JPH03284002A - Dielectric filter - Google Patents

Dielectric filter

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JPH03284002A
JPH03284002A JP8599090A JP8599090A JPH03284002A JP H03284002 A JPH03284002 A JP H03284002A JP 8599090 A JP8599090 A JP 8599090A JP 8599090 A JP8599090 A JP 8599090A JP H03284002 A JPH03284002 A JP H03284002A
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JP
Japan
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resonators
dielectric
electromagnetic field
outer conductor
coupling
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JP8599090A
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Japanese (ja)
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Yoshifumi Yamagata
佳史 山形
Hiroshi Kuroki
博 黒木
Akira Nishizawa
西沢 顕
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Abstract

PURPOSE:To obtain a dielectric filter whose passing band width can be freely set by forming an electromagnetic field non-coupling slit of wide width having a conductive pattern connected to an outer conductor between resonators in which the open end faces of dielectric filters are neighbored. CONSTITUTION:In the dielectric filter 10, two dielectric resonators 1a, 1b are formed on a single dielectric block body 1. Inner conductors 3a, 3b are formed on the inner planes of the resonator through holes 2a, 2b of the block 1, and the outer conductor 4 on the outer peripheral end face of the block. An L-C resonance circuit for the resonators 1a, 1b is comprised of the capacitive component of a dielectric part sandwiched between the inner conductors 3a, 3b and the outer conductor 4, and an inductance component decided by the length of the current route of the inner conductors 3a, 3b and the outer conductor 4. The resonators 1a, 1b are coupled electromagnetically with each other, and decide the passing band width as a filter. The electromagnetic field non-coupling slit 6 of wide width having the conductor patters 5a, 5b connected from an open end face A side to the outer conductor 4 are formed between the resonators 1a, 1b, and an electromagnetic field coupling slit 8 on the bottom plane 7.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波帯域のフィルタに使用される誘電体
フィルタに関するものであり、詳しくは隣接する共振器
の結合度を大きくする構造に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a dielectric filter used in a microwave band filter, and more specifically, to a structure that increases the degree of coupling between adjacent resonators. be.

〔従来技術〕[Prior art]

従来、マイクロ波を利用したパーソナル無線機や自動車
電話機などの機器には、小型で高い選択性をもつなどの
理由で誘電体フィルタか多用されている。
Conventionally, dielectric filters have been widely used in devices that utilize microwaves, such as personal radios and car telephones, due to their small size and high selectivity.

従来典型的な誘電体フィルタは第6図に示すように、誘
電体セラミック材料をプレス成型、焼成した単一のブロ
ック体61に、複数個の共振器貫通穴62a、62bを
形成し、さらに貫通穴62a、62bの内面に導体膜6
3a、63b(内導体)、該貫通穴が露出する一方の面
Aを除く誘電体ブロックの外周面に導体膜(外導体)6
4を形成して構成されていた。即ち、誘電体ブロック体
61の一方の端面を開放端面A、開放端面Aと対向する
面は内導体63a、63bと外導体64とか互いに導通
しあう短絡端面Bとなり、一つの共振器貫通穴62aに
着目すると、貫通穴62aの内導体63aと外導体64
との間の容量成分Cと、外導体64から内導体63aに
流れる電流経路のインダクタンス成分りとで、L−C共
振回路が形成されることになる。
As shown in FIG. 6, a typical conventional dielectric filter has a single block body 61 made of press-molded and fired dielectric ceramic material, in which a plurality of resonator through holes 62a and 62b are formed, and further through holes 62a and 62b are formed in the block body 61. A conductive film 6 is formed on the inner surface of the holes 62a and 62b.
3a, 63b (inner conductor), and a conductive film (outer conductor) 6 on the outer peripheral surface of the dielectric block except for one surface A where the through hole is exposed.
It was composed of 4. That is, one end surface of the dielectric block body 61 is an open end surface A, and the surface opposite to the open end surface A is a short-circuit end surface B where the inner conductors 63a, 63b and the outer conductor 64 are electrically connected to each other, and one resonator through hole 62a is formed. When paying attention to the inner conductor 63a and outer conductor 64 of the through hole 62a,
An LC resonant circuit is formed by the capacitance component C between the two and the inductance component of the current path flowing from the outer conductor 64 to the inner conductor 63a.

