JPH03276105A - Ｙ分岐導波路の作製方法 - Google Patents
Ｙ分岐導波路の作製方法Info
- Publication number
- JPH03276105A JPH03276105A JP2077290A JP7729090A JPH03276105A JP H03276105 A JPH03276105 A JP H03276105A JP 2077290 A JP2077290 A JP 2077290A JP 7729090 A JP7729090 A JP 7729090A JP H03276105 A JPH03276105 A JP H03276105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- branch
- mask
- ion exchange
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はイオン交換による先導波路の作製方法に関し、
特に分岐器等に用いられるＹ分岐導波路の作製方法に関
する。
特に分岐器等に用いられるＹ分岐導波路の作製方法に関
する。
（従来の技術）
従来、ガラス基板に対するイオン交換法によりＹ分岐導
波路が作製され、これをもとに１×２分岐器等が作製さ
れていた。その場合のイオン交換法は直線導波路に適用
されるものと全（同一であって、直線導波路用と同一寸
法の開口をもつイオン交換制御マスクを通してイオン交
換するものであった。従来のＹ分岐導波路用イオン交換
制御マスクのパターンを第４図に示す。
波路が作製され、これをもとに１×２分岐器等が作製さ
れていた。その場合のイオン交換法は直線導波路に適用
されるものと全（同一であって、直線導波路用と同一寸
法の開口をもつイオン交換制御マスクを通してイオン交
換するものであった。従来のＹ分岐導波路用イオン交換
制御マスクのパターンを第４図に示す。
基板１の一方の端面を始端とする１本の入力路３から２
本の出力路４，５が分岐するＹ分岐導波路を作製するに
あたり、マスク２の開口を、入力路３については一定幅
直線路部分３Ａとこの部分に続いて分岐点０に至る次第
に幅が拡大するテーパ路部分３Ｂとで構成し、分岐点０
以降の出力路４．５は入力路３Ａと同一幅で一定の単純
な直線路としていた。
本の出力路４，５が分岐するＹ分岐導波路を作製するに
あたり、マスク２の開口を、入力路３については一定幅
直線路部分３Ａとこの部分に続いて分岐点０に至る次第
に幅が拡大するテーパ路部分３Ｂとで構成し、分岐点０
以降の出力路４．５は入力路３Ａと同一幅で一定の単純
な直線路としていた。
（発明の解決しようとする問題点）
従来の方法は、マルチモード導波路の場合であれば特に
不具合は生じずＹ分岐導波路が得られていたが、単一モ
ード導波路の場合においては問題点が生じていた。それ
は、分岐部では空間的に２本のマスク開口が近接しであ
るため、イオン交換の境界条件が直線導波路部分と異な
ってしまい、マスク形状をそのまま反映しない導波路が
基板中に形成されるからである。この影響は特に寸法が
小さく屈折率差の小さい単一モード導波路の場合に顕著
である。望ましくない現象としては、導波路の深さ方向
の寸法が大きくなることと、分岐部の屈折率差が大きく
なるため光の導波方向に対して屈折率差が変化すること
である。この現象については、本発明者らが昭和６２年
の電子情報通信学会半導体・材料部門全国大会で報告し
た論文（論文番号３６９）を参照されたい。この現象は
２本のマスク開口が近接している場合、イオン交換がそ
の部分だけ進み易いことを示しており、イオン交換によ
る導波路作製方法の固有の問題である。この現象で導波
路がマルチモード化したりＹ分岐の分岐損失による過剰
損失が増える問題点があった。また、過剰損失を小さく
するには分岐角を小さくすればよいが、分岐角を小さく
すると素子長が長くなり導波路の伝搬損失による過剰損
失が増加する問題があった。
不具合は生じずＹ分岐導波路が得られていたが、単一モ
ード導波路の場合においては問題点が生じていた。それ
は、分岐部では空間的に２本のマスク開口が近接しであ
るため、イオン交換の境界条件が直線導波路部分と異な
ってしまい、マスク形状をそのまま反映しない導波路が
基板中に形成されるからである。この影響は特に寸法が
小さく屈折率差の小さい単一モード導波路の場合に顕著
である。望ましくない現象としては、導波路の深さ方向
の寸法が大きくなることと、分岐部の屈折率差が大きく
