JPH03272008A - 薄膜磁気ヘツドのギヤツプ深さ加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ｉｓ磁気ヘッド及びその製造方法に関し、特
に、ヘッドの電気特性を左右するギャップ深さの寸法を
高精度にかつ高歩留りで形成することを可能とした薄膜
磁気ヘッドのギャップ深さの加工方法に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

近年、コンピュータの外部記憶装置である磁気ディスク
装置において、小型化、大容量化のニーズにより、その
機能は、日進月歩で向上している。

そのため、磁気ヘッドにおいても、小型化及び高信頼性
化の必要から、フォトグラフィー技術を応用し、基板上
に超微細な磁気ヘッド構造を形成して製造する、薄膜磁
気ヘッドの開発及ブ実用化がさかんとなっている。

この薄膜磁気ヘッドは、基板上に多数の薄膜磁気変換素
子を一括形成し、その後、複数個の薄膜磁気変換素子を
搭載したブロック単位で、ヘッドスライダ−加工を行な
っていくため、ヘッド単体当りの製造コストを低減でき
、かつ、ヘッド機能を高性能化できるという特徴がある
。

しかし、このｍ１１１磁気ヘツドの磁気信号の書込み、
及プ、読取り性能を決定する重要要因となるギャップ深
さの寸法精度は、近年、薄膜磁気ヘッドに要求される小
型化、高信頼性化、及び、高性能化の技術レベルを満足
するためには、高精度の寸法精度が要求されているが、
この精度を遠戚するのが、非常に困難であり、Ｅｉｌｌ
［気ヘッドの製造歩留りを大きく劣化させる最大の要因
となっており、製造コスト低減のための最大課題となっ
ている。

このギャップ深さの寸法は、前記のように、複数の薄膜
磁気変換素子が搭載されたブロック状態で加工する。そ
の数は、各製造者の決定する製造方法によって異たるか
、複数個の薄膜磁気変換素子が、搭載されており、その
ブロックの長さは、各々の搭載数により、大きさが異な
る。このブロックにおいて、各ヘッドの円板に対する空
気潤滑浮上面となる面を、研磨等の方法により、加工し
て、各々の薄膜磁気変換素子のギャップ深さの寸法を、
同一ブロック内で、均一に、しかも、高精度に仕上げる
。このとき、ブロック内の各薄膜磁気変換素子のギャッ
プ深さの寸法は、基板上に該素子が形成される段階で、
そのギャップ深さの基準位置からのずれ、及び、基板か
ら前記ブロックに切断し、その後、ヘッドスライダ−こ
しての形状とするために、施こされる種々の加工による
曲り、等の影響により、同一ブロック内の各薄膜変換素
子のギャップ深さの寸法に、バラツキが生じ、このバラ
ツ本を一定の範囲内にすることは、非常に難しい。

さらに、ブロック内の各ギャップ深さの寸法が、仮に、
まったく均一であったとしても、その絶対値を制御して
、加工を終了するのも非常に困難である。これは、ギャ
ップ深さの寸法が、加工工程中に、直接確認することが
できないためである。

これについて、第４図及び第５図により説明すると、ま
ず、第４図は、薄膜磁気ヘッドスライダ−の完成後の外
観を示している。ここで、薄膜磁気変換素子２のギャッ
プ深さの寸法は、この素子の断面を示した第５図のＧで
ある。ここで、薄膜磁気変換素子２は、下地層１６の上
に、磁性層１８゜１８′からなる磁気コア及びその内部
に、導体コイル１９、磁気絶縁層２０．磁気ギャップ膜
２１が構威されており、該ＷＩ膜磁気変換素子２は、保
護膜１７に覆われ、ヘッドスライダ−基板１５上に形成
されて薄！ｌｌ磁気ヘッドスライダ−として構威されて
いる、第５図から明らかなように、該寸法は、薄ＷＩｊ
ＩＩＩＩ！気変換素子構造の内部の寸法であり、外部か
ら、直接観察することは、不可能である。

