JPH03263857A - 大電流貫通体付外囲器およびその製造方法 - Google Patents
大電流貫通体付外囲器およびその製造方法Info
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- JPH03263857A JPH03263857A JP2281720A JP28172090A JPH03263857A JP H03263857 A JPH03263857 A JP H03263857A JP 2281720 A JP2281720 A JP 2281720A JP 28172090 A JP28172090 A JP 28172090A JP H03263857 A JPH03263857 A JP H03263857A
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- H01R43/007—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for elastomeric connecting elements
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- H01R4/02—Soldered or welded connections
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はマイクロエレクトロニクス外囲器技術、さらに
特に大電流貫通体を有するマイクロエレクトロニクス電
力回路用密閉装置およびその製造方法に関する。
特に大電流貫通体を有するマイクロエレクトロニクス電
力回路用密閉装置およびその製造方法に関する。
（従来の技術）
マイクロエレクトロニクス外囲器技術の分野では、現在
の慣行はコバール環状フレーム内のガラスで封止された
コバールビンを具備する貫通体を利用している。低い熱
および電気伝導性のコバールに結合された低い熱伝導性
のガラスは、大電流を流すとき貫通体の過度の加熱を導
く。結果として、たとえ低い装荷率での間欠電流の流れ
に対して４０アンペアが受は入れ可能であるとしても、
現在使用されている外囲器の電流負荷容量はその加熱の
ため外囲器貫通体当り約５アンペアの連続電流に限定さ
れる。
の慣行はコバール環状フレーム内のガラスで封止された
コバールビンを具備する貫通体を利用している。低い熱
および電気伝導性のコバールに結合された低い熱伝導性
のガラスは、大電流を流すとき貫通体の過度の加熱を導
く。結果として、たとえ低い装荷率での間欠電流の流れ
に対して４０アンペアが受は入れ可能であるとしても、
現在使用されている外囲器の電流負荷容量はその加熱の
ため外囲器貫通体当り約５アンペアの連続電流に限定さ
れる。
（発明が解決しようとする課題）
それ故に本発明の目的は、外囲器貫通体の電流負荷容量
を、ガラスと金属の封止を排除することによって増加さ
せることである。本発明の別の目的は、大電流が外囲器
壁を通って流れることができる電力用外囲器装置である
。さらに別の目的は、外囲器の内部および外部の周辺に
沿って均一に間隔を置かれることができ、壁に沿ったい
かなる箇所に対しても電流のブッシング（ｂｕｓｓｉｎ
ｇ ）を可能にするようなタブを提供することである。
を、ガラスと金属の封止を排除することによって増加さ
せることである。本発明の別の目的は、大電流が外囲器
壁を通って流れることができる電力用外囲器装置である
。さらに別の目的は、外囲器の内部および外部の周辺に
沿って均一に間隔を置かれることができ、壁に沿ったい
かなる箇所に対しても電流のブッシング（ｂｕｓｓｉｎ
ｇ ）を可能にするようなタブを提供することである。