なるため光の導波方向に対して屈折率差が変化すること
である。この現象については、本発明者らが昭和６２年
の電子情報通信学会半導体・材料部門全国大会で報告し
た論文（論文番号３６９）を参照されたい。この現象は
２本のマスク開口が近接している場合、イオン交換がそ
の部分だけ進み易いことを示しており、イオン交換によ
る導波路作製方法の固有の問題である。この現象で導波
路がマルチモード化したりＹ分岐の分岐損失による過剰
損失が増える問題点があった。また、過剰損失を小さく
するには分岐角を小さくすればよいが、分岐角を小さく
すると素子長が長くなり導波路の伝搬損失による過剰損
失が増加する問題があった。
（問題点を解決するための手段）
前記従来の問題点を解決するために、本発明はＹ分岐イ
オン交換制御マスクパターンとして、分岐部にマスク開
口幅を入力導波路および出力導波路のマスク開口幅より
も小さ（し、かつ分岐角を出力導波路の分岐角よりも小
さくしたトランジェント領域を設け、さらにこの領域を
２つのサブゾーンに分け、前半サブゾーンでは、マスク
開口幅を一定とし、後半サブゾーンでは、マスク開口幅
を前半サブゾーンのマスク開口幅から出力導波路のマス
ク開口幅まで次第に拡大するテーパ状としたマスクパタ
ーンを用いるものである。
オン交換制御マスクパターンとして、分岐部にマスク開
口幅を入力導波路および出力導波路のマスク開口幅より
も小さ（し、かつ分岐角を出力導波路の分岐角よりも小
さくしたトランジェント領域を設け、さらにこの領域を
２つのサブゾーンに分け、前半サブゾーンでは、マスク
開口幅を一定とし、後半サブゾーンでは、マスク開口幅
を前半サブゾーンのマスク開口幅から出力導波路のマス
ク開口幅まで次第に拡大するテーパ状としたマスクパタ
ーンを用いるものである。
（作用）
トランジェント領域の前半サブゾーンのマスク開口幅を
入力導波路および出力導波路のマスク開口幅よりも狭く
かつ一定とすることで、前記イオン交換法によって作製
したＹ分岐導波路の分岐部の屈折率差が大きくなる現象
を最小限にすることができる。これにより分岐部で導波
路がマルチモード化するのを抑制することができる。ま
た、後半サブゾーンのマスク開口幅を前半サブゾーンの
マスク開口幅から出力導波路のマスク開口幅まで次第に
拡大するテーパ状とすることで、出力導波路とトランジ
ェント領域の間の導波路の屈折率差と形状を連続的に接
続することができる。トラ／ジェット領域の分岐角を出
力導波路の分岐角よりも小さくすることで光が導波する
方向の屈折率差の変化を緩やかにすることができる。ま
た、トランジェット領域は、素子全体から比べると短く
てよいので素子長は殆ど変化せず、導波路の伝搬損失に
よる過剰損失の増加は殆ど無い。
入力導波路および出力導波路のマスク開口幅よりも狭く
かつ一定とすることで、前記イオン交換法によって作製
したＹ分岐導波路の分岐部の屈折率差が大きくなる現象
を最小限にすることができる。これにより分岐部で導波
路がマルチモード化するのを抑制することができる。ま
た、後半サブゾーンのマスク開口幅を前半サブゾーンの
マスク開口幅から出力導波路のマスク開口幅まで次第に
拡大するテーパ状とすることで、出力導波路とトランジ
ェント領域の間の導波路の屈折率差と形状を連続的に接
続することができる。トラ／ジェット領域の分岐角を出
力導波路の分岐角よりも小さくすることで光が導波する
方向の屈折率差の変化を緩やかにすることができる。ま
た、トランジェット領域は、素子全体から比べると短く
てよいので素子長は殆ど変化せず、導波路の伝搬損失に
よる過剰損失の増加は殆ど無い。
これらのことにより、従来と殆ど同じ素子長で導波路が
マルチモード化するのを抑制しＹ分岐導波路の過剰損失
を小さくすることができる。
マルチモード化するのを抑制しＹ分岐導波路の過剰損失
を小さくすることができる。
（実施例）
第１図は本発明によるＹ分岐イオン交換制御マスクパタ
ーンの一実施例を示す図である。ガラス基板１は、イオ
ン交換に適した例えばＮａおよびにイオンを含有した光
学絞ガラスである。イオン交換阻止膜２は、例えばスパ
ッタ法で成膜された厚み約１μｍのＴｉ膜であり、フォ
トリソグラフィーとエツチングにより、以下に述べるよ
うなパターンをもつ開口を形成しである。
ーンの一実施例を示す図である。ガラス基板１は、イオ
ン交換に適した例えばＮａおよびにイオンを含有した光
学絞ガラスである。イオン交換阻止膜２は、例えばスパ
ッタ法で成膜された厚み約１μｍのＴｉ膜であり、フォ