このような複数個の共振器62a、62bか同一のブロ
ック体61に形成され、フィルタ60として作用する。
A plurality of such resonators 62a and 62b are formed in the same block body 61 and act as a filter 60.

この誘電体フィルタ60において、2つの内導体62a
、62b間の電磁波の伝搬には、同相伝搬するイーブン
モードと逆相伝搬するオツドモードとがある。今、第6
図の状態であると、隣接しあう共振器間の誘電体材料が
均一に充填されているため、共振器62a、62b間の
誘導結合及び容量結合が等しくなり、イーブンモードの
共振周波数Fr。とオツドモードの共振周波数Fr。が
等しくなり、フィルタ60として通過帯域幅が狭いフィ
ルタ60となってしまう。
In this dielectric filter 60, two inner conductors 62a
, 62b includes an even mode that propagates in-phase and an odd mode that propagates in anti-phase. Now, the 6th
In the state shown in the figure, since the dielectric material between adjacent resonators is uniformly filled, the inductive coupling and capacitive coupling between the resonators 62a and 62b are equal, and the even mode resonance frequency Fr. and the resonance frequency Fr of the odd mode. become equal, resulting in a filter 60 with a narrow passband width.

そこで、従来は第7図、第8図に示すように、隣接しあ
う共振器62a、62b間の結合度を両モードにおいて
不均一にするために、電磁界結合スリット68や電磁界
結合貫通穴69を設けた誘電体フィルタ70.80があ
った。(特開昭58−9401号、特開昭58−114
601号参照)このような、電磁界結合スリット68や
電磁界結合貫通穴69を形成することにより、第4図に
しめすようにフィルタとして通過帯域幅を発生させるこ
とが可能となる。
Therefore, conventionally, as shown in FIGS. 7 and 8, in order to make the degree of coupling between adjacent resonators 62a and 62b non-uniform in both modes, an electromagnetic coupling slit 68 or an electromagnetic coupling through-hole There was a dielectric filter 70.80 provided with 69. (JP-A-58-9401, JP-A-58-114
(See No. 601) By forming such electromagnetic field coupling slits 68 and electromagnetic field coupling through holes 69, it becomes possible to generate a pass band width as a filter as shown in FIG.

〔発明が解決するための技術的な課題〕しかし、上述の
誘電体フィルタ70.80では、スリット68や貫通穴
69の寸法を変化させることにより、所望の通過帯域幅
のフィルタを得ることができるももの、その通過帯域幅
を変化させることが可能な帯域幅が小さく、結合度の自
由度が狭く、また、誘電体フィルタ70.80か小型化
している現在においては、ブロック61の機械的な強度
の劣化により、スリット68及び貫通穴69の形状(削
除量)に限界があった。
[Technical Problem to be Solved by the Invention] However, in the dielectric filters 70 and 80 described above, a filter with a desired passband width can be obtained by changing the dimensions of the slits 68 and through holes 69. However, the band width that can change the passband width is small, the degree of freedom in coupling is narrow, and now that dielectric filters 70 and 80 are becoming smaller, the mechanical Due to the deterioration in strength, there was a limit to the shape (amount of removal) of the slit 68 and the through hole 69.

本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり
、その目的は、小型、低背型で、且つ通過帯域幅が自由
に設計でき、機械的な強度が向上する誘電体フィルタを
提供するものである。
The present invention was devised in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a dielectric filter that is small, low-profile, can have a freely designed passband width, and has improved mechanical strength. It provides:

