JPH03269228A - 磁歪検出器 - Google Patents
磁歪検出器Info
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- JPH03269228A JPH03269228A JP2069037A JP6903790A JPH03269228A JP H03269228 A JPH03269228 A JP H03269228A JP 2069037 A JP2069037 A JP 2069037A JP 6903790 A JP6903790 A JP 6903790A JP H03269228 A JPH03269228 A JP H03269228A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁歪検出器に関し、特に回転体シャフトに磁歪
金属をメッキすることにより磁歪膜に生じる磁歪を検出
することによりI−ルクを検出するトルク検出器に関す
る。
金属をメッキすることにより磁歪膜に生じる磁歪を検出
することによりI−ルクを検出するトルク検出器に関す
る。
(従来の技術)
従来、シャフトに磁歪金属をメッキすることにより磁歪
膜に生じる磁歪を検出する技術としては特開昭59−−
164931号公報があった。この技術は回転体シャツ
I・に磁歪金属をメッキすることにより磁歪膜を形成し
、該磁歪膜に生じる磁歪を検知してシャフトに加わるト
ルクを検出するものである。すなわち印加されるトルク
に応じて回転体シャフトが捩じれると、それに応じで磁
歪膜に生じる磁歪が変化するので、これを検出してトル
クの大きさを検出しうるものである。
膜に生じる磁歪を検出する技術としては特開昭59−−
164931号公報があった。この技術は回転体シャツ
I・に磁歪金属をメッキすることにより磁歪膜を形成し
、該磁歪膜に生じる磁歪を検知してシャフトに加わるト
ルクを検出するものである。すなわち印加されるトルク
に応じて回転体シャフトが捩じれると、それに応じで磁
歪膜に生じる磁歪が変化するので、これを検出してトル
クの大きさを検出しうるものである。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、この技術においての磁歪金属としては、
ニッケルメッキが使用されているが、これにより得られ
るトルク検出感度は極めて低く、決して満足いくものと
はいえなかった。
ニッケルメッキが使用されているが、これにより得られ
るトルク検出感度は極めて低く、決して満足いくものと
はいえなかった。
本発明は上記の課題を解決したものであり、従来の磁歪
金属としてのニッケルメッキによるトル(1) (2) り検出器と比較して検出感度が高い磁歪作用によるトル
ク検出器を提供することを目的とする。
金属としてのニッケルメッキによるトル(1) (2) り検出器と比較して検出感度が高い磁歪作用によるトル
ク検出器を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
木目的を達成するため、本発明が講した技術的手段は、
磁歪金属をメッキすることにより形成した磁歪膜に生じ
る磁歪を検出する磁歪検出回路を備えた磁歪検出器にお
いて、Pr2O17、Tb2Co17、SmFe2、T
bFe2 、TbNi0.4 Fe1.5、TbFc2
等の超磁歪金属を粉末状にして前記磁歪金属に含有させ
ものである。また、前記超磁歪金属をメッキ溶液1リツ
トルあたり2〜30g含有させるとよい。
磁歪金属をメッキすることにより形成した磁歪膜に生じ
る磁歪を検出する磁歪検出回路を備えた磁歪検出器にお
いて、Pr2O17、Tb2Co17、SmFe2、T
bFe2 、TbNi0.4 Fe1.5、TbFc2
等の超磁歪金属を粉末状にして前記磁歪金属に含有させ
