JPH0326662Y2 - - Google Patents

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JPH0326662Y2
JPH0326662Y2 JP1986167822U JP16782286U JPH0326662Y2 JP H0326662 Y2 JPH0326662 Y2 JP H0326662Y2 JP 1986167822 U JP1986167822 U JP 1986167822U JP 16782286 U JP16782286 U JP 16782286U JP H0326662 Y2 JPH0326662 Y2 JP H0326662Y2
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JP
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transistor
emitter
capacitance
feedback
oscillation
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、駆動電圧が変動しても発振周波数が
変動しないように改善した高周波発振回路に関す
るものである。
[Detailed Description of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a high-frequency oscillation circuit that is improved so that the oscillation frequency does not change even if the driving voltage changes.

(従来の技術) 従来の高周波発振回路の一例を第2図に示す。
第2図において、同調回路1がコンデンサ2を介
して高周波発振回路を形成するトランジスタ3の
ベースに接続されている。そして、このトランジ
スタ3のベースは、コンデンサ4を介してエミツ
タに接続されるとともに、抵抗5を介してコレク
タに接続され、さらに抵抗6を介して接地されて
いる。また、エミツタは、コンデンサ7と抵抗8
を並列に介して接地され、コレクタは、大容量の
バイパスコンデンサ9を介して接地されるととも
に、抵抗10を介して駆動電圧端子11に接続さ
れている。
(Prior Art) An example of a conventional high frequency oscillation circuit is shown in FIG.
In FIG. 2, a tuning circuit 1 is connected via a capacitor 2 to the base of a transistor 3 forming a high frequency oscillation circuit. The base of this transistor 3 is connected to the emitter via a capacitor 4, to the collector via a resistor 5, and further to ground via a resistor 6. Also, the emitter is capacitor 7 and resistor 8
The collector is grounded through a large-capacity bypass capacitor 9 and connected to a drive voltage terminal 11 through a resistor 10.

かかる構成により、コンデンサ4が第1の帰還
容量として設けられ、コンデンサ7が第2の帰還
容量として設けられ、高周波発振回路が形成され
ている。
With this configuration, capacitor 4 is provided as a first feedback capacitor, capacitor 7 is provided as a second feedback capacitor, and a high frequency oscillation circuit is formed.

(考案が解決しようとする問題点) ところで、上記した従来の高周波発振回路にあ
つては、駆動電圧端子11に印加される駆動電圧
の変動により、抵抗10,5,6で設定されるト
ランジスタ3のベースのバイアス電圧が変動し、
トランジスタ3のコレクタ電流の値が変化してベ
ース・エミツタ間容量が変化する。このベース・
エミツタ間容量はコンデンサ4,7とともに同調
回路1の同調容量に並列接続された構成になつて
おりそれらの容量値は発振周波数に関与してい
る。このため、駆動電圧が上昇すると、コンデン
サ4とベース・エミツタ間容量とからなる実質的
な第1の帰還容量が大きくなつて発振周波数が低
下する。また、駆動電圧が低下すると、発振周波
数が上昇する。すなわち、駆動電圧の変動により
発振周波数が安定しないという問題点があつた。
(Problems to be solved by the invention) By the way, in the above-described conventional high frequency oscillation circuit, due to fluctuations in the drive voltage applied to the drive voltage terminal 11, the transistor 3 set by the resistors 10, 5, and 6 The bias voltage at the base of changes,
The value of the collector current of the transistor 3 changes, and the base-emitter capacitance changes. This base
The emitter capacitance is connected in parallel to the tuning capacitance of the tuning circuit 1 along with the capacitors 4 and 7, and their capacitance values are related to the oscillation frequency. Therefore, when the driving voltage increases, the substantial first feedback capacitance consisting of the capacitor 4 and the base-emitter capacitance increases, and the oscillation frequency decreases. Furthermore, when the drive voltage decreases, the oscillation frequency increases. That is, there was a problem in that the oscillation frequency was not stabilized due to fluctuations in the driving voltage.

さらに、駆動電圧の低下によりトランジスタ3
の増幅度が低下すると、帰還量が減少して発振停
止を生じ易いという問題点があつた。
Furthermore, due to the reduction in driving voltage, transistor 3
There is a problem in that when the degree of amplification of the oscillator decreases, the amount of feedback decreases and oscillation is likely to stop.