〔目的を達成するため具体的な手段明〕上述の本発明の
目的を達成するために、本発明は、誘電体ブロックに複
数個の共振器貫通穴を設け、該貫通穴内面に内導体及び
誘電体ブロックの外側周面に外導体を設け、一方の端面
を開放端面、他方の端面を該内導体と該外導体とが導通
する短絡端面とし、隣接しあう共振器を電磁界結合した
誘電体フィルタにおいて、前記開放端面の隣接しあう共
振器間に外導体と導通ずる導体パターンを有する幅広の
電磁界非結合スリットを形成し、さらに該電磁界非結合
スリットの底面に電磁界結合用貫通穴又はスリットを形
成したことを特徴とする誘電体フィルタである。
[Specific means for achieving the object] In order to achieve the above-mentioned object of the present invention, the present invention provides a dielectric block with a plurality of resonator through holes, and an inner conductor and an inner conductor on the inner surface of the through hole. An outer conductor is provided on the outer peripheral surface of a dielectric block, one end face is an open end face, the other end face is a short-circuit end face where the inner conductor and the outer conductor are electrically connected, and adjacent resonators are electromagnetically coupled. In the body filter, a wide electromagnetic field decoupling slit having a conductor pattern that conducts with the outer conductor is formed between adjacent resonators on the open end surface, and a through hole for electromagnetic field coupling is formed on the bottom surface of the electromagnetic field decoupling slit. A dielectric filter characterized by having holes or slits formed therein.

〔作用〕[Effect]

誘電体フィルタの2つの共振器の電界分布は開放端面側
が最大となり、短絡端面側では零となる。
The electric field distribution of the two resonators of the dielectric filter is maximum on the open end surface side and zero on the short-circuit end surface side.

そして、イーブンモードでは同相伝搬であるから、両共
振器の電位は等しいため、共振器間は磁界結合し、オツ
ドモードでは逆相伝搬であるから、両共振器の電位は正
負逆となり、共振器間は容量結合していることになる。
In even mode, there is in-phase propagation, so the potentials of both resonators are equal, so there is magnetic coupling between the resonators, and in odd mode, there is anti-phase propagation, so the potentials of both resonators are opposite in sign and negative, and between the resonators. are capacitively coupled.

そして、上述の構造のように、開放端面側に幅広の外導
体と導通している電磁界非結合スリットを形成すること
によって従来よりもオツドモードにおける結合容量を小
さくすることができ、イーブンモードの共振周波数に対
してよりオツドモードの共振周波数を高周波側にシフト
させることができる。即ち、開放端面側から電磁界非結
合スリットを形成することにより、電磁界結合スリット
や電磁界結合貫通穴の開口面積などをかえることなく、
自由に結合度を調整し、所望の通過帯域幅を決定でき、
誘電体フィルタの強度が向上させることかできる。
As in the above structure, by forming an electromagnetic field decoupling slit on the open end face side that is electrically connected to the wide outer conductor, the coupling capacitance in the odd mode can be made smaller than before, and even mode resonance can be achieved. It is possible to shift the resonance frequency of the odd mode to a higher frequency side with respect to the frequency. In other words, by forming the electromagnetic field non-coupling slit from the open end surface side, the opening area of the electromagnetic field coupling slit or the electromagnetic field coupling through hole is not changed.
You can freely adjust the degree of coupling and determine the desired passband width.
The strength of the dielectric filter can be improved.

また、単体の共振器に着目して、電磁界非結合スリット
に形成された導体パターンが外導体と同一電位となり、
内導体と外導体との対向面積が増加化する。これにより
、共振器単体の共振周波数が低くなり、共振器の高さ、
即ちフィルタ全体の高さが低くなる。
Also, focusing on a single resonator, the conductor pattern formed in the electromagnetic field decoupling slit has the same potential as the outer conductor,
The opposing area between the inner conductor and the outer conductor increases. This lowers the resonant frequency of the single resonator and increases the height of the resonator.
That is, the height of the entire filter is reduced.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の誘電体フィルタを図面に基づいて詳説す
る。
Hereinafter, the dielectric filter of the present invention will be explained in detail based on the drawings.

第1図は、本発明の誘電体フィルタの外観斜視図である
。尚、実施例は単一の誘電体ブロック体に2つの共振器
を形成したフィルタで説明する。
FIG. 1 is an external perspective view of a dielectric filter of the present invention. The embodiment will be explained using a filter in which two resonators are formed in a single dielectric block.

本発明の誘電体フィルタ10は、単一の誘電体ブロック
体lに2つの誘電体共振器1a、lbが形成されている
In the dielectric filter 10 of the present invention, two dielectric resonators 1a and lb are formed in a single dielectric block l.

