JPH03281074A - レーザ熱処理装置 - Google Patents
レーザ熱処理装置Info
- Publication number
- JPH03281074A JPH03281074A JP2078858A JP7885890A JPH03281074A JP H03281074 A JPH03281074 A JP H03281074A JP 2078858 A JP2078858 A JP 2078858A JP 7885890 A JP7885890 A JP 7885890A JP H03281074 A JPH03281074 A JP H03281074A
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- JP
- Japan
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- laser beam
- laser
- temperature
- heat treatment
- beam irradiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、例えばレーザ光により金属表面の硬化０合金
化等の熱処理を行うレーザ熱処理装置に係り、特に熱処
理する部キイ表面のレーザ光照射部分の温度監視を行う
ことができるレーザ熱処理装置に関する。
化等の熱処理を行うレーザ熱処理装置に係り、特に熱処
理する部キイ表面のレーザ光照射部分の温度監視を行う
ことができるレーザ熱処理装置に関する。
（従来の技術）
各種材料を熱処理する工程は各種製造業において最も基
礎的な工程の一つであり、このための熱処理装置として
は例えば電気炉がその代表的なものの−っであるが、近
年レーザ光が汎用光となり、レーザを加熱源とする熱処
理装置が実用化。
礎的な工程の一つであり、このための熱処理装置として
は例えば電気炉がその代表的なものの−っであるが、近
年レーザ光が汎用光となり、レーザを加熱源とする熱処
理装置が実用化。
市販されるようになってきた。このレーザ熱処理装置は
、電気炉に比べて、瞬時に所定温度に加熱できる点や、
材料の任意の箇所のみ選択的に加熱できる点等多くの長
所を有しており、これらの特徴を活かした活用が盛んに
行われている。例えば、鉄鋼表面にレーザ光を照射し、
表面を非晶質化して耐食性を向上させる表面処理や、溶
接、高分子材料の穴あけ、さらには光照射に伴う結晶−
非結晶転移を利用した高密度記録等、例に限りがないほ
どである。
、電気炉に比べて、瞬時に所定温度に加熱できる点や、
材料の任意の箇所のみ選択的に加熱できる点等多くの長
所を有しており、これらの特徴を活かした活用が盛んに
行われている。例えば、鉄鋼表面にレーザ光を照射し、
表面を非晶質化して耐食性を向上させる表面処理や、溶
接、高分子材料の穴あけ、さらには光照射に伴う結晶−
非結晶転移を利用した高密度記録等、例に限りがないほ
どである。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、」二記したようなレーザ熱処理装置にお
いては、熱処理する部材表面のレーザ光照射部の温度を
直接的に測定する手段はなかった。
いては、熱処理する部材表面のレーザ光照射部の温度を
直接的に測定する手段はなかった。
すなわち、レーザ光照射部近傍に熱電対を設置すること
により照射部近傍の温度を測定することはできるが、照
射部そのものの温度をＩｆ定することはできなかった。
により照射部近傍の温度を測定することはできるが、照
射部そのものの温度をＩｆ定することはできなかった。
また、レーザ光照射部が熱処理する部材の表面で移動す
るようなレーザ熱処理を行う場合には、照射部の移動と
ともに熱電対を移動させることは難しいので、照射部の
移動に従って照射部近傍の温度を測定することも困難で
あった。しかし、材料の精密な熱処理加工を実現するた
めには、レーザ光照射部の直接的な測温を可能とするレ
ーザ熱処理装置の実現が望まれている。
るようなレーザ熱処理を行う場合には、照射部の移動と
ともに熱電対を移動させることは難しいので、照射部の
移動に従って照射部近傍の温度を測定することも困難で