別の目的は伝導体からの熱放散を増加するためにフィン
として作用する外囲器の外側の周辺に沿った貫通体を使
用することである。さらに別の目的は、高い熱伝導性を
有する貫通体および貫通体を冷却するための大きな接触
面積を提供すること、そして上記で明らかにされた従来
のガラス貫通体による問題を解決することである。
として作用する外囲器の外側の周辺に沿った貫通体を使
用することである。さらに別の目的は、高い熱伝導性を
有する貫通体および貫通体を冷却するための大きな接触
面積を提供すること、そして上記で明らかにされた従来
のガラス貫通体による問題を解決することである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明のこれらのおよび他の目的および特徴にしたがっ
て、熱伝導材料と電気伝導材料とを含む複数のそれぞれ
の交互になっている環を具備する大電流貫通体付外囲器
が提供される。熱伝導材料は窒化アルミニウム或いは酸
化ベリリウムのような酸化金属或いはセラミックであり
得るが、一方電気伝導材料は例えばモリブデン或いはそ
の合金の１つから構成され得る。
て、熱伝導材料と電気伝導材料とを含む複数のそれぞれ
の交互になっている環を具備する大電流貫通体付外囲器
が提供される。熱伝導材料は窒化アルミニウム或いは酸
化ベリリウムのような酸化金属或いはセラミックであり
得るが、一方電気伝導材料は例えばモリブデン或いはそ
の合金の１つから構成され得る。
貫通体は過度の加熱を引き起こすことなく外囲器の中へ
および中から大電流を伝える。外囲器は、窒化アルミニ
ウムおよびモリブデン或いはその合金の１つ、例えばチ
タンジルコニウムモリブデン（ＴＺＭ）のような、が交
互になっている環或いは積層から構成されており、それ
は積み重なって或いは層を成して壁を形成する。層を成
した壁は単一のステップで基板上に鑞付けされる。電気
伝導モリブデン環は例えば大電流貫通体として使用され
、そして密閉装置内に配置された装置および外部回路へ
の相互連結に対して有効である内部および外部周辺上の
タブを有する。熱伝導窒化アルミニウム環は例えば、貫
通体付環或いは層の間の電気絶縁を提供する。高い熱伝
導性のモリブデンおよび窒化アルミニウムは導線から外
囲器基板へ十分な熱放散を提供する。強制対流冷却もま
た使用され、外囲器の電流負荷容量をさらに増加させる
。
および中から大電流を伝える。外囲器は、窒化アルミニ
ウムおよびモリブデン或いはその合金の１つ、例えばチ
タンジルコニウムモリブデン（ＴＺＭ）のような、が交
互になっている環或いは積層から構成されており、それ
は積み重なって或いは層を成して壁を形成する。層を成
した壁は単一のステップで基板上に鑞付けされる。電気
伝導モリブデン環は例えば大電流貫通体として使用され
、そして密閉装置内に配置された装置および外部回路へ
の相互連結に対して有効である内部および外部周辺上の
タブを有する。熱伝導窒化アルミニウム環は例えば、貫
通体付環或いは層の間の電気絶縁を提供する。高い熱伝
導性のモリブデンおよび窒化アルミニウムは導線から外
囲器基板へ十分な熱放散を提供する。強制対流冷却もま
た使用され、外囲器の電流負荷容量をさらに増加させる
。
大電流貫通体を有する密閉装置の組立て方法は以下のス
テップを具備する。まず、例えば窒化アルミニウムを含
む熱伝導環が基板上に配置される。
テップを具備する。まず、例えば窒化アルミニウムを含
む熱伝導環が基板上に配置される。
次に、例えばニッケル鍍金のモリブデンを含む電熱伝導
環が窒化アルミニウムの熱伝導環の上に配置される。次
に、窒化アルミニウムおよびニッケル鍍金のモリブデン
の追加環が、所望された密閉装置壁の高さに達するまで
