JPH03266336A - ガスイオン源装置 - Google Patents
ガスイオン源装置Info
- Publication number
- JPH03266336A JPH03266336A JP6510790A JP6510790A JPH03266336A JP H03266336 A JPH03266336 A JP H03266336A JP 6510790 A JP6510790 A JP 6510790A JP 6510790 A JP6510790 A JP 6510790A JP H03266336 A JPH03266336 A JP H03266336A
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- JP
- Japan
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- ion source
- emitter
- gas
- source gas
- cooler
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概要］
ガスイオン源装置の構造に関し、
動作が安定し、かつ、大きな立体角電流密度の集束イオ
ンビームを得ることを目的とし、冷却したエミッタに高
電圧を印加しイオン源ガスを供給してガスイオンを発生
させるガスイオン源装置において、前記エミッタをイオ
ン源ガスの融点より高く沸点よりも低い温度に冷却し、
前記エミッタの先端部に独立したイオン源ガス導入管の
ノズルを近接させ、前記イオン源ガスを直接吹き付ける
ようにガスイオン源装置を構成する。
ンビームを得ることを目的とし、冷却したエミッタに高
電圧を印加しイオン源ガスを供給してガスイオンを発生
させるガスイオン源装置において、前記エミッタをイオ
ン源ガスの融点より高く沸点よりも低い温度に冷却し、
前記エミッタの先端部に独立したイオン源ガス導入管の
ノズルを近接させ、前記イオン源ガスを直接吹き付ける
ようにガスイオン源装置を構成する。
（産業上の利用分野〕
本発明は集束イオンビーム用のガスイオン源装置、とく
に、高集積半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極
めて微細で高精度な加工、たとえば、露光やエツチング
を行うのに必要な集束イオンビーム加工装置に用いる電
界電離型のガスイオン源装置の構造の改良に関する。
に、高集積半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極
めて微細で高精度な加工、たとえば、露光やエツチング
を行うのに必要な集束イオンビーム加工装置に用いる電
界電離型のガスイオン源装置の構造の改良に関する。
電界電離型のガスイオン源装置は光源（イオン源）自体
の大きさが小さ（、かつ、イオン化粒子のエネルギー分
布が小さいのでイオンビームの絞り込みがし易く、高集
積化半導体ＩＣなどの微細加工に通している。
の大きさが小さ（、かつ、イオン化粒子のエネルギー分
布が小さいのでイオンビームの絞り込みがし易く、高集
積化半導体ＩＣなどの微細加工に通している。
たとえば、第３図は集束イオンビーム加工装置の例を示
す模式図である。
す模式図である。
図中、１００は真空排気に耐えるチャンバで、排気口１
０９からこ＼には図示してない排気装置により真空排気
されるようになっている。１０はガスイオン源装置でイ
オンガス導入管２によりイオン源ガスが供給される。１
０１はスクリーン付きのマイクロチャンネルプレートで
、前記ガスイオン源装置１０から射出されるイオンビー
ムの位置を観察するための蛍光スクリーンである。１０
２はミラーで前記マイクロチャンネルプレート１０１に
照射されたイオンビームの輝点を反射してビューボート
１１０を通してイオンビーム位置を観察し位置調整など
を行なえるようにするためのものである。１０３はイオ
ンビームを集束するための静電レンズ、１０４はイオン
ビームを一時的にずらして試料９に照射されないように
するブランキング、１０５はアパーチャ、１０６は再度
イオンビームを集束するための静電レンズ、１０７はイ
オンビーム偏向器で前記の経路で集束されたイオンビー
ムを試料９の所定の位置に正確に照射し、たとえば、そ
の部分のエツチングを行えるようにするためのものであ
る。
０９からこ＼には図示してない排気装置により真空排気
されるようになっている。１０はガスイオン源装置でイ
オンガス導入管２によりイオン源ガスが供給される。１
０１はスクリーン付きのマイクロチャンネルプレートで
、前記ガスイオン源装置１０から射出されるイオンビー
ムの位置を観察するための蛍光スクリーンである。１０
２はミラーで前記マイクロチャンネルプレート１０１に
照射されたイオンビームの輝点を反射してビューボート
１１０を通してイオンビーム位置を観察し位置調整など
を行なえるようにするためのものである。１０３はイオ
ンビームを集束するための静電レンズ、１０４はイオン
ビームを一時的にずらして試料９に照射されないように
するブランキング、１０５はアパーチャ、１０６は再度
イオンビームを集束するための静電レンズ、１０７はイ