あった。しかし、材料の精密な熱処理加工を実現するた
めには、レーザ光照射部の直接的な測温を可能とするレ
ーザ熱処理装置の実現が望まれている。
本発明は上記した従来技術の課題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、試料（熱処理す
る部材）表面のレーザ光照射部そのものの温度を測定し
、レーザ光照射部が移動する場合にもこの照射部の移動
とともに照射部の温度をｌ！ＦＩ定することができるレ
ーザ熱処理装置を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、試料（熱処理す
る部材）表面のレーザ光照射部そのものの温度を測定し
、レーザ光照射部が移動する場合にもこの照射部の移動
とともに照射部の温度をｌ！ＦＩ定することができるレ
ーザ熱処理装置を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明にあっては、レーザ
光を試料表面に照射して試料表面を加熱処理するための
レーザ光発生手段を有するレーザ熱処理装置において、 前記レーザ光照射時に試料表面のレーザ光照射部から発
生する散乱線を分光する分光手段と、該分光手段により
得られる散乱線のスペクトルから該散乱線の周波数及び
強度を求め、この周波数及び強度を基にして前記レーザ
光照射部の温度を算出する温度算出手段とを備えて成る
ことを特徴とする。
光を試料表面に照射して試料表面を加熱処理するための
レーザ光発生手段を有するレーザ熱処理装置において、 前記レーザ光照射時に試料表面のレーザ光照射部から発
生する散乱線を分光する分光手段と、該分光手段により
得られる散乱線のスペクトルから該散乱線の周波数及び
強度を求め、この周波数及び強度を基にして前記レーザ
光照射部の温度を算出する温度算出手段とを備えて成る
ことを特徴とする。
（作用）
上記構成を有する本発明のレーザ熱処理装置において、
まず、レーザ光発生手段により試料表面にレーザ光を照
射すると、試料表面のレーザ光照射部から散乱線として
レイリー線、ストークス線及びアンチストークス線が発
生する。これらの散乱線は分光手段に入射して分光され
、温度算出手段はこの分光器により得られるスペクトル
からストークス線及びアンチストークス線の周波数及び
強度を求める。
まず、レーザ光発生手段により試料表面にレーザ光を照
射すると、試料表面のレーザ光照射部から散乱線として
レイリー線、ストークス線及びアンチストークス線が発
生する。これらの散乱線は分光手段に入射して分光され
、温度算出手段はこの分光器により得られるスペクトル
からストークス線及びアンチストークス線の周波数及び
強度を求める。
ここで、ストークス線及びアンチストークス線のピーク
強度（Ｉｓ、Ｉａｓ）の比は、レイリー線からのストー
クス線及びアンチストークス線のエネルギー差を五Ｗと
すれば、次式で与えられる。
強度（Ｉｓ、Ｉａｓ）の比は、レイリー線からのストー
クス線及びアンチストークス線のエネルギー差を五Ｗと
すれば、次式で与えられる。
・・・（１）
（１）式におけるＷｓ、Ｗａｓはそれぞれストークス線
。
。
アンチストークス線の周波数、ｋはボルツマン定数、Ｔ
は光散乱部すなわちレーザ光照射部の温度である。
は光散乱部すなわちレーザ光照射部の温度である。
ストークス線、アンチストークス線の周波数及び強度（
Ｗｓ 、 Ｗａｓ、 ■ｓ、Ｉａｓ）は上記したよう
に分光手段及び温度算出手段により得られるので、温度
算出手段は得られたＷｓ 、 Ｗａｓ、 Ｉ ｓ 。
Ｗｓ 、 Ｗａｓ、 ■ｓ、Ｉａｓ）は上記したよう
に分光手段及び温度算出手段により得られるので、温度
算出手段は得られたＷｓ 、 Ｗａｓ、 Ｉ ｓ 。
Ｉ ａｓの値を上記（＋）式に代入することにより、レ
ーザ光照射部の温度Ｔを算出することができる。
ーザ光照射部の温度Ｔを算出することができる。
従って、レーザ光照射部近傍に熱電対等の温度検知手段
を設けることなく、照射部そのものの温度を測定するこ
とができ、また、レーザ光照射部が試料表面で移動する
場合にも、照射部の移動とともに散乱線を測定すること
は照射部近傍で熱電対等を移動させる場合に比べて比較
的容品なので、照射部の移動とともにこの照射部の温度
