JPH03269807A - 磁気ディスク装置の書き込み補償回路 - Google Patents
磁気ディスク装置の書き込み補償回路Info
- Publication number
- JPH03269807A JPH03269807A JP7019990A JP7019990A JPH03269807A JP H03269807 A JPH03269807 A JP H03269807A JP 7019990 A JP7019990 A JP 7019990A JP 7019990 A JP7019990 A JP 7019990A JP H03269807 A JPH03269807 A JP H03269807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- output
- signal
- write
- write data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Digital Magnetic Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置の書き込み補償回路に関し、
特に磁気ディスク装置にデータを書き込む際にライトデ
ータ信号の書き込みタイミングをずらせる磁気ディスク
装置の書き込み補償回路に関する。
特に磁気ディスク装置にデータを書き込む際にライトデ
ータ信号の書き込みタイミングをずらせる磁気ディスク
装置の書き込み補償回路に関する。
従来、磁気ディスク装置の書き込み補償回路は、例えば
、ハードディスク装置の場合には、書き込むタイミング
をIons前後本来のタイミングからずらして書き込む
ような構成になっている。
、ハードディスク装置の場合には、書き込むタイミング
をIons前後本来のタイミングからずらして書き込む
ような構成になっている。
第7図はかかる従来の一例を示す磁気ディスク装置の書
き込み補償回路図である。
き込み補償回路図である。
第7図に示すように、従来の補償回路は、ホスト側から
くるライトデータ信号の入力端子1と、ホスト側からく
るライトデータ信号の書き込みタイミングを本来より早
くしたり遅くしたりする制御信号端子2および3とを有
し、インダクタンスおよびキャパシタンス等からなる遅
延回路11Aを介し入力端子1のライトデータ信号を一
定量だけずらした信号12〜14に出力する。さらに、
制御信号端子2,3の制御信号の組み合せによって遅延
回路11Aからの信号12〜14のいずれかをライトデ
ータ信号選択回路15により選択し、出力端子4に磁気
ディスク装置に書き込むライトデータ信号を出力する。
くるライトデータ信号の入力端子1と、ホスト側からく
るライトデータ信号の書き込みタイミングを本来より早
くしたり遅くしたりする制御信号端子2および3とを有
し、インダクタンスおよびキャパシタンス等からなる遅
延回路11Aを介し入力端子1のライトデータ信号を一
定量だけずらした信号12〜14に出力する。さらに、
制御信号端子2,3の制御信号の組み合せによって遅延
回路11Aからの信号12〜14のいずれかをライトデ
ータ信号選択回路15により選択し、出力端子4に磁気
ディスク装置に書き込むライトデータ信号を出力する。
例えば、信号12〜14が遅延回路1■Aにより元信号
の入力端子lのライトデータ信号に対して、各々10.
20.30ns遅延しているものとすれば、信号12は
信号13に対して10nsタイミングが進んでおり、ま
た信号14は信号13に対して1Qnsタイミングが遅
れていることになる。これらの信号を制御信号端子2,
3の組み合せで選択することにより、磁気ディスク装置
に書き込むライトデータのタイミングを制御している。
の入力端子lのライトデータ信号に対して、各々10.
