JPH03263626A - 光学情報記録再生消去部材 - Google Patents
光学情報記録再生消去部材Info
- Publication number
- JPH03263626A JPH03263626A JP2061468A JP6146890A JPH03263626A JP H03263626 A JPH03263626 A JP H03263626A JP 2061468 A JP2061468 A JP 2061468A JP 6146890 A JP6146890 A JP 6146890A JP H03263626 A JPH03263626 A JP H03263626A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- recording
- thin film
- reproducing
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザビーム等により、情報を高密度、大容量
で記録再生及び消去できる光学情報記録再生消去部材に
関するものであも 従来の技術 光デイスクメモリに関してＩｔ、 ＴｅとＴｅＯ２を
主成分とするＴｅ０ｘ（０＜ ｘ＜ ２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがあも さらにレーザ光により記
録薄膜を加熱し 溶！ＩＬ、％ 急冷することにより、
非晶質化して情報を記録し またこれを加熱し徐冷する
ことにより結晶化して消去することができる材料として
Ｓ、ＲｏＯｖｓｈｉｎｓｋｙ （ニス・アール・オプシ
ンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋５Ｔｅｓ＋５ｂ
ａＳ２等が知られている。まＬ Ａｓ２Ｓ３やＡｓ２
Ｓｅｓあるいは５ｂ２Ｓｅｔ等カルコゲン元素と周期
律表第Ｖ族あるいはＧｅ等の第■族元素等の組み合せか
らなる記録薄膜等が広く知られていも これらの記録薄
膜をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板に形成し 光デ
ィスクとして用いることができも これらのディスクに
レーザ光で情報を記録し その情報を消去する方法と゛
してはあらかじめ記録薄膜を結晶化させておき、これに
直径約１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応させて強度
変調を施し 例えば円盤状の記録ディスクを回転せしめ
て照射した場合、このピークパワーレーザ光照射部位（
上 記録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し 非晶質
化したマークとして情報の記録がおこなえる。またこの
変調バイアスパワーレーザ光照射部位は 記録薄膜の結
晶化温度以上に昇温し 低記録信号情報を消去する働き
があリオーバライトできも このように記録薄膜はレー
ザ光によって融点以上に昇温し また結晶化温度以上に
昇温されるこのため記録薄膜の両側に耐熱性のすぐれた
誘電体層を、基板および接着層に対する保護層として設
けるのが一般的であもこの誘電体層の特性、すなわち熱
伝導特性あるいは熱膨張係数等の特性によって記録・消
去特法繰り返し特性が左右されるものであん このため
誘電体の材質あるいは層構成によって記録・消去の特性
繰り返し特性を向上させることができるものであも 発明が解決しようとする課題 記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温徐冷結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な
オーバライド記録媒体における第一の課題は消去詩法
第二の課題は記録消去の繰り返し特性であａ 消去特性
についてはＴｅを含む非晶質膜（よ その融点は代表的
なもので４００℃から９００℃と広い温度範囲にあるこ
れらの記録薄膜にレーザ光を照射し 昇温徐冷すること
により結晶化か行える。この温度は一般的に融点より低
い結晶化温度領域である。またこの結晶化した膜に高い
パワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱す
るとその部分は溶融し急冷上 再び非晶質化してマーク
が形成できも 記録マークとして非晶質化を選ぶと、こ
のマークは記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるかム 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅か向上す為 冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺では非晶質化の程度に差が発生すも