を測定することも可能となる。
を設けることなく、照射部そのものの温度を測定するこ
とができ、また、レーザ光照射部が試料表面で移動する
場合にも、照射部の移動とともに散乱線を測定すること
は照射部近傍で熱電対等を移動させる場合に比べて比較
的容品なので、照射部の移動とともにこの照射部の温度
を測定することも可能となる。
（実施例）
以下に、本発明の実施例を図に基づいて説明する。第１
図は本発明の一実施例のレーザ熱処理装置の構成を示す
説明図である。
図は本発明の一実施例のレーザ熱処理装置の構成を示す
説明図である。
図においてこのレーザ熱処理装置ｆ１は、概略試料２表
面にレーザ光を照射して試料２表面を加熱処理するため
のレーザ光発生手段としてのレーザ発振器３と、レーザ
光照射時に試料２表面のレーザ光照射部２ａから発生す
る散乱線を分光する分光手段としての分光器４と、分光
器４により得られる散乱線のスペクトルから散乱線の周
波数及び強度を求め、この周波数及び強度を基にしてレ
ーザ光照射部２ａの温度を算出する温度算出手段として
のコンピュータ５とから成る。
面にレーザ光を照射して試料２表面を加熱処理するため
のレーザ光発生手段としてのレーザ発振器３と、レーザ
光照射時に試料２表面のレーザ光照射部２ａから発生す
る散乱線を分光する分光手段としての分光器４と、分光
器４により得られる散乱線のスペクトルから散乱線の周
波数及び強度を求め、この周波数及び強度を基にしてレ
ーザ光照射部２ａの温度を算出する温度算出手段として
のコンピュータ５とから成る。
分光器４はレーザ発振器３から発生するレーザ光の波長
領域の光を分光する分光器であり、分光器４に散乱線が
入射する入射面側にはスリット６が設けられている。ま
た、分光器４の出力は電気信号として増幅器７及びイン
ターフェイス８を介してコンピュータ５に入力されるよ
うになっている。
領域の光を分光する分光器であり、分光器４に散乱線が
入射する入射面側にはスリット６が設けられている。ま
た、分光器４の出力は電気信号として増幅器７及びイン
ターフェイス８を介してコンピュータ５に入力されるよ
うになっている。
例えば、レーザ発振器３から発生した周波数ＷＯのレー
ザ光１０が試料２表面に照射されると、このレーザ光照
射部２ａから発生した散乱線１１がスリット６を介して
分光器４に入射する。分光器４はこの散乱線１１を分光
して得た散乱線１１のスペクトルを、電気信号として増
幅器７、インターフェイス８を介してコンピュータ５に
送る。
ザ光１０が試料２表面に照射されると、このレーザ光照
射部２ａから発生した散乱線１１がスリット６を介して
分光器４に入射する。分光器４はこの散乱線１１を分光
して得た散乱線１１のスペクトルを、電気信号として増
幅器７、インターフェイス８を介してコンピュータ５に
送る。
第２図は分光器４で測定される散乱線１１のスペクトル
の一例を示しており、同図より理解されるように、熱処
理されるべき試料２のフォノン（エネルギーｔｉｗ）に
基ずくビークが、エネルギーｔＷｏを持つレイリー散乱
線Ｃの両側に現れる。図中低エネルギー側に現れるビー
クＡがストーク線であり、高エネルギー側に現れるビー
クＢがアンチストークス線である。コンピュータ５は、
このスペクトルから上記レイリー線Ｃの周波数Ｗｏ 。
の一例を示しており、同図より理解されるように、熱処
理されるべき試料２のフォノン（エネルギーｔｉｗ）に
基ずくビークが、エネルギーｔＷｏを持つレイリー散乱
線Ｃの両側に現れる。図中低エネルギー側に現れるビー
クＡがストーク線であり、高エネルギー側に現れるビー
クＢがアンチストークス線である。コンピュータ５は、
このスペクトルから上記レイリー線Ｃの周波数Ｗｏ 。
ビークＡとビークＢのビーク強度１ｓ、Ｉｎｓとその周
波数Ｗｓ 、 Ｗａｓを求める。
波数Ｗｓ 、 Ｗａｓを求める。
ここで、前記（＋）式を変形してレーザ光照射部の温度
Ｔを求める式を導くと次のようになる。
Ｔを求める式を導くと次のようになる。
・・・（２）
すなわち、コンピュータ５により、上記スペクトルから
得られた周波数Ｗ ｓ 、 Ｗ ａｓ、周波数１ ｓ、
Ｉ ａｓ。
得られた周波数Ｗ ｓ 、 Ｗ ａｓ、周波数１ ｓ、
Ｉ ａｓ。
及びレイリー線の周波数Ｗｏとストークス線、アンチス
