JPH03268382A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPH03268382A JPH03268382A JP6756390A JP6756390A JPH03268382A JP H03268382 A JPH03268382 A JP H03268382A JP 6756390 A JP6756390 A JP 6756390A JP 6756390 A JP6756390 A JP 6756390A JP H03268382 A JPH03268382 A JP H03268382A
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- JP
- Japan
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- adhesion
- deposition
- preventing
- semiconductor laser
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザダイオード等において、端面を
保護し且つ所定の反射率に加工する為の蒸着膜を形成す
る半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
保護し且つ所定の反射率に加工する為の蒸着膜を形成す
る半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
第２図（ａ）（ｂ）は従来の半導体レーザダイオードの
骨間端面の蒸着方法を示す斜視図で、図（ａ）において
、（１）ｆ−１１：半導体レーザダイオードバー、（２
）はバーホルダー治具、（３）はバー締付ポルｌ−、（
４）は蒸着源蒸気を示している。ま九図（ｂ）において
、（５）はチップ分離溝、（６）は共振器端面である。
骨間端面の蒸着方法を示す斜視図で、図（ａ）において
、（１）ｆ−１１：半導体レーザダイオードバー、（２
）はバーホルダー治具、（３）はバー締付ポルｌ−、（
４）は蒸着源蒸気を示している。ま九図（ｂ）において
、（５）はチップ分離溝、（６）は共振器端面である。
次に動作について説明する。
従来半導体レーザダイオードの共振器端面に蒸着膜を形
成する場合、特に１度に多数個の半導体レーザダイオー
ドチップに対して均一な蒸着膜を形成する時Ｋ、各半導
体レーザダイオードチップの共振器端面（６）が同一平
面上に並んだ半導体レーザダイオードバー（１）を形成
し、この半導体レーザダイオードバー（１）をバーホル
ダー治具（２）に、多数セットし、バー締付ポルト（３
）で固定し、蒸着源蒸気（４）により、半導体レーザダ
イオードバー（１）の端面（６）に膜の形成を行なう。
成する場合、特に１度に多数個の半導体レーザダイオー
ドチップに対して均一な蒸着膜を形成する時Ｋ、各半導
体レーザダイオードチップの共振器端面（６）が同一平
面上に並んだ半導体レーザダイオードバー（１）を形成
し、この半導体レーザダイオードバー（１）をバーホル
ダー治具（２）に、多数セットし、バー締付ポルト（３
）で固定し、蒸着源蒸気（４）により、半導体レーザダ
イオードバー（１）の端面（６）に膜の形成を行なう。
なお半導体レーザダイオードバー（１）の厚みは約１０
０μｍである。
０μｍである。
〔発明が解決しようとする課題］
半導体レーザダイオードをコンパクトディスク等に応用
する際、ディスクのトラッキング機構として、３ビ一ム
方式がある。この方式はレーザビ−ムを回折格子により
３つに分解し、信号読取用主ビームの他にトラッキング
補正用のサブビームを２つ設けて、ディスク上で反射さ
れる２つのサブビームの強度により、トラッキング状態
を検知し補正するものである。この方式ではディスクか
らのサブビームの一方がレーザダイオード共振器端面に
戻ってくることが避けられず、その戻って来た光がレー
ザダイオード共振器端面で反射され、再びディスク上に
照射されることにより１本来のサブビームと干渉し、２
つのサブビームの強度のバランスがくずれ、正確なトラ
ッキングが出来なくなるという問題点があった。
する際、ディスクのトラッキング機構として、３ビ一ム
方式がある。この方式はレーザビ−ムを回折格子により
３つに分解し、信号読取用主ビームの他にトラッキング
補正用のサブビームを２つ設けて、ディスク上で反射さ
れる２つのサブビームの強度により、トラッキング状態
を検知し補正するものである。この方式ではディスクか
らのサブビームの一方がレーザダイオード共振器端面に
戻ってくることが避けられず、その戻って来た光がレー
ザダイオード共振器端面で反射され、再びディスク上に
照射されることにより１本来のサブビームと干渉し、２
つのサブビームの強度のバランスがくずれ、正確なトラ
ッキングが出来なくなるという問題点があった。
第３図にレーザダイオード共振器端面にサブビームが戻
った状態を示す。図中、（７）が発光点、（８）がサブ
ビーム戻り点、（９）が放熱体である。レーザ発光点（
７）からサブビーム戻り点（８）までの距離は約５０〜
１００＃口程度であるう 以上のことより共振器端面上で、サブビーム戻り点付近
は発光点付近に比べて反射率の非常に低い膜を形成する
必要があった。しかしながら、従来の蒸着方法ではレー
ザチップ同一共振器面内に相異なる反射率を有する蒸着
膜を形成することは不可能であるという問題点があった
。
った状態を示す。図中、（７）が発光点、（８）がサブ
ビーム戻り点、（９）が放熱体である。レーザ発光点（
７）からサブビーム戻り点（８）までの距離は約５０〜
１００＃口程度であるう 以上のことより共振器端面上で、サブビーム戻り点付近
は発光点付近に比べて反射率の非常に低い膜を形成する
必要があった。しかしながら、従来の蒸着方法ではレー
ザチップ同一共振器面内に相異なる反射率を有する蒸着
膜を形成することは不可能であるという問題点があった
。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、従来技術の利点である一度に多数個のレーザチ
ップに対して均一な蒸着膜を形成する特徴を損なわずに
、レーザダイオードの同一共振器面内に複数種の反射率
を有する蒸着膜を形成することが出来る半導体Ｖ−ザ装
置の製造方法を得ることを目的とする。
もので、従来技術の利点である一度に多数個のレーザチ
ップに対して均一な蒸着膜を形成する特徴を損なわずに
、レーザダイオードの同一共振器面内に複数種の反射率
を有する蒸着膜を形成することが出来る半導体Ｖ−ザ装
置の製造方法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段Ｊ
この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、被蒸着
部以外に蒸着膜の付着を阻止する様な防着板をバーホル
ダー治具に設けるようにして蒸着するようにしたもので
ある。
部以外に蒸着膜の付着を阻止する様な防着板をバーホル
ダー治具に設けるようにして蒸着するようにしたもので
ある。
［作用］
この発明における蒸着方法は、被蒸着部以外の部分に蒸
着膜が形成されない様に、防着板をパーホルダー治具に
取付けることにより、同一面内に複数種の蒸着膜を形成
することができる。
着膜が形成されない様に、防着板をパーホルダー治具に
取付けることにより、同一面内に複数種の蒸着膜を形成
することができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、（１）はレーザダイオードバー、（２
