JPH03269815A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH03269815A JPH03269815A JP6888890A JP6888890A JPH03269815A JP H03269815 A JPH03269815 A JP H03269815A JP 6888890 A JP6888890 A JP 6888890A JP 6888890 A JP6888890 A JP 6888890A JP H03269815 A JPH03269815 A JP H03269815A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気ディスク装置に用いられる再生用の磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッドに関し、 外部からのコモンモードノイズの影響を防止すると共に
、メタルハードディスク媒体との組み合わせにおいて、
ヘッドとディスク媒体間の絶縁破壊に起因する磁気抵抗
効果素子、或いはメタルハード磁気ディスク媒体の損傷
障害を防止することを目的とし、 二つのシールド磁性体間に二端子型構造の磁気抵抗効果
素子を媒体対向面に露出するように非磁性絶縁層を介し
て配設した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果
素子の何れか一端の直流電位を、対向する磁気ディスク
媒体の電位と同電位になるように構成し、また前記磁気
抵抗効果素子の二つの端子にそれぞれ固定抵抗を介して
直流電圧源を接続し、かつその二つの端子間の電位変化
を差動増幅器により増幅して再生信号を検出する構成と
する。
薄膜磁気ヘッドに関し、 外部からのコモンモードノイズの影響を防止すると共に
、メタルハードディスク媒体との組み合わせにおいて、
ヘッドとディスク媒体間の絶縁破壊に起因する磁気抵抗
効果素子、或いはメタルハード磁気ディスク媒体の損傷
障害を防止することを目的とし、 二つのシールド磁性体間に二端子型構造の磁気抵抗効果
素子を媒体対向面に露出するように非磁性絶縁層を介し
て配設した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果
素子の何れか一端の直流電位を、対向する磁気ディスク
媒体の電位と同電位になるように構成し、また前記磁気
抵抗効果素子の二つの端子にそれぞれ固定抵抗を介して
直流電圧源を接続し、かつその二つの端子間の電位変化
を差動増幅器により増幅して再生信号を検出する構成と
する。
〔産業上の利用分野］
本発明は磁気ディスク装置に用いられる再生用の磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
再生専用の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、再生時に
磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）に外部よ
りセンス電流を供給する必要があり、そのＭＲ素子の直
流電位と対向するメタルハード磁気ディスク媒体の電位
との差によって両者間の絶縁破壊障害が発生したり、ま
た再生回路がシングル・エンド型構成である場合には、
再生信号が外部からの電磁波や電源電圧変動等により悪
影響を受は易い傾向にあり、これらの障害を防止した再
生特性の良い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが必要とさ
れている。
磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と略称する）に外部よ
りセンス電流を供給する必要があり、そのＭＲ素子の直
流電位と対向するメタルハード磁気ディスク媒体の電位
との差によって両者間の絶縁破壊障害が発生したり、ま
た再生回路がシングル・エンド型構成である場合には、
再生信号が外部からの電磁波や電源電圧変動等により悪
影響を受は易い傾向にあり、これらの障害を防止した再
生特性の良い磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドが必要とさ
れている。
従来、二つのシールド磁性体間に二端子型構造のＭＲ素
子を媒体対向面に露出するように非磁性絶縁層を介して
配設した磁気抵抗効果型薄膜磁気へ、７ド（以下ＭＲヘ
ッドと略称する）は第３図に示すように、該ＭＲ素子■
の一方の引き出し端子２は固定抵抗（Ｒ）４を介して直