トークス線の周波数Ｗｓ、Ｗａｓとから得られるレイリ
ー線からのストークス線、アンチストークス線のエネル
ギー差′ＦＸＷが（２）式に代入されて、レーザ光照射
部２ａの温度Ｔが算出される。
トークス線の周波数Ｗｓ、Ｗａｓとから得られるレイリ
ー線からのストークス線、アンチストークス線のエネル
ギー差′ＦＸＷが（２）式に代入されて、レーザ光照射
部２ａの温度Ｔが算出される。
次に、本実施例を具体的に説明する。
まず、レーザ発振器３として波長５１４５人のレーザ光
を発生するアルゴン・イオンレーザを用い、試料２とし
てシリコンウェファにダイヤモンド膜を被覆したものを
使用して、この試料２にレーザ光を照射した。このとき
レーザ光照射部２ａから発生する散乱線を分光器４によ
り分光したところ、そのスペクトルは室温で１３３４ｃ
ｖ’近傍にストークス線を示した。また、試料２を加熱
し続けると１３３４ｃｍ−’のピーク点すなわちフォノ
ン・エネルギーはわずかながら低エネルギー側にシフト
する傾向が見られた。そのため正確に散乱線のエネルギ
ー及び強度を測定した。
を発生するアルゴン・イオンレーザを用い、試料２とし
てシリコンウェファにダイヤモンド膜を被覆したものを
使用して、この試料２にレーザ光を照射した。このとき
レーザ光照射部２ａから発生する散乱線を分光器４によ
り分光したところ、そのスペクトルは室温で１３３４ｃ
ｖ’近傍にストークス線を示した。また、試料２を加熱
し続けると１３３４ｃｍ−’のピーク点すなわちフォノ
ン・エネルギーはわずかながら低エネルギー側にシフト
する傾向が見られた。そのため正確に散乱線のエネルギ
ー及び強度を測定した。
そして、このスペクトルからコンピュータ５によりレイ
リー線の周波数Ｗｏ 、 ストークス線、アンチスト
ークス線の周波数及びピーク強度Ｗ ｓ 、 Ｗａｓ、
Ｉｓ、Ｉａｓを求め、上記したように（２）式を用
いてレーザ光照射部２ａの温度Ｔを算出した。また、比
較のために、できる限りレーザ光照射部２ａ近傍に設置
した熱電対によりレーザ光照射部２ａ近傍の温度を測定
した。第３図はこのようにして得られた温度Ｔと、スト
ークス線、アンチストークス線のピーク強度比Ｒ（Ｉｓ
／Ｉａｓ）との関係を示す図である。図中実線は上記（
２）式から得られる特性曲線、丸印の部分は熱電対によ
り得られた測定値を示す。同図かられかるように、（２
）式から得られる特性曲線と熱電対によるｌｌ？ｌ定値
はほぼ一致した。
リー線の周波数Ｗｏ 、 ストークス線、アンチスト
ークス線の周波数及びピーク強度Ｗ ｓ 、 Ｗａｓ、
Ｉｓ、Ｉａｓを求め、上記したように（２）式を用
いてレーザ光照射部２ａの温度Ｔを算出した。また、比
較のために、できる限りレーザ光照射部２ａ近傍に設置
した熱電対によりレーザ光照射部２ａ近傍の温度を測定
した。第３図はこのようにして得られた温度Ｔと、スト
ークス線、アンチストークス線のピーク強度比Ｒ（Ｉｓ
／Ｉａｓ）との関係を示す図である。図中実線は上記（
２）式から得られる特性曲線、丸印の部分は熱電対によ
り得られた測定値を示す。同図かられかるように、（２
）式から得られる特性曲線と熱電対によるｌｌ？ｌ定値
はほぼ一致した。
このように本実施例によれば、レーザ光照射部２ａ近傍
に熱電対の温度検知手段を設けることになく、試料２ａ
に加熱処理用のレーザ光以外何らの作用を与えずに、レ
ーザ光照射部２ａそのものの温度を絶対温度として極め
て正確に測定することが可能となる。レーザ光照射部２
８が試料２表面で移動するような場合には、レーザ光照
射部２ａの移動とともに分光器４の散乱線入射面を移動
させる等の方法を用いて散乱線を分光することにより、
レーザ光照射部２ａの移動に従ってこの温度Ｔを算出す
ることが可能である。
に熱電対の温度検知手段を設けることになく、試料２ａ
に加熱処理用のレーザ光以外何らの作用を与えずに、レ
ーザ光照射部２ａそのものの温度を絶対温度として極め
て正確に測定することが可能となる。レーザ光照射部２
８が試料２表面で移動するような場合には、レーザ光照
射部２ａの移動とともに分光器４の散乱線入射面を移動
させる等の方法を用いて散乱線を分光することにより、
レーザ光照射部２ａの移動に従ってこの温度Ｔを算出す
ることが可能である。
