JPH03267394A - 半割軸受の表面処理方法及びその装置 - Google Patents

半割軸受の表面処理方法及びその装置

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JPH03267394A
JPH03267394A JP2065691A JP6569190A JPH03267394A JP H03267394 A JPH03267394 A JP H03267394A JP 2065691 A JP2065691 A JP 2065691A JP 6569190 A JP6569190 A JP 6569190A JP H03267394 A JPH03267394 A JP H03267394A
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bearings
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正 田中
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雅昭 坂本
Motomu Wada
和田　求
Takayoshi Sasaki
隆好 佐々木
Masaki Tanimoto
谷本　正樹
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半割軸受の内面及び／または背面に表面処理
をする方法及び装置に関する。
［従来の技術］ 従来から半割軸受の表面層は電気めっきにより軸受内面
に数ミクロンから数拾ミクロンの厚さの層を設けるため
、表面処理液が入った浴槽内で複数個組付配列された半
割軸受内面の中心線に沿った軸線方向に位置する陽極棒
を配置し電気めっきをおこなっている。この場合半割軸
受の上下にはめっき厚分布の悪い所が出来るのでこれを
防止するため、スペーサーメタル、捨てメタル、ダミー
メタルなどと呼ばれる半割軸受の形状を有し且つ主導性
の物が半割軸受の上下に組付けられる。次に半割軸受を
組付けためつきケースを脱脂槽、電解脱脂槽、酸浸漬槽
、めっき槽、回収槽、水洗槽、中和槽、洗浄槽等で処理
し、処理された半割軸受をめっきケースより取り出すこ
とによって半割軸受の表面処理がなされている。
［発明が解決しようとしている問題点］ψ　半割軸受を
複数個組付けためつきケース又は治具等を処理液に浸漬
して処理しその後半割軸受を取出しているが、出し入れ
される物体の表面積の大きさに関連して処理液の汲み出
しが多くなる。
この漬は更にめっきケース等の構造が複雑になるほど多
くなり、各処理液の回収液濃度の増加；洗浄水の汚染濃
度の増加により、各処理液の汚染、ひいてはめっき品質
の低下や廃水処理等々の問題を生じていた。
初　また半割軸受に均一に給電するためには、各めっき
ケース又は治具の給電部に均一な接触が必要であるが、
軸受とスペーサー、スペーサーとめつきケース又は治具
、めっきケース又は治具と装置のフック等々の接触個所
が多いため接触抵抗の累積として均一な給電を困難にし
ており、このためにめっき厚さの精度を悪くしている。
ｅ９　　更にめっきケース又は治具内で半割軸受の液中
に於ける上下の位置の差によって電流分布特性の変動が
生じる。この変動を最小限とするため半割軸受と同じ内
径のスペーサー１０１を上下に配置してめっきをおこな
うことが従来から行なわれて来たが（第７Ａ図及び第７
Ｂ図参照）、この変動を最小限とするのには十分ではな
く、まためっきケース等の、傾きによりめっき厚さの精
度を悪くしている。
（ハ）　ここで使用されるスペーサー１０１は複数個の
半割軸受を組付けしているめっきケース又は冶具ごとに
必要で、毎回めっきされるため、次第に表面が盛り上が
り、粗くなり、そのためにスペーサ附近の半割軸受のめ
つき厚さの精度低下の原因や、各工程の処理液の汲み出
しにより回収液濃度の増加：洗浄水の汚れの増加；ひい
ては各処理液の汚染の原因となる。
■　更に、従来の方法ではめつきケース又は治具が、ア
ルカリ性液や酸性液に浸漬される過程で、上記０）項の
汚染等と共に化学反応により不溶性沈殿物が治具に耐着
し増加する。しかも各処理液は処理温度が異なり冷した
り温めたりの繰返しによりケース又は治具にはひずみが
生じ、半割軸受組付精度を悪くするために、ひいては半
割軸受に付与されるめっき厚さの精度を悪くしていた。
