JPH03274718A - Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPH03274718A JPH03274718A JP2074787A JP7478790A JPH03274718A JP H03274718 A JPH03274718 A JP H03274718A JP 2074787 A JP2074787 A JP 2074787A JP 7478790 A JP7478790 A JP 7478790A JP H03274718 A JPH03274718 A JP H03274718A
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- Japan
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- exposure mask
- ray exposure
- ray
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＸ線露光用マスクの支持膜及びＸ線露光用マス
クに関し、例えば波長２人〜１５０人程度のＸ線を用い
てマスク面上の電子回路パターンをウェハ面上に転写し
、ｌｃ、ＬｓＩ等の半導体素子を製造する際に好適な所
定のアライメントマークを設けるようにしたＸ線露光用
マスクの支持膜及びそれを用いたＸ線露光用マスクに関
するものである。
クに関し、例えば波長２人〜１５０人程度のＸ線を用い
てマスク面上の電子回路パターンをウェハ面上に転写し
、ｌｃ、ＬｓＩ等の半導体素子を製造する際に好適な所
定のアライメントマークを設けるようにしたＸ線露光用
マスクの支持膜及びそれを用いたＸ線露光用マスクに関
するものである。
（従来の技術）
最近１ｃ、ＬｓＩ等の半導体素子製造用の露光装置にお
いては半導体素子の高集積化に伴って、より高分解能の
焼付けが可能なＸ線を利用した露光装置が種々と提案さ
れている。
いては半導体素子の高集積化に伴って、より高分解能の
焼付けが可能なＸ線を利用した露光装置が種々と提案さ
れている。
このＸ線を利用した露光装置で使用されるＸ線露光用マ
スクは一般にリング状の形状をした支持枠と、その開口
に緊張して張られたＸ線に対する透過性の支持膜と支持
膜面上に設けられたＸ線吸収体より成る所定の電子回路
パターンとアライメントマークとから構成されている。
スクは一般にリング状の形状をした支持枠と、その開口
に緊張して張られたＸ線に対する透過性の支持膜と支持
膜面上に設けられたＸ線吸収体より成る所定の電子回路
パターンとアライメントマークとから構成されている。
このＸ線吸収体より成る電子回路パターンは例えばサブ
ミクロンの精度で、かつ再現性良く、被転写体、例えば
ウェハ面上に転写されるように構成されている。
ミクロンの精度で、かつ再現性良く、被転写体、例えば
ウェハ面上に転写されるように構成されている。
ＸｗＡ露光用マスクの支持膜はその性質よりＸ線に対し
て所定の透過率を有し、かつアライメント光（可視光又
は近赤外光）に対しても所定の透過率を有することが要
求される。
て所定の透過率を有し、かつアライメント光（可視光又
は近赤外光）に対しても所定の透過率を有することが要
求される。
この為Ｘ線露光用マスクの支持膜の材料とじては従来よ
り窒化ケイ素（ＳｉｓＮ−）や二酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ
）等可視光や近赤外光に対して透過率が比較的高く、尚
かつＸ線に対して吸収の比較的少ない軽元素同志の化合
物が用いられている。
り窒化ケイ素（ＳｉｓＮ−）や二酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ
）等可視光や近赤外光に対して透過率が比較的高く、尚
かつＸ線に対して吸収の比較的少ない軽元素同志の化合
物が用いられている。
（発明が解決しようとする問題点）
従来のＸ線露光用マスクの支持膜は単一の材料で構成さ
れていた為にＸ線の透過率、可視光・近赤外光の透過率
、そして支持膜としての機械的強度の３つの条件を全て
良好に満足させるものがなかった。
れていた為にＸ線の透過率、可視光・近赤外光の透過率
、そして支持膜としての機械的強度の３つの条件を全て
良好に満足させるものがなかった。
特に従来より用いられている窒化ケイ素（ＳｉｌＮ４）
や二酸化ケイ素（Ｓ１０ｔ）等の酸化物や窒化物はシン
クロトロン等の強い放射光を照射した場合に酸素や窒素
の解離等、放射線損傷が生じ、支持膜としての性質が劣