また、上記実施例において、コンピュータ５で得られた
温度Ｔのデータをレーザ発振器３の制御部（図示せず）
にフィードバックさせて、レーザ光照射部２ａの温度に
応じてレーザ発振器３にょるレーザ光照射を制御するこ
とも可能である。
温度Ｔのデータをレーザ発振器３の制御部（図示せず）
にフィードバックさせて、レーザ光照射部２ａの温度に
応じてレーザ発振器３にょるレーザ光照射を制御するこ
とも可能である。
本実施例装置を用いれば、レーザ光照射部そのものの温
度を正確に測定して、高精度でレーザ熱処理加工を行う
ことができる。例えば、金属表面の焼入等の硬化１合金
化、クラツデイング、グレージング等の加熱表面処理を
行う場合には、レーザ光照射部そのものの温度が所定範
囲内にあるように監視して、高精度で加熱処理を行うこ
とができる。
度を正確に測定して、高精度でレーザ熱処理加工を行う
ことができる。例えば、金属表面の焼入等の硬化１合金
化、クラツデイング、グレージング等の加熱表面処理を
行う場合には、レーザ光照射部そのものの温度が所定範
囲内にあるように監視して、高精度で加熱処理を行うこ
とができる。
また、有機物、半導体、セラミックス等の非金属にレー
ザによる加熱加工処理を行う場合にも、レーザ光照射部
そのものを正確に測温することにより、高精度で加熱処
理を行うことができる。例えば、Ａ！ＬＮセラミックス
にレーザスクライブ等のレーザ加］二処理を行った後セ
ラミックス表面に金属膜の形成を行う場合には、レーザ
光が照射された部分が金属化してこの部分にめっき膜が
付着することが多いという問題があるが、レーザ光が照
射された部分が金属化するか否かはそのときのレーザ光
照射部の温度に微妙に左右されることがわかっている。
ザによる加熱加工処理を行う場合にも、レーザ光照射部
そのものを正確に測温することにより、高精度で加熱処
理を行うことができる。例えば、Ａ！ＬＮセラミックス
にレーザスクライブ等のレーザ加］二処理を行った後セ
ラミックス表面に金属膜の形成を行う場合には、レーザ
光が照射された部分が金属化してこの部分にめっき膜が
付着することが多いという問題があるが、レーザ光が照
射された部分が金属化するか否かはそのときのレーザ光
照射部の温度に微妙に左右されることがわかっている。
すなわち、このような場合に本実施例装置を用いてレー
ザ光照射部そのものの温度を正確に測定することにより
、レーザ光照射時の条件を調整してＡｉＮ表面の金属化
を防ぎ、良好な膜形成を行うことが可能となる。
ザ光照射部そのものの温度を正確に測定することにより
、レーザ光照射時の条件を調整してＡｉＮ表面の金属化
を防ぎ、良好な膜形成を行うことが可能となる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく種
々変形実施が可能である。例えば上記実施例においては
ヒートモードのレーザ熱処理装置を例にとったが、フォ
トンモードにより試料の加工、処理を行うレーザ加工・
処理装置も適用可能である。
々変形実施が可能である。例えば上記実施例においては
ヒートモードのレーザ熱処理装置を例にとったが、フォ
トンモードにより試料の加工、処理を行うレーザ加工・
処理装置も適用可能である。
［発明の効果］
本発明のレーザ熱処理装置は以上の構成及び作用を有す
るもので、レーザ光照射部近傍に熱電対等の温度検知手
段を設けることなく、この照射部そのものの温度を測定
することが可能となり、また、レーザ光照射部が試料表
面で移動する場合にも、この照射部の移動とともに照射
部の温度を測定することが可能となる。
るもので、レーザ光照射部近傍に熱電対等の温度検知手
段を設けることなく、この照射部そのものの温度を測定
することが可能となり、また、レーザ光照射部が試料表
面で移動する場合にも、この照射部の移動とともに照射
部の温度を測定することが可能となる。
従って、本発明装置を用いて金属の表面処理等の加熱処
理や非金属の加熱加工処理を行えば、処理時のレーザ光
照射部そのものの温度を正確にＩｌｌ定して、高精度で
レーザ熱処理を行うことができ、その工業的価値は極め
て大である。
理や非金属の加熱加工処理を行えば、処理時のレーザ光
照射部そのものの温度を正確にＩｌｌ定して、高精度で
