JPH03270219A - 縦型バッチ式アッシャーを用いるアッシング方法 - Google Patents
縦型バッチ式アッシャーを用いるアッシング方法Info
- Publication number
- JPH03270219A JPH03270219A JP2072341A JP7234190A JPH03270219A JP H03270219 A JPH03270219 A JP H03270219A JP 2072341 A JP2072341 A JP 2072341A JP 7234190 A JP7234190 A JP 7234190A JP H03270219 A JPH03270219 A JP H03270219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- temperature
- ashing
- gas
- batch
- Prior art date
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- Pending
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔概要〕
縦型バッチ式アッシャ−を用いるアッシング方法および
装置に関し、 バッチ処理を繰り返し行っても縦型アッシャ−の縦方向
におけるアッシングレートの分布が劣化しないパージン
グ方法を提供することを目的とし、 縦方向に配列されたウェーハ上のレジストをアッシング
する一回のバッチ処理終了後にアッシングチャンバー内
にＨｅガスを流入させて、チャンバー内の温度を強制的
に下げ、次のバッチ処理開始の温度を初期設定温度にす
るか、あるいはチャンバー上部にウェー八搬入口を設け
、アッシング終了後ウェーハ搬入口を開放し、チャンバ
ー内部のガスを排出するように構成する。
装置に関し、 バッチ処理を繰り返し行っても縦型アッシャ−の縦方向
におけるアッシングレートの分布が劣化しないパージン
グ方法を提供することを目的とし、 縦方向に配列されたウェーハ上のレジストをアッシング
する一回のバッチ処理終了後にアッシングチャンバー内
にＨｅガスを流入させて、チャンバー内の温度を強制的
に下げ、次のバッチ処理開始の温度を初期設定温度にす
るか、あるいはチャンバー上部にウェー八搬入口を設け
、アッシング終了後ウェーハ搬入口を開放し、チャンバ
ー内部のガスを排出するように構成する。
本発明は縦型バッチ式アッシャ−を用いるアッシング方
法に関する。 近年ＩＣの高集積化が進むにつれて、製造過程における
汚染、ダメージの低減が要求されている。その一つにレ
ジストをアッシングする時の汚染、ダメージがあり、こ
れらは主にオーバー・アッシングの時に起こるため、そ
の時間はできるだけ少なくする必要がある。 〔従来の技術〕 従来の縦型バッチ式アッシャ−の概略構造を第３図に示
す。 図中、１は石英チャンバー １８はアッシングガス、パ
ージガスの送入孔、１ｂは排気孔、２はチャンバー１の
下端を機密に封止する昇降可能なステージ、３はステー
ジに固着されたウェーハを支持する石英バスケット、４
は高周波印加電極であり、５は接地電極である。 処理手順は、まずステージ２を降ろして石英バスケット
にウェーハをセットし、ステージ２を上げる。チャンバ
ー下端がステージ２で封止されたら排気口１ｂより排気
してチャンバー内を真空にする。その後さらに排気を続
けながら送入口１ａよりアッシングガスを送入する。そ
れから電極４に高周波を印加してチャンバー内にプラズ
マを発生させ、レジストをアッシングする。 アッシング中にはアッシングガスとレジストの成分であ
る炭素との反応に起因する発熱によってチャンバー内の
温度は約２００℃まで上昇する。 アッシング終了後には、残存アッシングガスおよび反応
生成ガスを十分排気してから、送入孔１ａより窒素ガス
を流してチャンバー内を大気圧に戻し、ステージ２を降
ろしてウェーハを取り出す。以上述べたようなアッシン
グ処理を連続して二回行った時の一回目と二回目の各ウ
ェーハのアッシングレート及びその分布を第４図、第５
図に示す。第４図及び第５図は横軸をウェーハ位置とし
、縦軸をアッシングレート、その偏差として、アッシン
グ状況が一回目と二回目でどのように変化するかを示す
グラフである。ウェーハ位置は最も下を５０とし最も上
を１として示し、５０枚のウェーハをｌバッチで処理し
たことに相当する。偏差は各位置におけるウェーハ内５
点のアッシングレートの偏差を示す。園内の右上に示す