本寸法を直接観察するためには、第５図のように、薄膜
磁気変換素子を断面破壊し、なければならない。

当然のことであるが、前記断面観察を行なうことは、覆
膜磁気ヘッドを破壊することであり、製造工程中にこれ
を行なえば、製品として成り立たなくなる。

これを解決するための手段として、従来に、例えば「特
開昭６３−２９３１５号公報−１のような方法が行われ
ている。こ六は、薄膜磁気変換素子を複数個搭載したブ
ロック状態で、ギャップ深さの加工を行なう際のボヤパ
ノプ深さの寸法の把握、及び、制御方法として、ヘッド
ブロックの両端、あるいは、その他の位置に、ギャップ
深さの寸法値に対応して、加工中に何らかの信号を発生
する加工量検出素子を設けておき、この素子から得られ
る信号により、直接観察できないギャップ深さの寸法を
、間接的に検出する方法である。前記従来技術の例では
、第６図に示すように、薄膜磁気変換素子の近くに、電
気的導体膜により連続的抵抗変化パターン２８及び断続
的抵抗変化パターン２６を形成し、これを、やはり電気
的導体膜の連結パターン２９により直列配置した電気回
路を構威し、この回路の抵抗値を端子２３ａ、２３ｂ。

２３ｃより加工中に測定しながら加工を行なうという方
法である。このうち、断続的抵抗変化パターンの断面図
を、第７図に示しているが、図かられかるように、ヘッ
ドロックの浮上面側となる加工面２４を加工により除去
していくと、加工面２４が導体層３０と３０′の接触部
Ｆに達し、図中［Ｆ］の抵抗値は、極大値となり、前記
電気回路全体の抵抗値は、ディジタル的に変化する。そ
こで、この抵抗値の変化する位ｆｉＦを薄膜磁気変換素
子のギャップ深さ深さ基準位置ＧＯに対して既知の位置
に形成してやることにより、抵抗変化を観察していれば
、間接的にギャップ深さ寸法Ｇを知ることができるとい
う構造のものである。

連続的抵抗変化パターン２８は、加工面２４が加工によ
り除去されると、連続的抵抗変化パターン２８の幅Ｗが
変化する。これにより、端子２３ａ、２３ｂ間の抵抗値
は、連続的に変化する。

例にあげた従来技術は、前記の連続的抵抗変化パターン
と断続的抵抗変化パターンを直列に接続し、この抵抗値
を加工中に常時測定していれば、ギャップ深さの寸法を
、常時、リアルタイムて、精度良く検出できるというも
のである。このほかにも、前記技術と類似した方法で、
加工量検出素子の構造の異なるもの、また、検出信号と
して、電気抵抗以外に磁気信号あるいは磁気ヘットのイ
ンダクタンス等の信号としたもの、また、ギャップ深さ
基準位置Ｇ　Ｏに対５て、既知の位置で、外部から観察
可能な位置に特定のマークを設けたもの等が用いられて
いる。

〔発明が解決しようとする課題２ しかし、これら従来技術の問題点は、加工量検出素子の
位置では、加工面のギャップ深さの基準位置に対する位
置は、比較的正確に検出可能だが、ヘッドブロックのそ
れ以外のところの情報がないため、ヘッドブロック内の
全薄膜磁気変換素子のギャップ深さの寸法の保証は、さ
れていないという点である。もちろん、全薄膜磁気変換
素子に対し、１対１の割合で、加工量検出素子を設けて
、全検出素子から信号を取り出せば、この問題は、解決
するが、加工量検出素子の数が増えると、それによって
生じるコスト、及び、その全検出素子から信号を取り出
すための配線作業の手間、及び、関連する装置等のコス
トは、ぼくだいなものとなり、とても量産工程に適用で
きるものではない。

ヘッドブロックのギャップ深さの仕上加工の段階では、
ヘッドブロック内の各々の薄膜磁気変換素子のギャップ
深さの寸法は、第８図に示すようなばらつきを持ってい
る。まず、図中にθで示したのは、薄膜磁気変換素子の
ヘッドブロック内の並びと、加工面ａとの傾きである。

これは、従来技術の１つである特開昭６３−２９３１５
号公報では、偏荷重をブロックに加えて調節しているが
、いづれにしても、零にはならず、ある量の誤差が残る
。その量は、サブミクロンの精度を要求されるギャップ
深さの寸法に占める割合は、かなり大きくなる。次に、
図中のγは、薄膜磁気変換素子２の並びの曲りである。

また、図中のＳは、各薄膜磁気変換素子２の並びの位置
ずれであり、この原因は、主として、基板上に素子を形
威する際に、生しるものであり、この誤差も無視できな
い。

また、図中のＴは、加工量検出素子３Ｌ、３Ｒ。

と、薄ｌｌ！磁気変換素子２のギャップ深さの基準位置
Ｇｏとの位置ずれを示している。これは、前述の曲りＴ
や、並びずれＳと同様に、基板上に各素子が形威された
時、及び、ヘッドスライダ−に加工する際に生しる誤差
の両者によって生しるもので、従来技術では、形威され
た時の位置について、既知として扱っているが、実際に
、それを利用する段階では、考慮以外の誤差が生じてお
り、加工量検出素子の信頼性が劣化していることへの配
慮がなされていない。

