JPH03262684A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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Publication number
JPH03262684A
JPH03262684A JP2061091A JP6109190A JPH03262684A JP H03262684 A JPH03262684 A JP H03262684A JP 2061091 A JP2061091 A JP 2061091A JP 6109190 A JP6109190 A JP 6109190A JP H03262684 A JPH03262684 A JP H03262684A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
erasing
recording medium
antimony
ratio
optical disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2061091A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Ishida
明 石田
Yasuyuki Goto
康之 後藤
Iwao Tsugawa
津川 岩雄
Nagaaki Etsuno
越野 長明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2061091A priority Critical patent/JPH03262684A/ja
Publication of JPH03262684A publication Critical patent/JPH03262684A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 光記録媒体に関し、より詳しく述べるならば、レーザ光
を照射して加熱することにより記録媒体の結晶状態を可
逆的に変化させて記録・消去を行うことが出来る書換え
可能な相変化型光記録媒体に関し、 消去速度を速くしかつ記録データの信号品質を良好に保
ったInSb系光記録媒体を提供することを目的とし、 インジウム−アンチモン(In+ xSbx”)相変化
型書換え可能光ディスクにおいて、アンチモンの組成比
“x″が0.5〜0.53でありかつ酸化バナジウム(
VO2)が5〜15at%添加されているように構成す
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光記録媒体に関し、より詳しく述べるならば
、レーザ光を照射して加熱することにより記録媒体の結
晶状態を可逆的に変化させ、これに対応して該記録媒体
の光反射率が変化することを利用して記録・消去を行う
ことが出来る書換え可能な相変化型光記録媒体に関する
。
光ディスクに用いられるこのような書換え可能な光記録
媒体はデータの記録の機能にデータの消去の機能を付加
し、かつデータの処理速度を上げるためデータの消去を
短時間に行えるようにしている。そのために、ややもす
れば記録データの保存に問題があり、搬送波対雑音(C
/N比)が低くなり、信号品質と消去速度の両立が不十
分であった。
〔従来の技術〕
相変化型光記録媒体として、InSb薄膜を用いた光デ
ィスクが既に知られており、この言己録媒体の記録デー
タの保存寿命を改善するために酸化ゲルマニウム(Ge
O7)を添加することを本出願人は特願平1−1461
65号(平成1年6月8日出願日)にて提案した。
InSb系薄膜を記録膜として光ディスクは、例えば、
ガラス基板と、その上のトラック溝のあるホトポリマー
下地保護膜と、InSbないしGeO□添加InSbの
記録膜と、該記録膜上のホトポリマー上地保護とからな
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
データを書換えるために、−度消去する必要があり、そ
のためには、レーザー出力を書き込みの高出力と読み出
しの低出力との中間で結晶化レベルにして照射する。デ
ータを消去するのに、従来のInSb系記録媒体では信
号品質が悪く、消去レーザーを同じ箇所に数回照射しな
ければならず、消去に時間がかかっていた。
本発明の目的は、消去速度を速くしかつ記録データの信
号品質を良好に保ったrnsb系光記緑光記録媒体する
ことである。
〔課題を解決するための手段〕
上述の目的が、インジウム−アンチモン(Ir++−X
Sbx)相変化型書換え可能光ディスクにおいて、いる
ことを特徴とする光記録媒体によって達成される。
〔作 用〕
InSbに酸化バナジウム(VO2)を添加すると、I
nSbの結晶回復を促進して後述するように2回の消去
レーザー照射で記録データが消去できかつ次に書き込ん
だときのC/N比が42dB以上となる。
〔実施例〕
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例および比較
例を含む実験によって、本発明の詳細な説明する。
η VL添加量を変えたInSb薄膜を有する光ディスクを
次のようにして作製した。
ガラス基板上に、トラック案内溝を有するホトポリマー
(2p)の下地保護膜を形成した。これを電子ビーム(
EB)蒸着装置のチャンバー内に入れ、該チャンバーを
真空にした後で、それぞれ別のるつぼに入れたIn、S
b及びVO2を電子ビームで同時に加熱して蒸発させる
。その結果、下地保護膜上にVO□が添加された(In
l−xstlx) I−y(VO2)y記録膜を形成し
た。その際に、(1) InSbの組成比をIn4sS
b5.一定にして、vO□添加量を変化させた(In4
9Sls+) +−y(V[Iz)y膜を形成しく第1
図に対応)、および(2) VO2添加量を一定にして
、sb割合を変化させた(In、−,5t)x)so(
Vl]。) to膜を形成した(第2図に対応)。