レーザ熱処理を行うことができ、その工業的価値は極め
て大である。
第１図は本発明の一実施例のレーザ熱処理装置の構成を
概略的に示す説明図、第２図は同実施例で得られる散乱
線のスペクトルの一例を示す図、第３図は同実施例で得
られたレーザ光照射部の温度とストークス線、アンチス
トークス線のピーク強度比との関係を示す図である。 １・・・レーザ熱処理装置 ２・・・試料 ２ａ・・・レーザ光照射部 ３・・・レーザ発振器（レーザ光発生手段）４・・・分
光器 （分光手段） ５・・・コンピュータ （温度算出手段）
概略的に示す説明図、第２図は同実施例で得られる散乱
線のスペクトルの一例を示す図、第３図は同実施例で得
られたレーザ光照射部の温度とストークス線、アンチス
トークス線のピーク強度比との関係を示す図である。 １・・・レーザ熱処理装置 ２・・・試料 ２ａ・・・レーザ光照射部 ３・・・レーザ発振器（レーザ光発生手段）４・・・分
光器 （分光手段） ５・・・コンピュータ （温度算出手段）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザ光を試料表面に照射して試料表面を加熱処理する
ためのレーザ光発生手段を有するレーザ熱処理装置にお
いて、 前記レーザ光照射時に試料表面のレーザ光照射部から発
生する散乱線を分光する分光手段と、該分光手段により
得られる散乱線のスペクトルから該散乱線の周波数及び
強度を求め、この周波数及び強度を基にして前記レーザ
光照射部の温度を算出する温度算出手段とを備えて成る
ことを特徴とするレーザ熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2078858A JPH03281074A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | レーザ熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2078858A JPH03281074A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | レーザ熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03281074A true JPH03281074A (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13673529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2078858A Pending JPH03281074A (ja) | 1990-03-29 | 1990-03-29 | レーザ熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03281074A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015864A1 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-23 | Japan Science And Technology Corporation | Laser heater |
-
1990
- 1990-03-29 JP JP2078858A patent/JPH03281074A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000015864A1 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-23 | Japan Science And Technology Corporation | Laser heater |
| US6617539B1 (en) | 1998-09-11 | 2003-09-09 | Japan Science And Technology Kawaguchi | Laser heating apparatus |
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