20.30ns遅延しているものとすれば、信号12は
信号13に対して10nsタイミングが進んでおり、ま
た信号14は信号13に対して1Qnsタイミングが遅
れていることになる。これらの信号を制御信号端子2,
3の組み合せで選択することにより、磁気ディスク装置
に書き込むライトデータのタイミングを制御している。
また、ハードディスク装置に対して比較的データ転送レ
ートの遅いフロッピィディスク装置においては、遅延回
路11Aに替わって、高速なりロックを持つシフトレジ
スタを使うことにより実現している。
ートの遅いフロッピィディスク装置においては、遅延回
路11Aに替わって、高速なりロックを持つシフトレジ
スタを使うことにより実現している。
上述した従来の磁気ディスクの書き込み補償回路は、例
えばハードディスク装置では、遅延回路がインダクタン
スやキャパシタンス等からなるデイレイラインであるの
で、集積化することができないという欠点がある。
えばハードディスク装置では、遅延回路がインダクタン
スやキャパシタンス等からなるデイレイラインであるの
で、集積化することができないという欠点がある。
また、ハードディスク装置において、フロッピィディス
ク装置のようにシフトレジスタで高速なりロックを使っ
て実現しようとした場合、遅延量がIons前後となる
ことから、100MHzのクロックがこの回路だけのた
めに必要になり、クロック発生回路の負担増や高速動作
のシフトレジスタを必要とするという欠点がある。
ク装置のようにシフトレジスタで高速なりロックを使っ
て実現しようとした場合、遅延量がIons前後となる
ことから、100MHzのクロックがこの回路だけのた
めに必要になり、クロック発生回路の負担増や高速動作
のシフトレジスタを必要とするという欠点がある。
更に、最近では20〜40 M b p sのデータ転
送レートを実現するハードディスクが開発されてきてい
る。しかしながら、これらのディスクでは、遅延量が5
nsW後と極めて小さくなってきており、微小遅延量に
伴う遅延回路の高性能化により価格アップになるという
欠点も生じてきている。
送レートを実現するハードディスクが開発されてきてい
る。しかしながら、これらのディスクでは、遅延量が5
nsW後と極めて小さくなってきており、微小遅延量に
伴う遅延回路の高性能化により価格アップになるという
欠点も生じてきている。
本発明の目的は、かかる高速クロックを用いず、比較的
簡単に且つ安定に実現しうるとともに、遅延回路を集積
化することのできる磁気ディスク装置の書き込み補償回
路の提供することにある。
簡単に且つ安定に実現しうるとともに、遅延回路を集積
化することのできる磁気ディスク装置の書き込み補償回
路の提供することにある。
本発明の磁気ディスク装置の書き込み補償回路は、電圧
制御型発振器と、基準信号および前記電圧制御型発振器
の出力信号の位相および周波数を比較する位相周波数検
出器と前記位相周波検出器の出力である誤差信号を帯域
制限する低域通過濾波器とを有し前記低域通過濾波器の
出力を前記電圧制御型発振器に負帰還するフェイズ・ロ
ックド・ループと、ライトデータ信号を複数個に遅延さ
せる遅延回路と、外部制御信号に応じて前記遅延回路の
各出力を一意的に選択し且つ磁気ディスク装置のライト
信号とするライトデータ信号選択出力回路とを具備し、
前記低域通過濾波器の出力信号により前記遅延回路の遅
延lを制御するように構成される。
制御型発振器と、基準信号および前記電圧制御型発振器
の出力信号の位相および周波数を比較する位相周波数検
出器と前記位相周波検出器の出力である誤差信号を帯域
制限する低域通過濾波器とを有し前記低域通過濾波器の
出力を前記電圧制御型発振器に負帰還するフェイズ・ロ
ックド・ループと、ライトデータ信号を複数個に遅延さ
せる遅延回路と、外部制御信号に応じて前記遅延回路の
各出力を一意的に選択し且つ磁気ディスク装置のライト
信号とするライトデータ信号選択出力回路とを具備し、
前記低域通過濾波器の出力信号により前記遅延回路の遅
延lを制御するように構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第一の実施例を示す磁気ディスフ装置
の書き込み補償回路図である。
の書き込み補償回路図である。
第1図に示すように、本実施例は基準信号5および電圧
制御型発振器(vco> sの出力信号を入力し且つそ
の位相および周波数を比較する位相周波数検出器6とそ
の位相周波数検出器6の出力である誤差信号を帯域制限
する低域通過濾波器(LPF>7およびこの低域通過濾
波器(LPF)7の出力10を負帰還されるvcosと
により楕或されるフェイズ・ロックド・ループ(PLL
回路〉9と、ライトデータ信号1を複数個のインバータ
で遅延させる遅延回路11と、外部からの制御信号2.
3に応じて遅延回路11の各出力12〜14を一意的に
選択し且つ磁気ディスク装置のライト信号4を出力する
ライトデータ信号選択出力回路15とを具備している。
制御型発振器(vco> sの出力信号を入力し且つそ
の位相および周波数を比較する位相周波数検出器6とそ
の位相周波数検出器6の出力である誤差信号を帯域制限
する低域通過濾波器(LPF>7およびこの低域通過濾
波器(LPF)7の出力10を負帰還されるvcosと
により楕或されるフェイズ・ロックド・ループ(PLL
回路〉9と、ライトデータ信号1を複数個のインバータ
で遅延させる遅延回路11と、外部からの制御信号2.