従来の方法は、これらのヘッドブロック内の全薄膜磁気
変換素子のギャップ深さの寸法についての誤差を考慮し
ていないので、ヘッドブロックの両端の加工量検出素子
の信号に基づいて、加工を停止した場合に、両端に近い
薄膜磁気変換素子のギャップ深さの寸法は、公差内に入
っていても、中央部分は、はとんど、所定の公差から外
れてしまう場合が起こり得る。このため、製造時のギャ
ップ深さの寸法の歩留りが低下したり、加工量検出素子
による加工で最終的に残った誤差分を、手作業で修正し
なければならず、その場合、非常に大きな手間がかかり
、それぞれ薄Ｗｉ、　’Ｍｌ気ヘッドの製造コストを引
き上げる原因となっていた。

本発明の目的は、ヘッドブロック内の全薄膜磁気変換素
子のギャップ深さの寸法を、加工中に高精度で検知し、
また、制御して、ギャップ深さの寸法の加工精度、及び
、歩留りを向上することにある。

本発明の他の目的は、前記のように、全薄膜磁気変換素
子のギャップ深さの寸法の検知を合理的に行ない、製造
工数をかけないための装置、及び、それを利用した製造
方法を供給することにより、低コストで高精度な薄膜磁
気ヘッドの量産を可能にしたものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、基板上に複数の薄膜磁気変
換素子と同時に各行の各々にギャップ深さの寸法に応じ
た信号を発生する加工量検出素子を形威し、ギャップ深
さの寸法を加工する前に、ヘッドブロック内の蕩ｍ磁気
変換素子と加工量検出素子の相対位置を測定することに
より、第８図中のＦＩＮ磁気変換素子の全てのギャップ
深さの寸法誤差要因を把握し、この情報を基に、ギャッ
プ深さの寸法の仕上加工を行なうことにより、加工中に
、加工量検出素子から得られる信号のみで、全薄膜磁気
ヘッドのギャップ深さの寸法を正確に把握することが可
能となる。

この全ギャップ深さの寸法の値の分布を、リアルタイム
で、所定のギャップ深さの寸法公差と比較することによ
り、全てのギャップ深さの寸法が、公差内に入った時に
、加工を停止することが可能になる。また、仮に、全ギ
ャップ深さの寸法が、全て、所定の公差内におさまらな
い程度のばらつきを持っていた時でも、最大数のギャッ
プ深さの寸法が、所定の公差となった時点で、加工を停
止することにより、最大の歩留りを得ることが可能とな
る。

また、本発明の他の目的であるところの前述した処理を
、合理的に、行なうために、ギャップ深さの寸法加工装
置としては、ヘッドブロック内の加工量検出素子から、
の信号を検出する機能、及び、あらかじめ測定しである
ブロック内の複数個の蕩ＷＩ磁気変換素子と加工量検出
素子との相対位置関係の情報により、これと加工量検出
素子からの信号とを合わせて、リアルタイムで、常時、
ヘッドブロック内の全薄膜磁気変換素子のギャップ深さ
の寸法を演算する機能、また、この寸法分布と所定のギ
ャップ深さの寸法公差を比較し、このデータよりギャッ
プ深さの寸法加工装置の運転を制御する機能を持ったも
のを使用する。

さらに、あらかしめ、ギャップ深さの寸法の仕上加工前
に、ヘッドブロック内の複数の薄膜磁気変換素子と加工
量検出素子との相対位置関係を測定する装置を使用し、
その測定データを各ヘッドブロック識別記号ごとに、記
憶転送することのできるようにする。これを、ギャップ
深さの寸法加工装置と接続して、オンライン化したシス
テムとして運用するようにしたものである。

〔作用〕

ヘッドブロックのギャップ深さの寸法を仕上げる前に、
該ブロックの複数の薄膜磁気変換素子と同ブロック上に
形成された加工量検出素子の相対位置を測定し、把握す
ることにより、ギャップ深さの加工中に、加工量検出素
子からの信号を得れば、該ブロック内の全てのギャップ
深さの寸法が、正確に、常時把握することが可能となり
、ヘッドブロック内のギャップ深さの寸法を、所定の公
差内に、最大の歩留りで加工することが、可能になる。