次に結晶化消去に際してｇ＆ レーザ光の照射により
、既に記録が行われている非晶質マーク部を結晶化温度
以上に昇温し 結晶化させてこのマークを消去する。こ
の時、マークの非晶質状態が均一な場合（ｉ 均一に結
晶化されやすくなり消去特性が向上する力文 マークの
非晶質状態が不均一な場合（よ 結晶化消去の状態が不
均一となって消去特性が低下すると言った課題があっ１
． 記録・消去の繰り返し特性については急速な加熱
冷却の多数回の繰り返しによるディスク基板あるいは
誘電体層の熱的な損傷がある。ディスク基板あるいは誘
電体層が熱的な損傷を受けた場合、記録・消去の繰り返
しにおいて、ノイズの増大を生じ特性の劣化が発生する
という課題があっ九 本発明の目的は記録消去特性に優
れ 繰り返し特性の安定な光ディスクを提供することで
ある。
で記録再生及び消去できる光学情報記録再生消去部材に
関するものであも 従来の技術 光デイスクメモリに関してＩｔ、 ＴｅとＴｅＯ２を
主成分とするＴｅ０ｘ（０＜ ｘ＜ ２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがあも さらにレーザ光により記
録薄膜を加熱し 溶！ＩＬ、％ 急冷することにより、
非晶質化して情報を記録し またこれを加熱し徐冷する
ことにより結晶化して消去することができる材料として
Ｓ、ＲｏＯｖｓｈｉｎｓｋｙ （ニス・アール・オプシ
ンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ＋５Ｔｅｓ＋５ｂ
ａＳ２等が知られている。まＬ Ａｓ２Ｓ３やＡｓ２
Ｓｅｓあるいは５ｂ２Ｓｅｔ等カルコゲン元素と周期
律表第Ｖ族あるいはＧｅ等の第■族元素等の組み合せか
らなる記録薄膜等が広く知られていも これらの記録薄
膜をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板に形成し 光デ
ィスクとして用いることができも これらのディスクに
レーザ光で情報を記録し その情報を消去する方法と゛
してはあらかじめ記録薄膜を結晶化させておき、これに
直径約１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応させて強度
変調を施し 例えば円盤状の記録ディスクを回転せしめ
て照射した場合、このピークパワーレーザ光照射部位（
上 記録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し 非晶質
化したマークとして情報の記録がおこなえる。またこの
変調バイアスパワーレーザ光照射部位は 記録薄膜の結
晶化温度以上に昇温し 低記録信号情報を消去する働き
があリオーバライトできも このように記録薄膜はレー
ザ光によって融点以上に昇温し また結晶化温度以上に
昇温されるこのため記録薄膜の両側に耐熱性のすぐれた
誘電体層を、基板および接着層に対する保護層として設
けるのが一般的であもこの誘電体層の特性、すなわち熱
伝導特性あるいは熱膨張係数等の特性によって記録・消
去特法繰り返し特性が左右されるものであん このため
誘電体の材質あるいは層構成によって記録・消去の特性
繰り返し特性を向上させることができるものであも 発明が解決しようとする課題 記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温徐冷結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な
オーバライド記録媒体における第一の課題は消去詩法
第二の課題は記録消去の繰り返し特性であａ 消去特性
についてはＴｅを含む非晶質膜（よ その融点は代表的
なもので４００℃から９００℃と広い温度範囲にあるこ
れらの記録薄膜にレーザ光を照射し 昇温徐冷すること
により結晶化か行える。この温度は一般的に融点より低
い結晶化温度領域である。またこの結晶化した膜に高い
パワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱す
るとその部分は溶融し急冷上 再び非晶質化してマーク
が形成できも 記録マークとして非晶質化を選ぶと、こ
のマークは記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるかム 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅か向上す為 冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺では非晶質化の程度に差が発生すも