3に応じて遅延回路11の各出力12〜14を一意的に
選択し且つ磁気ディスク装置のライト信号4を出力する
ライトデータ信号選択出力回路15とを具備している。
特に、本実施例は低域通過濾波器7の出力信号10で遅
延回路11の遅延量を制御している。
延回路11の遅延量を制御している。
すなわち、かかる書き込み補償回路は基準信号入力端子
5からの基準信号の周波数とvcosの出力信号の周波
数とを位相周波数検出器6でそれぞれ位相および周波数
を比較し、その誤差信号をLPF7を介してvcosに
負帰還するPLL回路9を構成している。また、従来例
と同様に、端子lはホスト側からくるライトデータ信号
の入力端子であり、端子2および3はホスト側からくる
ライトデータ信号の書き込みタイミングを本来より早く
したり遅くしたりする制御信号の入力端子である。遅延
回路11はライトデータ信号入力端子lのライトデータ
信号を一定量だけずらした信号12〜14を出力し、さ
らにライトデータ信号選択出力回路15は制御端子2お
よび3の制御信号の組み合せによって信号12〜14の
いずれかを選択し、ライトデータ信号出力端子4に磁気
ディスク装置に書き込むライトデータ信号を出力する。
5からの基準信号の周波数とvcosの出力信号の周波
数とを位相周波数検出器6でそれぞれ位相および周波数
を比較し、その誤差信号をLPF7を介してvcosに
負帰還するPLL回路9を構成している。また、従来例
と同様に、端子lはホスト側からくるライトデータ信号
の入力端子であり、端子2および3はホスト側からくる
ライトデータ信号の書き込みタイミングを本来より早く
したり遅くしたりする制御信号の入力端子である。遅延
回路11はライトデータ信号入力端子lのライトデータ
信号を一定量だけずらした信号12〜14を出力し、さ
らにライトデータ信号選択出力回路15は制御端子2お
よび3の制御信号の組み合せによって信号12〜14の
いずれかを選択し、ライトデータ信号出力端子4に磁気
ディスク装置に書き込むライトデータ信号を出力する。
第2図は第1図に示すVCOの回路図である。
第2図に示すように、かかるVCO8において、Pチャ
ネルMO3)ランジスタ(P型トランジスタ)P3とN
チャネルMO8)ランジスタ(N型トランジスタ)N3
とはインバータを構成し、このインバータの貫通電流を
P型トランジスタP2およびN型トランジスタN3ドレ
イン電流で制御している。すなわち、トランジスタP2
゜P3.N2.N3によりゲート回路を構成している。
ネルMO3)ランジスタ(P型トランジスタ)P3とN
チャネルMO8)ランジスタ(N型トランジスタ)N3
とはインバータを構成し、このインバータの貫通電流を
P型トランジスタP2およびN型トランジスタN3ドレ
イン電流で制御している。すなわち、トランジスタP2
゜P3.N2.N3によりゲート回路を構成している。
このゲート回路と同様に、トランジスタP4.P5.N
4.N5からなるゲート及びトランジスタP6.P7.
N6.N7からなるゲートを奇数個従属に接続し、最終
ゲート回路の出力を初段のゲート回路に負帰還する楕或
をとる。また、P型トランジスタPL、P2.P4.・
・・。
4.N5からなるゲート及びトランジスタP6.P7.