流電圧源（＋ Ｖ） ５と直列に接続され、他方の引き
出し端子３は接地されており、該ＭＲ素子１に直流電圧
源＋Ｖよりセンス電流Ｉｓを供給すると共に、該ＭＲ素
子１の高さ方向にバイアス磁界を、図示しないバイアス
磁界印加手段によって印加して対向する磁気ディスク媒
体からの記録された情報の磁束に応して生じるＭＲ素子
１の電気抵抗の変化を、結合容量（Ｃ）６と増幅器７を
通して電圧変化として検出することによって再生を行っ
ている。
子を媒体対向面に露出するように非磁性絶縁層を介して
配設した磁気抵抗効果型薄膜磁気へ、７ド（以下ＭＲヘ
ッドと略称する）は第３図に示すように、該ＭＲ素子■
の一方の引き出し端子２は固定抵抗（Ｒ）４を介して直
流電圧源（＋ Ｖ） ５と直列に接続され、他方の引き
出し端子３は接地されており、該ＭＲ素子１に直流電圧
源＋Ｖよりセンス電流Ｉｓを供給すると共に、該ＭＲ素
子１の高さ方向にバイアス磁界を、図示しないバイアス
磁界印加手段によって印加して対向する磁気ディスク媒
体からの記録された情報の磁束に応して生じるＭＲ素子
１の電気抵抗の変化を、結合容量（Ｃ）６と増幅器７を
通して電圧変化として検出することによって再生を行っ
ている。
ところで、第３図に示すようにＭＲ素子１からの再生信
号を検出する回路構成は、所謂シングルエンド型の構成
であるため、外部からの漏洩電磁波による障害、或いは
電源電圧変動等による悪影響（コモンモードノイズなど
）を受は易く、再生特性が劣化するという欠点があった
。
号を検出する回路構成は、所謂シングルエンド型の構成
であるため、外部からの漏洩電磁波による障害、或いは
電源電圧変動等による悪影響（コモンモードノイズなど
）を受は易く、再生特性が劣化するという欠点があった
。
そこでこのような欠点を解決する一手段として、例えば
ＭＲ素子をその両端と、素子中央部にそれぞれ引き出し
端子を設けた三端子構造とし、その両端の引き出し端子
間の電圧差を中央引き出し端子とで差動的に検出する構
成が提案されている。
ＭＲ素子をその両端と、素子中央部にそれぞれ引き出し
端子を設けた三端子構造とし、その両端の引き出し端子
間の電圧差を中央引き出し端子とで差動的に検出する構
成が提案されている。
しかしながら、トランク密度の高いハード磁気ディスク
媒体では、そのトランク幅が既に１０μ綱程度にまで狭
められており、素子中央部に引き出し端子を設けること
は製作上、難しい状態にある。
媒体では、そのトランク幅が既に１０μ綱程度にまで狭
められており、素子中央部に引き出し端子を設けること
は製作上、難しい状態にある。
また、かかるＭＲヘッドは巻線型インダクティブ薄膜磁
気ヘッドとは異なって、再生時に外部からＭＲ素子１ヘ
センス電流を供給する必要があることから、該ＭＲ素子
１の直流電位の設定値によっては、ハード磁気ディスク
媒体との電位差に起因する放電現象等によりヘッドと媒
体間の絶縁破壊障害が発生するといった問題があった。
気ヘッドとは異なって、再生時に外部からＭＲ素子１ヘ
センス電流を供給する必要があることから、該ＭＲ素子
１の直流電位の設定値によっては、ハード磁気ディスク
媒体との電位差に起因する放電現象等によりヘッドと媒
体間の絶縁破壊障害が発生するといった問題があった。
特に当該ＭＲヘッドと記録磁性層上に導電性のカーボン
膜を保護膜として設けたメタルハード磁気ディスク媒体
との組み合わせにおいては、該カーボン膜とヘンド間の
絶縁破壊が顕著であり、ＭＲ素子及びディスク媒体が損
傷する問題がある。
膜を保護膜として設けたメタルハード磁気ディスク媒体
との組み合わせにおいては、該カーボン膜とヘンド間の
絶縁破壊が顕著であり、ＭＲ素子及びディスク媒体が損
傷する問題がある。
因に、メタルハード磁気ディスク媒体に対してＭＲ素子
の一方の端子が数百ｍＶの電位差を有するように直流バ
イアスを与えた場合、ヘッドとディスク媒体間で間欠的
な電気的短絡障害が発生することが確認されている。
の一方の端子が数百ｍＶの電位差を有するように直流バ
イアスを与えた場合、ヘッドとディスク媒体間で間欠的
な電気的短絡障害が発生することが確認されている。
本発明は上記した従来の問題点に鑑み、外部からのコモ
ンモードノイズの影響を防止すると共に、メタルハード
ディスク媒体との組み合わせにおいて、ヘッドとディス
ク媒体間の絶縁破壊に起因する磁気抵抗効果素子、或い
はメタルハード磁気ディスク媒体の損傷障害を防止した
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。
ンモードノイズの影響を防止すると共に、メタルハード