オンビーム偏向器で前記の経路で集束されたイオンビー
ムを試料９の所定の位置に正確に照射し、たとえば、そ
の部分のエツチングを行えるようにするためのものであ
る。
１０８は移動ステージで試料９を載置して所望の照射エ
リヤに試料９を移動できるようにしている。
リヤに試料９を移動できるようにしている。
第２図は従来のガスイオン源装置の例を示す図で、同図
（イ）は側面図（一部断面）、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断
面図である。
（イ）は側面図（一部断面）、同図（ロ）はＹ−Ｙ’断
面図である。
図中、１はエミッタで極めて細い針状をなす金属線であ
る。２はイオン源ガス導入管、３は金属製の冷却器、４
゛は引き出し電極、５は金属製のエミッタ固定ブロック
でサファイヤブロック６゛の先端部の切り欠き部分にエ
ミッタ１をネジ止めするとともに、十の高電圧を印加す
るリード引き出し部を構成している。６”は高絶縁性で
高熱伝導性のサファイヤブロックで図示したごとく中間
部分にイオン源ガス導入管２の末端部であるガス出口２
１が設けである。３は金属性の冷却器で前記サファイヤ
ブロック６”と接続しており同時にイオン源ガス導入管
２も内部で接続されている。３１は冷却器３を冷却する
ためのもので、たとえば、液体窒素などの冷却剤を入れ
る容器である。
る。２はイオン源ガス導入管、３は金属製の冷却器、４
゛は引き出し電極、５は金属製のエミッタ固定ブロック
でサファイヤブロック６゛の先端部の切り欠き部分にエ
ミッタ１をネジ止めするとともに、十の高電圧を印加す
るリード引き出し部を構成している。６”は高絶縁性で
高熱伝導性のサファイヤブロックで図示したごとく中間
部分にイオン源ガス導入管２の末端部であるガス出口２
１が設けである。３は金属性の冷却器で前記サファイヤ
ブロック６”と接続しており同時にイオン源ガス導入管
２も内部で接続されている。３１は冷却器３を冷却する
ためのもので、たとえば、液体窒素などの冷却剤を入れ
る容器である。
７０は石英管でその上端は冷却器３下部のフランジとネ
ジ止めされ、その下端には前記引き出し電極４゛が嵌合
し接続されている。８は高電圧電源である。
ジ止めされ、その下端には前記引き出し電極４゛が嵌合
し接続されている。８は高電圧電源である。
いま、冷却剤により冷却器３を冷やすと、熱伝導性の良
いサファイヤブロック６°の先端に固定されたエミッタ
１が冷却される。この状態でイオン源ガス導入管２から
イオン源ガスを導入し、高電圧電源８でエミッタ１と引
き出し電極４”との間に高電圧を印加すると、ガス出口
２１′から射出されたイオン源ガスは下方に流れてエミ
ッタ１に達したところで電離し、正に帯電したガスイオ
ン流ととなって、引き出し電極４゛の孔４１から出射し
ていき、これを前記第３図で説明した集束・加速系を通
せば集束イオンビームが得られる。
いサファイヤブロック６°の先端に固定されたエミッタ
１が冷却される。この状態でイオン源ガス導入管２から
イオン源ガスを導入し、高電圧電源８でエミッタ１と引
き出し電極４”との間に高電圧を印加すると、ガス出口
２１′から射出されたイオン源ガスは下方に流れてエミ
ッタ１に達したところで電離し、正に帯電したガスイオ
ン流ととなって、引き出し電極４゛の孔４１から出射し
ていき、これを前記第３図で説明した集束・加速系を通
せば集束イオンビームが得られる。
しかし、上記の従来例の構造では、イオン源ガスは冷却
器３およびサファイヤブロック６゛を通りサファイヤブ
ロンクロ゛の中央部に設けられたガス出口２１“から吹
き出させてからエミッタ１の回りに導入している。一般
に、イオンビームの電流密度を大きくするためには、エ
ミッタ表面上でのガスの密度と滞在時間を増す必要があ
るが、この構造ではエミッタ１をガスの沸点以下に冷却
すると、途中の冷却器３やサファイヤブロンクロ゛の中
を通るイオン源ガス導入管２の内部などでガスが液化し
てしまい、エミッタ１の先端部にイオン源ガスが充分に
供給できずイオンビームの電流密度カ大きく取れないと
いう問題があり、その解決が必要となっていた。
器３およびサファイヤブロック６゛を通りサファイヤブ
ロンクロ゛の中央部に設けられたガス出口２１“から吹
き出させてからエミッタ１の回りに導入している。一般
に、イオンビームの電流密度を大きくするためには、エ
ミッタ表面上でのガスの密度と滞在時間を増す必要があ
るが、この構造ではエミッタ１をガスの沸点以下に冷却
すると、途中の冷却器３やサファイヤブロンクロ゛の中
を通るイオン源ガス導入管２の内部などでガスが液化し
てしまい、エミッタ１の先端部にイオン源ガスが充分に
供給できずイオンビームの電流密度カ大きく取れないと
いう問題があり、その解決が必要となっていた。
〔課題を解決するための手段］
上記の課題は、冷却したエミッタ１に高電圧を印加し、
イオン源ガスを供給してガスイオンを発生させるガスイ
オン源装置において、前記エミッタ１をイオン源ガスの
融点より高く沸点よりも低い温度に冷却し、前記エミッ
タ１の先端部に独立したイオン源ガス導入管２のノズル
２１を近接させ、前記イオン源ガスを直接吹き付けるこ
とを特徴としたガスイオン源装置により解決することが
できる。
