JPH03270034A - 検査装置 - Google Patents
検査装置Info
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- JPH03270034A JPH03270034A JP2069222A JP6922290A JPH03270034A JP H03270034 A JPH03270034 A JP H03270034A JP 2069222 A JP2069222 A JP 2069222A JP 6922290 A JP6922290 A JP 6922290A JP H03270034 A JPH03270034 A JP H03270034A
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- Japan
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- stage
- seal
- inspection
- fluid
- air
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は検査装置に関する。
(従来の技術)
規格の異なる複数のチップを内部配線が施された基板上
に搭載し、モジュールとしての動作を可能にした半導体
モジュールの総合的な検査は、検査精度の向上を図る上
でチップの電極に対応して設けられた電極パッドに高精
度にプローブビンを電気的に接触させることが必要不可
決であり、また、検査効率の向上を図るためには、規格
の異なる複数のチップに対して柔軟に対処することが必
要である。
に搭載し、モジュールとしての動作を可能にした半導体
モジュールの総合的な検査は、検査精度の向上を図る上
でチップの電極に対応して設けられた電極パッドに高精
度にプローブビンを電気的に接触させることが必要不可
決であり、また、検査効率の向上を図るためには、規格
の異なる複数のチップに対して柔軟に対処することが必
要である。
また、最近のLSIチップ等は、高集積化や処理速度の
高速化等に伴って、通電時の動作発熱量が上昇する傾向
におり、数十μmオーダーの精度で電気的な接触を必要
とする半導体モジュールの検査においては、発熱による
電極パッドの位置ずれを防止することが検査精度を向上
させる上で非常に重要となる。例えば、半導体ウエノ\
上に形成されたチップの検査を行うブローμ等において
は、被検体となる半導体ウエノ1の保持部内に冷却ジャ
ケットを設ける等して、チップの使用環境に対応させた
温度で検査を実施することも行われているが、このよう
な冷却方法では動作発熱を押える程の冷却効果は得られ
ず、特に上述の半導体モジュールのようにセラミックス
基板等に搭載されたチップに対しては、検査精度を維持
する上での冷却効果は期待できない。
高速化等に伴って、通電時の動作発熱量が上昇する傾向
におり、数十μmオーダーの精度で電気的な接触を必要
とする半導体モジュールの検査においては、発熱による
電極パッドの位置ずれを防止することが検査精度を向上
させる上で非常に重要となる。例えば、半導体ウエノ\
上に形成されたチップの検査を行うブローμ等において
は、被検体となる半導体ウエノ1の保持部内に冷却ジャ
ケットを設ける等して、チップの使用環境に対応させた
温度で検査を実施することも行われているが、このよう
な冷却方法では動作発熱を押える程の冷却効果は得られ
ず、特に上述の半導体モジュールのようにセラミックス
基板等に搭載されたチップに対しては、検査精度を維持
する上での冷却効果は期待できない。
このように、規格の塁なるチップが複数搭載されて構成
された半導体モジュールの検査を正確に、かつ迅速に行
うためには、個々のチップに対して高精度の電気的な接
触を得ることと、動作発熱による位置ずれを防止するこ
とが特に重要であり、このような要求を満足する半導体
モジュールの検査装置の開発が強く望まれている。
された半導体モジュールの検査を正確に、かつ迅速に行
うためには、個々のチップに対して高精度の電気的な接
触を得ることと、動作発熱による位置ずれを防止するこ
とが特に重要であり、このような要求を満足する半導体
モジュールの検査装置の開発が強く望まれている。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、このような要望を満足するためになされたも
ので、基板上に搭載された個々の被検査体に対し、動作