ディスク媒体との組み合わせにおいて、ヘッドとディス
ク媒体間の絶縁破壊に起因する磁気抵抗効果素子、或い
はメタルハード磁気ディスク媒体の損傷障害を防止した
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記した目的を遠戚するため、二つのシールド
磁性体間に二端子型構造の磁気抵抗効果素子を媒体対向
面に露出するように非磁性絶縁層を介して配設した薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子の何れか一
端の直流電位を、対向する磁気ディスク媒体の電位と同
電位になるように構成し、また前記磁気抵抗効果素子の
二つの端子にそれぞれ固定抵抗を介して直流電圧源を接
続し、かつその二つの端子間の電位変化を差動増幅器に
より増幅して再生信号を検出する構成とする。
磁性体間に二端子型構造の磁気抵抗効果素子を媒体対向
面に露出するように非磁性絶縁層を介して配設した薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果素子の何れか一
端の直流電位を、対向する磁気ディスク媒体の電位と同
電位になるように構成し、また前記磁気抵抗効果素子の
二つの端子にそれぞれ固定抵抗を介して直流電圧源を接
続し、かつその二つの端子間の電位変化を差動増幅器に
より増幅して再生信号を検出する構成とする。
本発明では再生時の二端子型構造のＭＲ素子の各引き出
し端子に、その内の一方の引き出し端子と、対向するメ
タルハード磁気ディスク媒体の電位が同電位となるよう
にそれぞれ異なる電圧を印加して両端子間に電位差を設
けた擬似差動方式で動作させて再生信号を検出すること
により、外部からのコモンモードで伝搬する電磁波や電
源電圧変動等の影響が防止されると共に、当該ＭＲヘッ
ドとメタルハード磁気ディスク媒体間の絶縁破壊による
障害の発生も抑止することができる。
し端子に、その内の一方の引き出し端子と、対向するメ
タルハード磁気ディスク媒体の電位が同電位となるよう
にそれぞれ異なる電圧を印加して両端子間に電位差を設
けた擬似差動方式で動作させて再生信号を検出すること
により、外部からのコモンモードで伝搬する電磁波や電
源電圧変動等の影響が防止されると共に、当該ＭＲヘッ
ドとメタルハード磁気ディスク媒体間の絶縁破壊による
障害の発生も抑止することができる。
〔実施例］
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
一実施例を説明するための要部概略斜視図であり、第２
図はその再生信号検出回路の一実施例を示す構成図であ
る。
一実施例を説明するための要部概略斜視図であり、第２
図はその再生信号検出回路の一実施例を示す構成図であ
る。
第１図において１２はＮｉ−Ｚｎフェライト等からなる
シールド磁性体であり、Ｎｉ−Ｆｅからなるシールド磁
性層１６間に、それぞれ５ｉｏＺ、 Ａ ｊ！ ｚ０３
等からなる層間絶縁層１３ａ及び１３ｂを介して両端に
Ｃｕ、或いは＾Ｕなどからなる引き出し端子１５ａ、
１５ｂを接合した二端子型構造のＭＲ素子１４が媒体対
向面に露出するよう配置された構成から戒っている。
シールド磁性体であり、Ｎｉ−Ｆｅからなるシールド磁
性層１６間に、それぞれ５ｉｏＺ、 Ａ ｊ！ ｚ０３
等からなる層間絶縁層１３ａ及び１３ｂを介して両端に
Ｃｕ、或いは＾Ｕなどからなる引き出し端子１５ａ、
１５ｂを接合した二端子型構造のＭＲ素子１４が媒体対
向面に露出するよう配置された構成から戒っている。
そしてこのような構成の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
（以下ＭＲヘッドと略称する）１１における前記ＭＲ素
子１４の二つの引き出し端子１５ａ、 １５ｂには、第
２図に示すようにそれぞれ固定抵抗２１．２２を介して
、直流定電圧電源２３．２４が直列に接続されている。
（以下ＭＲヘッドと略称する）１１における前記ＭＲ素
子１４の二つの引き出し端子１５ａ、 １５ｂには、第
２図に示すようにそれぞれ固定抵抗２１．２２を介して
、直流定電圧電源２３．２４が直列に接続されている。
前記ＭＲ素子１４の直流抵抗をＲＮＲ、一方の固定抵抗
２１の値をＲい他方の固定抵抗２２の値をＲ２及び一方
の直流定電圧電源２３の電圧をｖｌ、他方の直流定電圧
電ａ！２４の電圧をｈとすると、該ＭＲ素子１４に流れ
るセンス電流Ｉｓは、 Ｒ＋＋Ｒｚ＋Ｒｓ＊ となるからＲ１＋ＲＺをＲ□よりも十分に大きく選ぶこ
とにより、センス電流Ｉｓは実質的に定電流となる。