N6.N7からなるゲートを奇数個従属に接続し、最終
ゲート回路の出力を初段のゲート回路に負帰還する楕或
をとる。また、P型トランジスタPL、P2.P4.・
・・。
P6はカレントミラー回路を構成し、同様にN型トラン
ジスタNl、N3.N5.・・・、N7もカレントミラ
ー回路を構成している。これらのカレントミラー回路の
電流値は、入力端子INの電圧、すなわち、LPF7の
出力1oで制御されている。
ジスタNl、N3.N5.・・・、N7もカレントミラ
ー回路を構成している。これらのカレントミラー回路の
電流値は、入力端子INの電圧、すなわち、LPF7の
出力1oで制御されている。
このVCO8の発振周波数f VCOは、次の(1)式
のように決定される。
のように決定される。
fvco = 1/ (2XNX t d ) −(1
)尚、Nは従属接続するゲートの段数、tdはゲート−
段当りの伝達遅延時間量を表わす。
)尚、Nは従属接続するゲートの段数、tdはゲート−
段当りの伝達遅延時間量を表わす。
ここで、ゲート−段当りの伝達遅延時間量tdは貫通電
流量に反比例しており、入力端子INの電圧により■C
O回路8の発振周波数f VCOを制御することができ
る。すなわち、ゲート−段当りの伝達遅延時間量tdを
制御することができる。
流量に反比例しており、入力端子INの電圧により■C
O回路8の発振周波数f VCOを制御することができ
る。すなわち、ゲート−段当りの伝達遅延時間量tdを
制御することができる。
第3図は第1図に示す遅延回路図である。
第3図に示すように、ががる遅延回路11において、P
型トランジスタPIOとN型トランジスタN9はインバ
ータを楕或し、このインバータの貫通電流をトランジス
タP9およびNIOのドレイン電流で制御している。す
なわち、トランジス9P9.PIO,N9.N10でゲ
ート回路を構成している。このゲート回路と同様に、ト
ランジスタpH,PI3.Nil、N12からなるゲー
ト及びトランジスタP13.P14.N13゜N14か
らなるゲートを奇数個従属に接続している。また、P型
トランジスタP8.P9.pH、PI3はカレントミラ
ー回路を構成し、同様にN型トランジスタN8.N10
.N12.N14もカレントミラー回路を構成している
。これらのカレントミラー回路の電流値は、入力端子I
Nの電圧、すなわちLPF7の出力10で制御されてい
る。
型トランジスタPIOとN型トランジスタN9はインバ
ータを楕或し、このインバータの貫通電流をトランジス
タP9およびNIOのドレイン電流で制御している。す
なわち、トランジス9P9.PIO,N9.N10でゲ
ート回路を構成している。このゲート回路と同様に、ト
ランジスタpH,PI3.Nil、N12からなるゲー
ト及びトランジスタP13.P14.N13゜N14か
らなるゲートを奇数個従属に接続している。また、P型
トランジスタP8.P9.pH、PI3はカレントミラ
ー回路を構成し、同様にN型トランジスタN8.N10
.N12.N14もカレントミラー回路を構成している
。これらのカレントミラー回路の電流値は、入力端子I
Nの電圧、すなわちLPF7の出力10で制御されてい
る。
かかる遅延回路11と前述したVCO8と、vcosの
最終ゲート出力を初段ゲートに帰還するか否かの違いで
あり、集積化した場合に対照性および整合性をとれば、
遅延回路11とVCO8の各ゲートの伝達遅延時間量t
dを一致させることができる。
最終ゲート出力を初段ゲートに帰還するか否かの違いで
あり、集積化した場合に対照性および整合性をとれば、
遅延回路11とVCO8の各ゲートの伝達遅延時間量t
dを一致させることができる。
従って、ライトデータ信号入力端子1から入力された信
号は、この遅延回路11の各ゲートで一定量遅延され、
タイミング信号12〜14として出力される。
号は、この遅延回路11の各ゲートで一定量遅延され、
タイミング信号12〜14として出力される。
第4図は第1図における各種入出力端子および信号のタ
イミング図である。
イミング図である。
第4図に示すように、信号12は遅延回路11の初段ゲ
ート出力を示しており、信号13は同様に2段目のゲー
ト出力を示し、信号14はN(奇数)段目のゲート出力
を示している。また、制御端子2および3は各々アクテ
ィブな時に信号12および信号13を選択するものとす
れば、ライトデータ信号出力端子4に出力される信号は
、信号13を基準として制御端子2,3からの制御信号
によりデータを遅れたり進ませたりすることが可能にな
る。
ート出力を示しており、信号13は同様に2段目のゲー
ト出力を示し、信号14はN(奇数)段目のゲート出力
を示している。また、制御端子2および3は各々アクテ
ィブな時に信号12および信号13を選択するものとす
れば、ライトデータ信号出力端子4に出力される信号は
、信号13を基準として制御端子2,3からの制御信号
によりデータを遅れたり進ませたりすることが可能にな
る。
ここで、伝達遅延時間量tdは、前述した(1)式で決
定されるため、 td=1/ (2XNXfvco )・”(2)となる
。
定されるため、 td=1/ (2XNXfvco )・”(2)となる
。
従って、ライトデータ信号入力端子1から入力される信
号の周波数に応じ、この伝達遅延時間量tdを可変設定
することができるので、書き込み補償量を可変設定する
ことが可能になる。
号の周波数に応じ、この伝達遅延時間量tdを可変設定
することができるので、書き込み補償量を可変設定する
ことが可能になる。
第5図および第6図はそれぞれ本発明の第二の実施例を
説明するための書き込み補償回路における遅延回路図お
よびVCOの回路図である。
説明するための書き込み補償回路における遅延回路図お