また、測定したヘッド素子と加工量検出素子の相対位置
関係をオンラインシステムにより、演算制ｍｉｓ能を有
するギャップ深さの寸法可能装置へ転送することにより
、人手で測定データを移し換える場合に生しる、製造工
数の増加を防止し、また、入力ミス等の人為的な誤りに
より、制御すべき加工精度を劣化させる要因も排除する
ことが可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明す
る。第１図は、ギャップ深さの仕上加工前の薄膜磁気ヘ
ッドスライダ−ブロックを示したものである。基板上に
多数の薄膜磁気変換素子２及びギャップ深さの加工量を
検出する信号を発生する複数の加工量検出素子３Ｌ、３
Ｒが形成されている。

ここで、ギャップ深さの寸法を加工する前の加工面がａ
Ｏであり、この加工面は、最終的に、薄膜磁気ヘッドス
ライダ−の空気潤滑浮上面となる面である。この時点で
、ヘッドブロック内の各薄膜磁気変換素子のギャップ深
さの寸法Ｇ、−Ｇ。

は、前工程の製造方法によって、ある範囲のばらつきを
持っている。これを示したものが、第１図下のグラフで
ある。この図の縦軸は、加工面ａＱから各薄膜磁気変換
素子のギャップ深さの基準位置ＧＯ（第４図及び第５図
を参照されたい）までの距離であるギャップ深さの寸法
Ｇ１〜Ｇ７を示し、横軸は、ヘッドブロックの薄膜磁気
変換素子２の配列行の位置を示したものである。また、
ヘッドブロック内に薄膜磁気変換素子２と同時に形成さ
れている複数の加工量検出素子３Ｌ、３Ｒがある。この
素子の数及びその構造については、各製造者により、各
種各様であるが、本発明では、例として、ヘッドブロッ
クの両端位置に２個配置し、その構造としては、薄膜磁
気変換素子のギャップ深さの基準位置ＣＯに対して、複
数の所定の位置（図中ＫＬＩ〜ＫＬｒ＋及びに□〜に□
）で、断続的に電気抵抗値が変化するものとしている。

この加工量検出素子の電気抵抗を変化させる複数の所定
の位置と、加工面までの距離ＫＬＩ〜Ｋｔ−，に□〜に
□を同時に図中に示しである。

図中ａＯの各点は、ギャップ深さの仕上加工前の各寸法
を示し、ａｌはギャツて深さの仕上加工途中、ａ２はギ
ャップ深さの仕上加工終了時の各寸法を示している。

ここで、仕上加工前のギャップ深さの各寸法は、図のよ
うに、加工面ａＱに対し、ある量の傾きθ。、及び、あ
る量の曲りＴ、また、並びのずれＳ、さらに、加工量検
出素子の抵抗変化を生じる所定位置と、ギャップ深さの
基準位置Ｇの間の位置関係も加工面の傾きθの影響で、
形成された時点の所定の寸法、と実際の加工面ａＯから
の距離の相対差の間には、ずれが生じる。

例えば、左端の加工量検出素子の中のＫＬＩと、左端の
薄膜磁気変換素子Ｇ、についてみると、この２者間の相
対位置は、基板上に形成された時点で、Ｈｌであったと
する。これが、図中のａＯの状態では、実際に必要な加
工面からの各々の距離Ｈ１′　との差は、以下のように
、δの誤差が生しる。

Ｈｌ：素子形成時点での両者の相対位置距離ｌ　：画素
子間の配列方向（図中、ブロックの横長手方向）の距離 Ｈ３：加工面がａＯの状態での加工面から画素子までの
距離の差 誤差δ＝ｌＨ，−Ｈ，’ｌ＝Ｈ，（１−”）ｃｏｓθ・ ・・・・・・・・・　（１） ここで、θ。は、加工面ａＯと薄膜磁気変換素子並びと
の傾き角度である。

以上のように、ギャップ深さの仕上加工前には、ギャッ
プ深さの仕上り寸法のばらつき誤差となる要因が存在し
ており、この量の程度は、各ヘッドブロックによって各
々異なってくる。

本発明は、これらの量を正確ムこ把握するために、図中
のグラフのプロットを、ギャップ深さの仕上加工前に、
各ヘッドブロック毎に、実施するものである。

その方法としては、例えば、加工面ａＯと各素子間の距
離をＧ、〜Ｇ、、に、、〜にい、Ｋ□〜に□とする。ま
た、別の方法として、加工面以外の仮想ラインを設け、
この仮想ラインに対して、各素子までの距離を測定して
も良い。具体的には、例えば、顕微鏡のステージのブロ
ック横（長手方向）送り軌道面を基準として、顕微鏡レ
ンズ内のカーソルに対する各素子のずれ量を測定する方
法があるが、ここでは、本例以外の方法も含めて、２次
元的に各素子のギャップ深さの仕上加工前の状態をプロ
ットすることを示す。