ものである。また、前記超磁歪金属をメッキ溶液1リツ
トルあたり2〜30g含有させるとよい。
さらに、前記超磁歪金属の粉末の粒径が10μm以下に
させるとよい。
させるとよい。
(作用)
」二記の手段からなる本発明は、従来のニッケルメツ4
−による磁歪金属の検出器の検出感度と比較して、検出
感度が極めて高い磁歪作用によるトルク検出器が得られ
るのである。
−による磁歪金属の検出器の検出感度と比較して、検出
感度が極めて高い磁歪作用によるトルク検出器が得られ
るのである。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を参照にして説明する。
第1図において、回転体シャフト1 (このシャフトは
、例えば自動車のトランスミツシーノン出力シャフト、
ステアリングシャフトあるいはモータ等の出力シャフト
あるいはモータ等の出力シャフト等である)に、後述す
る本発明の磁歪金属に超磁歪金属が含有された材料をメ
ッキすることにより形成した磁歪膜2がシャフト1の全
周に渡り、配される。さらに、シャフト1には2個のコ
イルが筒状に巻回され、コイル3が励振用コイル3にば
、励振用発振器5が接続されている。また、出力コイル
4には、ダイオード6、コンデンサ7、抵抗8よりなる
平滑回路9が接続されている。
、例えば自動車のトランスミツシーノン出力シャフト、
ステアリングシャフトあるいはモータ等の出力シャフト
あるいはモータ等の出力シャフト等である)に、後述す
る本発明の磁歪金属に超磁歪金属が含有された材料をメ
ッキすることにより形成した磁歪膜2がシャフト1の全
周に渡り、配される。さらに、シャフト1には2個のコ
イルが筒状に巻回され、コイル3が励振用コイル3にば
、励振用発振器5が接続されている。また、出力コイル
4には、ダイオード6、コンデンサ7、抵抗8よりなる
平滑回路9が接続されている。
この回路において、シャフト1にトルクが加わわらない
状態では、発振器5により生じるコイル3の磁界が、出
力用コイル4に伝達されて、これが平滑回路9により、
直流電圧に変換されて所定電圧が出力される。
状態では、発振器5により生じるコイル3の磁界が、出
力用コイル4に伝達されて、これが平滑回路9により、
直流電圧に変換されて所定電圧が出力される。
(3)
(4)
次に、シャフト1にトルクが加わり、シャフト1が捩じ
れると、磁歪膜2の透磁率が変化するが、後述する本磁
歪材料はニッケルを主成分としており、ニッケルは負の
磁歪効果を有するため、捩じれに対して透磁率が増大し
、出力電圧が減少する。
れると、磁歪膜2の透磁率が変化するが、後述する本磁
歪材料はニッケルを主成分としており、ニッケルは負の
磁歪効果を有するため、捩じれに対して透磁率が増大し
、出力電圧が減少する。
ゆえに、トルクに応じた出力電圧(本磁歪材料の場合、
上記の如く傾きは負となる)が平滑回路9の出力端に得
られる。
上記の如く傾きは負となる)が平滑回路9の出力端に得
られる。
なお、この構造においては、シャツI−1の捩じれ方向
の判別はできず、どちらの捩じれに対しても同等の出力
電圧が得られる。
の判別はできず、どちらの捩じれに対しても同等の出力
電圧が得られる。
次に、磁歪膜の形成方法について説明する。
まず、−11uの磁歪材料としてはその磁歪定数(飽和
磁歪)がニッケルのそれは約−33付近にあり、鉄は約
−9付近にあり、またニッケルーコバルト合金も約−2
3〜−33付近にある。
磁歪)がニッケルのそれは約−33付近にあり、鉄は約
−9付近にあり、またニッケルーコバルト合金も約−2
3〜−33付近にある。
本発明はこれらの一般の磁歪材料からなるメッキ液に第
1表に示す金属材料を含有したことにある。これらの金
属材料は、超磁歪材料と呼ばれ、Pr2O17.1”b