次に結晶化消去に際してｇ＆ レーザ光の照射により
、既に記録が行われている非晶質マーク部を結晶化温度
以上に昇温し 結晶化させてこのマークを消去する。こ
の時、マークの非晶質状態が均一な場合（ｉ 均一に結
晶化されやすくなり消去特性が向上する力文 マークの
非晶質状態が不均一な場合（よ 結晶化消去の状態が不
均一となって消去特性が低下すると言った課題があっ１
． 記録・消去の繰り返し特性については急速な加熱
冷却の多数回の繰り返しによるディスク基板あるいは
誘電体層の熱的な損傷がある。ディスク基板あるいは誘
電体層が熱的な損傷を受けた場合、記録・消去の繰り返
しにおいて、ノイズの増大を生じ特性の劣化が発生する
という課題があっ九 本発明の目的は記録消去特性に優
れ 繰り返し特性の安定な光ディスクを提供することで
ある。
課題を解決するための手段
本発明は記録薄膜と、該記録薄膜の両側に誘電体層を積
層した光学情報記録再生消去部材であって、透明基板の
一方の面に 第一の誘電体層 記録薄膜 第二の誘電体
層 第二の誘電体層と異なる材質の第三の誘電体層 反
射層を順次形威し第三の誘電体層を第１ 第二の誘電体
層より、熱膨張係数の小さい材質にす衣 あるいは第二
の誘電体層を第ス 第三の誘電体層より熱膨張係数の小
さな材料で構成にするものであも 作用 すなわち熱膨張係数の小さな誘電体層を第二の誘電体層
と反射層の間に設けて第三の誘電体層を形成すること、
あるいは記録薄膜と第三の誘電体層の間に設けて第二の
誘電体層を形成することによって、記録・消去時の記録
薄膜の熱による記録薄膜の両側の誘電体層の熱変形を小
さくすることができるものであム これらの誘電体層の
熱変形は永久的なものではなく、レーザ光が照射された
瞬間だけ加熱されて膨張し レーザが照射されていない
時は冷却されて元の状態に戻ることを繰り返すものであ
ａ この誘電体層の脈動がディスクの回転方向が一定で
あるために 記録薄膜をディスクの回転方向に移動させ
ることになって、繰り返し特性を劣化させることになる
ものであも これに対して熱膨張係数の小さな誘電体層
を一層設けることによって、記録薄膜の両側の誘電体層
の熱変形を小さくすることができて繰り返し特性を改善
することができるものであも 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において１はディスク基板でポリカーボネイト等の
樹脂基板からなっていも このディスク基板１はあらか
じめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるいはフ
ォトポリマーを用いた いわゆる２Ｐ法で溝を形成した
ガラス板 ガラス板に直接溝を形成した基板であっても
よし１２は第一の誘電体層で耐熱性に優れたＺｎＳを主
成分とした材質からなっており膜厚は約１５０ｎＩＩｌ
である。
層した光学情報記録再生消去部材であって、透明基板の
一方の面に 第一の誘電体層 記録薄膜 第二の誘電体
層 第二の誘電体層と異なる材質の第三の誘電体層 反
射層を順次形威し第三の誘電体層を第１ 第二の誘電体
層より、熱膨張係数の小さい材質にす衣 あるいは第二
の誘電体層を第ス 第三の誘電体層より熱膨張係数の小
さな材料で構成にするものであも 作用 すなわち熱膨張係数の小さな誘電体層を第二の誘電体層
と反射層の間に設けて第三の誘電体層を形成すること、
あるいは記録薄膜と第三の誘電体層の間に設けて第二の
誘電体層を形成することによって、記録・消去時の記録
薄膜の熱による記録薄膜の両側の誘電体層の熱変形を小
さくすることができるものであム これらの誘電体層の
熱変形は永久的なものではなく、レーザ光が照射された
瞬間だけ加熱されて膨張し レーザが照射されていない
時は冷却されて元の状態に戻ることを繰り返すものであ
ａ この誘電体層の脈動がディスクの回転方向が一定で
あるために 記録薄膜をディスクの回転方向に移動させ
ることになって、繰り返し特性を劣化させることになる
ものであも これに対して熱膨張係数の小さな誘電体層
を一層設けることによって、記録薄膜の両側の誘電体層
の熱変形を小さくすることができて繰り返し特性を改善
することができるものであも 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において１はディスク基板でポリカーボネイト等の
樹脂基板からなっていも このディスク基板１はあらか
じめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるいはフ
ォトポリマーを用いた いわゆる２Ｐ法で溝を形成した
ガラス板 ガラス板に直接溝を形成した基板であっても
よし１２は第一の誘電体層で耐熱性に優れたＺｎＳを主
成分とした材質からなっており膜厚は約１５０ｎＩＩｌ
である。
３は記録薄膜でＴｅ−Ｇｅ−３ｂからなる合金薄膜であ
り膜厚は約３０ｎｍである。 ４は第二の誘電体層で、
第一の誘電体層と同じ材質からなっており膜厚は約２０
ｎｍである。５は第三の誘電体層で、熱膨張係数の小さ
い５ｉＯ２（熱膨張係数０．４５ｘ １０−’に一層）
からなっており膜厚は約２０ｎｍであ７）。 ６はＡＩ
からなる反射層で膜厚は約６０ｎｍである。これらの薄
膜の形成方法としてＧＥＬ 真空蒸着あるいはスパッ
タ法が使用できる。７は保護板で接着剤８によってディ
スク基板１に貼り合わせている。第１図の構成において
記録・消去及び再生は矢印９の方向より、情報に応じて
強度変調を施したレーザ光を照射して、また反射光を検
出して行うものであも ここで前記したように熱膨張係
数の小さな第三の誘電体層５を設けていることによって
、記録 消去の繰り返しで発生する第二 第二の誘電体
層２、４の熱変形による脈動を抑制することになって繰
り返し特性を大幅に改善することができるものであも徹
第二の誘電体層４と第三の誘電体層５の材質が入れか
わっても同様の効果を得られるものである。また第二の
誘電体層４と第三の誘電体層５の膜厚を合わせて約４０
ｎｍと薄くしている力交 これによって熱拡散層となる
反射層６と記録薄膜３が近くなり記録・消去時の記録薄
膜３の熱が急速に反射層６に伝達されることになり、記
録薄膜３を急冷する上で効果があるものであり、この記
録薄膜３と反射層６の間の誘電体層の材質と膜厚で冷却
速度を制御することができるものであム 本実施例のデ
ィスク構成で、外形１３０ｎａ １８ＱＯｒｐｒｎ回
伝線速度８ ｍ／ｓｅｃでｆｌ−３，４３ＭＨｚの信号
ｆ２−１．０ＭＨｚの信号のオーバーライド特性を測定
し九 オーバーライド（よ １個のサークルスポットで
直径約Ｉμｍのレーザ光により、高いパワーレベル１ロ
ｍＷ、低いパワーレベル８ｍ＋１の間の変調で、高いパ
ワーレベルで非晶質化マークを形８．シ 低いパワー
レベルで非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録
の方法で行った この結巣 記録信号のＣ／Ｎ比として
ｉ；Ｌ ５５ｄＢ以上が得られ 消去特性として、オ
ーバライド消去率３０ｄＢ以上が得られた オーバライ
ドの繰り返し特性について（よ 特にピットエラーレイ
トの特性を測定した結ＪＪ、 １００００００サイク
ル以上劣化が見られなかっ起 発明の詳細 な説明したように記録薄膜と反射層の間の薄層の誘電体
層を２層にして、いずれかの１層に熱膨張係数の小さい
材料を選び、第二 第三の誘電体層を合わせた膜厚を第
一の誘電体層よりも薄くすることによって以下の効果を
得られるものであも （１）記録・消去時の誘電体層の熱変形による脈動を小
さくできることによって繰り返し特性が向上する。
り膜厚は約３０ｎｍである。 ４は第二の誘電体層で、
第一の誘電体層と同じ材質からなっており膜厚は約２０
ｎｍである。５は第三の誘電体層で、熱膨張係数の小さ
い５ｉＯ２（熱膨張係数０．４５ｘ １０−’に一層）
からなっており膜厚は約２０ｎｍであ７）。 ６はＡＩ
からなる反射層で膜厚は約６０ｎｍである。これらの薄
膜の形成方法としてＧＥＬ 真空蒸着あるいはスパッ
タ法が使用できる。７は保護板で接着剤８によってディ
スク基板１に貼り合わせている。第１図の構成において
記録・消去及び再生は矢印９の方向より、情報に応じて
強度変調を施したレーザ光を照射して、また反射光を検
出して行うものであも ここで前記したように熱膨張係
数の小さな第三の誘電体層５を設けていることによって
、記録 消去の繰り返しで発生する第二 第二の誘電体
層２、４の熱変形による脈動を抑制することになって繰
り返し特性を大幅に改善することができるものであも徹
第二の誘電体層４と第三の誘電体層５の材質が入れか
わっても同様の効果を得られるものである。また第二の
誘電体層４と第三の誘電体層５の膜厚を合わせて約４０
ｎｍと薄くしている力交 これによって熱拡散層となる
反射層６と記録薄膜３が近くなり記録・消去時の記録薄
膜３の熱が急速に反射層６に伝達されることになり、記
録薄膜３を急冷する上で効果があるものであり、この記
録薄膜３と反射層６の間の誘電体層の材質と膜厚で冷却
速度を制御することができるものであム 本実施例のデ
ィスク構成で、外形１３０ｎａ １８ＱＯｒｐｒｎ回