（へ）　一方現在の環境はエンジンの高性能化と低騒音
化の要求から半割軸受及び半割軸受表面層の＾精密仕上
げが要求され、合わせて品質の均一性が望まれている。
従ってこれらの方式では剛性のあるめっきケース、大型
めっき装置、大型廃水処理設備まで必要となり、水量も
多く必要となる。当然のこととしてイニシ？ルコスト、
ランニングコストも＾くなり、メンテナンスも多くの費
用を必要としていた。
（ト）　　また直接生産作業の面からも、ケースへの半
割軸受の取り付け、装置への取り付け、装置からの取り
外し、ケースより半割軸受の取り出しと、繰り返し作業
が多くこれを人手にたよるにしても、自動装置化にして
も多額の費用が必要で、生産コストアップにつながって
いた。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を改良することで
ある。
［問題点を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明の半割軸受表面処理方
法は、表面処理液を収容し且つ表面処理により半割軸受
に付与される合金を陽極として収容した浴槽Ａを準備す
る段階と、該表面処理液の中に半割軸受を１個づつ連続
して挿入する段階と、表面処理液中に挿入された半割軸
受を互いに接触した状態で表面処理液内を移動させなが
ら該半割軸受を陰極とし上記陽極との間で表面処理液を
介して通電し半割軸受表面に上記合金の表面層を付与す
る表面処理をおこなう段階と、表面処理を完了した半割
軸受を連続して１個づつ順々に浴槽外へ搬出する段階と
、を有することを更に有する。
本Ｒ軒の半割軸受表面処理方法は、表面処理液を収容す
るための浴槽Ａと、該浴槽内に配置され且つ複数半割軸
受を互いに接触状態に保持しつつ移動可能に配列する摺
動板装置Ｆ、Ｆ２並びに該摺動板装置により配列されて
いる複数半割軸受のうち表面処理液外に配置された半割
軸受と通電可能に接触する通電装置７を備えた表面層形
成装置Ｆと、表面層形成装置Ｆから隔置された表面処ｊ
！！液撹拌パイプと、該表面処Ｊ！！Ｉ浣拌パイプから
隔置された電極とを有することを更に有する。
［作用１ 本発明においては、被表面処理体である複数個の半割軸
受は１個づつ順々に連続的に表面処理液中に挿入され、
該複数半割軸受をｈに接触状態に保持しつつ表面処理液
中を移動する過程で半割軸受に通電して表面処理をおこ
なっている。従って半割軸受は連続的に表面処理される
ため作業効率がよく、且つ各半割軸受は表面処理液中で
同じ表面処理ルートを通過するので表面処理条件がとの
半割軸受についても同一となり各半割軸受に付与にされ
る表面処理を均一におこなうことが可能となる。
［実施例］ （例１）　第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図は本発明の
第１の実施例であり、第１Ｄ図に示される半割軸受Ｚの
内面ＹにＮ「メツキする場合の表面処理を示す。半割軸
受Ｚは、１．２履厚さの鋼裏金に銅鉛軸受合金焼結層（
２５ｗｔ％Ｐｂ−０，５ｗｔ％３．　ｎ−残部Ｃｕ）が
接合されて内面を形成し且つ外径６３原、内径６０履、
厚さ１．５履及び幅２６．５麿の寸法を有する。
図中Ａは、浴温４０〜６０℃で２．０〜４．００Ｈの電
解Ｎｉメツキ用の公知ワットＮｉメツキ液８を収容した
６　０　ａｘ　Ｘ　３０　ｃｍの矩形断面寸法を有し且
つ深さ５０αの浴槽である。Ｃは浴槽の上方に設けられ
た半割軸受搬入装置であり、該装置は半割軸受を自由落
下可能に保持しているホッパー０１と、該ホッパーから
供給される半割軸受Ｚを１個づつ順々に浴槽Ａの直上に
移動させるピストン−シリンダ装置１とを有する。ホッ
パーＣ７は垂直力１酊に延在した筒体であるが、このホ
ッパーの代りにベルトコンベヤ＠歌を使用して半割軸受
をピストン−シリンダ装置に供給してもよい。Ｄは浴槽
ａ上に運ばれた各半割軸受を順々に表面処理液収容浴槽
の下部に移動させる半割軸受接触表面であり、外枠Ｊ１
．：固定されている。この手刷軸受浸漬装置りは各半割
軸受を浴槽下方に向けて移動可能に保持する保持装置と
該保持装置により保持されている半割軸受を浴槽上方に
向けて押し込むピストン−シリンダ装ｅ１２とを有する
。保持装置は、半割軸受の端部Ｘと接触し且つ垂直方向
に延在する良さ５１αの板状部材Ｄ１と、半割軸受Ｚの
円弧状部分りと接触する略Ｖ字型表面を有し且つピスト
ン−シリンダ装置２の作動により半割軸受が浴槽下方に