発熱を考慮した上で高精度な電気的接触を可能とし、高
検査精度および高検査効率を維持しつつ、装置の小型化
を図ることができる検査装置を堤供することを目的とす
るものである。
ので、基板上に搭載された個々の被検査体に対し、動作
発熱を考慮した上で高精度な電気的接触を可能とし、高
検査精度および高検査効率を維持しつつ、装置の小型化
を図ることができる検査装置を堤供することを目的とす
るものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明の検査装置は、上記目的を達成するために、x−
y−z方向に移動可能なステージにより検査端子を位置
決めし、この検査端子を被検査体である基板の電極端子
に接触させて検査を行う検査装置において、被検査体を
浸漬させるための非導電性の冷却液が供給されるととも
に、一端面が開口されこの開口部の周端部にZ方向にエ
アを吹出すエアー吹出し口を有した液槽と、開口部を有
し液槽上にX方向に移動可能に配置されたXステージと
、このXステージと同程度の開口部を有し、このXステ
ージ上にY方向に移動可能に配置されたYステージと、
このYステージおよびXステージの開口部内にZ方向に
移動可能に配置されたZステージと、Z方向にエアーを
吹出すエアー吹出し口を有し、Xステージに取付けられ
るとともに、液槽のエアー吹出し口を僅かな隙間をもっ
て覆うX用シールと、Zステージにより僅かな隙間をも
って覆われる中心に向けXおよびY方向にエアーを吹出
すエアー吹出し口を有し、Yステジの底部に取付けられ
るとともに、X用シールのエアー吹出し口を僅かな隙間
をもって覆うZ用シールとを具備するものである。
y−z方向に移動可能なステージにより検査端子を位置
決めし、この検査端子を被検査体である基板の電極端子
に接触させて検査を行う検査装置において、被検査体を
浸漬させるための非導電性の冷却液が供給されるととも
に、一端面が開口されこの開口部の周端部にZ方向にエ
アを吹出すエアー吹出し口を有した液槽と、開口部を有
し液槽上にX方向に移動可能に配置されたXステージと
、このXステージと同程度の開口部を有し、このXステ
ージ上にY方向に移動可能に配置されたYステージと、
このYステージおよびXステージの開口部内にZ方向に
移動可能に配置されたZステージと、Z方向にエアーを
吹出すエアー吹出し口を有し、Xステージに取付けられ
るとともに、液槽のエアー吹出し口を僅かな隙間をもっ
て覆うX用シールと、Zステージにより僅かな隙間をも
って覆われる中心に向けXおよびY方向にエアーを吹出
すエアー吹出し口を有し、Yステジの底部に取付けられ
るとともに、X用シールのエアー吹出し口を僅かな隙間
をもって覆うZ用シールとを具備するものである。
(作 用)
本発明の検査装置では、x、y、zの各ステージ間およ
び液槽とXステージとの間の隙間にX用シール、Z用シ
ールおよび液槽の各エアー吹出し−から吹出されるエア
ーの風圧によるエアーカテンを形成し、液槽の開口部を
塞ぐようにしたので、立体的なエアーシール構造を実現
することができ、これにより平面上のスペースを小さく
することができる。
び液槽とXステージとの間の隙間にX用シール、Z用シ
ールおよび液槽の各エアー吹出し−から吹出されるエア
ーの風圧によるエアーカテンを形成し、液槽の開口部を
塞ぐようにしたので、立体的なエアーシール構造を実現
することができ、これにより平面上のスペースを小さく
することができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図および第2図は本発明の一実施例の検査装置の構
成を模式的に示す図であり、装置本体1は、非導電性液
体中で被検体となる半導体モジュル2を搬送および検査
可能な状態としたワーク3の所定の検査を行う検査部1
0と、半導体モジュール2上に搭載された複数の半導体
素子(以下、チップと記す)に対応した複数の検査用接
触端子が収容され、これらの交換および位置合せを行う
接触端子供給部20とから構成されており、装置本体1
の検査部10側の端部には、上記ワーク3をロード・ア
ンロードするためのワークローダー部30が着脱自在に
設置されている。また、装置本体1およびワークローダ
一部30上には、それぞれワークローダ一部30、検査
部10、接触端子供給部20の並列方向(以下、X方向
とよぶ)に沿って移動可能とされたワーク搬送機構40
と接触端子移動機構50とが搭載されている。