２１の値をＲい他方の固定抵抗２２の値をＲ２及び一方
の直流定電圧電源２３の電圧をｖｌ、他方の直流定電圧
電ａ！２４の電圧をｈとすると、該ＭＲ素子１４に流れ
るセンス電流Ｉｓは、 Ｒ＋＋Ｒｚ＋Ｒｓ＊ となるからＲ１＋ＲＺをＲ□よりも十分に大きく選ぶこ
とにより、センス電流Ｉｓは実質的に定電流となる。
従って、ＭＲ素子１４の抵抗変化に比例した出力電圧が
得られるようになり、図示のように該ＭＲ素子１４の両
引き出し端子１５ａ、 １５ｂの電位差は段間結合容量
（Ｃ，）２５及び段間結合容量（ｃ、）２６を介して差
動増幅器２７にて差動的に検出（擬似差動検出）される
ため、外部からのコモンモードで伝搬する電磁波や電源
電圧変動等による悪影響も解消される。
得られるようになり、図示のように該ＭＲ素子１４の両
引き出し端子１５ａ、 １５ｂの電位差は段間結合容量
（Ｃ，）２５及び段間結合容量（ｃ、）２６を介して差
動増幅器２７にて差動的に検出（擬似差動検出）される
ため、外部からのコモンモードで伝搬する電磁波や電源
電圧変動等による悪影響も解消される。
なお、上記した擬似差動検出とは、前記ＭＲ素子１４自
身が例えば三端子型ＭＲ素子の場合のように互いに逆位
相で動作させるわけではないが、外部からのコモンモー
ドノイズに対して差動的に動作し、その影響を低減する
作用を有している。
身が例えば三端子型ＭＲ素子の場合のように互いに逆位
相で動作させるわけではないが、外部からのコモンモー
ドノイズに対して差動的に動作し、その影響を低減する
作用を有している。
また媒体対向面に露出するＭＲ素子１４の任意の点の電
位として該ＭＲ素子１４の何れか一端の直流電位Ｖ１、
若しくはＶ、を対向する磁気ディスク媒体１７の電位と
同電位となるように前記一方の直流定電圧を源２３の電
圧ｖ１と他方の直流定電圧電ａ！２４の電圧ｖ２及び一
方の固定抵抗２１の抵抗値Ｒ，と他方の固定抵抗２２の
抵抗値Ｒ２を設定することによってヘッド媒体間の絶縁
破壊障害の発生も抑止することが可能となる。
位として該ＭＲ素子１４の何れか一端の直流電位Ｖ１、
若しくはＶ、を対向する磁気ディスク媒体１７の電位と
同電位となるように前記一方の直流定電圧を源２３の電
圧ｖ１と他方の直流定電圧電ａ！２４の電圧ｖ２及び一
方の固定抵抗２１の抵抗値Ｒ，と他方の固定抵抗２２の
抵抗値Ｒ２を設定することによってヘッド媒体間の絶縁
破壊障害の発生も抑止することが可能となる。
因に、ＭＲヘフラド１におけるＭＲ素子１４の抵抗ＲＭ
１１＝４０Ω、センス電流Ｉｓ ＝ １５ｍＡで、対向
する磁気ディスク媒体１７の電位が接地により零電位で
ある場合、例えば該ＭＲ素子１４の一端の直流電位Ｖ。
１１＝４０Ω、センス電流Ｉｓ ＝ １５ｍＡで、対向
する磁気ディスク媒体１７の電位が接地により零電位で
ある場合、例えば該ＭＲ素子１４の一端の直流電位Ｖ。
が零電位となるように前記一方の直流定電圧を源２３の
電圧Ｖ、＝＋１５Ｖ、他方の直流定電圧電源２４の電圧
Ｖｚ＝ １５．６Ｖ、各固定抵抗２１及び２２の抵抗
値Ｒ，＝Ｒ１＝ １ ｋΩにそれぞれ設定した条件によ
って、例えば３００人の膜厚のカーボン保護膜を表面に
設けたメタルハード磁気ディスク媒体と組み合わせ、そ
の再生特性及び異常現象の有無について調査した結果、
外部からのコモンモードで伝搬する電磁波や電源電圧変
動等による悪影響のないことは勿論のこと、ヘッドと媒
体間の電気的短絡障害、或いは絶縁破壊障害が発生しな
いことが確認できた。
電圧Ｖ、＝＋１５Ｖ、他方の直流定電圧電源２４の電圧
Ｖｚ＝ １５．６Ｖ、各固定抵抗２１及び２２の抵抗
値Ｒ，＝Ｒ１＝ １ ｋΩにそれぞれ設定した条件によ
って、例えば３００人の膜厚のカーボン保護膜を表面に
設けたメタルハード磁気ディスク媒体と組み合わせ、そ
の再生特性及び異常現象の有無について調査した結果、
外部からのコモンモードで伝搬する電磁波や電源電圧変
動等による悪影響のないことは勿論のこと、ヘッドと媒
体間の電気的短絡障害、或いは絶縁破壊障害が発生しな
いことが確認できた。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドによれば、メタルハード磁気ディ
スク媒体と組み合わせた再生時に、外部からのコモンモ
ードで伝搬する電磁波や電源電圧変動等の影響がなく、
しかも媒体対向面に露出するＭＲ素子と媒体間の電気的
短絡障害、或いは絶縁破壊障害等の発生を抑止すること
が可能となる優れた利点を有し、信頼性を著しく高める
ことができるなど、実用上の効果は大きい。
効果型薄膜磁気ヘッドによれば、メタルハード磁気ディ
スク媒体と組み合わせた再生時に、外部からのコモンモ