互いの上に配置される。
環が窒化アルミニウムの熱伝導環の上に配置される。次
に、窒化アルミニウムおよびニッケル鍍金のモリブデン
の追加環が、所望された密閉装置壁の高さに達するまで
互いの上に配置される。
壁の高さは一般に、必要とされる人力および出力の数に
依存する。次に、封止環が窒化アルミニウムの最上部の
環上に通常通り配置される。次に、組み立てたものを鑞
付けして完全な外囲器を形成する。これは従来の鑞付は
作業の１ステツプによって典型的に達成される。密閉装
置はそのとき金およびニッケルの組み合わせによって鍍
金される。
依存する。次に、封止環が窒化アルミニウムの最上部の
環上に通常通り配置される。次に、組み立てたものを鑞
付けして完全な外囲器を形成する。これは従来の鑞付は
作業の１ステツプによって典型的に達成される。密閉装
置はそのとき金およびニッケルの組み合わせによって鍍
金される。
鑞付けおよび鍍金の後、外囲器は従来の方法を使用して
密閉封止されるであろう。最終的に、例えばコバール或
いはモリブデンを含む蓋が封止環上に配置される。
密閉封止されるであろう。最終的に、例えばコバール或
いはモリブデンを含む蓋が封止環上に配置される。
（実施例）
図面の第１図を参照すると、本発明の原理による外囲器
９が示されており、それほぼは平らな熱伝導方形基板１
０を有し、その上には複数の層或いは積層が作られ或い
は層を成して、中空の密閉装置１６の周りの壁１１を形
成する。基板１０は、例えばモリブデン或いはセラミッ
クのような、低熱膨脂材料から作成されることが好まし
い。平らな基板１０は例えばねじのような固定装置のた
めに４つの角に開口部１５を有し、それらは外囲器９を
他の対象に固定する或いは取り付けるために使用される
ことができる。複数の熱および電気伝導タブ１３は、壁
１１の内部および外部表面から突き出ており、密閉装置
１６の各層の内部および外部の周囲の周辺で出っ張って
いる。タブ１３は、例えばモリブデンのような高い電気
および熱伝導性を有する金属から作成される。タブ１３
には２つの役目がある、すなわち第１のものは電流を密
閉装置１６の壁１１に沿った内部或いは外部の任意の箇
所に送ることであり、第２のものは熱放散を増加させる
ため冷却フィンとして使用されるタブ１３によって熱を
放散させることである。タブ１３はニッケルおよび金で
鍍金され、相互連結線或いは他の回路要素との接着を容
易にする。密閉装置１６の壁１１の最上層は、モリブデ
ンから作成されタブ１３を有さない封止環１４（第２図
および第３図参照）である。封止環１４、および外囲器
９或いは密閉装置１６は、例えばコバール或いはモリブ
デンから作成される、蓋２１（第２図参照）によって封
止され得る。
９が示されており、それほぼは平らな熱伝導方形基板１
０を有し、その上には複数の層或いは積層が作られ或い
は層を成して、中空の密閉装置１６の周りの壁１１を形
成する。基板１０は、例えばモリブデン或いはセラミッ
クのような、低熱膨脂材料から作成されることが好まし
い。平らな基板１０は例えばねじのような固定装置のた
めに４つの角に開口部１５を有し、それらは外囲器９を
他の対象に固定する或いは取り付けるために使用される
ことができる。複数の熱および電気伝導タブ１３は、壁
１１の内部および外部表面から突き出ており、密閉装置
１６の各層の内部および外部の周囲の周辺で出っ張って
いる。タブ１３は、例えばモリブデンのような高い電気
および熱伝導性を有する金属から作成される。タブ１３
には２つの役目がある、すなわち第１のものは電流を密
閉装置１６の壁１１に沿った内部或いは外部の任意の箇
所に送ることであり、第２のものは熱放散を増加させる
ため冷却フィンとして使用されるタブ１３によって熱を