化してくるという問題点があった。
や二酸化ケイ素（Ｓ１０ｔ）等の酸化物や窒化物はシン
クロトロン等の強い放射光を照射した場合に酸素や窒素
の解離等、放射線損傷が生じ、支持膜としての性質が劣
化してくるという問題点があった。
本発明はｘ！！露光用マスクの支持膜として主にＸ線透
過率が良く、かつ機械的強度の強い材料を選び、アライ
メントマークが形成される支持膜面上のアライメントマ
ーク領域に対しては特別の処置を施すことにより、アラ
イメント光に対し透過性を増し良好なるアライメントを
可能とし、全体として前述した全ての条件を良好に満足
したＸ線露光用マスクの支持膜及びＸ線露光用マスクの
提供を目的とする。
過率が良く、かつ機械的強度の強い材料を選び、アライ
メントマークが形成される支持膜面上のアライメントマ
ーク領域に対しては特別の処置を施すことにより、アラ
イメント光に対し透過性を増し良好なるアライメントを
可能とし、全体として前述した全ての条件を良好に満足
したＸ線露光用マスクの支持膜及びＸ線露光用マスクの
提供を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明のＸ１！露光用マスクの支持膜はＸ線吸収体で所
定のパターンをその面上に形成する為のＸ線透過性の支
持膜であって該支持膜面上のアライメントマークを設け
るべきアライメントマーク領域を可視光又は／及び近赤
外光に対して透過性を有するように構成したことを特徴
としている。
定のパターンをその面上に形成する為のＸ線透過性の支
持膜であって該支持膜面上のアライメントマークを設け
るべきアライメントマーク領域を可視光又は／及び近赤
外光に対して透過性を有するように構成したことを特徴
としている。
特に本発明では前記アライメントマーク領域をイオン注
入手段により前記支持膜の材料にイオンを注入すること
により形成し、前記イオン注入手段により注入された部
分はイオン原子を含む化合物であり、可視光又は／及び
近赤外光に対して透過性を有することを特徴としている
。
入手段により前記支持膜の材料にイオンを注入すること
により形成し、前記イオン注入手段により注入された部
分はイオン原子を含む化合物であり、可視光又は／及び
近赤外光に対して透過性を有することを特徴としている
。
（実施例）
第１図（Ａ）は本発明に係るＸ線露光用マスクの一実施
例の平面模式図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−ａ
°断面説明図である。
例の平面模式図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）のａ−ａ
°断面説明図である。
図中１０１はＸ１１ｉｌ露光用マスクである。３はＸ線
露光用マスク支持膜であり、本実施例では主にＸｗＡに
対して一定の透過率を有し、かつ一定の機械的強度を有
した、所定の厚さの元素単体より構成している０本実施
例では元素単体を用いることにより、強い放射光を照射
した際の放射線損傷が少なく、劣化の少ないＸ線露光用
マスクを得ている。４はリング状のマスク保持枠であり
、支持膜３を緊張保持している。５はマスク補強枠であ
り、リング状の保持枠４に接着され、Ｘ線露光用マスク
としての機械的強度を補っている。
露光用マスク支持膜であり、本実施例では主にＸｗＡに
対して一定の透過率を有し、かつ一定の機械的強度を有
した、所定の厚さの元素単体より構成している０本実施
例では元素単体を用いることにより、強い放射光を照射
した際の放射線損傷が少なく、劣化の少ないＸ線露光用
マスクを得ている。４はリング状のマスク保持枠であり
、支持膜３を緊張保持している。５はマスク補強枠であ
り、リング状の保持枠４に接着され、Ｘ線露光用マスク
としての機械的強度を補っている。
１はＸ線吸収体であり、ｘＩＩに対して不透過物質より
成っており、支持膜３面上に幾何学形状に描かれたパタ
ーンｌａを形成し、それより半導体素子用の電子回路パ
ターンを形成している。２は支持１１ｉ３面上のパター
ンとウェハとのアライメントを行うアライメントマーク
を形成する為のアライメントマーク領域であり、同図で
はパターン１ａの４角に各々設定されている。
成っており、支持膜３面上に幾何学形状に描かれたパタ
ーンｌａを形成し、それより半導体素子用の電子回路パ
ターンを形成している。２は支持１１ｉ３面上のパター
ンとウェハとのアライメントを行うアライメントマーク
を形成する為のアライメントマーク領域であり、同図で
はパターン１ａの４角に各々設定されている。
本実施例に係る支持膜３はアライメント用の可視光や近