本考案の目的は、上記した従来の高周波発振回
路の問題点を解決するためになされたもので、駆
動電圧の変動に対して発振周波数が安定するとと
もに発振停止を生じにくくした高周波発振回路を
提供することにある。
The purpose of this invention was to solve the above-mentioned problems of conventional high-frequency oscillation circuits, and to provide a high-frequency oscillation circuit in which the oscillation frequency is stabilized against fluctuations in drive voltage and oscillation stoppage is less likely to occur. It's about doing.

(問題点を解決するための手段) かかる目的を達成するために、本考案の高周波
発振回路は、トランジスタのベースとエミツタ間
に設けられた第1の帰還容量と、エミツタとコレ
クタ間に設けられた第2の帰還容量とを備えた高
周波発振回路において、前記第2の帰還容量が、
前記トランジスタのコレクタ・エミツタ間電位差
で逆バイアスされるように接続した可変容量ダイ
オードで構成されている。
(Means for Solving the Problem) In order to achieve the above object, the high frequency oscillation circuit of the present invention includes a first feedback capacitor provided between the base and emitter of the transistor, and a first feedback capacitor provided between the emitter and collector of the transistor. In the high frequency oscillation circuit, the second feedback capacitor is
It consists of a variable capacitance diode connected so as to be reverse biased by the potential difference between the collector and emitter of the transistor.

(作 用) トランジスタのエミツタとコレクタ間に設けら
れる第2の帰還容量を、トランジスタのコレク
タ・エミツタ間電位差で逆バイアスされるように
接続した可変容量ダイオードで構成するので、駆
動電圧が上昇してトランジスタのベース・エミツ
タ間の実質的な第1の帰還容量の容量値が大きく
なつても、コレクタ・エミツタ間電位差が大きく
なつて逆バイアスが大きくなり、第2の帰還容量
としての可変容量ダイオードの容量値が小さくな
つて、2つの帰還容量の和の変化が小さく抑えら
れて発振周波数の変動が補正される。また、逆に
駆動電圧が低下して第1の帰還容量が小さくなつ
ても、第2の帰還容量が大きくなつて発振周波数
の変動が補正される。
(Function) Since the second feedback capacitance provided between the emitter and collector of the transistor is composed of a variable capacitance diode connected so as to be reverse biased by the potential difference between the collector and emitter of the transistor, the drive voltage increases. Even if the capacitance value of the first feedback capacitance between the base and emitter of the transistor becomes large, the potential difference between the collector and emitter becomes large and the reverse bias becomes large. As the capacitance value becomes smaller, changes in the sum of the two feedback capacitances are suppressed to a small value, and fluctuations in the oscillation frequency are corrected. Furthermore, even if the first feedback capacitance becomes smaller due to a decrease in the driving voltage, the second feedback capacitance becomes larger and the fluctuation in the oscillation frequency is corrected.

さらに、駆動電圧の低下に対して、第2の帰還
容量が増大して帰還量が増加するので、発振停止
が生じにくい。
Furthermore, as the drive voltage decreases, the second feedback capacitance increases and the amount of feedback increases, making it difficult for oscillation to stop.

(実施例) 以下、本考案の実施例を第1図を参照して説明
する。第1図は、本考案の高周波発振回路の一実
施例の回路図である。第1図において、第2図と
同一回路素子には同一符号を付けて重複する説明
を省略する。
(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the high frequency oscillation circuit of the present invention. In FIG. 1, circuit elements that are the same as those in FIG. 2 are given the same reference numerals and redundant explanations will be omitted.

第1図において、第2図と相違するところは、
第2図のコンデンサ7に代えて、トランジスタ3
のコレクタとエミツタ間に、可変容量ダイオード
12がカソードをコレクタに接続して介装されて
いることにある。この可変容量ダイオード12は
コレクタ・エミツタ間電位差で逆バイアスされ、
駆動電圧端子11に印加される駆動電圧の変動に
より逆バイアスの大きさも変化され、駆動電圧が
上昇すると容量値が小さくなり、低下すると大き
くなる。
The differences between Figure 1 and Figure 2 are as follows:
In place of the capacitor 7 in FIG. 2, the transistor 3
A variable capacitance diode 12 is interposed between the collector and the emitter, with the cathode connected to the collector. This variable capacitance diode 12 is reverse biased by the collector-emitter potential difference,
The magnitude of the reverse bias is also changed by fluctuations in the drive voltage applied to the drive voltage terminal 11, and as the drive voltage increases, the capacitance value decreases, and as it decreases, it increases.