移動する時の半割軸受Ｚを保持する補助をおこない且つ
板状部材Ｄ１がら水平方向に隔置された棒状部材Ｄ２と
を有する。板状部材Ｄ１内には、板状部材Ｄ１の長手方
向に沿って且つ半割軸受端部Ｘと接触する位置に対応し
て半割軸受接触表面と反対側に磁石Ｄ３が埋込まれてい
る。この磁石Ｄ３は半割軸受Ｚの自由落下が生ぜず且つ
半割軸受Ｚがピストン−シリンダ装置２の作動により板
状部材Ｄ１に沿って浴槽Ａの下部に向かって移動可能と
なる磁力を有する。半割軸受Ｚはこの半割軸受浸漬装置
りにより板状部材Ｄ１の下端部から上端部に向かって互
いに接触した状態で５個保持されるのが好ましい。
Ｅは、半割軸受浸漬装置りにより表面処理液中の浴槽下
部に移動した半割軸受Ｚを水平方向に移動させるための
水平移送装置であり、外枠Ｊに固定されている。この水
平移送装置！Ｅは、半割軸受を水平方向移送可能に保持
する絶縁材料から成る保持板部材５と、この半割軸受を
水平方向に動かすプッシャ３とを有する。保持板部材５
には磁石Ｅ　が埋込まれ、この磁石Ｅ１により半割軸受
Ｚを安定且つ可動状態で保持する。プッシャ３はワイヤ
（あるいはベルト）Ｅ２により連結され、ワイヤは浴槽
上方に設けられたピストン−シリンダ装Ｗ（図示せず）
の作動によって移動してプッシャ３及びこれに当接する
半割軸受Ｚを第１Ａ図で水平方向右側へ移動させる。こ
のプッシャ３の代りに第３図に示されているＯラド３′
を備えた水平移送装ｆｌＥ’　を使用することもできる
。ロッド３′の上方端部はピストン−シリンダ装ｆｆ２
３に連結され、ロノド３′の下方端部には半割軸受を押
して水平方向に動かすための略Ｖ字形接触表面を備えた
取付部材Ｅ４が設けられている。ロノド３′の長手方向
両端部間にはロノド３′を揺動可能に支承する支軸Ｅ５
が設けられている。
Ｆは、水平移送装置１（ＥあるいはＥ”）によって浴槽
Ｆ部の所定位置に送られた半割軸受Ｚを浴槽上方に移動
させると共にこの移動中に半割軸受Ｚ自体を陰極として
通電させることによりワットニッケルめっき液に浸漬さ
れている半割軸受７の表面において表向処理即ちＮｉメ
ツキ処理がおこなわれるようにするための表面層形成装
置であり、外枠Ｊに固定されている。表面層形成装置Ｆ
は、半割軸受Ｚを浴槽上方に引上げるための引上装置６
と、引上げられつつある半割軸受を豆いに接触状態で浴
槽上方に向かって移動可動に保持するための磁石埋込式
で板状の摺動板装置Ｆ１と、半割軸受の寸法に対応して
定められる距離だけ摺動板装置Ｆ１から水平方向に隔置
され且つ１４個の半割軸受が互いに接触しつつ浴槽上方
に移動する時に軸受背面（Ｕ）が表面処理されるのを実
質上防止すると共に半割軸受の保持の補助をおこなう棒
状部＠Ｆ２と、表面処理液直上において１ｆｌ！動板装
置Ｆ１の上端に設けられ且つ表面処理液表面外に移動し
た半割軸受と接触し電流を表面処理液即にある半割軸受
に流す導゛耐部材を備えた給電袋ｗ７とを有する。第４
図に詳細に示されている引上装Ｒ６はピストン−シリン
ダ装ＷＩＦ９と、これに連結され且つ半割軸受の下部と
引上接触する絶縁材から成る引上接触部Ｆ３とを有する
。摺動板装置Ｆ　は板状部材Ｄ１と同様な構成であり、
半割軸受画端部との接触部分に対応した個所に磁石Ｆ５
が埋込まれた絶縁材から成り、ｈつ半割軸受の円弧状内
側部Ｙに対応した位置に表面処理液撹拌用０１２ｍ幅で
３３０ｍ長さの貫通穴Ｆ６を有する。
貫通穴Ｆ　は摺動板装置ＦＦ１の上端近傍から下端近傍
まで延在している。棒状部材Ｆ２はＤ２と同じ構成を有
し半割軸受の円弧状背面Ｕと接触可能なＶ字形状の溝を
備え、摺動板装置Ｆ１と同じく浴槽下部から浴槽直上ま
で延在し、半割軸受が上方に移動する時に半割軸受の背
面Ｕが表面処理されるのを実質上防止すると共に半割軸
受が板状摺動板装置Ｆ　の磁石Ｆ５に上方可動状態で保
持されるための補助の役目をする。給電装置７は第５図
に示されるように、表面処理液より搬出された半割軸受
の端部Ｘ及び円弧部Ｕと導電状態に接触する形状を備え
たＳ電材８から成り、該導電部材は電源装置（図示せず
）のマイナス（−）側に接続されている。
Ｇは、貫通孔Ｅ６に対応した位置に沿って設置プられ１
つ貫通孔Ｆ６に向かって表面処理液即ちワットＮｉメツ
キ液を０．２に９ｆ／α２の圧力で噴出させる表面処理
液撹拌パイプであり、該撹拌パイプは外径２０履内径１
８履の寸法を有する円筒状パイプであり且つ、貫通孔Ｆ
６に面して３０履のピッチで設けられた穴径２縮の開口