成を模式的に示す図であり、装置本体1は、非導電性液
体中で被検体となる半導体モジュル2を搬送および検査
可能な状態としたワーク3の所定の検査を行う検査部1
0と、半導体モジュール2上に搭載された複数の半導体
素子(以下、チップと記す)に対応した複数の検査用接
触端子が収容され、これらの交換および位置合せを行う
接触端子供給部20とから構成されており、装置本体1
の検査部10側の端部には、上記ワーク3をロード・ア
ンロードするためのワークローダー部30が着脱自在に
設置されている。また、装置本体1およびワークローダ
一部30上には、それぞれワークローダ一部30、検査
部10、接触端子供給部20の並列方向(以下、X方向
とよぶ)に沿って移動可能とされたワーク搬送機構40
と接触端子移動機構50とが搭載されている。
なお上記ワーク3は、例えば第3図に示すように、複数
のチップ2aが内部配線を有する多層セラミックス基板
2b上にボンディングされて構成された半導体モジュー
ル2の下部に、この半導体モジュール2の図示を省略し
た各入出力ピンと電気的に接触されたソケット4および
ソケットボド5と、半導体モジュール2の外周側に押え
板6とOリング7とによって液密シールが形成されたク
ランプ部となるサポートボード8が配置されて構成され
たものである。また、図示を省略したがチップ2aの周
囲には測定用電極パッドが、多層セラミックス基板2b
の上面の3角にはアライメント用ターゲットが、下面に
は対角線上の2角に熱膨脹補正用ターゲットが設けられ
ており、またサポートボード8の4角には位置決め孔が
設けられている。
のチップ2aが内部配線を有する多層セラミックス基板
2b上にボンディングされて構成された半導体モジュー
ル2の下部に、この半導体モジュール2の図示を省略し
た各入出力ピンと電気的に接触されたソケット4および
ソケットボド5と、半導体モジュール2の外周側に押え
板6とOリング7とによって液密シールが形成されたク
ランプ部となるサポートボード8が配置されて構成され
たものである。また、図示を省略したがチップ2aの周
囲には測定用電極パッドが、多層セラミックス基板2b
の上面の3角にはアライメント用ターゲットが、下面に
は対角線上の2角に熱膨脹補正用ターゲットが設けられ
ており、またサポートボード8の4角には位置決め孔が
設けられている。
上記検査部10は、装置本体1の基台1a上に設置され
た検査部基台11の上面側に突設された槽外壁11aお
よび槽内壁11bと、例えばネオブレンゴム等によって
形成された口字、状のワーク載置台12およびワーク3
自体とによって形成される液槽13を有しており、ワー
ク3はクランプ14によってワーク載置台12に対し、
液密シールを形成するように密着固定される。そして、
液橘13内に注入された非導電性不活性液体15中にワ
ーク3を浸漬し、その状態で検査が行われる。
た検査部基台11の上面側に突設された槽外壁11aお
よび槽内壁11bと、例えばネオブレンゴム等によって
形成された口字、状のワーク載置台12およびワーク3
自体とによって形成される液槽13を有しており、ワー
ク3はクランプ14によってワーク載置台12に対し、
液密シールを形成するように密着固定される。そして、
液橘13内に注入された非導電性不活性液体15中にワ
ーク3を浸漬し、その状態で検査が行われる。
なお、検査部基台11内には、槽外壁11aと槽内壁1
1bとの間にオーバーフローした非導電性液体15の排
出管16aと、ワーク交換時の排出管16bとが設けら
れており、それぞれ図示を省略した冷却機構に接続され
ている。また、上記口字状のワーク載置台12の開口部
下方には、ワーク3のソケットボード5に対して差込ま
れ電気的な接続を行う図示を省略した多数のポゴピンが
突設されたワークセットベースユニット17が配置され
ている。
1bとの間にオーバーフローした非導電性液体15の排
出管16aと、ワーク交換時の排出管16bとが設けら
れており、それぞれ図示を省略した冷却機構に接続され
ている。また、上記口字状のワーク載置台12の開口部
下方には、ワーク3のソケットボード5に対して差込ま
れ電気的な接続を行う図示を省略した多数のポゴピンが
突設されたワークセットベースユニット17が配置され
ている。
またワーク3のセラミックス基板2bの下面に設けられ
た一対の熱膨脹捕正用ターゲットの形成位置に応じて下
アライメントカメラ18a、18bさらにワーク搬送機
構40およびワーク載置台12間におけるワーク3の移