2Co17 、S m Fe2、TbFe2、T b
N i O,4Fe1.5、TbFe2等であり、その
磁歪定数は一般の磁歪材料と比較して、その磁歪定数が
1けたあるいは2けた大きい材料である。
1表に示す金属材料を含有したことにある。これらの金
属材料は、超磁歪材料と呼ばれ、Pr2O17.1”b
2Co17 、S m Fe2、TbFe2、T b
N i O,4Fe1.5、TbFe2等であり、その
磁歪定数は一般の磁歪材料と比較して、その磁歪定数が
1けたあるいは2けた大きい材料である。
本発明はこれらの超磁歪材料を約10μm以丁の粉末状
にする。このことは後述する磁歪材料をシャフトにメッ
キする膜厚は数10μm厚であるため、粒子が10μm
以」二であると膜厚表面よりその粒子が飛びでることが
あり、さらに、メッキ液を攪拌することが難しくなるた
めである。
にする。このことは後述する磁歪材料をシャフトにメッ
キする膜厚は数10μm厚であるため、粒子が10μm
以」二であると膜厚表面よりその粒子が飛びでることが
あり、さらに、メッキ液を攪拌することが難しくなるた
めである。
上記の粉末状の粒子を第2表に示す硫酸ニッケル、塩化
ニッケル、はう酸からなる純粋の水に含有させたメッキ
液1リツトルあたり2〜30gを攪拌させて含有させる
。この攪拌方法はエアー撹拌、スクリュウ攪拌、ポンプ
攪拌のどの方法によってもよい。
ニッケル、はう酸からなる純粋の水に含有させたメッキ
液1リツトルあたり2〜30gを攪拌させて含有させる
。この攪拌方法はエアー撹拌、スクリュウ攪拌、ポンプ
攪拌のどの方法によってもよい。
なお硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸の含有量は純
粋の純粋の水1リットルあたりの重量含有量である。
粋の純粋の水1リットルあたりの重量含有量である。
次に磁歪膜の形成方法としては、電解メッキが好ましい
。すなわち、無電解メッキでは膜厚が1(5) (6) 0μm程度が限度であるのに対し、電解メッキでは数1
0μm〜2O0μmと極めて厚く形成できるのである。
。すなわち、無電解メッキでは膜厚が1(5) (6) 0μm程度が限度であるのに対し、電解メッキでは数1
0μm〜2O0μmと極めて厚く形成できるのである。
ごの様にして形成された磁歪膜は、数10μm厚でシャ
フトに強固に接着された結晶質磁歪膜となるので、機械
的にも熱的にも堅固で信頼性が極めて高い。
フトに強固に接着された結晶質磁歪膜となるので、機械
的にも熱的にも堅固で信頼性が極めて高い。
実際に、シャフトに磁歪膜を形成するにば、シャツI・
の磁歪膜の不必要な部分にマスクをし、木磁歪浴に浴太
し、所定時間通電すればよい。
の磁歪膜の不必要な部分にマスクをし、木磁歪浴に浴太
し、所定時間通電すればよい。
次に、第2図に示すような斜線状に形成した磁歪膜にも
本磁歪材料が使用される。
本磁歪材料が使用される。
シャフト10には、適宜間隔を配して斜線状に形成した
磁歪膜11.12が形成されており、方の磁歪膜11に
対し他方の磁歪膜12はその斜線方向が逆になるべく形
成される。なお、この斜線時制膜のシャツ1−の軸方向
に対する傾斜角は、2つの磁歪膜11.12の傾斜角が
互いに逆方向に等しくなるようにすれば良いが、好まし
くは、第2図に示した如く、シャフトの軸方向に対し、
磁歪膜11が一45度、磁歪膜12が+45度となるべ
く形成するのが適当である。
磁歪膜11.12が形成されており、方の磁歪膜11に
対し他方の磁歪膜12はその斜線方向が逆になるべく形
成される。なお、この斜線時制膜のシャツ1−の軸方向
に対する傾斜角は、2つの磁歪膜11.12の傾斜角が
互いに逆方向に等しくなるようにすれば良いが、好まし
くは、第2図に示した如く、シャフトの軸方向に対し、