数字は全ウェーハについてのアッシングレートの偏差を
示す。 第４図は一回目の、第５図は二回目のアッシング処理を
行った時の各ウェーハのアッシングレートとその分布で
ある。このグラフより連続処理によりチャンバー上部の
温度が上昇し、アッシングレートが増大しているのがわ
かる。 ［発明が解決しようとする課題１ アッシング処理終了後チャンバー内はかなりの高温にな
っているが、次のバッチ処理のためにステージをウェー
ハとともに降ろすことによりチャンバー内は空気が循環
し中程から下にかけて温度が下がって行く。しかし空気
はチャンバー上部までは循環しない。さらに冷却のため
にＮ２パージを続けても、チャンバー上部の温めれらた
Ｎ２よりも質量が重いためにチャンバー内を循環せずに
そのまま下部より出てゆき、上部に溜っている高温の窒
素はそのままで二回目の処理に入る。 従って、バッチ処理を繰返す連続処理を行う場合、チャ
ンバー上部だけ温度が上昇しウェーハのアッシングレー
トが速くなるため、アッシングレートの分布は悪くなり
、特定のウェーハのオーバーアッシング時間が非常に長
くなり、汚染が生じるという問題が生じていた。 したがって、本発明は縦形バッチ式アッシャ−で繰返し
アッシング処理を行っても縦方向におけるアッシングレ
ートの分布が劣化しないパージ方法を提供することを目
的とする。 ［課題を解決するための手段］ 本発明に係る方法の第１は、縦型バッチ式アッシャ−を
用いてレジストをアッシングする方法において、−回の
バッチ処理終了後にアッシングチャンバー内にＨｅガス
を流入させて、チャンバー内の温度を強制的に下げ、次
のバッチ処理開始の温度を初期設定温度にする工程を有
することを特徴とする縦型バッチ式アッシャ−を用いる
アッシング方法である。 本発明では処理終了後チャンバー内にＨｅをパージして
冷却を行う。すなわち、−回のバッチ処理終了後にアッ
シングチャンバー内にＨｅガスを流入させて、チャンバ
ー内の温度を強制的に下げ、次のバッチ処理開始の温度
を初期設定温度にする。 アッシング終了後チャンバー内を大気圧に戻すためには
Ｈｅを使用してもよいしＮ２を使用してもよい。大気圧
に戻した後チャンバー内の温度を下げるためのＨｅパー
ジの流量及び時間は次の処理開始の温度を初期設定温度
まで下げることができるよう決定する。 上記方法は従来のようなチャンバー下部開放の装置を使
用して実施することができる。 をことを特徴とする。 一回のバッチ処理終了後アッシング反応熱によって上昇
したチャンバー内の温度を速やかにに下げ、次のバッチ
処理開始の温度を初期設定温度にするよう設計する。 本発明に係る第２の方法は、チャンバー上部にウェーハ
搬入口を設け、アッシング終了後ウェーハ搬入口を開放
し、チャンバー内部のガスを排出することを特徴とする
縦型バッチ式アッシャ−を用いるアッシング方法である
。 〔作用〕 本発明の第１の方法では処理終了後Ｈｅでパージするが
、Ｈｅは大気より軽いためチャンバー上部まで十分循環
し、冷却することができる。従って連続処理を行っても
アッシングレートの分布は劣化しないためバッチ内のオ
ーバーアッシングは一様に短時間ですみ、特定ウェーへ
の汚染及びダメージを回避できる。 処理終了後Ｈｅのパージとほぼ同時に開きウェーへの搬
入が行われると同時に、チャンバー内のＮ２及び大気は
、下部から証人されるＨｅガスによりチャンバー内に留
まることなくスムーズに排気され、アッシング反応熱に
よって上昇したチャンバー内の温度を速やかに下げ、次
のバッチ処理開始の温度を初期設定温度にすることがで
きる。 初期設定温度は通常室温であるが、室温より若干高い温
度でレジストが硬化・変質しない温度であってもよい、
バッチ処理の都度このような初期設定温度に戻すことが
できるために、バッチ処理な繰り返す連続処理を行って
もアッシングレートの分布は劣化しない。なお、オーバ
ーアッシングはアッシングを完全に行うための意図的な
ものと、チャンバ内に局部的高温部があるため、アッシ
ングレートがそこだけ高くなり、オーバーアッシング時
間が所望の時間よりも極端に長くなるのものがあるが、
本発明では後者は解消され前者は一様に短時間ですみ、
特定ウェーハの汚染及びダメージを回避できる。 本発明の第２の方法ではチャンバー上部にウェーハ搬入
口を設けるが、処理終了後チャンバー上部が開きウェー
への搬出が行われると同時に、アッシング反応熱によっ
て上昇したチャンバー内の温度を速やかに下げ、次のバ
ッチ処理開始お温度を初期設定温度にすることができる