放散させることである。タブ１３はニッケルおよび金で
鍍金され、相互連結線或いは他の回路要素との接着を容
易にする。密閉装置１６の壁１１の最上層は、モリブデ
ンから作成されタブ１３を有さない封止環１４（第２図
および第３図参照）である。封止環１４、および外囲器
９或いは密閉装置１６は、例えばコバール或いはモリブ
デンから作成される、蓋２１（第２図参照）によって封
止され得る。
第２図を参照すると、密閉装置１６の壁１１が基板１０
上に作成される。それは、それらの周囲の周辺で出っ張
っているニッケル鍍金のモリブデンのタブ１３のある３
枚のニッケル鍍金のモリブデン環Ｉ７と交互になってい
る４枚の窒化アルミニウム環１２を使用することによっ
て作成される。これは例としてのみであり、積み重なっ
て壁Ｉｌを作成するような層或いは積層の数はその応用
に依存するであろうことは理解されるべきであろう。モ
リブデンおよび窒化アルミニウムが選択されるのは、そ
れらの熱膨脹係数が良く釣り合うからである。ニッケル
鍍金のモリブデンから作成され得る封止環ｉ４は、最後
のすなわち最上の窒化アルミニウム環１２上に配置され
る。密閉装置Ｉ６の壁１１は１ステツプ鑞付は作業によ
り一緒に鑞付けされる。鑞付ｊすの後、密閉装置１６の
壁１１はニッケルおよび金で鍍金され、モリブデンのタ
ブ１３への接着を容易にする。
上に作成される。それは、それらの周囲の周辺で出っ張
っているニッケル鍍金のモリブデンのタブ１３のある３
枚のニッケル鍍金のモリブデン環Ｉ７と交互になってい
る４枚の窒化アルミニウム環１２を使用することによっ
て作成される。これは例としてのみであり、積み重なっ
て壁Ｉｌを作成するような層或いは積層の数はその応用
に依存するであろうことは理解されるべきであろう。モ
リブデンおよび窒化アルミニウムが選択されるのは、そ
れらの熱膨脹係数が良く釣り合うからである。ニッケル
鍍金のモリブデンから作成され得る封止環ｉ４は、最後
のすなわち最上の窒化アルミニウム環１２上に配置され
る。密閉装置Ｉ６の壁１１は１ステツプ鑞付は作業によ
り一緒に鑞付けされる。鑞付ｊすの後、密閉装置１６の
壁１１はニッケルおよび金で鍍金され、モリブデンのタ
ブ１３への接着を容易にする。
鍍金かモリブデンのみに適用され窒化アルミニウムには
適用されないことは理解されるべきであろう。ｆｉ２１
は封止される前の完成した外囲器上に示されている。
適用されないことは理解されるべきであろう。ｆｉ２１
は封止される前の完成した外囲器上に示されている。
加えて、窒化アルミニウム環１２はメタライズされそし
て例えばニッケルで鍍金されて、他のタイプの鑞付は合
金の使用を可能にする。これらの場合、交互になった環
１２と１７との間の電気絶縁が所望されるので、各窒化
アルミニウム環１２の上面および底部のみがメタライズ
されるであろう。
て例えばニッケルで鍍金されて、他のタイプの鑞付は合
金の使用を可能にする。これらの場合、交互になった環
１２と１７との間の電気絶縁が所望されるので、各窒化
アルミニウム環１２の上面および底部のみがメタライズ
されるであろう。
窒化アルミニウム環１２がメタライズされると、ＧＴＥ
Ｗｅｓｇｏから人手可能な“Ｔｊｃｕｓｊｌ のよ
うな敏活な鑞付は合金、或いは例えばこれもまたＧＴＥ
Ｗｅｓｇｏから人手可能な“Ｃｕ５ｉｌ”のような標
準鑞付は合金が組み立てたものを鑞付けするために使用
され得る。メタライズされた窒化アルミニウム環１２は
、従来の薄膜処理によってチタン−タングステン（Ｔｆ
Ｗ）および金を使用して鍍金すること、或いは例えばモ
リブデンおよびマンガンのような耐火金属を表面に付け
ることによってメタライズされる。
Ｗｅｓｇｏから人手可能な“Ｔｊｃｕｓｊｌ のよ
うな敏活な鑞付は合金、或いは例えばこれもまたＧＴＥ