載を行う昇降可能なワーク移載ピン1つが設けられてい
る。 ここで、上記下アライメントカメラ18aおよび
18bは、カメラ本体1sC,ボアスコープ18d1ア
ダプタ18 e 、 CCDカメラ18fがこの順に一
体的にされて構成されている。
た一対の熱膨脹捕正用ターゲットの形成位置に応じて下
アライメントカメラ18a、18bさらにワーク搬送機
構40およびワーク載置台12間におけるワーク3の移
載を行う昇降可能なワーク移載ピン1つが設けられてい
る。 ここで、上記下アライメントカメラ18aおよび
18bは、カメラ本体1sC,ボアスコープ18d1ア
ダプタ18 e 、 CCDカメラ18fがこの順に一
体的にされて構成されている。
ボアスコープ18cは、ワーク載置台12の下面に取付
けられた固定部18gおよび支持部材18h、18iに
取付けられた固定部18jにボルトにより固定される。
けられた固定部18gおよび支持部材18h、18iに
取付けられた固定部18jにボルトにより固定される。
ロングカラー18にはボアスコープに接着剤により固定
されている。またボアスコープ18cには、雄ねじ18
1を有したハンドル18mおよびカラー18nが取付け
られており、その雄ねじ181は、上記固定部18」に
形成された雌ねじ18pに噛合っている。
されている。またボアスコープ18cには、雄ねじ18
1を有したハンドル18mおよびカラー18nが取付け
られており、その雄ねじ181は、上記固定部18」に
形成された雌ねじ18pに噛合っている。
そして、ハンドル18mを回転させると、下アライメン
トカメラ18aおよび18bは上下方向へ移動する。
トカメラ18aおよび18bは上下方向へ移動する。
また、接触端子供給部20は、半導体モジュール2に搭
載されたチップ2aの周囲に形成された71#I定用電
極パツドの形状およびピッチに応じてプローブピンが植
設された複数のピンブロック21を個々に保持する複数
例えば9個のピンブロックチェンジャ22と、接触端子
移動機構50側に受は渡されたピンブロック21の位置
確認を行うピンブロック補正用カメラ23とによって構
成されている。
載されたチップ2aの周囲に形成された71#I定用電
極パツドの形状およびピッチに応じてプローブピンが植
設された複数のピンブロック21を個々に保持する複数
例えば9個のピンブロックチェンジャ22と、接触端子
移動機構50側に受は渡されたピンブロック21の位置
確認を行うピンブロック補正用カメラ23とによって構
成されている。
上記ピンブロックチェンジャ22は、ピンブロック21
を挟持する保持部24と、この保持部24を接触端子移
動機構50側に上昇させる例えばシリンダ機構25とに
よって構成されており、検査プログラムに応じて使用す
べきピンブロック21を個別に上昇させ、接触端子移動
機構50に供給する。
を挟持する保持部24と、この保持部24を接触端子移
動機構50側に上昇させる例えばシリンダ機構25とに
よって構成されており、検査プログラムに応じて使用す
べきピンブロック21を個別に上昇させ、接触端子移動
機構50に供給する。
ワーク搬送機構40は、X方向に沿って移動可能とされ
ており、接触端子移動機構50は、ワク搬送機構40と
同様に、上記ステージ用ガイド30a、lb上に搭載さ
れた口字形状を有するXステージ51、このXステージ
上に配置された同程度の開口面積を有する口字形状のY
ステージ52および上記Xステージ51およびYステー
ジ52の開口部内に配置されたZステージ53によって
、このZステージ53に固定されたビンブロック21の
チャック部54と上アライメント用カメラ55とが設置
された測定部56が、x−y−z方向に移動可能に構成
されており、また図示を省略したθ駆動機構によってチ
ャック部54が回転自在とされている。そして、上記チ
ャック部54に保持されたビンブロック21は、Zステ
ージ53によって検査部10の液槽13内まで下降し、
液槽13内に浸漬されているワーク3との接触が行われ
る。
ており、接触端子移動機構50は、ワク搬送機構40と
同様に、上記ステージ用ガイド30a、lb上に搭載さ
れた口字形状を有するXステージ51、このXステージ
上に配置された同程度の開口面積を有する口字形状のY
ステージ52および上記Xステージ51およびYステー
ジ52の開口部内に配置されたZステージ53によって
、このZステージ53に固定されたビンブロック21の
チャック部54と上アライメント用カメラ55とが設置
された測定部56が、x−y−z方向に移動可能に構成