誘電体ブo−7り1は、BaO−TiO2系、ZrO2
−3n02TiO2系、BaO−3m20.−TiO2
系、BaO−Nd203−TiOz系またはCa0−T
iO□−3iO□系の所定誘電率のセラミックからなり
、共振周波数に応じて所定高さに設定されている。誘電
体ブロック1は、上述の材料をプレス成型し、さらに焼
成されて形成される。このプレス成型時に共振器貫通穴
2a、2bや必要に応じて共振器間の後述のスリット、
貫通穴などが形成される。
Dielectric board o-7 1 is BaO-TiO2 based, ZrO2
-3n02TiO2 system, BaO-3m20. -TiO2
system, BaO-Nd203-TiOz system or Ca0-T
It is made of iO□-3iO□-based ceramic with a predetermined dielectric constant, and is set to a predetermined height depending on the resonance frequency. The dielectric block 1 is formed by press-molding the above-mentioned material and then firing it. During this press molding, the resonator through-holes 2a and 2b and the later-described slits between the resonators as necessary,
A through hole etc. is formed.

誘電体ブロックlの共振器貫通穴2 a−、2bの内面
には銀、銅などの導体膜(以下、内導体3a、3bとい
う)が形成され、また共振器貫通穴2a、2bの開口部
が現れる誘電体ブロックlの上面(以下、開放端面Aと
いう)を除く外周端面には銀、銅などの導体膜(以下、
外導体4という)が形成されている。開放端面Aに対向
するブロックlの底面にも外導体4か内導体3a、3b
に導通するように形成された短絡端面Bと成っている。
A conductor film (hereinafter referred to as inner conductor 3a, 3b) made of silver, copper, etc. is formed on the inner surface of the resonator through holes 2a-, 2b of the dielectric block l, and the openings of the resonator through holes 2a, 2b are formed. A conductor film (hereinafter referred to as "open end surface A") made of silver, copper, etc. is formed on the outer peripheral end surface except for the top surface (hereinafter referred to as open end surface A) of dielectric block l where appears.
An outer conductor 4) is formed. The outer conductor 4 or inner conductors 3a, 3b are also connected to the bottom surface of the block l facing the open end surface A.
The short-circuit end face B is formed so as to be electrically conductive.

尚、上述のこの内導体3a、3b、外導体4は、銀や銅
などを印刷、塗布、転写などの方法で被着され、焼成す
ることによって形成される。
The inner conductors 3a, 3b and outer conductor 4 described above are formed by depositing silver, copper, or the like by a method such as printing, coating, or transfer, and then firing.

これにより、誘電体フィルタ10の共振器1a、Ibは
、内導体3a、3bと外導体4とで挟まれた誘電体部分
の容量成分Cと、内導体3a、3bと外導体4の電流経
路の長さによって決定されるインダクタンス成分りとに
よって、L−C共振回路が構成されることになる。
As a result, the resonators 1a and Ib of the dielectric filter 10 have a capacitance component C of the dielectric portion sandwiched between the inner conductors 3a and 3b and the outer conductor 4, and a current path between the inner conductors 3a and 3b and the outer conductor 4. An LC resonant circuit is constructed by the inductance component determined by the length of .

2つの共振器1aXlbは、互いに電磁界結合し、フィ
ルタとして所定の通過帯域幅を決定している。2つの共
振器1a、Ibの結合モードは上述のようにイーブンモ
ードとオツドモードとの2モードが存在する。第3図(
a)はイーブンモードの結合状態を示す模式図であり、
第3図(b)はオツドモードの結合状態を示す模式図で
ある。
The two resonators 1aXlb are electromagnetically coupled to each other to determine a predetermined passband width as a filter. As described above, there are two coupling modes of the two resonators 1a and Ib: an even mode and an odd mode. Figure 3 (
a) is a schematic diagram showing the bonding state of even mode;
FIG. 3(b) is a schematic diagram showing the combined state of the odd mode.

第3図において、実線は電気力線を表す線であり、点線
は磁界の結合の磁力線を表す線である。図より明らかの
ように、オツドモードにおいては、2つの共振器、より
具体的には2つの共振器貫通穴2a、2bは電界によっ
て強固に結合されていることになり、イーブンモードに
おいては磁界結合され電界結合はない。また、電界の強
さを開放端面Aから短絡端面Bまでの分布をみると、第
5図のように、開放端面A側が強く成っている。
In FIG. 3, solid lines represent lines of electric force, and dotted lines represent lines of magnetic force due to coupling of magnetic fields. As is clear from the figure, in the odd mode, the two resonators, more specifically, the two resonator through holes 2a and 2b, are strongly coupled by an electric field, and in the even mode, they are coupled by a magnetic field. There is no electric field coupling. Furthermore, when looking at the distribution of the electric field strength from the open end surface A to the short-circuited end surface B, as shown in FIG. 5, it is stronger on the open end surface A side.