これにより、ギャップ深さの仕上加工前に、加工面ａＯ
と各薄膜磁気変換素子２及び加工量検出素子３Ｌ、３Ｒ
との位置関係が明確になる。すなわち、ヘッドブロック
内の全ギャップ深さの寸法が、正確に把握できたことに
なる。

この状態で、ギャップ深さの仕上加工を行なうと、加工
中に、ヘッドブロック内の加工量検出素子（この実施例
では、ブロックの両端の２カ所）から、加工面と該素子
の距離に、〜ＫＬ、、及びＫｌｌ〜Ｋｌｌ、、を検出す
る信号が得られれば、３００時点のプロットより、ブロ
ック内の全ギャップ深さの寸法６１〜Ｇ、、、を計算す
ることができる。また、この時、加工面とブロック内の
薄膜磁気変換素子並びに傾きθが図示のように、θ。か
らθ１に変化した時には、それに応して、８０時点の全
ギャップ深さの寸法のプロットを相似的にθ変換すれば
良い。すなわち、実施例によれば、ギャップ深さの仕上
加工中に、加工面と素子並びの傾き変化が発生しても、
これを正確に全ギャップ深さの寸法のばらつき分布の変
化図中ａＯ′からａ１′に換算して把握することが可能
となる。

ここで、常時、ブロック内の全ギャップ深さの分布を把
握するためには、加工量検出素子からの信号は、加工中
連続的に変化する構造のものが好ましい。本実施例では
、断続的に信号変化するものを例示したが、この場合、
信号を得られる間の補間を行なえばよく、以下、本実施
例について、その方法を説明する。

本実施例では、図示のように、例えば、左側の加工量検
出素子では、加工面からＫＬＩ〜ＫＬ、、のｎ個の時点
で、電気抵抗値が変化する信号を発生させる構造として
いるが、この場合、ＫＬＩからＫＬｔに加工が進行した
場合、ＫＬＩとＫＬ２の各々の場所の信号を発生するの
で、この時間差をΔｔとすると、これは、計測可能であ
る。また、ＫＬＩとＫＬＩ間の距離は、あらかしめ測定
しであるため、この２者より、加工能率Ｎを以下の式よ
り容易に計算することができる。

但し、ＫＬＩ＞ＫＬＩ Ｔ：加工能率 Δｔ：加工量検出素子に、とに２から発生する信号の発
生時間差 ＫＬＩ、　　ＫＬ□：ギャップ深さの仕上げ加工前に測
定した加工面ａＯと加工量検 出素子までの距離 （２）式より、ＫＬｚからに、までの信号を得るまでの
間のＧＬの寸法は、下記式より算出できる。

Ｇｔ　＝Ｈｔ　　’　　Ｔｘｔｚ　　　　・・・・・・
・・・（３）Ｈｌ　：加工面に対する加工量検出素子Ｋ
Ｌ！と薄膜磁気変換素子Ｇｌ　　（あるいは、全ＧＯの
並び２乗平均線） までの距離の差、すなわち、Ｋ！Ｌ 素子の位置するギャップ深さの寸 法 ｔ！　：加工量検出素子ＫＬＩを過ぎた時点からの経過
時間 （３）式により、ＫＬＩからＫＬ３までのギャップ深さ
の寸法は、連続的に補間できる。ブロック右側の加工量
検出素子についても、同様に、ＧＩＩの寸法（ブロック
右側の０寸法）は、計算できるため、ブロックの加工面
と加工量検出素子の並びの傾きは、以下の式により計算
できる。

Ｌニブロック両端の加工量検出素子間の横方向（ブロッ
ク長手方向）の距離 以上のように、ブロック内の全ギャップ深さの寸法分布
を把握しながら、加工が進行していけばそのギャップ深
さの寸法分布の値、加工面３１時点では、図示のａｌ′
を、所定のギャップ深さの寸法公差ＧＳと常時比較する
ことが可能となる。

図示のとおり、ａ２　／の分布は、ブロック中の一部分
が、所定のギャップ深さの寸法公差を満たしているが、
約半数は、満たしていない。従来技術では、このように
、ブロック内のどのくらいの薄膜磁気変換素子が、ギャ
ップ深さの寸法公差を満たしたか、正確に把握できなか
ったが、本方式によれば、これが常時正確に比較できる
ため、全ギャップ深さの寸法が、図中ａ２’のように、
全て、所定の公差を満たす加工面の位ｉｆ　ａ　２を検
出し、その時点で、加工を終了させることができる。