されており、また図示を省略したθ駆動機構によってチ
ャック部54が回転自在とされている。そして、上記チ
ャック部54に保持されたビンブロック21は、Zステ
ージ53によって検査部10の液槽13内まで下降し、
液槽13内に浸漬されているワーク3との接触が行われ
る。
ここで、上記液槽13の蒸気シール構造について説明す
る。
る。
例えば、第4図および第5図に示すように、液槽13の
槽外壁11aには、この周端部にZ方向にエアーを吹出
すエアー吹出し口11cが形成されている。エアー吹出
し口lieには、細孔11dを介してチューブlleが
連通している。
槽外壁11aには、この周端部にZ方向にエアーを吹出
すエアー吹出し口11cが形成されている。エアー吹出
し口lieには、細孔11dを介してチューブlleが
連通している。
符号51bは、Z方向にエアーを吹出すエアー吹出し口
51aを有した口字形状のX用シールであり、このX用
シール51bはXステージ51の底部に取付けられる。
51aを有した口字形状のX用シールであり、このX用
シール51bはXステージ51の底部に取付けられる。
X用シール51bの側面には、このX用シール51bを
挟んでX方向に伸びたX翼51cが取付けられている。
挟んでX方向に伸びたX翼51cが取付けられている。
符号53bは、中心に向けXおよびY方向にエアーを吹
出すエアー吹出し口53aを有した口字形状のZ用シー
ルであり、この2用シール53bはYステージ52の底
部に取付けられる。Z用シール53bの側面には、この
Z用シール53bを挟んでY方向に伸びたYg52bが
取付けられている。
出すエアー吹出し口53aを有した口字形状のZ用シー
ルであり、この2用シール53bはYステージ52の底
部に取付けられる。Z用シール53bの側面には、この
Z用シール53bを挟んでY方向に伸びたYg52bが
取付けられている。
ソシテ、Xg51cは槽外壁11aのエアー吹出し口1
1cに、YW52bはX用シール51bのエアー吹出し
口51aにそれぞれ覆い被さるように配される。またZ
用シール53bのエアー吹出し口53aは、上記JFI
定部56の側面にて覆われる。
1cに、YW52bはX用シール51bのエアー吹出し
口51aにそれぞれ覆い被さるように配される。またZ
用シール53bのエアー吹出し口53aは、上記JFI
定部56の側面にて覆われる。
さらに、各エアー吹出し口11c、51.a、53aと
、X翼51c、Y翼52b5測定部56の側面との隙間
は 1mo+以下とされ、これにより各隙間にて風江が
高められる。
、X翼51c、Y翼52b5測定部56の側面との隙間
は 1mo+以下とされ、これにより各隙間にて風江が
高められる。
Njl定部56には、上記チャック部54に近接して図
示を省略した冷却機構に接続された非導電性不活性液体
導入管57が配設されており、またチャック部54の上
部にはビンブロック21と図示を省略したテスタに接続
されたタッチプレートが配置されており、このタッチプ
レートによってビンブロック21とテスタとの電気的な
接続が行われている。
示を省略した冷却機構に接続された非導電性不活性液体
導入管57が配設されており、またチャック部54の上
部にはビンブロック21と図示を省略したテスタに接続
されたタッチプレートが配置されており、このタッチプ
レートによってビンブロック21とテスタとの電気的な
接続が行われている。
上記構成の半導体検査装置における検査手順について、
第6図を参照して以下に説明する。
第6図を参照して以下に説明する。
まず、ワークローダ一部30におけるワークセットテー
ブル32のワーク収容部32a内にワーク3を載置する
とともに、ワークセットテーブル32を駆動してワーク
3をワーク昇降機構33の上方の受渡位置まで移動させ
る。次いで、ワーク昇降機構33の昇降テーブル33a
によってワーク3を位置決めしつつワーク搬送機fg4
0の保持部41位置まで上昇させる。ワーク3の上昇を
確認した後、保持部4]の一対のつめ42によってワー
ク3は保持される(第6図−a)。
ブル32のワーク収容部32a内にワーク3を載置する
とともに、ワークセットテーブル32を駆動してワーク
3をワーク昇降機構33の上方の受渡位置まで移動させ
る。次いで、ワーク昇降機構33の昇降テーブル33a
によってワーク3を位置決めしつつワーク搬送機fg4
0の保持部41位置まで上昇させる。ワーク3の上昇を
確認した後、保持部4]の一対のつめ42によってワー