イオン源ガスを供給してガスイオンを発生させるガスイ
オン源装置において、前記エミッタ１をイオン源ガスの
融点より高く沸点よりも低い温度に冷却し、前記エミッ
タ１の先端部に独立したイオン源ガス導入管２のノズル
２１を近接させ、前記イオン源ガスを直接吹き付けるこ
とを特徴としたガスイオン源装置により解決することが
できる。
［作用］
本発明によれば、イオン源ガスを供給するイオン源ガス
導入管２は冷却器３やサファイヤブロック６から独立し
て設けられ、かっ、その先端のノズル２１をエミッタ１
に近づけて配置してあり、そのノズル２１からエミッタ
１に直接イオン源ガスを吹き付ける構造にしであるので
、エミッタ１をイオン源ガスの融点以上で沸点以下の温
度に冷却して高電圧を印加し動作させることにより、エ
ミッタ１の表面がイオン源ガスの液化薄膜で十分に覆わ
れ、イオン源ガスの密度や滞在時間を十分に長くするこ
とが可能となるのである。
導入管２は冷却器３やサファイヤブロック６から独立し
て設けられ、かっ、その先端のノズル２１をエミッタ１
に近づけて配置してあり、そのノズル２１からエミッタ
１に直接イオン源ガスを吹き付ける構造にしであるので
、エミッタ１をイオン源ガスの融点以上で沸点以下の温
度に冷却して高電圧を印加し動作させることにより、エ
ミッタ１の表面がイオン源ガスの液化薄膜で十分に覆わ
れ、イオン源ガスの密度や滞在時間を十分に長くするこ
とが可能となるのである。
〔実施例］
第１図は本発明の実施例を示す図である。
図中、１はエミッタで極めて細い針状をなす金属線また
とえば、太さが０．２〜０．３ｍｍφ、長さ６ｍｍのタ
ングステン線で先端部は曲率半径が２０〜数１１００ｎ
の尖頭部をなすように加工しである。
とえば、太さが０．２〜０．３ｍｍφ、長さ６ｍｍのタ
ングステン線で先端部は曲率半径が２０〜数１１００ｎ
の尖頭部をなすように加工しである。
２はイオン源ガス導入管で、たとえば、直径２〜３ｍｍ
φのステンレススチール製パイプで冷却器３やサファイ
ヤブロック６とは独立して配設されており、先端部は内
径が０．１〜０．２ｍｍφの注射針状に加工したノズル
２１を形成している。ノズル２１の先端部はエミッタ１
に、たとえば、３〜５ｍｍの間隔を置いて近接配置する
。
φのステンレススチール製パイプで冷却器３やサファイ
ヤブロック６とは独立して配設されており、先端部は内
径が０．１〜０．２ｍｍφの注射針状に加工したノズル
２１を形成している。ノズル２１の先端部はエミッタ１
に、たとえば、３〜５ｍｍの間隔を置いて近接配置する
。
３は金属製、たとえば、熱伝導性のよい銅製の冷却器、
３１は冷却剤容器で冷却器３とサファイヤブロック６を
通してエミッタ１を冷却する。たとえば、液体窒素など
の冷却剤を入れる容器である。
３１は冷却剤容器で冷却器３とサファイヤブロック６を
通してエミッタ１を冷却する。たとえば、液体窒素など
の冷却剤を入れる容器である。
６は高絶縁性で高熱伝導性のサファイヤブロックで上端
部を冷却器３の下部のフランジに密着させたとえば、ネ
ジ止め固定する。サファイヤブロック６の先端部には切
り欠き部が設けてあり、たとえば、ステンレススチール
製のエミッタブロック５がネジ止めされるようになって
おり、それらの間にエミッタ１が挟持固定される。
部を冷却器３の下部のフランジに密着させたとえば、ネ
ジ止め固定する。サファイヤブロック６の先端部には切
り欠き部が設けてあり、たとえば、ステンレススチール
製のエミッタブロック５がネジ止めされるようになって
おり、それらの間にエミッタ１が挟持固定される。
４は、たとえば、ステンレススチール製の引き出し電極
で中央部にはイオンビームが射出される孔４１が設けら
れており、たとえば、石英製の丸棒からなる絶縁性支柱
７で冷却器３のフランジに懸垂固定されている。８は高
電圧電源■で、十電極側がエミッタブロック５を経由し
てエミッタ１に接続され、−電極側は引き出し電極４に
接地されている。９は高電圧電源■で引き出し電極４の
電位を決めている。
で中央部にはイオンビームが射出される孔４１が設けら
れており、たとえば、石英製の丸棒からなる絶縁性支柱
７で冷却器３のフランジに懸垂固定されている。８は高
電圧電源■で、十電極側がエミッタブロック５を経由し
てエミッタ１に接続され、−電極側は引き出し電極４に
接地されている。９は高電圧電源■で引き出し電極４の
電位を決めている。
いま、冷却剤、たとえば、液体窒素を冷却器容器３１に
満たして、熱伝導性の良い銅からなる冷却器３を冷やす
と、同じく熱伝導性の良いサファイヤブロック６の先端
に固定されたエミッタ１が冷却される。たとえば、イオ
ン源ガスにＡｒを用いる場合には沸点は８７．２５°に
、融点は８３．９５°になので、エミッタ１の温度をそ
の中間の８７°に程度まで冷却し、ノズル２１がら計ガ
スをエミッタ１に吹き付ける。この時、高電圧電源８に
よりエミッタ電圧が１０ｋＶ程度になるように電圧印加
したところ、立体角電流密度が１０μＡ／ｓｒ （ステ
ラジアン）と従来の構造のガスイオン源装置の場合の約
１０倍の高い電流密度のＡｒイオンビームが得られた。
満たして、熱伝導性の良い銅からなる冷却器３を冷やす
と、同じく熱伝導性の良いサファイヤブロック６の先端