Ｗｅｓｇｏから人手可能な“Ｃｕ５ｉｌ”のような標
準鑞付は合金が組み立てたものを鑞付けするために使用
され得る。メタライズされた窒化アルミニウム環１２は
、従来の薄膜処理によってチタン−タングステン（Ｔｆ
Ｗ）および金を使用して鍍金すること、或いは例えばモ
リブデンおよびマンガンのような耐火金属を表面に付け
ることによってメタライズされる。
第３図を参照すると、その上に窒化アルミニウム環１２
とニッケル鍍金のモリブデン環１７が交互になった層を
作り上げられている平らな基板１０を示す、密閉装置１
６の部分的に断面の斜視図が示されている。ニッケル鍍
金のモリブデン環１７上に鍔出される或いはそれと統合
されて作られるるニッケル鍍金のモリブデンのタブ１３
は、相互連結を容易にするためレベルからレベルへ出っ
張らされるように見え得る。密閉装置１６の壁１１の最
上層は、例えばニッケル鍍金のモリブデンから作成され
る封止環１４である。
とニッケル鍍金のモリブデン環１７が交互になった層を
作り上げられている平らな基板１０を示す、密閉装置１
６の部分的に断面の斜視図が示されている。ニッケル鍍
金のモリブデン環１７上に鍔出される或いはそれと統合
されて作られるるニッケル鍍金のモリブデンのタブ１３
は、相互連結を容易にするためレベルからレベルへ出っ
張らされるように見え得る。密閉装置１６の壁１１の最
上層は、例えばニッケル鍍金のモリブデンから作成され
る封止環１４である。
［発明の効果］
以上、大電流貫通体を有する新しく且つ改善された外囲
器が記載されてきた。連続運転で、外囲器は１つの導線
当り約１００アンペアの入力端子を流すことができる。
器が記載されてきた。連続運転で、外囲器は１つの導線
当り約１００アンペアの入力端子を流すことができる。
それは、従来の高電力外囲器設計を越えた著しい改善で
ある。この外囲器設計は、その貫通体の通電容量をガラ
スと金属の封止を除去することによって増加させる。こ
の外囲器は、大電流が外囲器壁を通って流れるために提
供される。この外囲器は壁の内部および外部の周辺に沿
って間隔をとって置かれることができ、壁に沿ったいか
なる箇所に対しても電流のブッシングを可能にするよう
なタブを提供する。この外囲器は増加した回路密度を可
能にして流れる電流のためにその壁を利用する。この外
囲器は、伝導体からの熱放散を増加させるためにフィン
として作用するその外部の周辺に沿った貫通体を使用す
る。
ある。この外囲器設計は、その貫通体の通電容量をガラ
スと金属の封止を除去することによって増加させる。こ
の外囲器は、大電流が外囲器壁を通って流れるために提
供される。この外囲器は壁の内部および外部の周辺に沿
って間隔をとって置かれることができ、壁に沿ったいか
なる箇所に対しても電流のブッシングを可能にするよう
なタブを提供する。この外囲器は増加した回路密度を可
能にして流れる電流のためにその壁を利用する。この外
囲器は、伝導体からの熱放散を増加させるためにフィン
として作用するその外部の周辺に沿った貫通体を使用す
る。
上記に記載された実施例は本発明の原理の応用を表す多
くの特定の実施例のうちのいくつかを示したにすぎない
ことは、理解されるであろう。当然ながら、多数のおよ
び他の構造が本発明の範囲から逸脱することなく当業者
によって容易に工夫されることができる。
くの特定の実施例のうちのいくつかを示したにすぎない
ことは、理解されるであろう。当然ながら、多数のおよ
び他の構造が本発明の範囲から逸脱することなく当業者
によって容易に工夫されることができる。
第１図はその内部および外部周辺の周囲に配置された貫
通体を有するマイクロエレクトロニクスのための中空で
方形の密閉装置を示す、本発明の原理によって構成され