。 以下、実施例によりさらに詳しく本発明を説明する。 〔実施例〕 実施例１ 第１図に示す縦型バッチ式アッシャ−を用い、縦型パッ
チ式アッシャーシング処理を行う。なお、チャンバーの
内容積は約４０１２であり、ウェーハは６インチのもの
を↓バッチあたり５０枚処理した。 まずステージ２を降ろして石英バスケット３にウェーハ
を５０枚セットし、ステージ２を上げる。チャンバー下
端がステージ２で封止されたら排気口１ｂより排気して
チャンバー内を約０．０５ Ｔｏｒｒまで真空にする。 その後さらに排気を続けながら送入口１ａより０８ガス
を１０１０００ｓｃ送入する。そのときチャンバー内の
圧力は０゜８ Ｔｏｒｒに保つ。続いて電極４に高周波
を印加してチャンバー内にプラズマを発生させレジスト
をアッシングする。アッシング終了１１残存アツシング
ガス及び反応生成ガスを充分排気してから送入孔１ａよ
り窒素ガスを流してチャンバー内を大気圧に戻し、ステ
ージ２を降ろしてウェーハを取り出す。ウェーハを取り
出す間に送入口１ａより１０分間Ｈｅガスを８５１ｍの
流量で流入し、チャンバー内の温度を初期設定温度に戻
す。 このような処理を行うと、各バッチとちアッシングレー
トの分布が一様であり、特定ウェーハのの極端に長いオ
ーバーアッシングを避けることができる。 ウェーハを取り出すとき、より速く温度を低下させるた
めに、窒素ガスは止めずに１８から流しておく。ウェー
ハを搬出するのに約１０分間の時間がかかるが、その間
にチャンバー内の温度は速やかに初期設定温度に戻る。 第３図に示した従来の縦型バッチ式アッシャ−と第１図
に示した縦型バッチ式アッシャ−を使用して、５０枚の
ウェーハを１バツチとして４回連続処理を行い、各バッ
チ毎５０枚のウェーハをアッシングレートの分布が連続
処理により劣化するかどうか第５図のグラフに示した。 縦軸はバッチ内５０枚のウェーハのアッシングレートの
偏差で、横軸は連続処理回数である。これによると従来
の縦型バッチ式アッシャ−では、連続処理の二回目以降
バッチ内アッシングレートの分布の劣化は著しいが、チ
ャンバー上部にウェーハの搬入口を設けた縦型バッチ式
アッシャ−では連続処理してもバッチ内アッシングレー
トの分布は劣化しない。 この結果により、このような処理を行うと、各バッチと
もアッシングレートの分布が一様であり、特定ウェーハ
の極端に長いオーバーアッシングを避けることができる
ことが分かる。なお、チャンバー上部開閉式アッシャ−
について本発明を説明したが、下部開閉式アッシャ−に
ついてち本発明方法を実施することができる。 実施例２ 実施例１と同様の方法でアッシングを行い、アッシング
終了後、残存アッシングガス及び反応生成ガスを十分排
気してから送入孔１ａより窒素ガスを流してチャンバー
内を大気圧に戻し、ステージを上げてウェーハを取り出
す。このとき、より速く温度を低下させるために、窒素
ガスは止めずに流しておく。ウェーハを搬出するのに約
１０分間の時間がかかるが、その間にチャンバー内の温
度は速やかに初期設定温度に戻る。この結果、実施例１
と同様に良好なアッシングレート分布が得られた。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば縦型バッチ式アッ
シャ−の連続処理によるアッシングレートの分布の劣化
がないため、バッチ内のオーバーアッシングが一様に短
時間ですみ、特定ウェーハへの汚染及びダメージを回避
できるため、半導体装置の性能、信頼性、歩留りの向上
に寄与するところが大きい。
法に関する。 近年ＩＣの高集積化が進むにつれて、製造過程における
汚染、ダメージの低減が要求されている。その一つにレ
ジストをアッシングする時の汚染、ダメージがあり、こ
れらは主にオーバー・アッシングの時に起こるため、そ
の時間はできるだけ少なくする必要がある。 〔従来の技術〕 従来の縦型バッチ式アッシャ−の概略構造を第３図に示
す。 図中、１は石英チャンバー １８はアッシングガス、パ
ージガスの送入孔、１ｂは排気孔、２はチャンバー１の
下端を機密に封止する昇降可能なステージ、３はステー
ジに固着されたウェーハを支持する石英バスケット、４
は高周波印加電極であり、５は接地電極である。 処理手順は、まずステージ２を降ろして石英バスケット
にウェーハをセットし、ステージ２を上げる。チャンバ
ー下端がステージ２で封止されたら排気口１ｂより排気
してチャンバー内を真空にする。その後さらに排気を続
けながら送入口１ａよりアッシングガスを送入する。そ
れから電極４に高周波を印加してチャンバー内にプラズ