を１０個有する。撹拌パイプの上部にはこれと同心状に
配置されたカバーパイプＧ１が設けられている。表面処
理作動条件を変え浴槽内の液面高さを変化させたときに
、このカバーパイプＧ１を回転させてパイプの有効作動
長さを調節する。１」は表面処理液と協働して半割軸受
の表面に表面処理即ちＮｉメツキをおこなう時の幅１２
６履×高さ５５０履×５．０麿厚さの寸法のニッケル材
から成り且つ陽極の役目をする電極部である。■は表面
処理〈メツキ処理）が完了した半割軸受Ｚ１を引上げ、
浴槽へから隔置された回収槽１３及び水洗槽１４に移送
するための引上移送装置であり、該引上移送装置ｆは半
割軸受Ｚ１をつかむチャック装置９（第１Ａ図、第１Ｃ
図、第２Ａ図、第２Ｃ図及び第６図参照）と該チャック
装置を上下動させるピストン−シリンダ装置と、引上げ
られた半割軸受を水平方向に移動させ次の処理工程をお
こなう回収槽１３の直上及び水洗装置の直上に移送する
ためのピストン−シリンダーガイド装罰１１と、該ピス
トン−シリンダーガイド装置により回収槽あるいは水洗
装置の位置に移された半割軸受を回収槽１３あるいは水
洗装置１４中に挿入し且つ処理後の半割軸受を次の処理
工程へ移動させるピストン−シリンダ装置２１０（第１
Ｃ図、第２Ｃ図及び第６図参照）とを有する。チャック
装置９は、圧縮空気により作ｖＪするー・対のアーム１
１を備えた公知のものである。回収槽１３は、半割軸受
Ｚ１に付着している表面処理液の大部分を除去するため
に表面処理液の希釈液が収容され、半割軸受Ｚ１の処理
個数の増加につれて希釈液自体が濃化するため、一定１
１度以上になった希釈液は濃縮処理して浴槽Ａにもどす
。水洗装置は回収槽での表面処理液除去後、最終的に半
割軸受表面に残った微結の残液を水流で除去する檜であ
る。
本発明のこの例におけるＮ！メツキ表面処理の作動を以
下に説明する。作動開始時に半割軸受又は半割軸受と同
じ形状及び材質から成るスペーサーを２０個ホッパー０
１から半割軸受浸漬装置りにピストン−シリンダ装置１
を介して供給した後、製品として使用される半割軸受Ｚ
を順々にホッパー０１から送り込み定常状態とした。半
割軸受は約１５個／分の速度で半割軸受浸漬装置から、
水平移送装置Ｅに移動し、プッシャ３の作動により半割
軸受表面処理装置［１に送られ、引上装置６の作動によ
り引上装置のストロークに対応して約７０Ｍ上方に移動
し摺動板装置Ｆ１により順々に保持され且つ互いに接触
状態下で上方に０．４ｍ／分の速度で上昇した。先頭の
半割軸受又はスペーサが給電装置７に達しこの給電装置
と接触すると、上昇移動している半割軸受あるいはスペ
ーサ自体が陰極となり給電部７を介して約１２Ａ／ｄ１
２の電流密度で電流を流し同時に表面処Ｊｌ！液撹袢パ
イプから０．２ＫＩｒ　／ａｘ２ｕ下の圧力で液を噴出
させ、Ｎ１メツキ表面処理が開始された。この開始後１
２個の半割軸受あるいはスペーサのＮｉメツキ処理が完
了した後にＮ１メツキ処理の定常状態となり（即ち最初
の半割軸受あるいはスペーサには所定量のＮ１メツキ処
理はおこなわれない）平均厚さ１．５２μｍのＮ１めっ
き層が半割軸受内面Ｙに設けられた。この時のＮ１めっ
き層の特性を第１表に示す。Ｎｉめっき表面処理完了後
の半割軸受Ｚ１は引上移送装置Ｉにより引上げられ且つ
回収槽１３及び水洗！Ｒ１４に順次移送されてワットＮ
１めっぎ液の大部分は引上時に浴ＩＡに落下し、落下せ
ず半割軸受に付与しているワットＮ１めっき液は回収槽
１３中のワットＮ１めっき希釈液中に半割軸受を浸漬す
ることで回収され、その後水洗槽１４中で水洗すること
によりＮ１めつき表面処理が完了した。回収槽中の希釈
液は所定濃度に達すると槽Ａ内に送られて再使用するの
が好ましい。
上記表面処理の終了時には、作ｌ！１ｒｐｊ始時と同じ
２０個のスペーサーをホッパー０１、半割軸受浸漬装置
１ｆＤ及び水平移送装置Ｅを介し半割軸受内面処理装置
Ｆで処理し浴槽外へ引上げ定常状態の場合と同じように
処理した。この場合、半割軸受浸漬装置Ｄにあるスペー
サの最終５個については、ピストン−シリンダ装置２の
押下げストロークを半割軸受１個分づつ順次増加させる
ことにより最終５個のスペーサを順々に水平移送装置に
移送した。半割軸受表面処理装置「においては最終スペ
ーサが引上装置６に配置された時点で引上装置の引上ス
トロークを半割軸受１個分だけ順次増加させることによ
り最終的にすべてのスペーサを浴槽外に移送した。この
ストロークの増加による最終スペーサの処理の代りに、