このような結合モードで、本発明は2つの共振器1a、
Ibの間に、前記開放端面A側から外導体4と導通ずる
導体パターン5a、5bを有する幅広で、比較的深さの
浅い電磁界非結合スリット6が形成され、さらに該電磁
界非結合スリット6の底面7に誘電体ブロックlの表面
が露出した電磁界結合スリット8が形成されている。電
磁界非結合スリット6は外導体4と導通しているため、
誘電体ブロック1のプレス成型で形成して、外導体4の
被着時に同時に導体パターン5a、5bを形成し、その
後、電磁界結合スリット8は機械的切削加工などで形成
される。
In such a coupling mode, the present invention combines two resonators 1a,
A wide and relatively shallow electromagnetic field non-coupling slit 6 having conductor patterns 5a and 5b electrically connected to the outer conductor 4 from the open end surface A side is formed between Ib, and the electromagnetic field non-coupling slit 6 An electromagnetic field coupling slit 8 is formed on the bottom surface 7 of the dielectric block 6 so that the surface of the dielectric block l is exposed. Since the electromagnetic field decoupling slit 6 is electrically connected to the outer conductor 4,
The dielectric block 1 is formed by press molding, the conductor patterns 5a and 5b are formed at the same time as the outer conductor 4 is attached, and then the electromagnetic field coupling slit 8 is formed by mechanical cutting or the like.

一般的に、位相速度Vpとすると V p = 1 / FTTτであり、μ・・・透磁率 ε・・・誘電率 ε 2 ε O″ E r ε。・・・真空中の誘電率 ε7 ・・・比誘電率 である。Generally, if the phase velocity Vp is V p = 1 / FTTτ, μ...magnetic permeability ε...Dielectric constant ε 2 ε O″ E r ε. ...Dielectric constant in vacuum ε7...Relative permittivity It is.

ここで、電磁界結合スリット8を形成することにより、
誘電体ブロックl中に空気(ε、=1)が存在すること
になり、誘電体ブロックエの材料の比誘電率約90に比
較して大きく低下してしまう。これは、特にオツドモー
ドの結合の共振周波数Fr。に大きく寄与する。これに
対して、イーブンモードの結合は第3図(a)より明ら
かのように比誘電率ε、の変化に対して無関係であり、
イーブンモード共振周波数Fr、は不変である。
Here, by forming the electromagnetic field coupling slit 8,
Air (ε,=1) is present in the dielectric block 1, and the dielectric constant is greatly reduced compared to about 90 of the material of the dielectric block 1. This is especially true for the resonance frequency Fr of odd mode coupling. greatly contributes to On the other hand, as is clear from Figure 3(a), even mode coupling is unrelated to changes in relative permittivity ε,
The even mode resonance frequency Fr remains unchanged.

したがって、オツドモードにおける共振器1a、Ib間
の結合容量を小さくすることができ、第4図に示すよう
に、イーブンモードの共振周波数Fr8よりも大きくオ
ツドモードの共振周波数Fr。を高周波側にシフトさせ
ることかできる。例えば、中心周波数820MHzのフ
ィルタにおいて、電磁界結合スリット8の深さを変化さ
せることにより、35MHzの通過帯域幅の制御が可能
である。
Therefore, the coupling capacitance between the resonators 1a and Ib in the odd mode can be reduced, and as shown in FIG. 4, the odd mode resonance frequency Fr is higher than the even mode resonance frequency Fr8. can be shifted to the higher frequency side. For example, in a filter with a center frequency of 820 MHz, the passband width of 35 MHz can be controlled by changing the depth of the electromagnetic coupling slit 8.