また、もしも、ギャップ深さの分布ａ２′のばらつき幅
が大きく、所定のギャップ深さの寸法公差ＧＳ内に全ギ
ャップ深さの寸法が、おさまりきらない場合でも、公差
内に入るギャップ深さの寸法の数が、最大となるべき加
工面ａ２の位置を計算することができるため、ギャップ
深さの寸法歩留りを大幅に向上することが可能となる。

第２図は、本発明を合理的に実施するための装置のシス
テムの一例である。

本実施例では、ギャップ深さの仕上加工前に、ブロック
内の各薄膜磁気変換素子の位置を２次元でプロットする
ために、測定する装置５を用いる。

これは、測定したデータを２次元プロット等の処理をし
たり、更に、そのデータを記憶、あるいは、外部へ出力
したりするデータ処理部５′を有している。また、この
装置により、相対位置を測定する際には、各ブロック毎
の認識符号を同時に入力する。その手段は、バーコード
記号、あるいは、文字読取り等の何らかの方法による。

本装置は、データ転送ケーブルにより、サブメインＣＰ
Ｕ６と接続されており、測定されたデータは、そのブロ
ック認識符号と対で、データバッファー７にＣＰＵの指
令により、読込まれ、保存される。

ギャップ深さの寸法加工装置としては、前述したギャッ
プ深さの寸法分布の演算を行なうための演算機能とブロ
ックからの信号を検出する機能、及び、その演算結果に
より、任意にギャップ深さ加工機の運転条件（加工機の
運転、停止、運転速度等）を制御する機能を有した演算
制御コントローラ８′とギャップ深さ加工機８′を対と
したシステム８としている。本システムは、複数台デー
タ転送ケーブルにより、サブメインＣＰＵ６と接続され
ており、ギャップ深さ加工量ｆ８で、ブロック識別符号
を何らかの方法により入力することにより、データバッ
ファー７から、そのブロックに対応じた相対位置のデー
タを読み出し、転送されることが可能となっている。こ
のデータ通信制御は、サブメインＣＰＵ６が複数台のギ
ャップ深さ加工装置８に、ついて、−括して、管理、制
御している。このＣＰＵは、その能力により、複数台に
増設して、より多数のラップ加工装置を制御してもよい
。

ギャップ深さ加工装置は、転送されたデータにより、前
述した方法で、ギャップ深さの分布が、最大数所定の公
差になるよう、ギャップ深さの寸法仕上加工を行なう、
加工終了後の加工結果は、各ＷｉＭ、ｖＬ気変換素子の
ギャップ深さの寸法値及び所定公差内の合否判定を、各
ブロック毎に整理して、ケーブル１２により、再び、サ
ブメインＣＰＵ６及びデータバッファー７に転送可能と
なっている。また、ギャップ深さ加工装置８でデイスプ
レィあるいは、プリンターにより、出力することも可能
としてもよい。データバッファー内に保存された各ブロ
ックの加工結果は、製造工程全体を管理するメインＣＰ
Ｕ６　’により、データケーブル１１及び１３を介して
、後工程に送られ、最終的な製品の合否判定及び歩留管
理や工程能力管理等に利用できるようになっている。

第３図は、本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造工程
の一例を示したものである。

以上、本発明の一実施例について、説明してきたが、本
実施例を利用して、以下のような応用も可能である。

例えば、ギャップ深さの仕上加工前の各素子の並び測定
において、本実施例は、ブロック内の全薄膜磁気変換素
子及び全加工量検出素子の位置を測定した場合を示して
いるが、これは、全数ではなく、部分的に測定し、残り
の未測定部分は、数学的手段により、補間してもよい。

また、ｆｌｌ！磁気変換素子の並びずれＳや、曲がりＴ
、傾きθ、加工量検出素子と薄膜磁気変換素子の位置ず
れ等の推定が可能の場合には、その各々を、直接与えて
も、同様である。

また、ギャップ深さの加工中に得られる全ギャップ深さ
の寸法分布により、そのばらつきが大きい場合、その分
布情報を基に、加工中に、例えば、加工面の傾き量を修
正する手段を用いたり、ブロックの曲りを矯正したりす
る手段を用いれば、より高精度にギャップ深さの寸法加
工を行なうことが可能となる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ブロック内の全てのギャップ深さの寸
法を監視しながら、ギャップ深さの寸法加工が可能なた
め、従来の方法に比べ、ギャップ深さの寸法製造の歩留
りが向上し、ギャップ深さの寸法不良率を、従来の１／
２〜１／３程度にすることができる。更に、また、本発
明を応用して、加工中に、ギャップ深さの分布のばらつ
きを低減する手段を合わせて実施することにより、更に
、歩留りを向上することも可能である。