ストロークを一定としたままピストンシリンダー装置自
体を半割軸受１個分のピッチで順次下方に移動させ及び
引上装置６自体を同じく順次上方に移動させることで最
終スペーサを処理してもよい。
本発明によるＮ１めつき表面処理半割軸受と比較するた
め、第７Ａ図及び第７Ｂ図に示すめっきケース１００を
使用して半割軸受をスペーサ１゜１を介して組付して成
るカセットを、上記実施例に示されたものと同一のワッ
トＮ１めつき液を使用して且つ同じめっき条件でＮｉめ
つきをおこなった。この時のＮｉめっき層の性質を第１
表にボす。
第１表から明らかなように、本発明によるＮｉめつき層
は厚さ精度、粗さ、接着力及び陰極効率について一比較
品のＮｉめつき層よりも優れた性質を示した。
第１Ａ図から第１Ｃ図まではＮＩめつき層を設ける表面
処理について示したが、他の金属あるいは合金の層を設
ける表面処理にも使用できることは当然である。
（例２） 第２Ａ図第２Ｂ図及び第２Ｃ図は本発明の第２の実施例
を示し、この第２の実施例では、例１においてＮｉめっ
き層が形成された半割軸受Ｚ１に２極類の鉛合金の電解
めっきをする場合の表面処理を示した。図中で、第１寅
施例と同じ部材については同一・番号を使用して示す。
八は、鉛合金めっき用の公知−弗化物浴の１０ｗｔ％３
ｎ−残部Ｐｂ合金用めっき液Ｊ及び１０ｗｔ％３ｎ−２
ｗｔ％ＣＵ−残部Ｐｂ合金用めっき液Ｊを収容した断面
が６０　ｃｘ　Ｘ　３０αの短形で深さ９０αを有する
浴槽であり、２種類のめっき液のために２（！ｌの浴槽
を準備した。Ｋは浴槽上方に設けられた半割軸受搬入装
置Ｃ′であり、該装置は半割軸受Ｚ１を１個づつ順々に
浴槽Ａの直上に移動させるピストンシリンダ装置１と、
半割軸受７１を保持している台に１とを有する。しは半
割軸受搬入装置Ｋにより送られてきた半割軸受Ｚ１を浴
槽のメツＶ液に浸漬移動させると共にこの移動中に半割
軸受自体を陰極として通電することにより鉛合金めっき
液Ｊに浸漬されている半割軸受表面において表面処理即
ちＰｂ金合金っき処理をおこなう表面層形成装置であり
、外枠Ｊに固定されている。この装置りは、半割軸受７
１を外部電源（図示せず）と通電状態に接触させる導電
部材から成る給電装置７と、半割軸受Ｚ１を浴槽の下部
に向かって移動させるピストン−シリンダ装置２と、半
割軸受が自由落）せず且つ浴槽下方へ向かって移動可能
に保持すると共に移動中にＰｂ合金めっきが半割軸受表
面に施されるようにするための例１と同一の構成を有す
る摺動板装置Ｆ１とを有する。摺動板装置Ｆ１は半割軸
受の保持の補助をおこなう半割軸受保持装置を有する。
この半割軸受保持装置は、半割軸受外周端部に当接する
細長片部材Ｆ４と、該細長片部材を半割軸受に向かって
押圧するバネ部材Ｆ５とを有する。Ｇは例１と同一の構
成を有する撹拌パイプであり例１と同じようにカバーパ
イプＧ１を有する。Ｍは、幅１２６ｓｗＸ長さ５５０ａ
ｌ×厚さ２０．０履の寸払を有する１０ｗｔ％３ｎ−残
部Ｐｂ合金製の陽極板であり、半割軸受内面にめっきさ
れるＰｂ合金組成を供給する役目をする。Ｎは、半割軸
受表面処理装置によって表面処理された半割軸受Ｚ２を
受は取り且つ浴槽下部において水平方向に移送する水平
移送装置であり、水平距離が例１の場合よりも若干長い
距離移送する構成となっていることを除くと、例１と同
しくプッシャ３、該プツシｔ３を動かすワイヤあるいは
ベルトＮ　、板状部材５′、及び板状部材５′に埋込ま
れた磁石Ｅ１を有する。あるいはこの装置Ｎの代りに第
３図に示される装ｆｆ１Ｆ’　を使用してもよい。Ｏは
、水平移送装置ｉ￥Ｎによって移送された半割軸受７２
を受は取り１つ浴槽直上に引上げるための半割軸受引上
装置であり、外枠、ノに固定されている。該引上装置Ｏ
は、水平移送装置から送られてきた半割軸受を受は入れ
る引上台６′と、引上台６′に位置した半割軸受Ｚ２を
浴槽上方に引上げる例１の引上装置６と同様の引上装置
６′と、引上装置６′により引上げられた半割軸受を上
方移動可能に保持する例１と同様の長さ９１ｃＩｌの板
状部材Ｄ１及び棒状部材Ｄ２とを有する。但し棒状部材
Ｄ２を設けない構成としてもよい。１′は、浴槽直上に
引上げられた半割軸受Ｚ２を浴槽Ａから隔置された回収
槽１３′及び水洗槽１４′に移送するための引上移送装
置であり例１における引上移送装置Ｉ、回収槽１３及び
水洗槽１４とそれぞれ同じ構成及び作用を有する。
本発明実施例のこの例２におけるＰｂ金合金っき表面処