トリソグラフィーとエツチングにより、以下に述べるよ
うなパターンをもつ開口を形成しである。
入力路は従来と同じく幅Ｗｌｌが一定の直線路３Ａとこ
れに続いて分岐点０に至るテーパ路３Ｂとがら成り、ま
た分岐点０以後に設けたトランジェント領域Ｚ以後基板
の他端面に至るまでの出力路４゜５も幅Ｗｅが一定の直
線路とする。
れに続いて分岐点０に至るテーパ路３Ｂとがら成り、ま
た分岐点０以後に設けたトランジェント領域Ｚ以後基板
の他端面に至るまでの出力路４゜５も幅Ｗｅが一定の直
線路とする。
トランジェント領域Ｚは、図中に破線で境界を示すよう
に分岐点０寄りの前半サブゾーンと、これに続き終端が
出力路４，５と接続する後半サブゾーンとから成り、前
半サブゾーンでの両分岐路６１．７１は、両者が成す分
岐角θ１を出力路４．５の分岐角θＢよりも小さく、且
つその開口幅Ｗｌも出力路４．５の開口幅Ｗ１１よりも
小さくしである。
に分岐点０寄りの前半サブゾーンと、これに続き終端が
出力路４，５と接続する後半サブゾーンとから成り、前
半サブゾーンでの両分岐路６１．７１は、両者が成す分
岐角θ１を出力路４．５の分岐角θＢよりも小さく、且
つその開口幅Ｗｌも出力路４．５の開口幅Ｗ１１よりも
小さくしである。
また後半サブゾーンでは、両路６２，７２の開口幅Ｗ２
を、上記Ｗ１からＷＳまで次第に拡大するテーパ状とし
ている。
を、上記Ｗ１からＷＳまで次第に拡大するテーパ状とし
ている。
上記のようなパターン開口を形成したＹ分岐イオン交換
制御マスクで表面が被覆されたガラス基板を使って、Ｔ
Ｉを一部含有する溶融塩で第１段の熱イオン交換を行い
、続いてイオン交換阻止膜２を除去してにイオンを含有
する溶融塩で第２段のイオン交換を行う２段熱イオン交
換法で単一モード導波路を作製する。
制御マスクで表面が被覆されたガラス基板を使って、Ｔ
Ｉを一部含有する溶融塩で第１段の熱イオン交換を行い
、続いてイオン交換阻止膜２を除去してにイオンを含有
する溶融塩で第２段のイオン交換を行う２段熱イオン交
換法で単一モード導波路を作製する。
第２図は第１図のＹ分岐イオン交換制御マスクを使って
２段熱イオン交換法で作製したＹ分岐導波路の屈折率分
布を理論計算し、波長１．３μｍの等偏屈折率に換算し
た一例である。この際、入力導波路および出力導波路の
マスク開口幅Ｗ＠＝３μｍ、出力導波路の分岐角θ８＝
１″ トランジェント領域の分岐角θｌ＝０．５’）
ランジェント領域の長さＺ＝６８８μｍ１ 前半サブ
ゾーンのマスク開口幅Ｗ１＝２μｍ１ 前半サブゾー
ンと後半サブゾーンの境界における２本のマスク開口の
内側側縁間間隔Ｄ１＝３μｍとした。
２段熱イオン交換法で作製したＹ分岐導波路の屈折率分
布を理論計算し、波長１．３μｍの等偏屈折率に換算し
た一例である。この際、入力導波路および出力導波路の
マスク開口幅Ｗ＠＝３μｍ、出力導波路の分岐角θ８＝
１″ トランジェント領域の分岐角θｌ＝０．５’）
ランジェント領域の長さＺ＝６８８μｍ１ 前半サブ
ゾーンのマスク開口幅Ｗ１＝２μｍ１ 前半サブゾー
ンと後半サブゾーンの境界における２本のマスク開口の
内側側縁間間隔Ｄ１＝３μｍとした。
第５図は従来のＹ分岐イオン交換制御マスクを使って同
様に作製したＹ分岐導波路の屈折率分布を理論計算し、
波長１． ３μｍの等偏屈折率に換算した一例である。
様に作製したＹ分岐導波路の屈折率分布を理論計算し、
波長１． ３μｍの等偏屈折率に換算した一例である。
第２図と第５図を比較すると、第１図のイオン交換制御
マスクを使うことで従来技術の問題点であった分岐部の
屈折率差が大きくなる現象を抑制出来ることがわかる。
マスクを使うことで従来技術の問題点であった分岐部の
屈折率差が大きくなる現象を抑制出来ることがわかる。
これにより分岐部で導波路がマルチモード化するのを抑
制することができる。
制することができる。
第３図は第１図と第４図のイオン交換制御マスクを使っ
て２段熱イオン交換法で作製したＹ分岐導波路の屈折率
差を変化させて分岐損失を理論計算した例である。導波
路の屈折率差によって効果が異なるが、入力導波路およ
び出力導波路の屈折率差が４Ｘ１ｍ’以下の単一モード
導波路の場合には従来のＹ分岐導波路よりも著しく低損
失なＹ分岐導波路が実現できる。
て２段熱イオン交換法で作製したＹ分岐導波路の屈折率
差を変化させて分岐損失を理論計算した例である。導波
路の屈折率差によって効果が異なるが、入力導波路およ
び出力導波路の屈折率差が４Ｘ１ｍ’以下の単一モード