た大電流貫通体付外囲器の平面図、第２図は積み重ねら
れて密閉装置を形成する窒化アルミニウム環とニッケル
鍍金のモリブデン環との交互になっている層を示す、第
１図の大電流貫通体外囲器の側面図、第３図は異なった
レベルに配置されおよび相互連結を簡易化するためにレ
ベルからレベルへと出っ張っている貫通体に対して使用
されるニッケル鍍金のモリブデンの相互連結タブを示す
、第１図および第２図の大電流貫通体付外囲器の部分断
面斜視図である。 ９・・・外囲器、１０・・・基板、１１・・・壁、１２
・・・窒化アルミニウム環、１３・・・タブ、１６・・
密閉装置、１７・・・ニッケル鍍金のモリブデン環、２
１・・・蓋。
通体を有するマイクロエレクトロニクスのための中空で
方形の密閉装置を示す、本発明の原理によって構成され
た大電流貫通体付外囲器の平面図、第２図は積み重ねら
れて密閉装置を形成する窒化アルミニウム環とニッケル
鍍金のモリブデン環との交互になっている層を示す、第
１図の大電流貫通体外囲器の側面図、第３図は異なった
レベルに配置されおよび相互連結を簡易化するためにレ
ベルからレベルへと出っ張っている貫通体に対して使用
されるニッケル鍍金のモリブデンの相互連結タブを示す
、第１図および第２図の大電流貫通体付外囲器の部分断
面斜視図である。 ９・・・外囲器、１０・・・基板、１１・・・壁、１２
・・・窒化アルミニウム環、１３・・・タブ、１６・・
密閉装置、１７・・・ニッケル鍍金のモリブデン環、２
１・・・蓋。
Claims (26)
- （１）低い熱膨脹係数の材料を含む基板と、基板上に交
互に積み重ねられて密閉装置を形成する複数の熱伝導環
および電気伝導環とを具備し、その電気伝導環は大電流
貫通体を形成する複数の内部および外部のタブを有し、
その熱伝導環は貫通体の間に電気絶縁を提供する、大電
流貫通体を有する外囲器。 - （２）熱伝導環が熱伝導セラミック材料を含む請求項１
記載の外囲器。 - （３）熱伝導セラミック材料が窒化アルミニウムを含み
、電気伝導環がモリブデンを含む請求項２記載の外囲器
。 - （４）モリブデン環がニッケル鍍金のモリブデンを含む
請求項３記載の外囲器。 - （５）熱伝導環が熱伝導酸化金属性材料を含む請求項１
記載の外囲器。 - （６）タブがニッケル鍍金のモリブデン環の周囲の周辺
で出っ張っていて、環の積み重ねられた配置は異なった
レベルの異なった相対的な位置にあるようになったタブ
のそれぞれ１つを有する請求項１記載の外囲器。 - （７）密閉環をさらに具備する請求項１記載の外囲器。
- （８）密閉環がニッケル鍍金のモリブデンを含む請求項
７記載の外囲器。 - （９）密閉環に封止された蓋を具備する請求項１記載の
外囲器。 - （１０）外囲器の環が一緒に鑞付けされている請求項１
記載の外囲器。 - （１１）外囲器がニッケルおよび金で鍍金されている請
求項１記載の外囲器。 - （１２）ほぼ平らなセラミック基板と、 比較的高い熱伝導性を有する複数の交互になった電気伝
導および絶縁環であり、その環は基板上に積み重ねられ
て中空の密閉装置を形成し、電気伝導環は大電流貫通体
を形成する複数の内部および外部のタブを有し、交互に
なった絶縁環は貫通体の間に電気絶縁を提供し、タブは
環の周囲の周辺で出っ張っていて環の積み重ねられた配
置が異なったレベルの異なった相対的な位置にあるよう
になったタブのそれぞれ１つを有するような電気伝導お
よび絶縁環と、 電気伝導および熱伝導金属から成る封止環と、高電気抵
抗性金属から成る蓋とを具備する、大電流貫通体を有す
る密閉装置。 - （１３）ほぼ平らな低熱膨脹金属基板と、 複数の交互になった窒化アルミニウム環およびニッケル
鍍金のモリブデン環とを具備し、前記ニッケル鍍金のモ
リブデン環は大電流貫通体を形成する複数の内部のタブ