非結合スリット6は、電界の強度が比較的に強い開放端
面A側に形成したため、それらの電界が直ちに外導体4
のアース電位に収束してしまい、この電界結合を阻止し
てしまう。したがって、この非結合スリット6の形状に
よって、電磁界結合スリット8の結合度に付加して、さ
らに広い通過帯域での制御が可能となる。
Since the non-coupling slit 6 is formed on the open end surface A side where the electric field strength is relatively strong, the electric field immediately connects to the outer conductor 4.
converges to the ground potential of , blocking this electric field coupling. Therefore, the shape of the non-coupling slit 6 enables control over a wider pass band in addition to the degree of coupling of the electromagnetic field coupling slit 8.

例えば、中心周波数820MHzのフィルタにおいて、
電磁界結合スリット8に非結合スリット6をさらに付加
することにより、40MHz前後にまで通過帯域幅の制
御が可能である。
For example, in a filter with a center frequency of 820 MHz,
By further adding the non-coupling slit 6 to the electromagnetic field coupling slit 8, it is possible to control the passband width up to around 40 MHz.

このように、電磁界非結合スリット6を形成することに
より、従来よりも幅広い通過帯域での制御が可能となる
ため、従来と同一の通過帯域のフィルタを設計する際、
電磁界結合スリット8の深さを浅くすることかできる。
By forming the electromagnetic field decoupling slit 6 in this way, control over a wider passband than before is possible, so when designing a filter with the same passband as before,
The depth of the electromagnetic field coupling slit 8 can be made shallow.

これにより、フィルタの機械的強度を向上させることか
できる。
Thereby, the mechanical strength of the filter can be improved.

また、電磁界非結合スリット6を形成することにより、
単体の共振器1a、lbに着目すると、内導体1a、I
bと外導体4及び外導体4と同一電位の導電パターン5
との対向面積が増加することになる。これにより、共振
器1a、1bの容量Cが増加し、単体の共振器1a、1
bの共振周波数を小さくでき、それにともなって、共振
器1a。
Furthermore, by forming the electromagnetic field decoupling slit 6,
Focusing on the single resonators 1a and lb, the inner conductors 1a and I
b and the outer conductor 4 and the conductive pattern 5 having the same potential as the outer conductor 4
This means that the facing area will increase. As a result, the capacitance C of the resonators 1a and 1b increases, and the individual resonators 1a and 1
The resonant frequency of resonator 1a can be lowered, and accordingly, the resonator 1a.

lbの高さを低くすることが可能となる。It becomes possible to reduce the height of lb.

したかって、小型・低背型の共振器1a、Ib即ち、誘
電体フィルタが達成できる。
Therefore, small and low profile resonators 1a and Ib, that is, dielectric filters can be achieved.

本発明によれば、広範囲にわたり、共振器1a、Ib間
の結合を制御し、広い通過帯域幅での制御が可能となる
。たとえば、広帯域の誘電体フィルタlOを得るには、
電磁界結合スリット8を 深く、電磁界非結合スリット
8を浅くすることにより達成できる。このようにすると
、上述のようにオツドモードにおいて、最も結合容量が
大きい開放端面A近傍の共振器1a、1bに外導体4と
導通ずる導体パターン5a、5bを形成することにより
、さらに結合容量を小さくすることかできるためである
According to the present invention, it is possible to control the coupling between the resonators 1a and Ib over a wide range, and to perform control over a wide passband width. For example, to obtain a broadband dielectric filter lO,
This can be achieved by making the electromagnetic field coupling slit 8 deep and the electromagnetic field non-coupling slit 8 shallow. In this way, as described above, in the odd mode, the coupling capacitance is further reduced by forming the conductive patterns 5a, 5b that are electrically connected to the outer conductor 4 in the resonators 1a, 1b near the open end surface A where the coupling capacitance is the largest. This is because you can do what you want.

また、逆に狭帯域の誘電体フィルタ10を得るには、電
磁界結合スリット8を浅く、電磁界非結合スリット6を
深くすればよい。
Conversely, in order to obtain a narrow band dielectric filter 10, the electromagnetic field coupling slit 8 may be made shallow and the electromagnetic field non-coupling slit 6 may be made deep.

第2図は、本発明の誘電体フィルタ20の他の実施例を
示す概略斜視図である。尚、上述の実施例と同一部分は
同一番号を付す。
FIG. 2 is a schematic perspective view showing another embodiment of the dielectric filter 20 of the present invention. Incidentally, the same parts as in the above-mentioned embodiment are given the same numbers.