導波路の場合には従来のＹ分岐導波路よりも著しく低損
失なＹ分岐導波路が実現できる。
次に各パラメータの具体的な設定手順について説明する
。そのために、分岐部におけるマスク開口幅Ｗとマスク
開口間の間隔りを変化させて分岐部の屈折率差が大きく
なる効果を調べた。その結果の一例を第６図に示す。
。そのために、分岐部におけるマスク開口幅Ｗとマスク
開口間の間隔りを変化させて分岐部の屈折率差が大きく
なる効果を調べた。その結果の一例を第６図に示す。
第６図よりマスク開口の加工が安定して行えるようにマ
スク開口幅の最小値を２μｍとした場合Ｄ≧４μｍでは
分岐部の等価屈折率差が入力導波路および出力導波路よ
りも小さくなる。またマスク開口幅を入力導波路および
出力導波路と等しく３μｍとした場合Ｄ≧９μｍでは分
岐部の等価屈折率差が入力導波路および出力導波路と等
しくなることがわかる。
スク開口幅の最小値を２μｍとした場合Ｄ≧４μｍでは
分岐部の等価屈折率差が入力導波路および出力導波路よ
りも小さくなる。またマスク開口幅を入力導波路および
出力導波路と等しく３μｍとした場合Ｄ≧９μｍでは分
岐部の等価屈折率差が入力導波路および出力導波路と等
しくなることがわかる。
したがって、トランジェント領域と出力導波路の境界に
おける２本のマスク開口間の間隔Ｄ２をＤ２≦９μｍ５
前半サブゾーンと後半サブゾーンの境界における２
本のマスク開口間の間隔Ｄ１をＤ１≦４μｍとするのが
望ましいと言える。
おける２本のマスク開口間の間隔Ｄ２をＤ２≦９μｍ５
前半サブゾーンと後半サブゾーンの境界における２
本のマスク開口間の間隔Ｄ１をＤ１≦４μｍとするのが
望ましいと言える。
第７図はトランジェント領域の分岐角θ１とトランジェ
ント領域の長さ２を変化させて分岐損失を調べた結果の
一例である。この計算ではり、＝Ｏμｍ、θの＝１．８
としている。この結果からトランジェント領域の分岐角
が０．３６≦θ１≦１．０”であればトランジェント領
域の長さが８００＜Ｚ＜１０００μｍで分岐損失が極小
となり、θ、≦０゜５６では分岐損失≦０．１ｄＢにな
りθ１≦０． ８０では分岐損失≦０．２ｄＢになるこ
とがわかる。
ント領域の長さ２を変化させて分岐損失を調べた結果の
一例である。この計算ではり、＝Ｏμｍ、θの＝１．８
としている。この結果からトランジェント領域の分岐角
が０．３６≦θ１≦１．０”であればトランジェント領
域の長さが８００＜Ｚ＜１０００μｍで分岐損失が極小
となり、θ、≦０゜５６では分岐損失≦０．１ｄＢにな
りθ１≦０． ８０では分岐損失≦０．２ｄＢになるこ
とがわかる。
θ＋＝０．４１１ Ｚ＝８５９μｍの場合について前半
サブゾーンと後半サブゾーンの境界を変化させるとＤ１
＝０μｍの場合の分岐損失が０．０５６ｄＢであるのに
対して、Ｄ１＝４μｍでは分岐損失が０．０４５ｄＢと
なり、前半サブゾーンと後半サブゾーンの長さを最適化
すれば第７図の分岐損失はさらに低減することがわかっ
た。
サブゾーンと後半サブゾーンの境界を変化させるとＤ１
＝０μｍの場合の分岐損失が０．０５６ｄＢであるのに
対して、Ｄ１＝４μｍでは分岐損失が０．０４５ｄＢと
なり、前半サブゾーンと後半サブゾーンの長さを最適化
すれば第７図の分岐損失はさらに低減することがわかっ
た。
（発明の効果）
本発明によれば、Ｙ分岐導波路の分岐部の屈折率差の増
加を抑制し、光の導波方向の屈折率差の変化量を小さく
出来るため、従来と殆ど同じ素子長で低損失かつ分岐部
がマルチモードになりにくいＹ分岐導波路を作製するこ
とができる。
加を抑制し、光の導波方向の屈折率差の変化量を小さく
出来るため、従来と殆ど同じ素子長で低損失かつ分岐部
がマルチモードになりにくいＹ分岐導波路を作製するこ
とができる。
第１図は本発明によるＹ分岐イオン交換制御マスクのパ
ターンの一例を示す斜視図、第２図は第１図のＹ分岐イ
オン交換制御マスクを使って２段熱イオン交換を行った
場合の等価屈折率分布の一例を示す図、第３図は導波路
の屈折率差と分岐損失の関係の一例を示す図、第４図は
従来のＹ分岐イオン交換制御マスクのパターンを示す平
面図、第５図は従来のＹ分岐イオン交換制御マスクを使
って２段熱イオン交換を行った場合の等価屈折率分布の
一例を示す図、第６図は分岐部においてマスク開口幅と
マスク開口間の間隔を変化させて分岐部の屈折率差を計
算した結果の一例を示す図、第７図はトランジェント領
域の分岐角θ１と長さＺを変化させて分岐損失を計算し