および複数の外部の、タブを有し、前記タブは前記ニッ
ケル鍍金のモリブデン環の周囲の周辺で出っ張っていて
、前記環の積み重ねられた配置は異なったレベルの異な
った相対的な位置にあるようになった前記タブのそれぞ
れ１つを有するであろうし、前記窒化アルミニウム環は
前記貫通体の間に電気絶縁を提供し、前記交互になった
環は前記基板上に積み重ねられてマイクロエレクトロニ
クスのための中空の密閉装置を形成するような、大電流
貫通体を有する密閉装置。 - （１４）低い熱膨脹係数の材料を含む基板と、基板上に
積み重ねられて密閉装置を形成する複数の交互になった
窒化アルミニウム環およびニッケル鍍金のモリブデン環
とを具備し、そのニッケル鍍金のモリブデン環は大電流
貫通体を形成する複数の内部および外部のタブを有し、
その窒化アルミニウム環は貫通体の間に電気絶縁を提供
するような、大電流貫通体を有する外囲器。 - （１５）タブがニッケル鍍金のモリブデン環の周囲の周
辺で出っ張っていて、環の積み重ねられた配置は異なっ
たレベルの異なった相対的な位置にあるようになったタ
ブのそれぞれ１つを有する請求項１４記載の外囲器。 - （１６）封止環をさらに具備する請求項１４記載の外囲
器。 - （１７）封止環がニッケル鍍金のモリブデンを含む請求
項１６記載の外囲器。 - （１８）封止環に封止された蓋を具備する請求項１４記
載の外囲器。 - （１９）外囲器の環が一緒に鑞付けされている請求項１
４記載の外囲器。 - （２０）外囲器がニッケルおよび金で鍍金されている請
求項１４記載の外囲器。 - （２１）熱伝導環を基板上に配置することと、電気伝導
環を窒化アルミニウム環上に配置することと、 付加的な熱伝導および電気伝導環を所望された密閉装置
が形成されるまで互いの上に積み重ねることのステップ
を含む、大電流貫通体を有する密閉装置を組立てる方法
。 - （２２）封止環を最上部の熱伝導環上に配置することと
、 蓋を封止環上に配置することと、 密閉装置が形成されるように鑞付けすることと、金およ
びニッケルの組み合わせで密閉装置を鍍金することのス
テップをさらに含む請求項２１記載の方法。 - （２３）熱伝導環をベース上に配置するステップが窒化
アルミニウム環を基板上に配置するステップを含む請求
項２１記載の方法。 - （２４）電気伝導環を熱伝導環上に配置するステップが
窒化アルミニウム環を熱伝導環上に配置するステップを
含む請求項２１記載の方法。 - （２５）窒化アルミニウム環を基板上に配置することと
、 ニッケル鍍金のモリブデン環を窒化アルミニウム環上に
配置することと、 付加的な窒化アルミニウム環およびニッケル鍍金のモリ
ブデン環を所望された密閉装置壁の高さに達するまで互
いの上に配置することと、 封止環を最後の窒化アルミニウムの環上に配置すること
と、 コバール蓋を封止環上に配置することと、 密閉装置が形成されるように鑞付けすることと、金およ
びニッケルの組み合わせで密閉装置を鍍金することのス
テップを含む、大電流貫通体を有する密閉装置を組立て
る方法。 - （２６）窒化アルミニウム環をほぼ平らな基板上に配置
することと、 予めニッケル鍍金のモリブデンの３つの環と窒化アルミ
ニウムの３つの環とを、前記予めニッケル鍍金のモリブ
デンの環から始めて交互に配置することと、 予めニッケル鍍金のモリブデンから成る封止環を全構造
の上に配置することと、 コバールの蓋を封止環上に配置することと、密閉装置を
鑞付けすることと、 金およびニッケルの組み合わせで密閉装置を鍍金するこ
とのステップを含む、大電流貫通体を有する密閉装置を
組立てる方法。
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