）はパーホルダー治具、（３）はバー締付ポル） 、
（４）は蒸着源蒸気、（１０）は防着板である。
）はパーホルダー治具、（３）はバー締付ポル） 、
（４）は蒸着源蒸気、（１０）は防着板である。
次に動作について説明する。
従来の技術と同様に、レーザダイオードバー（１）ラバ
ーホルダー治具（２）に多数個セットし、バー締付ボル
ト（３）で固定した後に、所望の防着部をおおう様に加
工され九防着板（１０）を、パーホルダー治具（２）の
蒸着源蒸気（４）の側に取りつけて薄着を行なう。
ーホルダー治具（２）に多数個セットし、バー締付ボル
ト（３）で固定した後に、所望の防着部をおおう様に加
工され九防着板（１０）を、パーホルダー治具（２）の
蒸着源蒸気（４）の側に取りつけて薄着を行なう。
この防着板の有無による蒸着１［ｔ−レーザダイオード
端面内で、多種変えることが可能となり、又、防着板の
加工を変えることで防着領域を変化させることができる
。
端面内で、多種変えることが可能となり、又、防着板の
加工を変えることで防着領域を変化させることができる
。
以上の様にこの発明によれば、同一平面にあるレーザダ
イオード端面内に、数数種の反射率を有する蒸着膜を所
望の領域へ蒸着することができ、作業性が容易で、安定
したレーザダイオードが得られる効果がある。
イオード端面内に、数数種の反射率を有する蒸着膜を所
望の領域へ蒸着することができ、作業性が容易で、安定
したレーザダイオードが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
製造方法を示す斜視図、第２図（ａＨｂ）は従来の半導
体レーザ装置の製造方法を示す斜視図、第３図は従来の
共振器の発光点と戻り光点を示す斜視図である。 図において、（１）はレーザダイオードバー、（２）ハ
バーホルダー治具、（１０）は防着板を示すっなお、図
中同一符号は同一、又は相当部分を示すＯ
製造方法を示す斜視図、第２図（ａＨｂ）は従来の半導
体レーザ装置の製造方法を示す斜視図、第３図は従来の
共振器の発光点と戻り光点を示す斜視図である。 図において、（１）はレーザダイオードバー、（２）ハ
バーホルダー治具、（１０）は防着板を示すっなお、図
中同一符号は同一、又は相当部分を示すＯ
Claims (1)
- 複数個の半導体レーザチップの共振器端面が同一平面内
に並んだバーを共振器端面に蒸着する様にセットしたホ
ルダー治具に、前記共振器端面の所望部分に蒸着膜を形
成させない様な防着板脱着をし、２種以上の蒸着膜を得
ることを特徴とした半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6756390A JPH03268382A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6756390A JPH03268382A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268382A true JPH03268382A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13348555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6756390A Pending JPH03268382A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268382A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0806494A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for laser bar facet coating |
| KR100361036B1 (ko) * | 2000-02-07 | 2002-11-18 | 한국과학기술연구원 | 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치 |
| KR100972311B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2010-07-26 | 경희대학교 산학협력단 | 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 |
| JP2013058593A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子の製造装置および製造方法 |
| CN104218446A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-17 | 山东华光光电子有限公司 | 一种半导体激光器装条装置及装条方法 |
| CN114586249A (zh) * | 2019-10-17 | 2022-06-03 | 莫诺克龙有限责任公司 | 激光连接模块 |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6756390A patent/JPH03268382A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0806494A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for laser bar facet coating |
| JPH1056232A (ja) * | 1996-05-09 | 1998-02-24 | Lucent Technol Inc | レーザバーファセットのコーティング方法とその固定装置 |
| US5911830A (en) * | 1996-05-09 | 1999-06-15 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for laser bar facet coating |
| US6037006A (en) * | 1996-05-09 | 2000-03-14 | Lucent Technologies Inc. | Method and fixture for laser bar facet coating |
| KR100361036B1 (ko) * | 2000-02-07 | 2002-11-18 | 한국과학기술연구원 | 무반사 코팅을 위한 반도체 광소자 칩의 시료 홀더 장치 |
| KR100972311B1 (ko) * | 2008-02-28 | 2010-07-26 | 경희대학교 산학협력단 | 반도체 레이저 다이오드 고반사 벽계면 코팅용 샘플 홀더및 그 코팅 방법 |
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| CN104218446A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-17 | 山东华光光电子有限公司 | 一种半导体激光器装条装置及装条方法 |
| CN114586249A (zh) * | 2019-10-17 | 2022-06-03 | 莫诺克龙有限责任公司 | 激光连接模块 |
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