よびVCOの回路図である。
第5図および第6図に示すように、本実施例は前述した
第一の実施例に比較すると、すなわち第3図の遅延回路
11および第2図のvcosに対して、各ゲートの出力
に容量素子キャパシタンスC1〜C6を付加した点が異
なっており、全体の動作としては第一の実施例と同様で
ある。この第二の実施例における遅延回路11およびV
CO8によれば、遅延時間をこのキャパシタンスC1〜
C3およびC4〜C6と貫通電流とによって設定するこ
とができる。これは第一の実施例における遅延回路11
およびvcosが、個々のインバータによりinsから
Ions前後の遅延時間を可変できるのに対して、第二
の実施例ではキャパシタンスC1〜C3およびC4〜C
6と貫通電流量により10nsからIons前後と比較
的大きな遅延量を採ることができる。従って、ライトデ
ータ信号入力端子1から入力する周波数を固定した場合
、従属接続するゲートの段数を低減させることが可能に
なる。
第一の実施例に比較すると、すなわち第3図の遅延回路
11および第2図のvcosに対して、各ゲートの出力
に容量素子キャパシタンスC1〜C6を付加した点が異
なっており、全体の動作としては第一の実施例と同様で
ある。この第二の実施例における遅延回路11およびV
CO8によれば、遅延時間をこのキャパシタンスC1〜
C3およびC4〜C6と貫通電流とによって設定するこ
とができる。これは第一の実施例における遅延回路11
およびvcosが、個々のインバータによりinsから
Ions前後の遅延時間を可変できるのに対して、第二
の実施例ではキャパシタンスC1〜C3およびC4〜C
6と貫通電流量により10nsからIons前後と比較
的大きな遅延量を採ることができる。従って、ライトデ
ータ信号入力端子1から入力する周波数を固定した場合
、従属接続するゲートの段数を低減させることが可能に
なる。
以上説明したとおり、本発明の磁気ディスク装置の書き
込み補償回路は、従来集積できながった遅延回路を集積
化でき、さらに高速なりロックを用いることなく比較的
簡単に且つ安定に実現することができるという効果があ
る。
込み補償回路は、従来集積できながった遅延回路を集積
化でき、さらに高速なりロックを用いることなく比較的
簡単に且つ安定に実現することができるという効果があ
る。
第1図は本発明の第一の実施例を示す磁気ディスク装置
の書き込み補償回路図、第2図および第3図はそれぞれ
第1図に示すVCOの回路図および遅延回路図、第4図
は第1図における各種入出力端子および信号のタイミン
グ図、第5図および第6図はそれぞれ本発明の第二の実
施例を説明するための書き込み補償回路における遅延回
路図およびVCOの回路図、第7図は従来の一例を示す
磁気ディスク装置の書き込み補償回路図である。 1・・・ライトデータ信号入力端子、2.3・・・制御
端子、4・・・ライトデータ信号出力端子、5・・・基
準信号入力端子、6・・・位相周波数検出器、7・・・
低域通過濾波器(LPF)、8・・・電圧制御型発振器
(VCO)、9・・・フェーズ・ロックド・ループ回路
(PLL)、10・・・LPF出力、11・・・遅延回
路、12〜14・・・遅延回路出力、15・・・ライト
デ−タ信号選択出力回路、P1〜P4・・Pチャネル型
MOSトランジスタ(P型トランジスタ)、N1〜N1
4・・・Nチャネル型MO3)−ランジスタ(N型トラ
ンジスタ)、01〜C6・・・容量素子(キャバシスタ
ンス)。
の書き込み補償回路図、第2図および第3図はそれぞれ
第1図に示すVCOの回路図および遅延回路図、第4図
は第1図における各種入出力端子および信号のタイミン
グ図、第5図および第6図はそれぞれ本発明の第二の実
施例を説明するための書き込み補償回路における遅延回
路図およびVCOの回路図、第7図は従来の一例を示す
磁気ディスク装置の書き込み補償回路図である。 1・・・ライトデータ信号入力端子、2.3・・・制御
端子、4・・・ライトデータ信号出力端子、5・・・基
準信号入力端子、6・・・位相周波数検出器、7・・・
低域通過濾波器(LPF)、8・・・電圧制御型発振器
(VCO)、9・・・フェーズ・ロックド・ループ回路
(PLL)、10・・・LPF出力、11・・・遅延回
路、12〜14・・・遅延回路出力、15・・・ライト
デ−タ信号選択出力回路、P1〜P4・・Pチャネル型
MOSトランジスタ(P型トランジスタ)、N1〜N1
4・・・Nチャネル型MO3)−ランジスタ(N型トラ
ンジスタ)、01〜C6・・・容量素子(キャバシスタ
ンス)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電圧制御型発振器と、基準信号および前記電圧制御
型発振器の出力信号の位相および周波数を比較する位相
周波数検出器と前記位相周波検出器の出力である誤差信
号を帯域制限する低域通過濾波器とを有し前記低域通過
濾波器の出力を前記電圧制御型発振器に負帰還するフェ
イズ・ロックド・ループと、ライトデータ信号を複数個
に遅延させる遅延回路と、外部制御信号に応じて前記遅
延回路の各出力を一意的に選択し且つ磁気ディスク装置
のライト信号とするライトデータ信号選択出力回路とを
具備し、前記低域通過濾波器の出力信号により前記遅延
回路の遅延量を制御することを特徴とする磁気ディスク
装置の書き込み補償回路。 2、請求項1記載の遅延回路は複数且つ奇数個のゲート
回路を縦続接続して構成したことを特徴とする磁気ディ
スク装置の書き込み補償回路。 3、請求項1記載の電圧制御型発振器は複数且つ奇数個
のゲート回路を縦続接続して構成したことを特徴とする
磁気ディスク装置の書き込み補償回路。 4、請求項1記載の遅延回路および電圧制御発振器は複