次に、EB蒸着装置から基板を取り出してから、記録膜
の上にホトポリマーの上地保護膜を形成して、光ディス
クを完成させた。
このようにして作製した光ディスクに下記条件でレーザ
光を照射して書き込みを行なった。
レーザーパ”7−:8.QmW 照射周波数+ 0.4MH2 光デイスク回転(周速11.6m/S 次に、書き込んだデータを、同じ回転速度の光ディスク
にパワー1.5mWのレーザーを照射して読み出し、こ
のときのC/N比は組成(In49Sl)SI)90(
VO□) toの記録膜の場合で44dBであった。そ
れぞれの光ディスクについて同じく読み出しを行なって
、得られたC/N比を第1図および第2図に示す。なお
、vO□を添加しない1nassb5+記録膜ではC/
N比が35dBであった。
書き込んだデータを消去するために、パワー4mVのレ
ーザーを照射して、その消去に必要な消去照射回数を調
べ、その結果をも第1図および第2図に示す。ここでの
データ消去とは、消去したデータを上述の読み出しを行
なったときに15dB以下になっていることである。組
成(Tna9Sbs+)g。
(VI]2)10の記録膜で2回消去照射によってC/
Nが11dBとなり、33dBも消去されたことになる
。
第1図および第2図かられかるように、C/N比が42
dB以上であるのは、(Ins9Sbs+) +−y(
VOa)yの“y”が0.05〜0.15 (すなわち
、5at%〜15at%)の範囲であるとき、そして、
(In 1−xsbx) s。
(7口、)1oの“x”が0.5〜0.53 (50a
t%〜53at%)の範囲であるときである。これらの
範囲では、また、消去照射回数も2回(ないし3回)で
範囲外よりも少ない。
〔発明の効果〕
上述のように、本発明によれば、InSbにvO□を添
加した光記録媒体はC/N比が向上しかつ消去照射回数
の少ない(すなわち、消去時間低減で消去速度の向上が
図れる。これによって光ディスクの性能を向上すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、光記録媒体が(InasSbs+) I−y
(V[]z)yの場合の、組成比“y”と光ディスクと
してのC/N比および消去照射回数との関係を表わすグ
ラフであり、 第2図は、光照射媒体が(In、 xsbx)so(V
ow)t。 の場合の、組成比“x”と光ディスクとしてのC/N比
および消去照射回数との関係を表わすグラフである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、インジウム−アンチモン(In_1_−_xSb_
    x)相変化型書換え可能光ディスクにおいて、アンチモ
    ンの組成比“x”が0.5〜0.53でありかつ酸化バ
    ナジウム(VO_2)が5〜15at%添加されている
    ことを特徴とする光記録媒体。
JP2061091A 1990-03-14 1990-03-14 光記録媒体 Pending JPH03262684A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2061091A JPH03262684A (ja) 1990-03-14 1990-03-14 光記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2061091A JPH03262684A (ja) 1990-03-14 1990-03-14 光記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03262684A true JPH03262684A (ja) 1991-11-22

Family

ID=13161065

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JP2061091A Pending JPH03262684A (ja) 1990-03-14 1990-03-14 光記録媒体

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JP (1) JPH03262684A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660451B1 (en) * 1999-06-18 2003-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
US7169533B2 (en) 2001-03-19 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method
DE112005003789T5 (de) 2005-12-09 2008-12-18 Gwang Bok Iksan Hwang Dekorationsverfahren für Keramik

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660451B1 (en) * 1999-06-18 2003-12-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium
US7169533B2 (en) 2001-03-19 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, method for manufacturing the same and recording/reproduction method
DE112005003789T5 (de) 2005-12-09 2008-12-18 Gwang Bok Iksan Hwang Dekorationsverfahren für Keramik

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