また、従来の方法では、ギャップ深さの加工終了後、ブ
ロック内の全ギャップ深さの寸法をチエツクし、合否判
定を行なったり、場合によっては、人手作業で、追加工
等の修正を行なわなければならない場合もあったが、本
発明では、これらの作業が不要となり、製造工数を大幅
に低減し、コストを低減することが可能となる。

さらに、測定データを各装置間でオンライン化すること
により、データ入力ミスや作業者の間違いを防止するこ
とができるため、それらの人為的不良を減らすと共に、
これらの間接的作業をなくし、製造不良、工数を低減す
る効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例で、ギャップ深さの仕上加
工前後の相対位置のプロットとギャップ深さの寸法分布
の推移の様子を示した図である。 第２図は、本発明をオンライン化した装置で、製造ライ
ンに適用した例を示した図である。第３図は、本発明を
適用した薄膜磁気ヘッドの製造工程の一例を示した図で
ある。第４図は、薄膜磁気ヘッドスライダ−の完成状態
の例を示し、第５図は、その′Ｗｉ膜磁気変換素子の磁
気ギャップ部分の断面を詳細に示した図である。第６図
及び第７図は、従来のギャップ深さの制御技術の一例を
示した図である。第８図は、ギャップ深さの寸法仕上加
工前のブロック内のギャップ深さの寸法のばらつきの要
因を示した図である。 １・・・・・・・・・薄膜磁気ヘッドブロック、２・・
・・・・・・・薄膜磁気変換素子、３Ｌ、３Ｒ・・・・
・・・・・加工量検出素子、４Ｌ、４Ｒ・・・・・・・
・・加工量検出素子の信号検出素子、ａｏ−ａ２・・・
・・・・・・ブロックの加工面、Ｇ１〜Ｇ７・・・・・
・・・・加工面から各数膜磁気変換素子のギャップ深さ
の基準位置までの距離、ＫＬ、＃に１ｎ、Ｋ□〜ＫＲ，
、・・・・・・・・・加工面から各加工量検出素子の電
気抵抗変化位置までの距離、γ・・・・・・・・・ブロ
ック内の薄膜磁気変換素子並びの曲り、θ０〜θ２・・
・・・・・・・加工面と薄膜磁気変換素子並びの傾き角
、Ｓ・−・・・・・・・薄膜磁気変換素子並びの位置ず
れ、Ｔ・・・・・・・・・加工量検出素子と薄膜磁気変
換素子の並び相対位置のずれ量、ＧＳ・・・・・・・・
・ギャップ深さの寸法公差範囲、５・・・・・・・・・
ブロック内のＩＩＭ磁気変換素子の相対位置測定機、５
′・・・・・・・・・データ処理部、６・・・・・・・
・・サブメインＣＰＵ、６’・・・・・・・・・メイン
ＣＰＵ、７・・・・・・・・・データバッファー、８・
・・・・・・・・ギャップ深さ加工装置、８′・・・・
・・・・・演算、制御コントローラ、８″・・・・・・
・・・ギャップ深さ加工機、９〜１４・・・・・・・・
・データ転送通信ケーブル、１５・・・・・・・・・ヘ
ッドスライダ−基板、１５Ａ・・・・・・・・・＊￥’
ｌＡ磁気ヘッドスライダ−浮上面、１６・・・・・・・
・・下地膜、１７・・・・・・・・・保護膜、１８．１
８’・・・・・・・・・磁性層、１９・・・・・・・・
・導体コイル、２０・・・・・・・・・磁気絶縁層、２
１・・・・・・・・・磁気ギャップ膜、Ｇ・・・・・・
・・・実際のギャップ深さの寸法、Ｇ′・・・・・・・
・・見かけ上のギャップ深さの寸法、ｔ・・・・・・・
・・上部磁性膜厚さ、Ｇｏ・・・・・・・・・ギャップ
深さが零の位置（基準位置）、φ・・・・・・・・・上
部磁性膜とギャップアルミナ膜のなす角度、２２・昌・
・・・・薄膜磁気ヘッドの信号線端子、２３ａ〜２３ｃ
・・・・・・・・・端子、２４・・・・・・・・・加工
面、２５・・・・・・・・・導体パターン、２６・・・
・・・・・・断続的抵抗変化パターン、２７・・・・・
・・・・絶縁層、２８・・・・・・・・・連続的抵抗変
化パターン、２９・・・・・・・・・電気的導体膜の連
結パターン、３０．３０’・・・・・・・・・導体層、
Ｆ・・・・・・・・・接触部、Ｗ・・・・・・・・・幅