理の作動を以下に説明する。例１での表面処理を完了し
た半割軸受又はスペーサがピストン−シリンダ装置１に
より半割軸受表面処理装置りに搬入され、ピストン−シ
リンダ装置２の作動により下方に移動し給電部７と接触
し、以後互いに接触し且つ複数半割軸受あるいはスペー
サのいずれか１つが給電部７と接触状態を保持しつつＰ
ｂ金合金っき液中に浸漬されて通電状態となってＰｂ合
金めっき処理が始る。先頭の位置にある半割軸受あるい
はスペーサが表面処理装置の下端に到達した時点からＰ
ｂ金合金っき処理の定常状態になり、製品となる半割軸
受は１５個／分の速度（即ち０．４ＴｒＬ／分の速度と
同一）でＰｂ金合金つき処理を完了した。次にこの半割
軸受Ｚ２を水平移送装置Ｎによって引上装置６′に移し
、この引上装置６′の１回の引上ストロークの作動で半
割軸受Ｚ２を表面処理液直上に移送し、その後は例１と
同じように処理した。なお、この引上ストロークを２回
に分けておこなうこともできる。
この時のめっき液の浴温は２５〜３５℃であり、撹拌パ
イプＧから噴出されためつき液の圧力は０．２ＫＩｆ　
／ｃｘ２以下であり、陰極電流密度は３ＯＡ／ｄｍ　　
であり、半割軸受Ｚ１の内側表面に設けられた１０ｗｔ
％Ｓｎ−残部Ｐｂ合金めっき層の平均厚さは１９．１μ
ｍであり、６ｗｔ％Ｓｎ−２ｗｔ％Ｃｕ−残部Ｐｂ金合
金っき層の平均厚さは１９．６μｍであった。このめっ
き層の特性値を第１表に示す。
本発明のＰｂ合金めっき表面処理半割軸受と比較するた
め第７Ａ図及び第７Ｂ図に示す゛めつきケース１００を
使用して半割軸受Ｚ１をスペーサ１０１を介して組付し
て成るカヒットを、この例２に示されたものと同一の２
種類のＰｂ金合金っき液を使用しそれぞれ６Ａ／ｄａ２
（１０ｗｔ％Ｓｎ残部Ｐｂ合金めっき液）及び３Ａ／ｄ
ａ２（８ｗｔ％Ｓｎ−２ｗｔ％Ｃｕ−残部Ｐｂ合金めっ
き液）の電流密度を使用した以外は例２と同一条件でＰ
ｂ金合金っきをおこない、得られたＰｂ合金めつき層の
特性を求めた。その結果を第１表に示す。
第１表から明らかなように本発明により得られたＰｂ合
金めっき層は、めっき厚さ精度、粗さ、接着力及び陰極
効率のすべてについて比較量のＰｂ合金めっき層よりも
優れた性質を示した。
めっき前軸受の肉厚の標準偏差σは０．４５ｕｍ、表面
粗さはＲｓａｘ　１．　１ｕｍ、Ｎ　ｉめつき狙い厚さ
１．５０μｍ、Ｐｂ合金めっきの狙い厚さ２０．０μｍ
０ ■　ニッケルめっきの厚さ及び鉛合金めっきの厚さは、
電解式のコクール式膜厚測定機で測定した。また接着力
は米国特許第４．５０１゜１５４号明ＩＩＩ遺に開示さ
れた多層材料の接着力測定法に従った。
傘零ネ陰極効率は（実際の析出厚さ）／（理論上の析出
厚さ）ｘｌｏｏで示した。
（例３） 第８図及び第９図は本発明の第３実施例を示す主要部の
部分断面図でありそれぞれ第１Ｂ図及び第２Ｂ図に対応
する。この第３実施例では、第１Ａ図と第１Ｂ図に示さ
れた棒状部材Ｄ２及びＦ２の代りに半割軸受浸漬装置が
設けられたものである。その他の構成は第１実施例ある
いは第２実施例と同じである。この半割軸受保持装置は
、半割軸受両端部に隣接した細長片部材（Ｄ、Ｆ７）ど
、細長ハ部材を半割軸受両端部に向かって押Ｈするバネ
部材（Ｄ、Ｆ８）とを有する。この半割−受保持装置は
、半割軸受が表面処理液中を移動する時に、半割軸受の
背面の不具合をなくす効果がある。特に、半割軸受にＮ
ｉメツキ以外の表面処理例えばＰｂ合金メツキするとき
に好適に使用できる。
［発明の効果］ １）本装置は連続的に送り込むため、スペーサあるいは
製品として使用できない半割軸受は最初の１槽分のみ必
要とするだけで、後は連続的に半割軸受を送り込むのみ
で良く、従来技術のケース保持方式がケースごとにスペ
ーサが必要だったことと比較して１日生産を続けても同
じ半割軸受あるいはスペーサの数で良く、内外径が同じ
軸受ならば全く連続的にめっき生産が可能である。
２）　めっき治具がなく、軸受のみ移動するので、液の
汲み出しは軸受に付着した液のみであり、それも１個毎
に取出すため、従来の様にめつき治具間の液の汲み出し
及びすくい出しがなく、水洗洗滌性が極めて良い。
３）めっき装置及び廃液処理装置も極めて小さくて済み
、即ち装置全体がコンパクトとなるため、機械加工ライ
ンに直結できる大きさとなり、無人自動運転が可能とな
る。ひいては仕掛り品を少くでき、計画生産がより容易
となる。
４）同じ装置内を全ての軸受が通過する機構のため、め