伝線速度８ ｍ／ｓｅｃでｆｌ−３，４３ＭＨｚの信号
ｆ２−１．０ＭＨｚの信号のオーバーライド特性を測定
し九 オーバーライド（よ １個のサークルスポットで
直径約Ｉμｍのレーザ光により、高いパワーレベル１ロ
ｍＷ、低いパワーレベル８ｍ＋１の間の変調で、高いパ
ワーレベルで非晶質化マークを形８．シ 低いパワー
レベルで非晶質化マークを結晶化して消去する同時消録
の方法で行った この結巣 記録信号のＣ／Ｎ比として
ｉ；Ｌ ５５ｄＢ以上が得られ 消去特性として、オ
ーバライド消去率３０ｄＢ以上が得られた オーバライ
ドの繰り返し特性について（よ 特にピットエラーレイ
トの特性を測定した結ＪＪ、 １００００００サイク
ル以上劣化が見られなかっ起 発明の詳細 な説明したように記録薄膜と反射層の間の薄層の誘電体
層を２層にして、いずれかの１層に熱膨張係数の小さい
材料を選び、第二 第三の誘電体層を合わせた膜厚を第
一の誘電体層よりも薄くすることによって以下の効果を
得られるものであも （１）記録・消去時の誘電体層の熱変形による脈動を小
さくできることによって繰り返し特性が向上する。
（２）記録信号振幅が増大Ｌ Ｃ／Ｎ比は５５ｄＢ以
上に向上する。
上に向上する。
（３）記録マークが均一化し オーバライド消去率が３
０ｄＢ以上になり消去特性が向上すも
０ｄＢ以上になり消去特性が向上すも
第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の一部省略断面図であも１・・・・ディスク基敬
２・・・・第一の誘電体層３・・・・記録＃！ ４
・・・・第二の誘電体層 ５・・・・第三の誘電体層
６・・・・反射層 ７・・・・接ｔｉ−剋８・・・・保
護板
去部材の一部省略断面図であも１・・・・ディスク基敬
２・・・・第一の誘電体層３・・・・記録＃！ ４
・・・・第二の誘電体層 ５・・・・第三の誘電体層
６・・・・反射層 ７・・・・接ｔｉ−剋８・・・・保
護板
Claims (10)
- （１）レーザ光の照射により、そのエネルギーを吸収し
て昇温し、溶融し、急冷して非晶質化する性質と、非晶
質の状態を昇温することにより結晶化する性質とを有す
る記録薄膜と、該記録薄膜の両側に誘電体層を積層した
光学情報記録再生消去部材であって、透明基板の一方の
面に第一の誘電体層、記録薄膜、第二の誘電体層、第二
の誘電体層と異なる材質の第三の誘電体層、反射層を順
次形成し、第三の誘電体層を第一、第二の誘電体層より
、熱膨張係数の小さい材質にしたことを特徴とする光学
情報記録再生消去部材。 - （２）第三の誘電体層の熱膨張係数が１．０×１０＾−
＾８ｋ＾−＾１以下の材質を選ぶことを特徴とする請求
項１記載の光学情報記録再生消去部材。 - （３）第二と第三の誘電体層を合わせた膜厚を第一の誘
電体層より薄くすることを特徴とする請求項１記載の光
学情報記録再生消去部材。 - （４）第一、第二の誘電体層としてＺｎＳを主成分とす
る材料を用い、第三の誘電体層としてＳｉＯ＿２を用い
ることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録再生消
去部材。 - （５）記録薄膜としてＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料を
用いることを特徴とする請求項１記載の光学情報記録再
生消去部材。 - （６）レーザ光の照射により、そのエネルギーを吸収し
て昇温し、溶融し、急冷して非晶質化する性質と、非晶
質の状態を昇温することにより結晶化する性質とを有す
る記録薄膜と、該記録薄膜の両側に誘電体層を積層した
光学情報記録再生消去部材であって、透明基板の一方の
面に、第一の誘電体層、記録薄膜、第二の誘電体層、第
二の誘電体層と異なる材質の第三の誘電体層、反射層を
順次形成し、第二の誘電体層を第一、第三の誘電体層よ
り、熱膨張係数の小さい材質にしたことを特徴とする光
学情報記録再生消去部材。 - （７）第二の誘電体層の熱膨張係数が１．０×１０＾−
＾８ｋ＾−＾１以下の材質を選ぶことを特徴とする請求
項６記載の光学情報記録再生消去部材。 - （８）第二と第三の誘電体層を合わせた膜厚を第一の誘
電体層より薄くすることを特徴とする請求項６記載の光
学情報記録再生消去部材。 - （９）第一、第三の誘電体層としてＺｎＳを主成分とす
る材料を用い、第二の誘電体層としてＳｉＯ＿２を用い
ることを特徴とする請求項６記載の光学情報記録再生消
去部材。 - （１０）記録薄膜としてＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂからなる材料