本実施例において、電磁界結合スリット8を電磁界非結
合スリット6の底面7の一部に短絡端面Bにまで到達す
る貫通穴9を形成したものである。
In this embodiment, a through hole 9 is formed in a part of the bottom surface 7 of the electromagnetic field coupling slit 8 to reach the short-circuit end surface B.

この実施例において、共振器1a、lbの結合度の制御
は、電磁界非結合スリット6の深さと電磁界結合貫通穴
9の寸法によって決定され、広帯域の誘電体フィルタl
Oを得るには、電磁界結合貫通穴°9の開口面積を大き
く、電磁界非結合スリット6の深さを浅くすればよい。
In this embodiment, the coupling degree of the resonators 1a and lb is determined by the depth of the electromagnetic field non-coupling slit 6 and the size of the electromagnetic field coupling through hole 9, and the broadband dielectric filter l
In order to obtain O, the opening area of the electromagnetic field coupling through hole °9 should be made large and the depth of the electromagnetic field non-coupling slit 6 should be made shallow.

上述のように電磁界非結合スリット6と電磁界結合スリ
ット8及び電磁界結合貫通穴9によって共振器1a、1
b間の結合度の調整をおこなうか、誘電体フィルタIO
の強度に鑑みると、電磁界結合スリット8の深さが決定
される。即ち、共振器la、lbの高さをh1電磁界結
合スリット8の深さdとすると、d/hか0.9以下で
あることが望ましい。d/hが0.9以上であると、誘
電体フィルタlの機械的強度か劣化してしまい、実質的
に誘電体フィルタIOを達成できなくなる。
As described above, the resonators 1a, 1
Adjust the degree of coupling between b or dielectric filter IO
The depth of the electromagnetic field coupling slit 8 is determined in consideration of the strength of . That is, assuming that the height of the resonators la and lb is the depth d of the h1 electromagnetic field coupling slit 8, it is desirable that d/h be 0.9 or less. If d/h is 0.9 or more, the mechanical strength of the dielectric filter 1 will deteriorate, making it virtually impossible to achieve the dielectric filter IO.

さらに、電磁界非結合スリット6に関しても、最適な条
件として、共振器1a、Ibの高さをhの0.1程度で
あることが望ましい。
Furthermore, regarding the electromagnetic field decoupling slit 6, it is desirable that the height of the resonators 1a and Ib be approximately 0.1 of h as an optimum condition.

例えばで、電磁界非結合スリット6が共振器1a、1b
の高さをhの0.3以上であると、実質的に広帯域の誘
電体フィルタ10を達成できなくなる。
For example, the electromagnetic field decoupling slit 6 is connected to the resonators 1a and 1b.
If the height of h is 0.3 or more, it becomes impossible to achieve a substantially broadband dielectric filter 10.

上述の実施例において、誘電体フィルタは2つの共振器
1a、1bから構成されているか、3.4・・など任意
の数の共振器でフィルタを形成しても構わない。
In the embodiments described above, the dielectric filter is composed of two resonators 1a and 1b, or the filter may be formed of any number of resonators such as 3, 4, . . . .

〔本発明の効果〕[Effects of the present invention]

以上、詳述したように、誘電体フィルタの開放端面の隣
接しあう共振器間に、外導体と導通ずる導体パターンを
有する幅広の電磁界非結合スリットを形成し、さらに該
電磁界非結合スリットの底面に電磁界結合の貫通穴又は
スリットを形成したため、通過帯域幅を制御可能な幅が
広くなり、自由な設定か可能な誘電体フィルタとなる。
As described in detail above, a wide electromagnetic field decoupling slit having a conductor pattern that conducts with the outer conductor is formed between adjacent resonators on the open end surface of the dielectric filter, and the electromagnetic field decoupling slit Since a through hole or slit for electromagnetic field coupling is formed on the bottom surface of the dielectric filter, the controllable passband width becomes wider, resulting in a dielectric filter that can be freely set.

また、通過帯域幅の制御幅の増大により、電磁界結合の
貫通穴又はスリットを極小化し、機械的強度にすぐれた
誘電体フィルタとなる。
Furthermore, by increasing the control width of the passband width, the through holes or slits for electromagnetic field coupling can be minimized, resulting in a dielectric filter with excellent mechanical strength.