っき厚さ、粗さ、接着、成分等のめつき品質が均一に安
定して生産できる。
５）陽極は各めっき槽１本で済み、又撹拌も各めっき槽
１個所で済み、調整及び管理も容易である。
６）陰極（軸受）と陽極の極間距離が近く、しかも精密
に保持でき、高速めつきが可能で、液酸が少ないため液
の上下でめっき厚の調整もでき、極めて使い易い。
以上述べた様に前述の問題点が全て解決された。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図、第１Ｂ図及び第１Ｃ図は本発明の表面処理技
術の第１の実施例を示す部分的断面概略図であり、第１
ｒつ図は表面処理が施される半割軸受の斜視図であり、 第２Ａ図、第２Ｂ図及び第２Ｃ図は本発明の第２の実施
例を示づ部分的断面概略図であり、第３図はロンド式の
半割軸受水平移送装置を示す部分的断面図であり、 第４図は引上装置の正面図であり、 第５図は摺動板装置及び給電装置を示す部分的断面図で
あり、 第６図は引上移送装置を示す概略図であり、第７Ａ図及
び第７Ｂ図は、半割軸受を表面処理する従来技術を示し
た概略図であり、 第８図及び第９図は第３の実施例を示す主要部の部分断
面図である。 図中Ａは浴槽、Ｂ、Ｊは表面処理液、ｃ、ｃ’は半割軸
受搬入装置、Ｄは半割軸受浸漬装置、Ｅ及びＥ′は半割
軸受水平移送装置、Ｆ、Ｌは表面層形成装置、Ｇは表面
処理液撹拌パイプ、Ｈ，Ｍは電極部、１，１′は引上移
送装置であり、７゜７１は被表面処理物である半割軸受
である。 第１Ｂ図 第１Ｄ図 第６図 第４図 第５図 第７Ａ図 第７Ｂ図

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）表面処理液を収容し且つ表面処理により半割軸受
    に付与される合金を陽極として収容した浴槽（Ａ）を準
    備する段階と、該表面処理液の中に半割軸受（Ｚ）を１
    個づつ連続して挿入する段階と、表面処理液中に挿入さ
    れた半割軸受を互いに接触した状態で表面処理液（Ｂ）
    内を移動させながら該半割軸受を陰極とし上記陽極との
    間で表面処理液を介して通電し半割軸受表面に上記合金
    の表面層を付与する表面処理をおこなう段階と、表面処
    理を完了した半割軸受を連続して１個づつ順順に浴槽外
    へ搬出する段階と、を有する半割軸受の表面処理方法。
  2. （２）浴槽外に搬出された半割軸受を連続して１個づつ
    表面処理液の希釈液を収容した回収層（１３）内に浸漬
    し、半割軸受表面に残留した表面処理液を実質上回収す
    る段階と、回収槽（１３）で処理された半割軸受を連続
    して１個づつ水洗槽（１４）内で水洗する段階とを有す
    る請求項１の表面処理方法。
  3. （３）陰極として作用する半割軸受の表面付近の表面処
    理液を撹拌しつつ通電をおこなう請求項１の表面処理方
    法。
  4. （４）陰極と陽極との間に配置され且つ半割軸受の表面
    に面する複数開口を備えたパイプから０．２Ｋｇｆ／ｃ
    ｍ＾２以下の圧力で表面処理液を半割軸受表面に向かつ
    て噴出させることにより撹拌をおこなう請求項３の表面
    処理方法。
  5. （５）半割軸受表面にＮｉの表面層を設け、次にこのＮ
    ｉ表面層にＰｂ合金表面層を設ける請求項１の表面処理
    方法。
  6. （６）半割軸受を０．２ｍ／分から１ｍ／分までの速度
    で浴槽内を移動させる請求項１の表面処理方法。
  7. （７）表面処理液を収容するための浴槽（Ａ）と、該浴
    槽内に配置され且つ複数半割軸受を互いに接触状態に保
    持しつつ移動可能に配列する摺動板装置（Ｆ＿１）並び
    に該摺動板装置により配列されている複数半割軸受のう
    ち表面処理液外に配置された半割軸受と通電可能に接触
    する給電装置（７）を備えた表面層形成装置（Ｆ）と、
    表面層形成装置（Ｆ）から隔置された表面処理液撹拌パ
    イプと、該表面処理液撹拌パイプから隔置された電極と
    を有する半割軸受の表面処理装置。
  8. （８）摺動板装置（Ｆ＿１）は平板形状を有し、且つ半
    割軸受と接触する表面と、該接触状態の半割軸受を移動
    可能に保持する磁石と、表面処理撹拌パイプに対面する
    位置に設けられた細長い貫通孔と、を備えた請求項１の
    表面処理装置。