ードで伝搬する電磁波や電源電圧変動等の影響がなく、
しかも媒体対向面に露出するＭＲ素子と媒体間の電気的
短絡障害、或いは絶縁破壊障害等の発生を抑止すること
が可能となる優れた利点を有し、信頼性を著しく高める
ことができるなど、実用上の効果は大きい。
へ、ドを説明するための要部概略斜視
図、
第２図は本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの
再生信号検出回路の一実施例 を示す構成図、 第３図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの再生信
号検出回路を説明するための 構成図である。
再生信号検出回路の一実施例 を示す構成図、 第３図は従来の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの再生信
号検出回路を説明するための 構成図である。
第１図及び第２図において、
１１はＭＲヘッド、１２はシールド磁性体、１３ａ、
１３ｂは層間絶縁層、１４はＭＲ素子、１５ａ、 １５
ｂは引き出し端子、１６はシールド磁性層、１７は磁気
ディスク媒体、２１．２２は固定抵抗、２３．２４は直
流定電圧電源、２５、２６は段間結合容量、２７は差動
増幅器をそれぞれ示す。
１３ｂは層間絶縁層、１４はＭＲ素子、１５ａ、 １５
ｂは引き出し端子、１６はシールド磁性層、１７は磁気
ディスク媒体、２１．２２は固定抵抗、２３．２４は直
流定電圧電源、２５、２６は段間結合容量、２７は差動
増幅器をそれぞれ示す。
第１図は本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気第２履
Claims (2)
- （１）二つのシールド磁性体（１２、１６）間に二端子
型構造の磁気抵抗効果素子（１４）を媒体対向面に露出
するように非磁性絶縁層（１３ａ、１３ｂ）を介して配
設した磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記磁
気抵抗効果素子（１４）の何れか一端の直流電位を、対
向する磁気ディスク媒体（１７）の電位と同電位になる
ように構成したことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁
気ヘッド。 - （２）前記磁気抵抗効果素子（１４）の二つの端子（１
５ａ、１５ｂ）にそれぞれ固定抵抗（２１、２２）を介
して直流電圧源（２３、２４）を接続し、かつその二つ
の端子（１５ａ、１５ｂ）間の電位変化を差動増幅器（
２７）により増幅して再生信号を検出することを特徴と
する請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6888890A JPH03269815A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6888890A JPH03269815A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03269815A true JPH03269815A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13386645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6888890A Pending JPH03269815A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03269815A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978181A (en) * | 1997-03-04 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6888890A patent/JPH03269815A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978181A (en) * | 1997-03-04 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Magnetic head and magnetic recording/reproducing apparatus |
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