ク3は保持される(第6図−a)。
次に、ワーク搬送機構40を駆動して、ワーク3を検査
部10のワーク載置台12上方のワーク受渡位置まで搬
送する。この際、接触端子移動機構50は、接触端子供
給部側へと移動する。
部10のワーク載置台12上方のワーク受渡位置まで搬
送する。この際、接触端子移動機構50は、接触端子供
給部側へと移動する。
ワーク受渡位置まで搬送されたワーク3は、検査部10
側から上昇したワーク移載ビン19上に移載される。こ
の際にワーク移載ビン1つの先端部は、ワーク3におけ
るサポートボード8の4角に設けられた位置決め孔内に
押入され、ワーク3の位置決めが行われる。この後、ワ
ーク移載ビン19は下降し、ワーク載置台12上にワー
ク3が載置されクランプ14によってワーク載置台12
に対して戒密に固定されると共に、ワーク3のソケット
ボード5と検査部10側のワークセットベースユニット
17との電気的な接続が行われる(第6図−b)。また
この際に、下アライメントカメラ18a、18bによっ
て、ワーク3の多層セラミックス基板2bの下面に設け
られた熱膨脹補正用ターゲットの初期位置が認識される
。
側から上昇したワーク移載ビン19上に移載される。こ
の際にワーク移載ビン1つの先端部は、ワーク3におけ
るサポートボード8の4角に設けられた位置決め孔内に
押入され、ワーク3の位置決めが行われる。この後、ワ
ーク移載ビン19は下降し、ワーク載置台12上にワー
ク3が載置されクランプ14によってワーク載置台12
に対して戒密に固定されると共に、ワーク3のソケット
ボード5と検査部10側のワークセットベースユニット
17との電気的な接続が行われる(第6図−b)。また
この際に、下アライメントカメラ18a、18bによっ
て、ワーク3の多層セラミックス基板2bの下面に設け
られた熱膨脹補正用ターゲットの初期位置が認識される
。
ワーク3のセツティングと相前後して、ビンブロック2
1の装着が行われる。ビンブロック21の装着は、まず
検査プログラムに応じて自動的に、第1番目に検査を行
うチップ2aに対応したビンブロック21が保持された
ビンブロックチェンジャ22上に接触端子移動機構50
のチャック部54が位置するように、Xステージ51お
よびYステージ52が駆動される。チャック部54がビ
ンブロック21の受渡し位置に到達すると、ビンブロッ
クチェンジャ22のシリンダ機構25が上昇し、チャッ
ク部54によって当該ビンブロック21が保持される(
同第6図−b)。
1の装着が行われる。ビンブロック21の装着は、まず
検査プログラムに応じて自動的に、第1番目に検査を行
うチップ2aに対応したビンブロック21が保持された
ビンブロックチェンジャ22上に接触端子移動機構50
のチャック部54が位置するように、Xステージ51お
よびYステージ52が駆動される。チャック部54がビ
ンブロック21の受渡し位置に到達すると、ビンブロッ
クチェンジャ22のシリンダ機構25が上昇し、チャッ
ク部54によって当該ビンブロック21が保持される(
同第6図−b)。
この後、ビンブロック補正用カメラ23によって、ビン
ブロック21の保持状態を撮像し、上アライメントカメ
ラ55との位置確認が行われた後、検査部]0上方へと
接触端子移動機構50は移動する。
ブロック21の保持状態を撮像し、上アライメントカメ
ラ55との位置確認が行われた後、検査部]0上方へと
接触端子移動機構50は移動する。
次に、検査部10上方へと移動した接触端子移動機構5
0の測定部56に配置された上アライメントカメラ55
によって、ワーク3とビンブロック21とのアライメン
トが行われる。このアライメントは、まず上アライメン
トカメラ55によって多層セラミックス基板2bの表面
を撮像しつつその3角に設けられたアライメント用ター
ゲットの位置を、接触端子移動機構50側のX−Yステ
ージにおける位置座標として認識し、予め入力されたア
ライメント用ターゲット位置に基づいた各チップ2a位
置がX−Yステージの位置座標として求められる。そし
て、チップ2aの位置座標にしたがってビンブロック2
1の位置が決定され、Xステージ51、Yステージ52
および゛図示を省略したθ駆動機構を駆動してチップ2
aの周囲に形成された測定用電極パッドとビンブロック
21に植設されたプローブビンとのアライメントが行わ
れる。
0の測定部56に配置された上アライメントカメラ55
によって、ワーク3とビンブロック21とのアライメン
トが行われる。このアライメントは、まず上アライメン