さらに、共振器自身の容量の増大により、共振周波数の
低い共振器が可能となり、小型、低背型の誘電体フィル
タとなる。
Furthermore, by increasing the capacitance of the resonator itself, a resonator with a low resonant frequency becomes possible, resulting in a small, low-profile dielectric filter.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の誘電体フィルタの外観斜視図であり、
第2図は本発明の誘電体フィルタの他の実施例の外観斜
視図である。 第3図(a)、(b)はイーブンモードとオツドモード
の結合状態の説明するための概略図であり、第3図(a
)はイーブンモード、第3図(b)はオツドモードの結
合状態を示す。 第4図は通過帯域幅と、イーブンモードの共振周波数、
オツドモードの共振周波数との関係を示す特性図である
。 第5図は開放端面側と短絡端面側との電界結合の強度の
分布を示す概略図である。 第6図、第7図、第8図は従来の誘電体フィルタの構造
を示す外観斜視図である。 10.20、60、 l a、l b、61a。 221.2 b、 62a。 3 a、3 b、63a。 4.64・ ・ ・  ・ 5改、5′g  ・′・・・ 6 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 7 ・ 中 ・ ・ ・ ・ ・ ・ 8 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 9 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ A・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ワ0、BO・・誘電体フィルタ 61b・・誘電体共振器 62b・・・貫通穴 63b・・・内導体 外導体 導体パターン ・電磁界非結合スリット ・底面 ・電磁界結合スリット ・電磁界結合貫通穴 ・・・・・開放端面 ・短絡端面
FIG. 1 is an external perspective view of the dielectric filter of the present invention,
FIG. 2 is an external perspective view of another embodiment of the dielectric filter of the present invention. 3(a) and 3(b) are schematic diagrams for explaining the combined state of even mode and odd mode, and FIG. 3(a)
) shows the combination state in even mode, and FIG. 3(b) shows the combination state in odd mode. Figure 4 shows the passband width and even mode resonance frequency,
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the odd mode and the resonance frequency. FIG. 5 is a schematic diagram showing the distribution of electric field coupling strength between the open end face side and the shorted end face side. FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 8 are external perspective views showing the structure of a conventional dielectric filter. 10.20, 60, l a, l b, 61a. 221.2b, 62a. 3a, 3b, 63a. 4.64・ ・ ・ ・ 5th revision, 5′g ・′... 6 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 7 ・ Medium ・ ・ ・ ・ ・ 8 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 9 ・ ・ ・ ・・ ・ ・ ・ A. . . . . Slit, bottom surface, electromagnetic coupling slit, electromagnetic coupling through hole, open end surface, shorted end surface

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)誘電体ブロックに複数個の共振器貫通穴を設け、
該貫通穴内面に内導体及び誘電体ブロックの外側周面に
外導体を設け、一方の端面を開放端面、他方の端面を該
内導体と該外導体とが導通する短絡端面とし、隣接しあ
う共振器を電磁界結合した誘電体フィルタにおいて、 ・前記開放端面の隣接しあう共振器間に、外導体と導通
する導体パターンを有する幅広の電磁界非結合スリット
を形成し、さらに該電磁界非結合スリットの底面に電磁
界結合用貫通穴又はスリットを形成したことを特徴とす
る誘電体フィルタ。
(1) Provide multiple resonator through holes in the dielectric block,
An inner conductor is provided on the inner surface of the through hole and an outer conductor is provided on the outer peripheral surface of the dielectric block, one end surface is an open end surface, the other end surface is a short-circuit end surface where the inner conductor and the outer conductor are electrically connected, and the inner conductor and the outer conductor are adjacent to each other. In a dielectric filter in which resonators are electromagnetically coupled, a wide electromagnetic field decoupling slit having a conductor pattern that is electrically connected to the outer conductor is formed between adjacent resonators on the open end face, and further the electromagnetic field decoupling slit is A dielectric filter characterized in that a through hole or slit for electromagnetic field coupling is formed on the bottom surface of the coupling slit.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100319474B1 (en) * 1998-10-29 2002-01-09 무라타 야스타카 dielectric filter, dielectric duplexer and communication apparatus

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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