マを発生させ、レジストをアッシングする。 アッシング中にはアッシングガスとレジストの成分であ
る炭素との反応に起因する発熱によってチャンバー内の
温度は約２００℃まで上昇する。 アッシング終了後には、残存アッシングガスおよび反応
生成ガスを十分排気してから、送入孔１ａより窒素ガス
を流してチャンバー内を大気圧に戻し、ステージ２を降
ろしてウェーハを取り出す。以上述べたようなアッシン
グ処理を連続して二回行った時の一回目と二回目の各ウ
ェーハのアッシングレート及びその分布を第４図、第５
図に示す。第４図及び第５図は横軸をウェーハ位置とし
、縦軸をアッシングレート、その偏差として、アッシン
グ状況が一回目と二回目でどのように変化するかを示す
グラフである。ウェーハ位置は最も下を５０とし最も上
を１として示し、５０枚のウェーハをｌバッチで処理し
たことに相当する。偏差は各位置におけるウェーハ内５
点のアッシングレートの偏差を示す。園内の右上に示す
数字は全ウェーハについてのアッシングレートの偏差を
示す。 第４図は一回目の、第５図は二回目のアッシング処理を
行った時の各ウェーハのアッシングレートとその分布で
ある。このグラフより連続処理によりチャンバー上部の
温度が上昇し、アッシングレートが増大しているのがわ
かる。 ［発明が解決しようとする課題１ アッシング処理終了後チャンバー内はかなりの高温にな
っているが、次のバッチ処理のためにステージをウェー
ハとともに降ろすことによりチャンバー内は空気が循環
し中程から下にかけて温度が下がって行く。しかし空気
はチャンバー上部までは循環しない。さらに冷却のため
にＮ２パージを続けても、チャンバー上部の温めれらた
Ｎ２よりも質量が重いためにチャンバー内を循環せずに
そのまま下部より出てゆき、上部に溜っている高温の窒
素はそのままで二回目の処理に入る。 従って、バッチ処理を繰返す連続処理を行う場合、チャ
ンバー上部だけ温度が上昇しウェーハのアッシングレー
トが速くなるため、アッシングレートの分布は悪くなり
、特定のウェーハのオーバーアッシング時間が非常に長
くなり、汚染が生じるという問題が生じていた。 したがって、本発明は縦形バッチ式アッシャ−で繰返し
アッシング処理を行っても縦方向におけるアッシングレ
ートの分布が劣化しないパージ方法を提供することを目
的とする。 ［課題を解決するための手段］ 本発明に係る方法の第１は、縦型バッチ式アッシャ−を
用いてレジストをアッシングする方法において、−回の
バッチ処理終了後にアッシングチャンバー内にＨｅガス
を流入させて、チャンバー内の温度を強制的に下げ、次
のバッチ処理開始の温度を初期設定温度にする工程を有
することを特徴とする縦型バッチ式アッシャ−を用いる
アッシング方法である。 本発明では処理終了後チャンバー内にＨｅをパージして
冷却を行う。すなわち、−回のバッチ処理終了後にアッ
シングチャンバー内にＨｅガスを流入させて、チャンバ
ー内の温度を強制的に下げ、次のバッチ処理開始の温度
を初期設定温度にする。 アッシング終了後チャンバー内を大気圧に戻すためには
Ｈｅを使用してもよいしＮ２を使用してもよい。大気圧
に戻した後チャンバー内の温度を下げるためのＨｅパー
ジの流量及び時間は次の処理開始の温度を初期設定温度
まで下げることができるよう決定する。 上記方法は従来のようなチャンバー下部開放の装置を使
用して実施することができる。 をことを特徴とする。 一回のバッチ処理終了後アッシング反応熱によって上昇
したチャンバー内の温度を速やかにに下げ、次のバッチ
処理開始の温度を初期設定温度にするよう設計する。 本発明に係る第２の方法は、チャンバー上部にウェーハ
搬入口を設け、アッシング終了後ウェーハ搬入口を開放
し、チャンバー内部のガスを排出することを特徴とする
縦型バッチ式アッシャ−を用いるアッシング方法である
。 〔作用〕 本発明の第１の方法では処理終了後Ｈｅでパージするが
、Ｈｅは大気より軽いためチャンバー上部まで十分循環
し、冷却することができる。従って連続処理を行っても
アッシングレートの分布は劣化しないためバッチ内のオ
ーバーアッシングは一様に短時間ですみ、特定ウェーへ
の汚染及びダメージを回避できる。 処理終了後Ｈｅのパージとほぼ同時に開きウェーへの搬
入が行われると同時に、チャンバー内のＮ２及び大気は
、下部から証人されるＨｅガスによりチャンバー内に留
まることなくスムーズに排気され、アッシング反応熱に
よって上昇したチャンバー内の温度を速やかに下げ、次
のバッチ処理開始の温度を初期設定温度にすることがで