トカメラ55によって多層セラミックス基板2bの表面
を撮像しつつその3角に設けられたアライメント用ター
ゲットの位置を、接触端子移動機構50側のX−Yステ
ージにおける位置座標として認識し、予め入力されたア
ライメント用ターゲット位置に基づいた各チップ2a位
置がX−Yステージの位置座標として求められる。そし
て、チップ2aの位置座標にしたがってビンブロック2
1の位置が決定され、Xステージ51、Yステージ52
および゛図示を省略したθ駆動機構を駆動してチップ2
aの周囲に形成された測定用電極パッドとビンブロック
21に植設されたプローブビンとのアライメントが行わ
れる。
また、このアライメントと同時に、非導電性不活性肢体
導入管57から例えばフッ素系不活性液が液槽13内に
供給され、ワーク3は非導電性不活性液体15内に浸漬
された状態となる。
導入管57から例えばフッ素系不活性液が液槽13内に
供給され、ワーク3は非導電性不活性液体15内に浸漬
された状態となる。
この後、非導電性液体15を測定対象チップ2a上およ
び周囲に供給しつつ、Zステージ53を駆動することに
よって測定部56を下降させ、ビンブロック21のプロ
ーブビンを非導電性液体15中に浸漬しつつ、1lll
1重用電極パッド接させる。そして、半導体モジュール
2にテスト電圧を供給し当該チップ2aの検査を行う(
第6図−C)このとき、各エアー吹出し口11c、51
a。
び周囲に供給しつつ、Zステージ53を駆動することに
よって測定部56を下降させ、ビンブロック21のプロ
ーブビンを非導電性液体15中に浸漬しつつ、1lll
1重用電極パッド接させる。そして、半導体モジュール
2にテスト電圧を供給し当該チップ2aの検査を行う(
第6図−C)このとき、各エアー吹出し口11c、51
a。
53aからエアーが吹出されると、各隙間にて風圧が高
められるため、非導電性不活性液体15たる例えばフロ
リナートの蒸気が液Il!13内に封じ込められる。
められるため、非導電性不活性液体15たる例えばフロ
リナートの蒸気が液Il!13内に封じ込められる。
この占うに、本実施例の検査装置によれば、積重ねるよ
うにして配したx、y、zステージにて非導電性不活性
l皮体の蒸気を液槽内に封じ込めるようにしたので、従
来−平面にてX、Y軸シールを行っていた構造に比べ一
平面上でのスペースを小さくすることができる。
うにして配したx、y、zステージにて非導電性不活性
l皮体の蒸気を液槽内に封じ込めるようにしたので、従
来−平面にてX、Y軸シールを行っていた構造に比べ一
平面上でのスペースを小さくすることができる。
なお、本実施例に係る検査装置でXSY、Z用のシール
機構を個別に設けたのは構造上、省スペース化がはかれ
るからである。すなわちX、Y同一平面でX、Y方向を
移動できるシール機構はZ方向にはスペースが少なくす
むが、X、Y方向にスペースが必要となり装置全体の大
きさにも影響してくる。
機構を個別に設けたのは構造上、省スペース化がはかれ
るからである。すなわちX、Y同一平面でX、Y方向を
移動できるシール機構はZ方向にはスペースが少なくす
むが、X、Y方向にスペースが必要となり装置全体の大
きさにも影響してくる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明の検査装置によれば、基板
に設けられた個々の被検査体に対し、動作発熱を考慮し
た上で高精度な電気的接触を可能とし、高検査精度およ
び高検査効率を維持しつつ、装置の小型化を図ることが
できる。
に設けられた個々の被検査体に対し、動作発熱を考慮し
た上で高精度な電気的接触を可能とし、高検査精度およ
び高検査効率を維持しつつ、装置の小型化を図ることが
できる。
第1図および第2図は本発明の一実施例の半導体検査装
置の構成を模式的に示す図、第3図はその半導体検査装
置によって検査される半導体モジュールを搬送および検
査可能に固定するワークを示す断面図、第4図は第1図
の半導体検査装置の蒸気シール構造を示す斜視図、第5
図はその蒸気シール構造の作用を示す断面図、第6図(
a)〜(c)は検査手順を説明するための図である。 1・・・装置本体、1a・・・基台、2・・・半導体モ
ジュル、2a・・・チップ、3・・・ワーク、4・・・
ソケット、5・・・ソケットボード、8・・・サポート
ボード、10・・・検査部、lla・・・槽外壁、ll
c、51a。 53a・・・エアー吹出し口、12・・・ワーク載置台