磁歪膜11が一45度、磁歪膜12が+45度となるべ
く形成するのが適当である。
次に、磁歪検出回路13は、前記磁歪膜11および磁歪
膜12にそれぞれ対向してシャフト10に筒状に巻回さ
れた、巻数の同じコイル14およヒコイル15を含むマ
ルチハイブレーク回路と、コンデンサ16で構成される
平滑回路でなる交流直流交換回路で構成しである。また
、スイッチング用トランジスタ17.18およびバラン
スa周整用の可変抵抗器19がそれぞれ、配されている
。
膜12にそれぞれ対向してシャフト10に筒状に巻回さ
れた、巻数の同じコイル14およヒコイル15を含むマ
ルチハイブレーク回路と、コンデンサ16で構成される
平滑回路でなる交流直流交換回路で構成しである。また
、スイッチング用トランジスタ17.18およびバラン
スa周整用の可変抵抗器19がそれぞれ、配されている
。
次に動作を説明する。シャツI・10にトルクが印加さ
れないときは、トランジスタ17.18が交互にオン、
オフを繰り返す。このときはトランジスタ17を流れる
コレクタ(又はエミッタ)電流iclとトランジスタ1
8を流れるコレクタ(又はエミッタ)電流ic2の最大
値が等しくなるように可変抵抗器19を調整すると、出
力端の電圧EdcはOVとなる。
れないときは、トランジスタ17.18が交互にオン、
オフを繰り返す。このときはトランジスタ17を流れる
コレクタ(又はエミッタ)電流iclとトランジスタ1
8を流れるコレクタ(又はエミッタ)電流ic2の最大
値が等しくなるように可変抵抗器19を調整すると、出
力端の電圧EdcはOVとなる。
また、この電流iclによりコイル14が、電流ic2
によりコイル15がそれぞれ交互に励磁される。
によりコイル15がそれぞれ交互に励磁される。
(7)
(8)
次に、シャフト10にトルクが第2図A方向に印加され
たとすると、磁歪膜11はその斜線方向がシャツ1−1
0の軸方向−45度の傾斜を有するため、磁歪膜11に
は圧縮力が、また磁歪膜12なは張力がそれぞれ作用す
る。
たとすると、磁歪膜11はその斜線方向がシャツ1−1
0の軸方向−45度の傾斜を有するため、磁歪膜11に
は圧縮力が、また磁歪膜12なは張力がそれぞれ作用す
る。
ここで磁歪膜が負の磁歪効果を有するとすれば、透磁率
は磁歪膜11で増大し、磁歪膜12で減少する。ゆえに
、電流iclが減少し、電流ic2が増大する。出力電
圧Edcは、1cl−ic2に応じた電圧を平滑した直
流電流であり、これは、第3図に示すようにトルクTに
比例して得られる。
は磁歪膜11で増大し、磁歪膜12で減少する。ゆえに
、電流iclが減少し、電流ic2が増大する。出力電
圧Edcは、1cl−ic2に応じた電圧を平滑した直
流電流であり、これは、第3図に示すようにトルクTに
比例して得られる。
ここで、シャフト10の回転方向が逆になれば、上述し
た動作と逆の現象が各磁歪膜11.12に生じるため、
コイル14とコイル15のインダクタンスの大小関係が
逆転するので、正負のトルク検出が可能である。
た動作と逆の現象が各磁歪膜11.12に生じるため、
コイル14とコイル15のインダクタンスの大小関係が
逆転するので、正負のトルク検出が可能である。
次に磁歪膜の形成方法は前述の構成のトルク検出器と同
様に第1表のニッケルメッキ液に、超磁歪金属材料を粉
末化して含有させたものをメッキ液としてメッキを行う
と、メッキの厚みが約50μmのものが得られた。
様に第1表のニッケルメッキ液に、超磁歪金属材料を粉
末化して含有させたものをメッキ液としてメッキを行う
と、メッキの厚みが約50μmのものが得られた。
第4図が実際に用いられるマスクパターンである。この
マスクパターン40を、シャツ1〜IOに、図示B方向
に巻きつけてメッキすればよい。ここでは、磁歪膜の全
幅Xを25mm、45度に傾斜した斜線状磁歪膜の幅即