きる。 初期設定温度は通常室温であるが、室温より若干高い温
度でレジストが硬化・変質しない温度であってもよい、
バッチ処理の都度このような初期設定温度に戻すことが
できるために、バッチ処理な繰り返す連続処理を行って
もアッシングレートの分布は劣化しない。なお、オーバ
ーアッシングはアッシングを完全に行うための意図的な
ものと、チャンバ内に局部的高温部があるため、アッシ
ングレートがそこだけ高くなり、オーバーアッシング時
間が所望の時間よりも極端に長くなるのものがあるが、
本発明では後者は解消され前者は一様に短時間ですみ、
特定ウェーハの汚染及びダメージを回避できる。 本発明の第２の方法ではチャンバー上部にウェーハ搬入
口を設けるが、処理終了後チャンバー上部が開きウェー
への搬出が行われると同時に、アッシング反応熱によっ
て上昇したチャンバー内の温度を速やかに下げ、次のバ
ッチ処理開始お温度を初期設定温度にすることができる
。 以下、実施例によりさらに詳しく本発明を説明する。 〔実施例〕 実施例１ 第１図に示す縦型バッチ式アッシャ−を用い、縦型パッ
チ式アッシャーシング処理を行う。なお、チャンバーの
内容積は約４０１２であり、ウェーハは６インチのもの
を↓バッチあたり５０枚処理した。 まずステージ２を降ろして石英バスケット３にウェーハ
を５０枚セットし、ステージ２を上げる。チャンバー下
端がステージ２で封止されたら排気口１ｂより排気して
チャンバー内を約０．０５ Ｔｏｒｒまで真空にする。 その後さらに排気を続けながら送入口１ａより０８ガス
を１０１０００ｓｃ送入する。そのときチャンバー内の
圧力は０゜８ Ｔｏｒｒに保つ。続いて電極４に高周波
を印加してチャンバー内にプラズマを発生させレジスト
をアッシングする。アッシング終了１１残存アツシング
ガス及び反応生成ガスを充分排気してから送入孔１ａよ
り窒素ガスを流してチャンバー内を大気圧に戻し、ステ
ージ２を降ろしてウェーハを取り出す。ウェーハを取り
出す間に送入口１ａより１０分間Ｈｅガスを８５１ｍの
流量で流入し、チャンバー内の温度を初期設定温度に戻
す。 このような処理を行うと、各バッチとちアッシングレー
トの分布が一様であり、特定ウェーハのの極端に長いオ
ーバーアッシングを避けることができる。 ウェーハを取り出すとき、より速く温度を低下させるた
めに、窒素ガスは止めずに１８から流しておく。ウェー
ハを搬出するのに約１０分間の時間がかかるが、その間
にチャンバー内の温度は速やかに初期設定温度に戻る。 第３図に示した従来の縦型バッチ式アッシャ−と第１図
に示した縦型バッチ式アッシャ−を使用して、５０枚の
ウェーハを１バツチとして４回連続処理を行い、各バッ
チ毎５０枚のウェーハをアッシングレートの分布が連続
処理により劣化するかどうか第５図のグラフに示した。 縦軸はバッチ内５０枚のウェーハのアッシングレートの
偏差で、横軸は連続処理回数である。これによると従来
の縦型バッチ式アッシャ−では、連続処理の二回目以降
バッチ内アッシングレートの分布の劣化は著しいが、チ
ャンバー上部にウェーハの搬入口を設けた縦型バッチ式
アッシャ−では連続処理してもバッチ内アッシングレー
トの分布は劣化しない。 この結果により、このような処理を行うと、各バッチと
もアッシングレートの分布が一様であり、特定ウェーハ
の極端に長いオーバーアッシングを避けることができる
ことが分かる。なお、チャンバー上部開閉式アッシャ−
について本発明を説明したが、下部開閉式アッシャ−に
ついてち本発明方法を実施することができる。 実施例２ 実施例１と同様の方法でアッシングを行い、アッシング
終了後、残存アッシングガス及び反応生成ガスを十分排
気してから送入孔１ａより窒素ガスを流してチャンバー
内を大気圧に戻し、ステージを上げてウェーハを取り出
す。このとき、より速く温度を低下させるために、窒素
ガスは止めずに流しておく。ウェーハを搬出するのに約
１０分間の時間がかかるが、その間にチャンバー内の温
度は速やかに初期設定温度に戻る。この結果、実施例１
と同様に良好なアッシングレート分布が得られた。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば縦型バッチ式アッ
シャ−の連続処理によるアッシングレートの分布の劣化
がないため、バッチ内のオーバーアッシングが一様に短
時間ですみ、特定ウェーハへの汚染及びダメージを回避
できるため、半導体装置の性能、信頼性、歩留りの向上
に寄与するところが大きい。
第１図はチャンバー上部にウェーハの搬入口を設けた本