に固定されたエミッタ１が冷却される。たとえば、イオ
ン源ガスにＡｒを用いる場合には沸点は８７．２５°に
、融点は８３．９５°になので、エミッタ１の温度をそ
の中間の８７°に程度まで冷却し、ノズル２１がら計ガ
スをエミッタ１に吹き付ける。この時、高電圧電源８に
よりエミッタ電圧が１０ｋＶ程度になるように電圧印加
したところ、立体角電流密度が１０μＡ／ｓｒ （ステ
ラジアン）と従来の構造のガスイオン源装置の場合の約
１０倍の高い電流密度のＡｒイオンビームが得られた。
なお、電流密度の測定はファラデーカップを用い電流測
定して行った。
定して行った。
なお、イオン源ガスがＡｒ以外の、たとえば、Ｎｅの場
合には、沸点が２７．０５°に、融点力２４．４８°に
なので、エミッタ１の温度をその中間の２６〜２７°に
程度に冷却して行えば同様にして高い電流密度のＮｅガ
スイオンビームが得られる。その他のガスの場合も同様
にして本発明を実施することができることは言うまでも
ない。
合には、沸点が２７．０５°に、融点力２４．４８°に
なので、エミッタ１の温度をその中間の２６〜２７°に
程度に冷却して行えば同様にして高い電流密度のＮｅガ
スイオンビームが得られる。その他のガスの場合も同様
にして本発明を実施することができることは言うまでも
ない。
以上述べた実施例は一例を示したもので、本発明の趣旨
に添うものである限り、使用するイオン源ガスや冷却剤
、装置を構成する素材や各部の形状・寸法、エミッタ電
圧の大きさなどは適宜好ましいもの、あるいはその組み
合わせを用いてよいことは勿論である。
に添うものである限り、使用するイオン源ガスや冷却剤
、装置を構成する素材や各部の形状・寸法、エミッタ電
圧の大きさなどは適宜好ましいもの、あるいはその組み
合わせを用いてよいことは勿論である。
〔発明の効果］
以上説明したように、本発明装置ではイオン源ガスを供
給するイオン源ガス導入管２は冷却器３やサファイヤブ
ロック６から独立して設けられ。
給するイオン源ガス導入管２は冷却器３やサファイヤブ
ロック６から独立して設けられ。
かつ、その先端のノズル２１をエミッタ１に近づけて配
置してあり、そのノズル２１からエミッタ１に直接イオ
ン源ガスを吹き付ける構造にしであるので、エミッタ１
をイオン源ガスの融点以上で沸点以下の温度に冷却して
高電圧を印加し動作させることにより、エミッタ１の表
面がイオン源ガスの液化薄膜で十分に覆われイオン化ガ
スの密度や滞在時間を十分に長くすることが可能となる
。したがって、立体角電流密度が１０μＡ／ｓｒ （ス
テラジアン）と従来の構造のガスイオン源装置の場合よ
りも、約−桁大きい電流密度の、たとえば、Ａｒイオン
ビームが得られ、集束イオンビーム加工装置の性能向上
とそれを用いる半導体集積回路の高集積化に寄与すると
ころが極めて大きい。
置してあり、そのノズル２１からエミッタ１に直接イオ
ン源ガスを吹き付ける構造にしであるので、エミッタ１
をイオン源ガスの融点以上で沸点以下の温度に冷却して
高電圧を印加し動作させることにより、エミッタ１の表
面がイオン源ガスの液化薄膜で十分に覆われイオン化ガ
スの密度や滞在時間を十分に長くすることが可能となる
。したがって、立体角電流密度が１０μＡ／ｓｒ （ス
テラジアン）と従来の構造のガスイオン源装置の場合よ
りも、約−桁大きい電流密度の、たとえば、Ａｒイオン
ビームが得られ、集束イオンビーム加工装置の性能向上
とそれを用いる半導体集積回路の高集積化に寄与すると
ころが極めて大きい。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は従来のガスイオン源装置の例を示す図、第３図
は集束イオンビーム加工装置の例を示す模式図である。 図において、 １ばエミッタ、 ２はイオン源ガス導入管、 ３は冷却器、 ４は引き出し電極、 ５はエミッタ固定ブロック、 ６はサファイヤブロック、 ７は絶縁性支柱、 ８は高圧電源■、 ９は高圧電源■、 ２１はノズル、 ３１は冷却剤容器である。
は集束イオンビーム加工装置の例を示す模式図である。 図において、 １ばエミッタ、 ２はイオン源ガス導入管、 ３は冷却器、 ４は引き出し電極、 ５はエミッタ固定ブロック、 ６はサファイヤブロック、 ７は絶縁性支柱、 ８は高圧電源■、 ９は高圧電源■、 ２１はノズル、 ３１は冷却剤容器である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 冷却したエミツタ（１）に高電圧を印加し、イオン源
ガスを供給してガスイオンを発生させるガスイオン源装
置において、 前記エミッタ（１）をイオン源ガスの融点より高く沸点
よりも低い温度に冷却し、 前記エミッタ（１）の先端部に独立したイオン源ガス導
入管（２）のノズル（２１）を近接させ、前記イオン源