赤外光に対して透過率が低く又は不透過である為に、イ
オン注入手段により、アライメントマーク領域２にイオ
ンを注入することにより可視光又は／及び近赤外光に対
して高い透過率を有するようにしている。
赤外光に対して透過率が低く又は不透過である為に、イ
オン注入手段により、アライメントマーク領域２にイオ
ンを注入することにより可視光又は／及び近赤外光に対
して高い透過率を有するようにしている。
これにより本実施例ではＸ線に対して高透過率を有し、
かつ高い機械的強度を有し、しかもアライメントマーク
領域に対して高い可視光または／及び近赤外光の透過率
を有した良好なるＸ線露光用マスクの支持膜を得ている
。
かつ高い機械的強度を有し、しかもアライメントマーク
領域に対して高い可視光または／及び近赤外光の透過率
を有した良好なるＸ線露光用マスクの支持膜を得ている
。
次に本発明に係るＸ線露光用マスクの作製方法の一実施
例を示す。
例を示す。
（イ）実施例 １
λ／１０に平面研磨した５ｍｍ厚のＳｉウェハ（面方位
１００）上にＲＦマグネトロンスパッタ法で炭素（Ｃ）
を５０ｎｍ成膜し、その上にホウ素（Ｂ）を１５μｍ成
膜した。その上にＸ線吸収体としての金（Ａｕ）を０．
７５μｍ成膜し、電子線描画によって線幅０５μｍの電
子回路パターンを作製した１次に水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）３０％溶液（１１５℃）を用いて基板裏面からの異
方性エツチングを行ない、炭素層でエツチングを停止さ
せた。バックエッチの画角は２０ｍｍｏとした。
１００）上にＲＦマグネトロンスパッタ法で炭素（Ｃ）
を５０ｎｍ成膜し、その上にホウ素（Ｂ）を１５μｍ成
膜した。その上にＸ線吸収体としての金（Ａｕ）を０．
７５μｍ成膜し、電子線描画によって線幅０５μｍの電
子回路パターンを作製した１次に水酸化カリウム（ＫＯ
Ｈ）３０％溶液（１１５℃）を用いて基板裏面からの異
方性エツチングを行ない、炭素層でエツチングを停止さ
せた。バックエッチの画角は２０ｍｍｏとした。
このようにして得たマスクのアライメントマークを形成
するアライメントマーク領域に開口１００Ｘ２５０μｍ
のマスキングを施し１、イオン注入手段によって窒素イ
オンを支持膜中に注入したところ、そのアライメントマ
ーク領域のみ窒化物が形成された。
するアライメントマーク領域に開口１００Ｘ２５０μｍ
のマスキングを施し１、イオン注入手段によって窒素イ
オンを支持膜中に注入したところ、そのアライメントマ
ーク領域のみ窒化物が形成された。
次に作製したマスクに対し、ウェハとの位置合わせのた
めアライメントマーク領域に波長７８０ｎｍのアライメ
ント光を照射したところ、アライメント光の透過率は８
１％程度で位置合わせの精度を十分保証できるちのであ
った。
めアライメントマーク領域に波長７８０ｎｍのアライメ
ント光を照射したところ、アライメント光の透過率は８
１％程度で位置合わせの精度を十分保証できるちのであ
った。
さらに、このマスクに対し、アライメントマークとその
外側を覆う形状のアパーチャーを設けた上でアルミニウ
ムのＫａ線（波長０．８３ｎｍ）のＸ線を照射しマスク
の透過Ｘ線の強度を光電子増倍管を用いて測定したとこ
ろ全吸収体パターンの無い部分とある部分とで約２５・
１のコントラストを得た。
外側を覆う形状のアパーチャーを設けた上でアルミニウ
ムのＫａ線（波長０．８３ｎｍ）のＸ線を照射しマスク
の透過Ｘ線の強度を光電子増倍管を用いて測定したとこ
ろ全吸収体パターンの無い部分とある部分とで約２５・
１のコントラストを得た。
（ロ）実施例 ２
第２図は本発明の実施例２のＸ千露光用マスクの断面概
略図である。
略図である。
λ／１０に平面研磨した５ｍｍ厚のＳｉウェハ１３（面
方位１００）上にＲＦマグネトロンスパッタ法により窒
化ケイ素（Ｓ ｉ Ｎ）を２００ｎｍ成膜し、その上に
ケイ素（Ｓｉ）を１７μｍ成膜した０次にこの上にＸ線
吸収体としての金（Ａｕ）を０７５μｍ成膜し電子線描
画によって線幅０５μｍの電子回路パターン１１を作製
した。つぎにこれに対して水酸化カリウム（ＫＯＨ）３
０％溶液（１１５℃）を用いて基板裏面からの異方性エ
ツチングを行ない窒化ケイ素層１６でエツチングを停止
させた。この際バックエッチの画角は１５ｍｍ’とした
。
方位１００）上にＲＦマグネトロンスパッタ法により窒
化ケイ素（Ｓ ｉ Ｎ）を２００ｎｍ成膜し、その上に
ケイ素（Ｓｉ）を１７μｍ成膜した０次にこの上にＸ線
吸収体としての金（Ａｕ）を０７５μｍ成膜し電子線描
画によって線幅０５μｍの電子回路パターン１１を作製