ち、マスクパターン4oの穴41の幅yを2mm、間隙
Zを3mmとしである。
マスクパターン40を、シャツ1〜IOに、図示B方向
に巻きつけてメッキすればよい。ここでは、磁歪膜の全
幅Xを25mm、45度に傾斜した斜線状磁歪膜の幅即
ち、マスクパターン4oの穴41の幅yを2mm、間隙
Zを3mmとしである。
以上の様にして磁歪膜を形成したシャフトは、残留磁気
および歪を除去するためにアニール処理される。アニー
ル条件としては、炉にて45o。
および歪を除去するためにアニール処理される。アニー
ル条件としては、炉にて45o。
C11時間程度が好ましい。
このシャフトにコイルをそれぞれ巻回し、前記の磁歪検
出回路を接続すれば良い。
出回路を接続すれば良い。
実施■よ
第5図に前記条件にて形成されたトルク検出器の出力特
性を示す。メッキ条件は第1表の各条件であり、シャフ
ト径は8mm、各コイルの巻回数は共に500ターン、
また、第5図の諸条件は電源電圧Vccは9.OV、マ
ルチハイブレーク回路の発振周波数7.5KHzの条件
で行う。
性を示す。メッキ条件は第1表の各条件であり、シャフ
ト径は8mm、各コイルの巻回数は共に500ターン、
また、第5図の諸条件は電源電圧Vccは9.OV、マ
ルチハイブレーク回路の発振周波数7.5KHzの条件
で行う。
(9)
(10)
第2表に示すように純粋の水1リットル当たり300[
、塩化ニッケル/15g、ホウ酸35gが含有されたメ
ッキ液に、このメッキ液1リツトル当たり超磁歪金属材
料SmFe2を3g含有されたメッキ液から得られた磁
歪膜による出力特性を測定する。
、塩化ニッケル/15g、ホウ酸35gが含有されたメ
ッキ液に、このメッキ液1リツトル当たり超磁歪金属材
料SmFe2を3g含有されたメッキ液から得られた磁
歪膜による出力特性を測定する。
災施桝I
次に上記と同じ条件下でSmFe2を10g含有させた
メッキ液から得られた磁歪膜による出力特性を実施例1
と同一の条件下で測定する。
メッキ液から得られた磁歪膜による出力特性を実施例1
と同一の条件下で測定する。
比較例
さらに、S m F e2を含有しない従来のメッキ液
からなる磁歪膜による出力特性を上記と同一の条件下で
測定する。
からなる磁歪膜による出力特性を上記と同一の条件下で
測定する。
第5図かられかるように、実施例1、実施例2の出力特
性は比較例と比較して、3〜5倍の値を示し、トルク検
出器として非常に満足のいくものである。
性は比較例と比較して、3〜5倍の値を示し、トルク検
出器として非常に満足のいくものである。
なお上記に使用された超磁歪金属材料として、第1表に
示した材料に限定されるものでなく、DyFe2 、H
oFe2 、ErFe2 、TmFe2 、CoFe2
O4等の超磁歪金属材料を使用できる。
示した材料に限定されるものでなく、DyFe2 、H
oFe2 、ErFe2 、TmFe2 、CoFe2
O4等の超磁歪金属材料を使用できる。
また、本発明はトルク検出器について、説明したが、こ
れに限定されるものでなく、−111Wの圧力検出器に
も使用できる。
れに限定されるものでなく、−111Wの圧力検出器に
も使用できる。
本発明は、磁歪金属をメッキすることにより形成した磁
歪膜に生じる磁歪を検出する磁歪検出回路を備えた磁歪
検出器において、P r2O17、Tb2Co17 、
SmFe2、TbFe2 、TbNi0.4 Fe1.
5、T b F e2等の超磁歪金属を粉末状にして前
記磁歪金属に含有したことからなる磁歪検出器であるた
め、検出感度が高く、精度のよい1〜ルク検出が可能と
なる。
歪膜に生じる磁歪を検出する磁歪検出回路を備えた磁歪
検出器において、P r2O17、Tb2Co17 、
SmFe2、TbFe2 、TbNi0.4 Fe1.