、13・・・液槽、14・・・クランプ、15・・・非
導電性不活性液体、21・・・ピンブロック、30・・
・ワークローダ部、40・・・ワーク搬送機構、50・
・・接触端子移動機構、51・・・Xステージ、51b
・・・X用シール、51cmX14.52 b−Y翼、
53 b−Z用ル。
置の構成を模式的に示す図、第3図はその半導体検査装
置によって検査される半導体モジュールを搬送および検
査可能に固定するワークを示す断面図、第4図は第1図
の半導体検査装置の蒸気シール構造を示す斜視図、第5
図はその蒸気シール構造の作用を示す断面図、第6図(
a)〜(c)は検査手順を説明するための図である。 1・・・装置本体、1a・・・基台、2・・・半導体モ
ジュル、2a・・・チップ、3・・・ワーク、4・・・
ソケット、5・・・ソケットボード、8・・・サポート
ボード、10・・・検査部、lla・・・槽外壁、ll
c、51a。 53a・・・エアー吹出し口、12・・・ワーク載置台
、13・・・液槽、14・・・クランプ、15・・・非
導電性不活性液体、21・・・ピンブロック、30・・
・ワークローダ部、40・・・ワーク搬送機構、50・
・・接触端子移動機構、51・・・Xステージ、51b
・・・X用シール、51cmX14.52 b−Y翼、
53 b−Z用ル。
Claims (1)
- X−Y−Z方向に移動可能なステージにより検査端子
を位置決めし、この検査端子を被検査体である基板の電
極端子に接触させて検査を行う検査装置において、前記
被検査体を浸漬させるための非導電性の冷却液が供給さ
れるとともに、一端面が開口されこの開口部の周端部に
Z方向にエアーを吹出すエアー吹出し口を有した液槽と
、開口部を有し前記液槽上にX方向に移動可能に配置さ
れたXステージと、このXステージと同程度の開口部を
有し、このXステージ上にY方向に移動可能に配置され
たYステージと、このYステージおよび前記Xステージ
の開口部内にZ方向に移動可能に配置されたZステージ
と、Z方向にエアーを吹出すエアー吹出し口を有し、前
記Xステージに取付けられるとともに、前記液槽のエア
ー吹出し口を僅かな隙間をもって覆うX用シールと、前
記Zステージにより僅かな隙間をもって覆われる中心に
向けXおよびY方向にエアーを吹出すエアー吹出し口を
有し、前記Yステージの底部に取付けられるとともに、
前記X用シールのエアー吹出し口を僅かな隙間をもって
覆うZ用シールとを具備することを特徴とする検査装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069222A JPH03270034A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2069222A JPH03270034A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270034A true JPH03270034A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13396483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069222A Pending JPH03270034A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270034A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648640A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Hitachi Ltd | Device for inspecting semiconductor |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2069222A patent/JPH03270034A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648640A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Hitachi Ltd | Device for inspecting semiconductor |
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