を用いることを特徴とする請求項６記載の光学情報記録
再生消去部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061468A JP2778188B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 光学情報記録再生消去部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061468A JP2778188B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 光学情報記録再生消去部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263626A true JPH03263626A (ja) | 1991-11-25 |
| JP2778188B2 JP2778188B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=13171912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2061468A Expired - Fee Related JP2778188B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 光学情報記録再生消去部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2778188B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997013246A1 (en) * | 1995-10-03 | 1997-04-10 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical information recording medium, method of manufacturing the medium, and target used for manufacturing the medium |
| US5681632A (en) * | 1995-02-13 | 1997-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium |
| US5712833A (en) * | 1993-12-28 | 1998-01-27 | Ogihara; Noriyuki | Durable magneto-optical disk having a rare earth-transition amorphous magneto-optical layer |
| EP0874361A3 (en) * | 1997-04-25 | 1999-04-07 | Teijin Limited | Phase change optical recording medium and process for manufacturing same |
| US6159571A (en) * | 1997-08-14 | 2000-12-12 | Lg Electronics Inc. | Phase-change optical disc |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3067035B2 (ja) | 1991-04-16 | 2000-07-17 | 松下電器産業株式会社 | 光記録媒体 |
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| JPH0256746A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報担体ディスク |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP2061468A patent/JP2778188B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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| JPS62102441A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Fujitsu Ltd | 光記録媒体とその製法 |
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