5、T b F e2等の超磁歪金属を粉末状にして前
記磁歪金属に含有したことからなる磁歪検出器であるた
め、検出感度が高く、精度のよい1〜ルク検出が可能と
なる。
第
表
第
表
硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸の含有量は水1
’Jツ(・ルあたりの重量含有量、超磁歪材料であるS
mFe2はメッキ液1リツトルあたりの重量含有量。
’Jツ(・ルあたりの重量含有量、超磁歪材料であるS
mFe2はメッキ液1リツトルあたりの重量含有量。
第1図は本発明の超磁歪金属材料を使用したI・ルク検
出器の実施例を示す図、第2図は本発明の超磁歪金属材
料を使用した別のトルク検出器を示す図、第3図は第2
図から構成されるトルク検出器の検出特性を示すグラフ
、第4図は第2図から構成されるトルク検出器の磁歪膜
を形成する際のマスクパターンを示す図、第5図は第2
図から構成されるトルク検出器において本発明の超磁歪
金属材料をそれぞれ3g、10g含有さゼたものと、超
磁歪金属材料を全く含有させない場合の検出実験結果を
示す図。 ■、10・・・回転体シャフト、2.11.12・・・
磁歪膜(磁歪金属)、
出器の実施例を示す図、第2図は本発明の超磁歪金属材
料を使用した別のトルク検出器を示す図、第3図は第2
図から構成されるトルク検出器の検出特性を示すグラフ
、第4図は第2図から構成されるトルク検出器の磁歪膜
を形成する際のマスクパターンを示す図、第5図は第2
図から構成されるトルク検出器において本発明の超磁歪
金属材料をそれぞれ3g、10g含有さゼたものと、超
磁歪金属材料を全く含有させない場合の検出実験結果を
示す図。 ■、10・・・回転体シャフト、2.11.12・・・
磁歪膜(磁歪金属)、
Claims (3)
- (1)磁歪金属をメッキすることにより形成した磁歪膜
に生じる磁歪を検出する磁歪検出回路を備えた磁歪検出
器において、Pr2O17、Tb2Co17、SmFe
2、TbFe2、TbNi0.4Fe1.5、TbFe
2等の超磁歪金属を粉末状にして前記磁歪金属に含有し
たことを特徴とする磁歪検出器。 - (2)前記超磁歪金属をメッキ液1リットルあたり2〜
30g含有させたことを特徴とする請求項1記載の磁歪
検出器。 - (3)前記超磁歪金属の粉末の粒径が10μm以下であ
ることを特徴とする請求項1記載の磁歪検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069037A JP2822556B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁歪検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069037A JP2822556B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁歪検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03269228A true JPH03269228A (ja) | 1991-11-29 |
| JP2822556B2 JP2822556B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=13390984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069037A Expired - Lifetime JP2822556B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁歪検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822556B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0817286A1 (en) * | 1996-07-01 | 1998-01-07 | General Motors Corporation | Magnetostrictive composites |
| US5907105A (en) * | 1997-07-21 | 1999-05-25 | General Motors Corporation | Magnetostrictive torque sensor utilizing RFe2 -based composite materials |
| US6779409B1 (en) | 1997-01-27 | 2004-08-24 | Southwest Research Institute | Measurement of torsional dynamics of rotating shafts using magnetostrictive sensors |
| US7131339B2 (en) | 1997-01-27 | 2006-11-07 | Southwest Research Institute | Measurement of torsional dynamics of rotating shafts using magnetostrictive sensors |
| JP2021155798A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社Usリサーチ | 合金薄膜の製造方法および合金薄膜 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069037A patent/JP2822556B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0817286A1 (en) * | 1996-07-01 | 1998-01-07 | General Motors Corporation | Magnetostrictive composites |
| US6779409B1 (en) | 1997-01-27 | 2004-08-24 | Southwest Research Institute | Measurement of torsional dynamics of rotating shafts using magnetostrictive sensors |
| US7131339B2 (en) | 1997-01-27 | 2006-11-07 | Southwest Research Institute | Measurement of torsional dynamics of rotating shafts using magnetostrictive sensors |
| US5907105A (en) * | 1997-07-21 | 1999-05-25 | General Motors Corporation | Magnetostrictive torque sensor utilizing RFe2 -based composite materials |
| JP2021155798A (ja) * | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 株式会社Usリサーチ | 合金薄膜の製造方法および合金薄膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2822556B2 (ja) | 1998-11-11 |
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