た結果の一例を示す図である。 １ ・ ・ ２ ・ ・ ３ Ａ。 ４．５ ６．７ ６１゜ ６２゜ ９ ・ ・ ・ ガラス基板 イオン交換阻止膜（マスク） 入力導波路のマスク開口 出力導波路のマスク開口 分岐部のマスク開口 トランジェント領域前半サブ ゾーンのマスク開口 ２・・・トランジェント領域後半サブ ゾーンのマスク開口 ・・・・基板中に形成される導波路 第１図 第２図 第 ３ 図 第５ 図 第 図 マスク開口間の間隔Ｄ（μｍ） 第 図
ターンの一例を示す斜視図、第２図は第１図のＹ分岐イ
オン交換制御マスクを使って２段熱イオン交換を行った
場合の等価屈折率分布の一例を示す図、第３図は導波路
の屈折率差と分岐損失の関係の一例を示す図、第４図は
従来のＹ分岐イオン交換制御マスクのパターンを示す平
面図、第５図は従来のＹ分岐イオン交換制御マスクを使
って２段熱イオン交換を行った場合の等価屈折率分布の
一例を示す図、第６図は分岐部においてマスク開口幅と
マスク開口間の間隔を変化させて分岐部の屈折率差を計
算した結果の一例を示す図、第７図はトランジェント領
域の分岐角θ１と長さＺを変化させて分岐損失を計算し
た結果の一例を示す図である。 １ ・ ・ ２ ・ ・ ３ Ａ。 ４．５ ６．７ ６１゜ ６２゜ ９ ・ ・ ・ ガラス基板 イオン交換阻止膜（マスク） 入力導波路のマスク開口 出力導波路のマスク開口 分岐部のマスク開口 トランジェント領域前半サブ ゾーンのマスク開口 ２・・・トランジェント領域後半サブ ゾーンのマスク開口 ・・・・基板中に形成される導波路 第１図 第２図 第 ３ 図 第５ 図 第 図 マスク開口間の間隔Ｄ（μｍ） 第 図
Claims (1)
- ガラス基板にイオン交換阻止用の被膜を形成するととも
に、この被膜にＹ分岐のパターン開口を設けてイオン交
換制御マスクとし、一価の陽イオンを含む溶融塩に浸漬
させてイオン交換によりＹ分岐導波路を形成するイオン
交換導波路作製方法において、マスク開口のパターンと
して、分岐点から離れた位置では入力側及び出力側の各
導波路開口を一定幅Ｗ＿０の直線路とし、二本の分岐路
を成すマスク開口同士が近接していてイオン交換後に１
本のテーパ導波路となるような分岐点近傍には、マスク
の開口幅が前記Ｗ＿０よりも狭く、且つ分岐角が出力導
波路の分岐角よりも小さいトランジェント領域を設ける
とともに、該領域を２つのサブゾーンに分け、前半サブ
ゾーンでは、マスクの開口幅を一定とし、後半サブゾー
ンでは、マスクの開口幅が前半サブゾーンのマスク開口
幅から出力導波路のマスク開口幅まで次第に拡大するテ
ーパ形状とすることを特徴とするＹ分岐導波路の作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077290A JPH03276105A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｙ分岐導波路の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077290A JPH03276105A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｙ分岐導波路の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03276105A true JPH03276105A (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=13629748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2077290A Pending JPH03276105A (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Ｙ分岐導波路の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03276105A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07174929A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ブランチングデバイスおよび光学部品 |