。 ＩＩ／１ 代　理　人　弁理士　武　顕次部（外１名）ｔ５５ ｊ＄５図 １ｆ ｊ［６図 Ｏ ８ １、−２６Ｆ ４ １１３図 Ｉ４ 図 １１１図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、薄膜磁気ヘツドブロツク上に、複数の薄膜磁気変換
   素子を縦横規則的に形成し、これを複数の薄膜磁気変換
   素子単位のブロツクに切断してヘツドスライダー形成に
   加工して成る薄膜磁気ヘツドにおいて、ギヤツプ深さの
   加工中、ブロツク内の複数の薄膜磁気変換素子のギヤツ
   プ深さの寸法値を監視し、該ギヤツプ深さの寸法の分布
   と所定の寸法公差範囲の値とを加工中常時比較し、該寸
   法分布が所定の公差範囲に最も良く合致した時に、加工
   を停止させる、薄膜磁気ヘッドのギヤツプ深さ加工方法
   。 ２、前記ギヤツプ深さの分布を監視するための手段とし
   て、前記薄膜磁気変換素子が複数個搭載されたブロツク
   の中に、ギヤツプ深さの寸法値に対応した信号を発生し
   、各薄膜磁気ヘツドのギヤツプ深さの寸法値を検出可能
   な複数個の加工量検出素子を利用する請求項１記載の薄
   膜磁気ヘツドのギヤツプ深さ加工方法。 ３、前記ブロック内の薄膜磁気変換素子のギヤツプ深さ
   の寸法値の分布は、ギヤツプ深さ加工前に、あらかじめ
   、各薄膜磁気変換素子のギヤツプ深さの基準位置と加工
   量検出素子が加工量に応じた信号を発生する位置の相対
   関係を与えることにより、加工中に、該加工量検出パタ
   ーンから得られる信号と前記相対位置情報とから算出す
   る請求項１記載の薄膜磁気ヘツドのギヤツプ深さ加工方
   法。 ４、前記薄膜磁気変換素子のギヤツプ深さの寸法値の分
   布の計算及び加工量検出素子からの信号検出機能及びそ
   れにより任意の位置で、加工条件（加工機の運転、停止
   、加工速度等）の制御可能な機能を有するギヤツプ深さ
   の寸法加工装置を用いた請求項１記載の薄膜磁気ヘツド
   の製造方法。 ５、請求項３記載の相対位置データを得ることを目的と
   した装置を使用して行なう薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ６、請求項５記載の相対位置データを複数個のブロツク
   分、記憶、蓄積し、そのデータを各薄膜磁気変換素子の
   ギヤツプ深さを加工する請求項４記載の複数の加工装置
   へ転送できるように、オンライン接続されたシステムに
   より行なう薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ７、薄膜磁気ヘツドの製造方法において、以下の工程か
   ら成るギヤツプ深さの加工方法。 （１）薄膜磁気ヘツドブロツク上の所定位置に複数の薄
   膜磁気変換素子を形成する工程。 （２）（１）の工程において、各薄膜磁気変換素子の形
   成された同一行（後工程で切断された際に同一ブロツク
   内となる方向）に、複数のギヤツプ深さの寸法に対応し
   た信号を発生する加工量検出素子を同時に形成する工程
   。 （３）複数の薄膜磁気変換素子を搭載するブロツク単位
   に切断し、薄膜磁気ヘツドスライダー形状に加工する工
   程。 （４）薄膜磁気ヘツドスライダーとして、ギヤツプ深さ
   の寸法を、最終的に仕上げる加工工程の前に、各薄膜磁
   気変換素子のギヤツプ深さの基準位置と、同一ブロツク
   内に形成されている加工量検出素子との相対位置関係を
   測定する工程。 （５）前記相対位置関係データをギヤツプ深さの加工装
   置へ転送する工程。 （６）前記相対位置関係データと加工中に加工量検出パ
   ターンより得られるギヤツプ深さの寸法に対応した信号
   とから、ブロツク内のギヤツプ深さの寸法値の分布を検
   出、監視し、所定のギヤツプ深さの公差範囲と、ギヤツ
   プ深さの分布の比較を行ないながら、加工を進行し、ギ
   ヤツプ深さの分布が、所定のギヤツプ深さの寸法と最も
   より合致した時点で、加工装置を停止させ、加工を終了
   する工程。