ガスを直接吹き付けることを特徴としたガスイオン源装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510790A JPH03266336A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | ガスイオン源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510790A JPH03266336A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | ガスイオン源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03266336A true JPH03266336A (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=13277346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6510790A Pending JPH03266336A (ja) | 1990-03-15 | 1990-03-15 | ガスイオン源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03266336A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2012341A1 (en) * | 2007-07-06 | 2009-01-07 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Modular gas ion source |
| JP2009517838A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| JP2009164110A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | ガス電界電離イオン源，走査荷電粒子顕微鏡，光軸調整方法、及び試料観察方法 |
| US9012867B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-04-21 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Ion sources, systems and methods |
| US9159527B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
| JP2016536740A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-11-24 | カウフマン アンド ロビンソン，インコーポレイテッド | 放射冷却増進エンドホール・イオン源 |
-
1990
- 1990-03-15 JP JP6510790A patent/JPH03266336A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9012867B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-04-21 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Ion sources, systems and methods |
| US9159527B2 (en) | 2003-10-16 | 2015-10-13 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Systems and methods for a gas field ionization source |
| US9236225B2 (en) | 2003-10-16 | 2016-01-12 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Ion sources, systems and methods |
| JP2009517838A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | アリス コーポレーション | イオン源、システム及び方法 |
| EP2012341A1 (en) * | 2007-07-06 | 2009-01-07 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Modular gas ion source |
| US8101922B2 (en) | 2007-07-06 | 2012-01-24 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Modular gas ion source |
| JP2009164110A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | ガス電界電離イオン源，走査荷電粒子顕微鏡，光軸調整方法、及び試料観察方法 |
| JP2016536740A (ja) * | 2013-09-25 | 2016-11-24 | カウフマン アンド ロビンソン，インコーポレイテッド | 放射冷却増進エンドホール・イオン源 |
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