| JP2002228865A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Fdk Corp | イオン交換方法及びそれによる光導波路デバイスの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360405A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-16 | Fujitsu Ltd | 導波路型分岐路の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2077290A patent/JPH03276105A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6360405A (ja) * | 1986-08-30 | 1988-03-16 | Fujitsu Ltd | 導波路型分岐路の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07174929A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ブランチングデバイスおよび光学部品 |
| JP2002228865A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Fdk Corp | イオン交換方法及びそれによる光導波路デバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI86226B (fi) | Foerfarande foer framstaellning av ljusvaogsledare medelst jonbytesteknik pao ett glassubstrat. | |
| KR100450935B1 (ko) | 테이퍼형 광도파로 제조방법 | |
| US6310991B1 (en) | Integrated optical circuit | |
| EP1227297B1 (en) | Interferometer and its fabrication method | |
| EP0304709B1 (en) | Waveguide type optical device | |
| US20050089291A1 (en) | Waveguide structure and method of manufacturing the same | |
| JPH04172308A (ja) | Ｙ分岐光回路 | |
| US4141621A (en) | Three layer waveguide for thin film lens fabrication | |
| US6553164B1 (en) | Y-branch waveguide | |
| KR100471380B1 (ko) | 레이저 직접 묘화법을 이용한 광 도파로 제작방법 및 이를이용한 광 도파로 | |
| US11747639B2 (en) | Birefringent waveplate and method for forming a waveplate having a birefringent metasurface | |
| JPH03276105A (ja) | Ｙ分岐導波路の作製方法 | |
| JPH02234108A (ja) | 光分岐・合波回路 | |
| US6483964B1 (en) | Method of fabricating an optical component | |
| JPH08184720A (ja) | 導波路素子 | |
| JP2603924B2 (ja) | 導波路型分岐路の製造方法 | |
| JPH0621889B2 (ja) | Ｙ 分 岐 導 波 路 | |
| JPH08122547A (ja) | 非対称ｙ分岐導波路型光タップ | |
| JPH02113209A (ja) | Ｙ分岐導波路の製造方法 | |
| KR100198935B1 (ko) | 비대칭 방향성 커플러 및 그 제조 방법 | |
| JPH06174954A (ja) | 光導波路装置 | |
| JPH0720336A (ja) | 光導波路の構造とその製造方法 | |
| JP4171565B2 (ja) | 光集積回路における導波路分岐構造 | |
| JPH05313032A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| JPH05313031A (ja) | 導波路の製造方法 |