数且つ奇数個のゲート回路を縦続接続し且つ前記ゲート
回路の出力に容量素子を接続して構成したことを特徴と
する磁気ディスク装置の書き込み補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7019990A JPH03269807A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁気ディスク装置の書き込み補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7019990A JPH03269807A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁気ディスク装置の書き込み補償回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03269807A true JPH03269807A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13424607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7019990A Pending JPH03269807A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁気ディスク装置の書き込み補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03269807A (ja) |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP7019990A patent/JPH03269807A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5799051A (en) | Delay stage circuitry for a ring oscillator | |
| Lad Kirankumar et al. | A dead-zone-free zero blind-zone high-speed phase frequency detector for charge-pump PLL | |
| US7944316B2 (en) | Multi-phase oscillator | |
| CA2159762C (en) | Duty cycled control implemented within a frequency synthesizer | |
| JP2009165109A (ja) | 半導体素子、クロック同期化回路、及び、クロック同期化回路の駆動方法 | |
| KR100256310B1 (ko) | 위상비교회로및반도체집적회로 | |
| US20080024233A1 (en) | High Frequency Ring Oscillator With Feed-Forward Paths | |
| US6741102B1 (en) | Phase frequency detector | |
| US6731147B2 (en) | Method and architecture for self-clocking digital delay locked loop | |
| US8004335B2 (en) | Phase interpolator system and associated methods | |
| JP3640816B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US7595668B2 (en) | High speed dynamic frequency divider | |
| JP2001223579A (ja) | プロセスから独立した極小電荷ポンプ | |
| KR101208616B1 (ko) | 광대역 출력 주파수를 갖는 링 발진기 | |
| US6721380B2 (en) | Fully differential CMOS phase-locked loop | |
| JPH09326689A (ja) | クロック発生回路 | |
| CN1677864B (zh) | 变换相位选择器及其操作、设计方法 | |
| JP3945894B2 (ja) | 半導体装置及び信号入力状態検出回路 | |
| US10367494B2 (en) | Fast-response references-less frequency detector | |
| JPH09223965A (ja) | クロック発生回路 | |
| US7317345B2 (en) | Anti-gate leakage programmable capacitor | |
| US20040170245A1 (en) | Fully differential CMOS phase-locked loop | |
| JP2581463B2 (ja) | 差動xor回路とそれを用いた周波数逓倍回路 | |
| US6850124B1 (en) | Circuit, architecture and method for tracking loop bandwidth in a frequency synthesizer having a wide frequency range | |
| US9735786B2 (en) | Apparatus and methods for single phase spot circuits |