した。つぎにこれに対して水酸化カリウム（ＫＯＨ）３
０％溶液（１１５℃）を用いて基板裏面からの異方性エ
ツチングを行ない窒化ケイ素層１６でエツチングを停止
させた。この際バックエッチの画角は１５ｍｍ’とした
。
このようにして得たマスクのアライメントマーク領域１
２に５０４ ｍ Ｘ ２５０μｍの領域にわたって集束
イオンビームによって酸素イオンを打ち込んたとこるそ
のアライメントマーク領域のみ酸化物（ｆＭ化ケイ素）
か形成された。
２に５０４ ｍ Ｘ ２５０μｍの領域にわたって集束
イオンビームによって酸素イオンを打ち込んたとこるそ
のアライメントマーク領域のみ酸化物（ｆＭ化ケイ素）
か形成された。
次に作製したマスクに対しウェハとの位置合わせのため
アライメントマーク領域１２に波長８３０ｎｍのアライ
メント光を照射したところアライメント光の透過率は７
５％程度あった。
アライメントマーク領域１２に波長８３０ｎｍのアライ
メント光を照射したところアライメント光の透過率は７
５％程度あった。
さらに、このマスクに対し、アライメントマークとその
外側を覆う形状のアパーチャーを設けた上でシンクロト
ロン放射光を分光して波長１ｎｍの軟Ｘ線と取り出し照
射したところ、マスク透過光のコントラストは全吸収体
パターンの無い部分と、ある部分とて約１２０＋１であ
った。また従来よりマスク支持Ｈ１３として用いられて
いる窒化ケイ素（Ｓｉｘ Ｎ４）１．９川ｍ厚と比較し
て、この波長における軟Ｘ線透過率は約１．５ｆａてあ
り、マスクのＸ線吸収による熱歪か低減された。
外側を覆う形状のアパーチャーを設けた上でシンクロト
ロン放射光を分光して波長１ｎｍの軟Ｘ線と取り出し照
射したところ、マスク透過光のコントラストは全吸収体
パターンの無い部分と、ある部分とて約１２０＋１であ
った。また従来よりマスク支持Ｈ１３として用いられて
いる窒化ケイ素（Ｓｉｘ Ｎ４）１．９川ｍ厚と比較し
て、この波長における軟Ｘ線透過率は約１．５ｆａてあ
り、マスクのＸ線吸収による熱歪か低減された。
尚、第２図において１４はマスク保持枠（ケイ素基板）
、１５はマスク補強枠である。
、１５はマスク補強枠である。
（発明の効果）
本発明によれば支持膜面上のアライメントマーク領域を
イオン注入手段により、アライメント光に対して所定の
透過率を有するように構成することにより機械的強度が
強く、Ｘ線に対して高い透過率を有した良好なるＸＳ＊
Ｓ光用マスクの支持膜及びそれを用いたＸ線露光用マス
クを達成することができる。
イオン注入手段により、アライメント光に対して所定の
透過率を有するように構成することにより機械的強度が
強く、Ｘ線に対して高い透過率を有した良好なるＸＳ＊
Ｓ光用マスクの支持膜及びそれを用いたＸ線露光用マス
クを達成することができる。
特に本発明では支持膜としてホウ素（Ｂ）等、機械的強
度の高い元素単体より成る材料を用いることにより、支
持膜の厚さを従来より薄くすることができ、Ｘ線透過率
が増大する為、ｌショット当りの露光時間を短縮するこ
とができ、支持膜のＸ線吸収による熱歪の低減化及びＸ
ａ＊ｒｌｌ射に対して安定化を図ったＸ線露光用マスク
の支持膜を達成することができる。また、これと同時に
スルーブツトの向上も図ることができる。
度の高い元素単体より成る材料を用いることにより、支
持膜の厚さを従来より薄くすることができ、Ｘ線透過率
が増大する為、ｌショット当りの露光時間を短縮するこ
とができ、支持膜のＸ線吸収による熱歪の低減化及びＸ
ａ＊ｒｌｌ射に対して安定化を図ったＸ線露光用マスク
の支持膜を達成することができる。また、これと同時に
スルーブツトの向上も図ることができる。
？！１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の一実施例の平面模式
図と断面説明図、第２図は本発明の実施例２の断面説明
図である。 図中１．１１はＸ線吸収体、２．１２はアライメントマ
ーク領域、３．１３は支持膜、４．１４はマスク保持枠
、５．１５はマスク補強枠、１６は窒化ケイ素層である
。
図と断面説明図、第２図は本発明の実施例２の断面説明
図である。 図中１．１１はＸ線吸収体、２．１２はアライメントマ
ーク領域、３．１３は支持膜、４．１４はマスク保持枠
、５．１５はマスク補強枠、１６は窒化ケイ素層である
。
Claims (6)
- （１）Ｘ線吸収体で所定のパターンをその面上に形成す
る為のＸ線透過性の支持膜であって該支持膜面上のアラ
イメントマークを設けるべきアライメントマーク領域を
可視光又は／及び近赤外光に対して透過性を有するよう
に構成したことを特徴とするＸ線露光用マスクの支持膜
