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
成方法を示す断面側面図、第２図はこの発明の第２の実
施例による微細パターン形成力法を示す断面側面部、第
３図はこの発明の第３の実施例による微細パターン形成
方法を示す断面側面図、第４図は従来の微細パターン形
成方法を示す図である。 図中、ｌは上層パターニング層、２は下層バターニンク
層、３は基板、４は上層パターニング用マスク、５は上
層パターニング光、６は下層露光用全面照射光、７は下
層露光時の光学像、８は現像後の下層パターン、９はシ
フタ材、１ｏはエッチバックプラズマ、１１は上層レジ
ストのワタ付け、１２は光学エネルギー像、１３は中間
膜、１５はシフタ一部露光用マスク、１６は下層レジス
ト上のシフタ部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）ＰＣＭ（ＰｏｒｔａｂｌｅＣｏｎｆｏｒｍａｂｌ
ｅＭａｓｋ）リソグラフィ技術の光露光プロセスにおけ
る微細パタン形成方法において、 ＰＣＭレジストの上層レジストパターンの両側壁部に位
相シック材を設け、 上記上層レジストパターン及び上記位相シフタ材をマス
クとして下層レジストの露光を行うことを特徴とする微
細パターン形成方法。 - （２）ＰＣＭリソグラフィ技術の光露光プロセスにおけ
る微細パターンの形成方法において、ＰＣＭレジストの
上層レジストと下層レジストとの間に下層露光光に対し
て強い吸収をもつ中間膜を形成し、 上記上層レジストのパターン後、該上層レジストパター
ンをマスクとしたウェットエッチングにより上記中間膜
をエッチングするとともにさらに該中間膜にアンダーカ
ットを施し、 該アンダーカットにより除去された中間腹部分の上部に
位置する上層レジストパターンの両側壁部を位相シック
として用い、全面照射により上記下層レジストの露光を
行うことを特徴とする微細パターン形成方法。 - （３）ＰＣＭリソグラフィー技術の光露光プロセスにお
ける微細パターンの形成方法において、ＰＣＭレジスト
の上層レジストパターン間の１区間おきに、下層レジス
トにくぼみを形成し、該下層レジストのくぼみ部を位相
シックとして用い、全面照射により下層レジストの露光
を行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058833A JPH03259257A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2058833A JPH03259257A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03259257A true JPH03259257A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13095653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2058833A Pending JPH03259257A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03259257A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330862A (en) * | 1991-06-07 | 1994-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming resist mask pattern by light exposure having a phase shifter pattern comprising convex forms in the resist |
| JP2009278091A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法 |
| JP2010507906A (ja) * | 2006-10-23 | 2010-03-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | パターン化された材料層を形成する方法 |
| JP2011114125A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Toshiba Corp | 露光方法および露光装置 |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2058833A patent/JPH03259257A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330862A (en) * | 1991-06-07 | 1994-07-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming resist mask pattern by light exposure having a phase shifter pattern comprising convex forms in the resist |
| JP2010507906A (ja) * | 2006-10-23 | 2010-03-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | パターン化された材料層を形成する方法 |
| JP2009278091A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ方法 |
| JP2011114125A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Toshiba Corp | 露光方法および露光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5480047A (en) | Method for forming a fine resist pattern | |
| US5437947A (en) | Phase shifting mask and method of manufacturing the same | |
| US5932378A (en) | Phase shifting photomask fabrication method | |
| JP2500050B2 (ja) | リム型の位相シフト・マスクの形成方法 | |
| WO2001001198A1 (en) | Phase-shift photomask for patterning high density features | |
| JP3566042B2 (ja) | 露光量調節による位相反転マスクの製造方法 | |
| JP2003315979A (ja) | 集積回路用露光マスク及びその形成方法 | |
| TWI501024B (zh) | 微影術遮罩及其製造方法 | |
| KR0127662B1 (ko) | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 | |
| EP1361478B1 (en) | Method of manufacturing phase shift mask and phase shift mask | |
| JP2003005344A (ja) | ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2002318449A (ja) | 位相シフト・マスク | |
| KR100192360B1 (ko) | 위상 반전 마스크 제조방법 | |
| TW200933223A (en) | Method for preparing photonic crystal slab waveguides | |
| US5804338A (en) | Photolithography masks including phase-shifting layers and related methods and structures | |
| JP2942818B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2624351B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JP2652341B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JP2681610B2 (ja) | リソグラフイマスクの製造方法 | |
| JP3130335B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH05249649A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| KR0127659B1 (ko) | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 | |
| KR19990065144A (ko) | 반도체 소자의 투과율 조절 마스크 제조 방법 | |
| KR0127660B1 (ko) | 반도체 소자의 위상반전 마스크 제조방법 | |
| KR970009826B1 (ko) | 하프톤(Half-Tone)형 위상반전마스크 형성방법 |