発明の実施例に係る縦型バッチ式アッシャ−の模式図、 第２図は第１図と第３図に示した縦型バッチ式アッシャ
−の連続処理によるバッチ内アッシングレートの分布の
劣化を示すグラフ、 第３図は従来の縦型バッチ式アッシャ−の模式図、 第４図は従来法におけるｌバッチ目のアッシングレート
の分布を示すグラフ、 第５図は従来法における２バツチ目のアッシングレート
の分布を示すグラフである。 １−チャンバー １ａ−送入孔、１ｂ−排気孔、２−ス
テージ、３−バスケット、４−高周波印加電極、５−接
地電極
発明の実施例に係る縦型バッチ式アッシャ−の模式図、 第２図は第１図と第３図に示した縦型バッチ式アッシャ
−の連続処理によるバッチ内アッシングレートの分布の
劣化を示すグラフ、 第３図は従来の縦型バッチ式アッシャ−の模式図、 第４図は従来法におけるｌバッチ目のアッシングレート
の分布を示すグラフ、 第５図は従来法における２バツチ目のアッシングレート
の分布を示すグラフである。 １−チャンバー １ａ−送入孔、１ｂ−排気孔、２−ス
テージ、３−バスケット、４−高周波印加電極、５−接
地電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、縦型バッチ式アッシャーを用いてレジストをアッシ
ングする方法において、 一回のバッチ処理終了後にアッシングチャンバー内にＨ
ｅガスを流入させて、チャンバー内の温度を強制的に下
げ、次のバッチ処理開始の温度を初期設定温度にする工
程を有することを特徴とする縦型バッチ式アッシャーを
用いるアッシング方法。 ２、縦型バッチ式アッシャーを用いてレジストをアッシ
ングする方法において、 チャンバー上部にウェーハ搬入口を設け、アッシング終
了後ウェーハ搬入口を開放し、チャンバー内部のガスを
排出することを特徴とする縦型バッチ式アッシャーを用
いるアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072341A JPH03270219A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 縦型バッチ式アッシャーを用いるアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2072341A JPH03270219A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 縦型バッチ式アッシャーを用いるアッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03270219A true JPH03270219A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13486500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2072341A Pending JPH03270219A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 縦型バッチ式アッシャーを用いるアッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03270219A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117730B2 (ja) * | 1975-12-15 | 1986-05-09 | Ricoh Kk | |
| JPS6226028B2 (ja) * | 1982-07-20 | 1987-06-05 | Hitachi Sofutoea Enjiniaringu Kk |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2072341A patent/JPH03270219A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117730B2 (ja) * | 1975-12-15 | 1986-05-09 | Ricoh Kk | |
| JPS6226028B2 (ja) * | 1982-07-20 | 1987-06-05 | Hitachi Sofutoea Enjiniaringu Kk |
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