  9. （９）摺動板装置（Ｆ＿１）は表面処理液撹拌パイプか
    ら１０ｍｍから５０ｍｍの距離だけ隔置され、撹拌パイ
    プは陽極から１０ｍｍから５０ｍｍまでの距離だけ隔置
    される請求項７の表面処理装置。
  10. （１０）半割軸受を１個づつ連続的に浴槽直上に移動す
    る半割軸受搬入装置（Ｃ）と、浴槽直上の半割軸受を表
    面処理液中に浸漬し且つ浴槽の下部に位置させる半割軸
    受浸漬装置（Ｄ）と、浴槽下部に位置する半割軸受を表
    面層形成装置（Ｆ）の下端部に配置する水平移送装置（
    ＥあるいはＥ′）と、表面処理され表面処理液直上に運
    ばれた半割軸受を浴槽外に引上げ且つ移送する引上移送
    装置（Ｉ）とを更に有する請求項７の表面処理装置。
  11. （１１）半割軸受を１個づつ連続的に浴槽直上で且つ給
    電装置（７）の直上に位置させる半割軸受搬入装置（Ｃ
    ′）と、表面層形成装置（Ｌ）により表面処理され且つ
    浴槽下部に運ばれた半割軸受を浴槽下部で表面層形成装
    置から隔置された位置へ運ぶ水平移送装置（Ｎ）と、水
    平移送装置（Ｎ）より運ばれた半割軸受を浴槽直上に移
    動させる半割軸受引上装置（Ｏ）と、浴槽直上に運ばれ
    た半割軸受を浴槽外に運ぶ引上移送装置（Ｉ′）とを有
    する請求項７の表面処理装置。
  12. （１２）半割軸受浸漬装置（Ｄ）あるいは半割軸受引上
    装置（Ｏ）は、半割軸受と接触しこれを移動可能に保持
    する磁石（Ｄ＿３）を埋込んだ板状部材（Ｄ＿１）を備
    えている請求項１０あるいは請求項１１の表面処理装置
    。
  13. （１３）半割軸受浸漬装置（Ｄ）、表面層形成装置（Ｆ
    ）あるいは半割軸受引上装置（Ｏ）は、半割軸受と接触
    し且つこれを移動可能に保持する磁石（Ｄ＿３あるいは
    Ｆ＿５）を埋込んだ板状部材（Ｄ＿１あるいはＦ＿１）
    と、該板状部材から所定距離隔置され且つ半割軸受の保
    持の補助をする棒状部材（Ｄ＿２あるいはＦ＿２）を有
    する請求項１０あるいは請求項１１の表面処理装置。
  14. （１４）半割軸受浸漬装置（Ｄ）、表面層形成装置（Ｆ
    ）、あるいは半割軸受引上装置（Ｏ）は、半割軸受と接
    触し且つこれを移動可能に保持する磁石（Ｄ＿３あるい
    はＦ＿５）を埋込んだ板状部材（Ｄ＿１あるいはＦ＿１
    ）と、 板状部材から所定距離隔置して配置され且つ半割軸受の
    保持の補助をする棒状部材（Ｄ＿２あるいはＦ＿２）と
    、 半割軸受の両端部に隣接した細長片部材（Ｄ＿４あるい
    はＦ＿７）及び該細長片部材を半割軸受に向かつて押圧
    するバネ部材（Ｄ＿５あるいはＦ＿８）を有する半割軸
    受保持補助装置とを有する請求項１０あるいは請求項１
    １の表面処理装置。
  15. （１５）水平移送装置（ＥあるいはＮ）は、半割軸受と
    接触するプッシャ（３）と、プッシャ（３）を移動させ
    るワイヤあるいはベルト（Ｎ＿１あるいはＥ＿２）と、
    ワイヤあるいはベルト（Ｎ＿１あるいはＥ＿２）を動か
    すピストン−シリンダ装置と、半割軸受を移動可能に保
    持する保持板部材（５あるいは５′）とを有する請求項
    １０あるいは１１の表面処理装置。
  16. （１６）水平移送装置（Ｅ′）は、上端部をピストン−
    シリンダ装置（Ｅ＿３）に連結され且つ下端部に半割軸
    受と接触する取付部（Ｅ＿４）とを備えたロッド（３′
    ）と、ロッド中間部でロッドを回動可能に支承する支軸
    （Ｅ＿５）と、半割軸受を移動可能に保持する保持板部
    材（５）とを有する請求項１０あるいは１１の表面処理
    装置。
  17. （１７）浴槽（Ａ）、半割軸受搬入装置（Ｃ、Ｃ′）、
    半割軸受浸漬装置（Ｄ）、半割軸受水平移送装置（Ｅ、
    Ｅ′）、表面層形成装置（Ｆ、Ｌ）、表面処理液撹拌パ
    イプ、及び引上移送装置（Ｉ、Ｉ′）のうち、少なくと
    も表面処理液と接触する部分あるいは半軸軸受と接触す
    る部分は、セラミックス、ガラス、硬質プラスチックな
    どの絶縁性材料から成る請求項１０から請求項１６まで
    のいずれか１項にする表面処理装置。
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