かかる構成において、駆動電圧が上昇すると、
トランジスタ3のベースのバイアス電圧が上昇し
てコレクタ電流の値が増大し、ベース・エミツタ
間容量が大きくなる。しかし、可変容量ダイオー
ド12の容量値が減つて和の容量値の変化量が小
さくなるので、発振周波の低下が補正される。ま
た、駆動電圧が低下すると、逆にトランジスタ3
のコレクタ電流の値が減少し、ベース・エミツタ
間容量が小さくなるが、可変容量ダイオード12
の容量値が増えてやはり和の容量値の変化量が小
さくなるので、発振周波数の上昇が補正される。
In such a configuration, when the drive voltage increases,
The bias voltage at the base of transistor 3 increases, the value of the collector current increases, and the base-emitter capacitance increases. However, since the capacitance value of the variable capacitance diode 12 decreases and the amount of change in the sum capacitance value becomes smaller, the decrease in the oscillation frequency is corrected. Moreover, when the driving voltage decreases, the transistor 3
The collector current value of the variable capacitance diode 12 decreases, and the base-emitter capacitance decreases.
Since the capacitance value increases and the amount of change in the sum capacitance value also becomes smaller, the increase in the oscillation frequency is corrected.

さらに、駆動電圧の低下によるトランジスタ3
の増幅度の低下に対して、実質的な第1の帰還容
量が減少するのみならず第2の帰還容量が増加
し、第1と第2の帰還容量の比が変化する。この
結果、トランジスタ3のベースに与えられる帰還
量が増加し、トランジスタ3は従来より低い駆動
電圧まで発振停止せずに発振動作を維持できる。
Furthermore, transistor 3 due to a decrease in driving voltage
As the amplification degree decreases, not only does the first feedback capacitance actually decrease, but the second feedback capacitance increases, and the ratio of the first and second feedback capacitances changes. As a result, the amount of feedback given to the base of the transistor 3 increases, and the transistor 3 can maintain its oscillation operation without stopping its oscillation even at a lower drive voltage than before.

(考案の効果) 以上説明したように、本考案の高周波発振回路
は、駆動電圧の変動に対して発振周波数が安定し
ているとともに、低い駆動電圧まで発振停止せず
に発振動作を維持できるという優れた効果を奏す
る。
(Effects of the invention) As explained above, the high-frequency oscillation circuit of the invention has a stable oscillation frequency against fluctuations in drive voltage, and can maintain oscillation without stopping oscillation even at low drive voltages. It has excellent effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本考案の高周波発振回路の一実施例
の回路図であり、第2図は、従来の高周波発振回
路の一例の回路図である。 3:トランジスタ、4:コンデンサ、11:駆
動電圧端子、12:可変容量ダイオード。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of a high frequency oscillation circuit of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of an example of a conventional high frequency oscillation circuit. 3: Transistor, 4: Capacitor, 11: Drive voltage terminal, 12: Variable capacitance diode.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] トランジスタのベースとエミツタ間に設けられ
た第1の帰還容量と、コレクタとエミツタ間に設
けられた第2の帰還容量とを備えた高周波発振回
路において、前記第2の帰還容量を、前記トラン
ジスタのコレクタ・エミツタ間電位差で逆バイア
スされるように接続した可変容量ダイオードで構
成したことを特徴とする高周波発振回路。
In a high frequency oscillation circuit including a first feedback capacitor provided between the base and emitter of a transistor, and a second feedback capacitor provided between the collector and emitter of the transistor, the second feedback capacitor is connected to the second feedback capacitor of the transistor. A high-frequency oscillation circuit characterized by comprising a variable capacitance diode connected so as to be reverse biased by a collector-emitter potential difference.
JP1986167822U 1986-10-31 1986-10-31 Expired JPH0326662Y2 (en)

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JPS6372913U JPS6372913U (en) 1988-05-16
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60233906A (en) * 1984-05-07 1985-11-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd oscillation circuit
JPS615011U (en) * 1984-06-14 1986-01-13 関西日本電気株式会社 local oscillation circuit

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JPS6372913U (en) 1988-05-16

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