。 - （２）前記アライメントマーク領域をイオン注入手段に
より前記支持膜の材料にイオンを注入することにより形
成したことを特徴とする請求項１記載のＸ線露光用マス
クの支持膜。 - （３）前記イオン注入手段によりイオン注入された領域
がイオン原子を含む化合物であり、可視光又は／及び近
赤外光に対して透過性を有することを特徴とする請求項
２記載のＸ線露光用マスクの支持膜。 - （４）前記支持膜のアライメントマーク領域以外の領域
は元素単体より成っていることを特徴とする請求項１記
載のＸ線露光用マスクの支持膜。 - （５）前記支持膜面上のアライメントマーク領域以外の
領域はホウ素より形成されていることを特徴とする請求
項４記載のＸ線露光用マスクの支持膜。 - （６）前記Ｘ線露光用マスクの支持膜を用いて構成され
ていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に
記載のＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7478790A JP2853247B2 (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7478790A JP2853247B2 (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274718A true JPH03274718A (ja) | 1991-12-05 |
| JP2853247B2 JP2853247B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=13557350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7478790A Expired - Fee Related JP2853247B2 (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853247B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112009000062T5 (de) | 2008-09-26 | 2010-10-14 | Art Metal Mfg. Co., Ltd., Ueda-shi | Beschichtetes Aluminiumprodukt |
| JP2012237869A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Fujitsu Semiconductor Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
| US9377682B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Template substrate, method for manufacturing same, and template |
-
1990
- 1990-03-24 JP JP7478790A patent/JP2853247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112009000062T5 (de) | 2008-09-26 | 2010-10-14 | Art Metal Mfg. Co., Ltd., Ueda-shi | Beschichtetes Aluminiumprodukt |
| JP2012237869A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Fujitsu Semiconductor Ltd | フォトマスク及びその製造方法 |
| US9377682B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-06-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Template substrate, method for manufacturing same, and template |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853247B2 (ja) | 1999-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |